【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、駆動電圧を上昇させることなく、発光効率を向上させること
【解決手段】各層はIII 族窒化物半導体から成り、ｎ型層側クラッド層１０３、Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）層を障壁層１４１とする多重量子構造を有した発光層１０４、ｐ型層側クラッド層１０６を少なくとも有するIII 族窒化物半導体発光素子である。発光層１０４は、ｎ型層側クラッド層１０３からｐ型層側クラッド層１０６の方向の厚さ方向に沿って、３区分の第１区分、第２区分、第３区分に分ける時、第１区分と第３区分における障壁層１４１の層数を等しくし、第１区分における障壁層１４１のＡｌ組成比をｘ、第２区分における障壁層１４１のＡｌ組成比をｙ、第３区分における障壁層１４１のＡｌ組成比をｚとする時、ｘ＋ｚ＝２ｙ、且つ、ｚ＜ｘを満たすように、それぞれの障壁層１４１のＡｌ組成比を設定した。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生が抑制された高品質のバッファ層を異種基板上に形成することが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体とは異なる材料から構成される異種基板１０と、異種基板１０の主面１０ａ上に形成され、窒化物半導体から構成されるスパッタ膜２０と、スパッタ膜２０上に形成され、窒化物半導体から構成される発光素子部とを備えている。異種基板１０は、主面１０ａ部分に形成される凹部１５を含み、凹部１５は、傾斜面１６を有するとともに、断面的に見て、略Ｖ字状に形成されている。また、傾斜面１６は、凹部１５の底側の傾斜角度が主面１０ａ側の傾斜角度以下とされている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子の電流拡散効率を向上させるとともに、コンタクト抵抗をも低減でき、大きな駆動電流密度においても発光均一性と高い光出力を得ながら、動作電圧を低減させる得る窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の同一面側にｎ側およびｐ側電極パッドが形成された窒化物半導体発光素子であって、ｐ側電極パッド（およびｎ側電極パッド）から枝状に延伸された延長部を形成し、それによって発光素子中の電流分布を改善する電極構造の窒化物半導体発光素子において、ｎ側およびｐ側のシート抵抗がいずれも充分に低い場合に、ｐ型窒化物半導体層上に形成された透光性導電膜からなる電流拡散層のシート抵抗を一定条件下において高くすることにより、ｐ型窒化物半導体層と電流拡散層とのコンタクト抵抗を低減し、且つ、シート抵抗の面内分布がより均一になり、光出力も向上する。 （もっと読む）

【課題】 電子線を均一に安定して放射することのできる電子線源装置および高い発光効率の得られる電子線励起型光源装置を提供すること。
【解決手段】 この電子線源装置は、各々カーボンナノチューブにより構成された、同一平面に沿って離間して並ぶ複数の面状の電子線放出部を有するカソード電極と、電子線放出部と離間して対向するよう配置された、電子線放出部の各々に対応する位置に電子線通過用開口を有する電子引き出し電極とを備えており、電子線放出部から放出される電子線を電子引き出し電極における電子線通過用開口に向かって指向させる電子線レギュレータ部が、各々の電子線放出部の周囲を囲むよう、形成されている。電子線励起型光源装置は、上記の電子線源装置と、この電子線源装置から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とを備えてなる。 （もっと読む）

