【課題】ゲートとドレインとの重なり部分の容量であるゲートオーバーラップ容量を精度よく抽出する。
【解決手段】本発明の一態様に係るシミュレーションパラメータの抽出方法は、コンタクトプラグ数のみが異なる複数のレイアウトパターンのそれぞれについて、所定のバイアス電圧下におけるゲート−ドレイン間の容量を測定して真のゲートオーバーラップ容量を含む測定値を求め、コンタクトプラグとゲートとの間の寄生容量を求めるためのモデルパラメータを変化させてシミュレーションを行って得られるコンタクトプラグとゲートとの間のコンタクト寄生容量を測定値から減算することによりゲートオーバーラップ容量演算値を求め、当該ゲートオーバーラップ容量演算値がコンタクトプラグの数によらず略一定となるモデルパラメータにおける当該ゲートオーバーラップ容量演算値を真のゲートオーバーラップ容量として抽出する。 （もっと読む）

【課題】ラッチアップを利用したＥＳＤ保護のための半導体装置において、ラッチアップ発生電圧を任意の値に設定すること。
【解決手段】半導体装置３００は、Ｐ型基板３０１と、Ｐ型基板３０１の表面に形成されたＮ型ウェル領域３０２と、Ｎ型ウェル領域３０２の表面上のＰ＋型拡散領域３０３及びＮ＋型拡散領域３０４と、Ｐ型基板３０１とＮ型ウェル領域３０２との境界上に配置された酸化膜３０５と、酸化膜３０５の一部の上に配置されたポリＳｉ３０６と、Ｐ型基板３０１の表面上のＰ＋型拡散領域３０７及びＮ＋型拡散領域３０８とを備える。フローティング電極３０９は、ポリＳｉ３０６及びＮ型ウェル領域３０２とそれぞれ容量結合するように配置されている。ポリＳｉ３０６は接地されている。 （もっと読む）

【課題】内部動作に起因する半導体基板の電位的変動を抑制することが容易な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路（１）の内部において、外部電源端子（Ｐｖｃｃ）と半導体基板（Ｐｓｕｂ）との間および外部グランド端子（Ｐｖｓｓ）と半導体基板との間の何れか一方又は双方に可変インピーダンス回路（ＶＺ）を配置し、可変インピーダンス回路に対するインピーダンスの設定に従って、半導体集積回路に形成されたトランジスタの動作に応じて半導体基板に生起される電源電圧側の変動成分とグランド電圧側の変動成分とをバランスさせるようにその変動成分の大きさや波形を決定する。半導体集積回路の電源及びグランド側の変動に起因して半導体基板に与えられる変動成分が抑えられることにより、半導体基板を通して外部でコモンモード電流経路が形成されることを抑制することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】複数のエリアを有する半導体システムにおいて不使用エリアにおける消費電力を削減する。
【解決手段】内部電源発生回路７０ｂ〜７０ｄを其々有する複数のコアチップＣＣ０〜ＣＣ７と、コアチップＣＣ０〜ＣＣ７を制御するインターフェースチップＩＦと、を備えた半導体システムであって、前記インターフェースチップＩＦはコアチップＣＣ０〜ＣＣ７の不使用チップ情報ＤＥＦを保持する不使用チップ情報保持回路３３を備える。コアチップＣＣ０〜ＣＣ７は其々対応する不使用チップ情報ＤＥＦを不使用チップ情報保持回路３３から受け、該不使用チップ情報ＤＥＦが不使用状態を示すときには内部電源発生回路７０ｂ〜７０ｄを非活性とし、使用状態を示すときには内部電源発生回路７０ｂ〜７０ｄを活性とする。これにより、不使用チップにおける無駄な電力消費が削減される。 （もっと読む）

【課題】クロストークノイズによるディレイ変動量を正確に測定する。
【解決手段】複数のインバータを奇数段直列に接続したリングオシレータＲＯと、リングオシレータＲＯの一部の配線（被害側配線）ＶＩＣに沿って設けられる第１配線（加害側配線）ＡＧＧと、前記第１配線ＡＧＧに供給する第１パルスを発生するパルス発生回路ＰＧＥＮと、前記第１配線ＡＧＧと前記パルス発生回路ＰＧＥＮの間に接続された第１バッファ（加害ゲート）ＡＧと、前記パルス発生回路ＰＧＥＮと前記第１バッファＡＧとの間に接続される第２配線を具備し、前記第１配線ＡＧＧと前記リングオシレータＲＯの一部の配線ＶＩＣとの間の距離は、前記第２配線と前記リングオシレータＲＯの一部の配線ＶＩＣとの間の距離より短くする。 （もっと読む）

【課題】設計基準を遵守しつつ容量値を向上しうる容量素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の電極パターンをそれぞれ有し、積み重ねるように配置された複数の配線層と、複数の配線層の間にそれぞれ設けられ、隣接する配線層の複数の電極パターンのそれぞれを電気的に接続する複数のビア部と、複数の配線層及び複数のビア部の間隙に形成された絶縁膜とを有する容量素子を有し、ビア部は、電極パターンの中心に対して、電極パターンの延在方向と交差する方向にずらして配置されており、電極パターンは、ビア部が接続された部分において線幅が太くなっており、隣接する電極パターンとの間の間隔が狭まっている。 （もっと読む）

【課題】隣接信号の間に発生するクロストークノイズ(Crosstalk Noise)による信号の品質低下を防止するための半導体装置及びその信号伝送方法を提供する。
【解決手段】複数の同種信号を伝送するための複数の伝送ラインを具備する半導体装置１００において、第１信号ＩＮ１を伝送する伝送区間全体の間に第１信号ＩＮ１の位相を同一に維持して伝送するための第１伝送ライン１５０と、第１伝送ライン１５０に隣接して配置されて第２信号ＩＮ２を伝送する伝送区間全体のうちで一部区間の間に第２信号ＩＮ２の位相を反転させて伝送するための第２伝送ライン１６０a、１６０bが具備される。 （もっと読む）

【課題】インダクタンス値を変えることができ、インダクタ素子が占める基板上でのスペースを小さくしつつ、インダクタ素子を簡便な構成により実現可能とした可変スパイラルインダクタを提供する。
【解決手段】接地導体７を設けた半絶縁性の基板２と、この基板２に形成され、平面スパイラル状のパターンを有し、一端から入力された高周波信号を他端へ通過させるスパイラル導体５と、このスパイラル導体５に対し基板面に直交する方向で間隔を介して設けられたマイクロストリップライン導体６と、このマイクロストリップライン導体６の電位を接地電位又は開放電位にするための駆動バイアスを印加される電極４と、を備え、この電極４へ印加される駆動バイアスのオンオフ駆動により、マイクロストリップライン導体６の状態を高周波信号に対して等価的に接地状態又は短絡状態にし、高周波信号に対して値の異なるインダクタンスを生成する。 （もっと読む）

【課題】マイクロトランス素子を小型化することと、マイクロトランス素子の特性を確保することとを両立する。
【解決手段】 トランス素子は、第１導電型の半導体層を備えた半導体基板と、第１導電型の半導体層の表面側に設けられた第２導電型の半導体層からなる半導体層コイルと、半導体層コイルと並列に接続されており、半導体層コイルのコイル配線間の第１導電型の半導体層に形成されたトレンチと、トレンチ内面に設けられたトレンチ絶縁膜と、そのトレンチ絶縁膜によって被覆されている導電層有するトレンチコイルと、第１導電型の半導体層の表面側に設けられ、半導体層コイルおよびトレンチコイルを被覆するコイル絶縁層と、コイル絶縁層の表面に設けられており、半導体層コイルおよびトレンチコイルと対向している金属層コイルとを備えている。並列接続された半導体層コイルとトレンチコイルによって、第１コイルの抵抗が低減し、トランス素子の小型化と特性確保を両立できる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の半導体層に形成された部分空乏型のトランジスターにおいて、高いＯＮ／ＯＦＦ比と、安定動作を同時に実現できるようにした半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁層上の半導体層に形成された部分空乏型の第１トランジスターと、前記半導体層に形成された第２トランジスターと、前記半導体層に形成された第３トランジスターと、を備え、前記第１トランジスターは、第１導電型の第１ソース又は第１ドレインを有し、前記第２トランジスターは、第１導電型の第２ソース又は第２ドレインを有し、前記第３トランジスターは、第２導電型の第３ソース又は第３ドレインを有し、前記第１ソース又は第１ドレインの一方と、前記第２ソース又は第２ドレインの一方とが電気的に接続され、前記第２ソース又は第２ドレインの他方と、前記第１トランジスターのボディ領域と、前記第３ソース又は第３ドレインの一方とが互いに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの距離に依存したばらつきに対して、電流源の出力電流誤差を均一にする事ができる、レイアウト構成の半導体装置の提供。
【解決手段】第１の電流源を構成するトランジスタＡと、第１の電流源の電流を基準とした第２の電流源を構成する複数のＭＯＳトランジスタＢを備えたカレントミラー回路のレイアウトとして、ＭＯＳトランジスタＡの周囲に、ＭＯＳトランジスタＢを均等に配置し、入力電流端子及び出力電流端子から、ＭＯＳトランジスタＡ、複数のトランジスタＢの同一の端子への配線に関して、それらの特性（寄生抵抗容量）を該配線間で均等化させるレイアウトを有する。 （もっと読む）