【課題】アモルファス状態の透明導電膜の光透過率を増加させ、シート抵抗を低下させ、ｐ型半導体層とのオーミックコンタクトを形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空排気された真空槽３１内に、アモルファス状態の透明導電膜が表面に露出する処理対象物１が配置された状態で、真空槽３１内に不活性ガスと酸素ガスとを、不活性ガスに対する酸素ガスの流量比が１／２０以上３／７以下になるように導入して圧力を上昇させ、圧力が上昇した状態で処理対象物１を３００℃以上８００℃以下に加熱する（第一のアニール工程）。次いで、酸素ガスの導入を停止して、真空槽３１内の酸素ガスの分圧が第一のアニール工程での酸素ガスの分圧よりも低下した状態で、処理対象物１を３００℃以上８００℃以下に加熱する（第二のアニール工程）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に真性半導体エピタキシャル層を成長させる第三ステップと、前記真性半導体エピタキシャル層の上に、ドープされた半導体エピタキシャル層を成長させる第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 光半導体層の結晶性を向上させつつ、発光効率の低下を招きにくくすることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層３と、ｎ型窒化ガリウム系半導体層３上に設けられた、窒化ガリウム系半導体を含む発光層４と、発光層４上に設けられた、発光層４と接するブロック層５を持つｐ型窒化ガリウム系半導体層６とを有し、ブロック層５は、マグネシウムを含有した電子ブロック層５ａと、電子ブロック層５ａよりもマグネシウムの含有量が小さい、厚みが３ｎｍ以下の正孔トンネル層５ｂとが積層されている。このような正孔トンネル層５ｂをブロック層５が有していることから、光半導体層７の結晶性を向上させつつ、発光効率の低下を招きにくくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率を向上した発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、基板２と、基板２の第１主面２Ａに、平面視して、格子状に引いた仮想直線５同士の交点位置に重なるように配置された複数の第１突起３ａ、および第１突起３ａと重ならない位置に配置された、基板２と異なる材料からなる第２突起３ｂを有する突起群３と、突起群３を埋めるように基板２の第１主面２Ａ上に設けられた光半導体層４とを有する。このように基板２上に第２突起３ｂを有していることから、発光素子１の光取り出し効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】保護膜及びその上の電極膜が均一な膜厚で形成された発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、上部に平坦部と傾斜側面及び頂面を有するメサ型構造部とを有し、平坦部及びメサ型構造部はそれぞれ、少なくとも一部は保護膜、電極膜によって順に覆われ、傾斜側面はウェットエッチングによって形成されてなると共に頂面に向かって水平方向の断面積が連続的に小さく形成され、保護膜は、平坦部の少なくとも一部と、傾斜側面と、頂面の周縁領域とを覆うとともに、平面視して周縁領域の内側に化合物半導体層の表面の一部を露出する通電窓を有し、電極層は、前記通電窓から露出された化合物半導体層の表面に直接接触すると共に、前記平坦部上に形成された保護膜の一部を少なくとも覆い、前記メサ型構造部の頂面上に光射出孔を有するように形成された連続膜である、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高光出力化および小型化が図られた電子線励起型光源装置であっても、真空容器の劣化または破損が抑制される電子線励起型光源装置の提供。
【解決手段】電子線励起型光源装置は、電子線源と、この電子線源から放出された電子線によって励起されて紫外線を放射する半導体発光素子とが内部に配置された真空容器を備えてなる電子線励起型光源装置において、前記真空容器の内表面に紫外線反射部材が設けられている。 （もっと読む）

【課題】色度ずれを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光部２０は、第１の主面と、前記第１の主面の反対面を形成する第２の主面と、前記第２の主面上に形成された第１の電極部５０および第２の電極部８０と、を有する。透光部３０は、前記第１の主面側に設けられ、凹状の面を有する。波長変換部４０は、前記透光部を覆うように設けられ、蛍光体４１を含有する。封止部１３０は、前記第２の主面側に設けられ、第１の導電部の端部および第２の導電部の端部を露出させつつ前記第１の導電部および前記第２の導電部を封止している。前記蛍光体は、前記透光部の側方に充填された第１の蛍光体と、前記第１の蛍光体の粒子径よりも大きく前記凹状の面の開口部よりも小さい粒子径を有し前記開口部に充填された第２の蛍光体と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高性能の窒化物半導体発光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型窒化物半導体層を形成する工程と、ｎ型窒化物半導体層上に発光層を形成する工程と、発光層上にｐ型窒化物半導体層を形成する工程と、ｐ型窒化物半導体層を、酸素を含む雰囲気において、第１温度で熱処理する工程と、第１温度で熱処理したｐ型窒化物半導体層を、真空雰囲気において、第１温度よりも低い第２温度で熱処理する工程と、を含む窒化物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】太陽光が有するプロファイルにほぼ一致した発光スペクトルプロファイルを有し、発熱量が小さく、コンパクトなソーラーシミュレータ、及び量子ドット太陽光ＬＥＤ積層体を提供すること。
【解決手段】量子ドット太陽光ＬＥＤ用積層体は、ＩＩ−ＶＩ族半導体ナノ結晶粒子及びＩＶ−ＶＩ族半導体ナノ結晶粒子から選ばれる半導体ナノ結晶粒子の種類ごとに形成される各層から構成され、ＬＥＤの光出力方向に向かって、半導体ナノ結晶粒子のバンドギャップが小さいものから大きいものとなるように順次積層されており、各層の中では、ＬＥＤの光出力方向に向かって、粒径が大きいものを含む層から小さいものを含む層となるように順次積層されており、上記各層間において、上記半導体ナノ結晶粒子に起因する発光スペクトルのピーク波長の差が上記半導体ナノ導体粒子の発光スペクトルの半値幅以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単一基板上に複数の発光素子が設けられた半導体発光素子において、本構成を用いない場合に比べて光取出効率を向上する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板１０上に第１導電型層と第２導電型層とに挟まれた発光層を含む半導体積層構造２１を有する発光部１Ａと、基板１０上に発光部１Ｂと離間して異なる領域に設けられ、第１導電型層と第２導電型層とに挟まれた発光層を有する半導体積層構造２１を有する発光部１Ｂと、発光部１Ａの第１導電型層と、発光部１Ｂの第２の導電型層とを電気的に接続する内部配線層８３と、発光部１Ａの発光層及び発光部１Ｂの発光層の少なくともいずれかの発光層と、内部配線層８３との間に設けられ、発光部１Ａの発光層及び発光部１Ｂの発光層の少なくともいずれかの発光層から発光した光の少なくとも一部を反射する反射層９３とを有する。 （もっと読む）