【課題】アナログ処理の特性の向上を図れる集積回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】集積回路装置は、信号が入力されるパッドＰＡＮＴと、パッドＰＡＮＴを介して入力される信号についてのアナログ処理を行うアナログ回路と、アナログ回路の信号入力ノードとパッドＰＡＮＴとの間に設けられるキャパシターＣＡを含む。パッドＰＡＮＴとキャパシターＣＡの一端とが、最上層金属層ＡＬＥで形成されるパッド配線ＬＮＰにより接続される。 （もっと読む）

【課題】振動子が外付けされて発振回路を実現する半導体集積回路において、振動子が外付けされるパッドと内部回路間の配線による浮遊容量の影響を小さくする。
【解決手段】半導体集積回路は、半導体基板と、第１のパッドＰ１に第１の抵抗及Ｒ１及び第１のコンデンサＣ_ＡＣを介して接続の入力端子、及び、第２のパッドＰ２に第２の抵抗Ｒ２及び第３の抵抗Ｒ_Ｄを介して接続の出力端子を有するインバータ３２と、インバータ入力端子と第２の抵抗Ｒ２及び第３の抵抗Ｒ_Ｄの接続点との間に接続され、インバータと共に発振ブロックを構成する帰還素子３３と、第１の抵抗Ｒ１及び第１のコンデンサの接続点と基板電位との間に接続され、第１のパッドと発振ブロックとの間に配置された第２のコンデンサＣ_Ｇと、第２の抵抗Ｒ２及び第３の抵抗Ｒ_Ｄの接続点と基板電位との間に接続され、第２のパッドＰ２と発振ブロック間に配置された第３のコンデンサＣ_Ｄとを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の伝送線路の信号伝達効率を高くする
【解決手段】本発明は、多層配線４００内に形成され、信号線３４２下にあり、トランジスタ領域上に形成された第１導体パターン３１２を有する、半導体装置に関する。第１導体パターン３１２はグラウンドまたは電源に接続し、トランジスタ領域と重なる。また、信号線３４２は第１導体パターン３１２と重なっている。第１導体パターン３１２は複数のトランジスタ形成領域と重なっていてもよい。第１導体パターン３１２の下にトランジスタ形成領域を複数有していていもよい。 （もっと読む）

【課題】チップレベルの設計に関する問題に対処し、クロストークカップリングが存在する場合でも正確な経路遅延を計算すること。
【解決手段】一実施例でのクロックツリーにてジッタを計算する方法は、クロックツリーを複数のステージに分割し、クロックツリーに関連する回路の少なくとも一部分のモデルに従って、１以上のステージのジッタを算出する。モデルは回路のジッタのソース各々の表現を含む。本方法は、クロックツリー中の経路又は経路対に関するジッタを計算するため、クロックツリー中の経路又は経路対の各ステージのジッタを互いに統計的に合成するステップを含む。一実施例では、ジッタを効率的に計算し且つクロックスキューゼロを達成するため、モデルは回路の対称的なクロックツリーを合成し、そのツリーでは区六浮くツリーのルートからクロックツリーのシンクに至る全てのパス中の関連するステージは、近似的に電気的に互いに等価な性質を示す。 （もっと読む）

【課題】電源オフ時の高圧電源線に対するESD電荷に対して、十分な放電能力を持ちつつ、電源印加時に高圧電源変動・ノイズが発生しても誤動作しない静電保護回路の提供。
【解決手段】シャント素子４のゲートと高圧電源端子との間に接続された調整用容量を持つ。同時に低圧電源電圧とGND間にフィルタ回路と、フィルタ回路によって生成された定電圧を入力とし、シャント回路１のゲート電位を制御するMOSトランジスタM1と電源オフ時にM1の機能を止めるNチャネルMOSトランジスタM2とを有する誤動作防止回路３とを備えた誤動作防止機能付きシャント回路１。このとき誤動作防止回路部をチップの中心部側に、シャント回路部をチップの外縁部側に向けて、チップ上の端部に配置し、シャント回路部の抵抗素子をシャント素子よりも端部に近くに、かつ、誤動作防止回路部とシャント素子との間に配置する。 （もっと読む）

Ｔ−コイル回路網を備える回路設計を生成する方法の１つの実施形態は、インダクタのインダクタンスおよびＴ−コイル回路網の寄生ブリッジ容量を決定するステップ（３０５−３４０）を含み得る。寄生ブリッジ容量は、Ｔ−コイル回路網の出力に結合された負荷の寄生容量に依存する負荷容量基準と比較され得る（３４５，３５５）。Ｔ−コイル回路網の出力に結合された回路設計の静電放電（ＥＳＤ）保護の量、または、Ｔ−コイル回路網のインダクタのパラメータが、寄生ブリッジ容量と負荷容量基準との比較に従って、選択的に調整され得る（３５０，３６０）。インダクタのインダクタンスと、静電放電保護の量と、インダクタの巻線の幅とを特定可能な回路設計が出力され得る（３６５）。
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【課題】 インダクター配線のインピーダンスの低減と、インダクター配線と基板等との間に形成される寄生容量の低減とを共に実現する。
【解決手段】 多層配線を利用して基板上に構成されるインダクターは、第ｎ層の導体層ＭＥ（ｎ）により形成される第１インダクター配線１００と、第１インダクター配線１００と電気的に接続される、第（ｎ＋α）層（αは、１以上の整数）の導体層ＭＥ（ｎ＋１）により形成される第２インダクター配線２００と、を有し、第１インダクター配線１００にはスリットが設けられておらず、第２インダクター配線２００には、第２インダクター配線の延在方向に沿う少なくとも一つのスリットＳＬ１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マイクロトランス素子、信号伝達回路、及び半導体装置に係り、微細化を妨げることなくコイル断面積を大きく確保することにある。
【解決手段】半導体基板２０上に層間絶縁膜３０を挟んで下層コイル３２及び上層コイル３４が積層されたマイクロトランス素子１０において、下層コイル３２を、層間絶縁膜３０を挟んで積層された第１の金属配線４０及び第２の金属配線４２と、それら第１の金属配線４０及び第２の金属配線４２を層間絶縁膜３０を貫通して相互に連結したビアコンタクト４４と、からなるものとすると共に、上層コイル３４を、層間絶縁膜３０を挟んで積層された第３の金属配線５０及び第４の金属配線５２と、それら第３の金属配線５０及び第４の金属配線５２を層間絶縁膜３０を貫通して相互に連結したビアコンタクト４４と、からなるものとする。 （もっと読む）

本発明は無線周波数システム及び方法に関する。無線周波数（ＲＦ）システムは、バルク基板領域及び埋設酸化物領域を備えるシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）上に実装された、少なくとも１つ又は複数のＲＦ信号をスイッチングするための複数のトランジスタスイッチング素子を備えるＲＦスイッチを具備する。少なくとも１つのフィルタが、基板及び／又はＲＦシステムに存在する他の高周波信号若しくは制御信号からＲＦ信号を絶縁するように構成される。トランジスタスイッチ素子の線形性を改善するために、フィルタと協働するように構成された結合キャパシタも提供される。 （もっと読む）