【課題】光度を改善させることができる発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供すること。
【解決手段】本発明は、発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムに関するものである。本発明の一実施例による発光素子は、第１導電型半導体層、上記第１導電型半導体層の上に井戸層及び障壁層を有する活性層、及び上記活性層の上に第２導電型半導体層を備え、上記井戸層は、上記第１導電型半導体層に最も隣接し、第１エネルギーバンドギャップを有する第１井戸層、上記第２導電型半導体層に最も隣接し、第３エネルギーバンドギャップを有する第３井戸層、及び上記第１井戸層と上記第３井戸層との間に位置し、第２エネルギーバンドギャップを有する第２井戸層を備え、上記第３井戸層の上記第３エネルギーバンドギャップは上記第２井戸層の上記第２エネルギーバンドギャップより大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりを向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の製造方法は、（ａ）成長基板を準備する工程と、（ｂ）前記成長基板上に半導体層を形成する工程と、（ｃ）前記半導体層を複数の素子部に分割するとともに、各素子部間の半導体層の少なくとも一部を犠牲層として残す工程と、（ｄ）前記半導体層上に金属層を形成する工程と、（ｅ）前記半導体層に、前記金属層を介して支持基板を設ける工程と、（ｆ）前記成長基板に、前記素子部の全部を覆い、かつ前記犠牲層の外縁内に収まるようにレーザーを照射することにより、前記成長基板を前記半導体層から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を改善した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、第１電極と、第２電極と、を備える。積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、発光層と、を含む。積層構造体は、第１半導体層側の第１主面と、第２半導体層側の第２主面と、を有する。第１電極は、第２主面の側で第１半導体層と接する第１接触部を有する。第２電極は、第２主面で第２半導体層と接する部分を有する。第１半導体層の第１主面の側の表面は、第１部分と、第２部分と、を有する。第１部分は、積層方向にみたときに、第１接触部における第１半導体層との接触面と重なる部分を有する。第２部分は、積層方向にみたときに、第２半導体層と重なる部分を有する。第２部分は、発光層から放射される発光光のピーク波長よりも長いピッチの凹凸を有する。第１部分は、第２部分の凹凸よりも平坦である。 （もっと読む）

【課題】色度のばらつきを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、複数の半導体発光装置が一括形成された半導体発光装置ウェーハであって、発光部と、波長変換部と、を備えた半導体発光装置ウェーハが提供される。前記発光部は、第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する。前記波長変換部は、前記第１の主面側に設けられ、蛍光体を含有する。前記波長変換部の厚さは、前記発光部から出射する光の前記ウェーハの面内における波長及び強度の少なくともいずれかの分布に基づいて変化してなる。 （もっと読む）

【課題】色度のばらつきを抑制することができる半導体発光装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、光を出射する発光部と、前記発光部の一方の主面側に設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、を備えている。そして、前記波長変換部は、前記発光部から出射する光の波長に基づいた前記蛍光体の量の分布を有している。 （もっと読む）

【課題】 電子線を均一に安定して放射することのできる電子線源装置および高い発光効率の得られる電子線励起型光源装置を提供すること。
【解決手段】 この電子線源装置は、カーボンナノチューブにより構成された面状の電子線放出部を有するカソード電極と、電子線放出部と離間して対向するよう設けられた、電子線通過用開口を有する電子引き出し電極とを備えてなり、カソード電極と電子引き出し電極との間の位置において、電子線放出部から放出される電子線を電子引き出し電極における電子線通過用開口に向かって指向させる電子線レギュレータが電子線放出部と離間して対向するよう配置されている。電子線励起型光源装置は、上記の電子線源装置と、この電子線源装置から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とが真空容器の内部に配置されてなる。 （もっと読む）