半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
【課題】色度ずれを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光部２０は、第１の主面と、前記第１の主面の反対面を形成する第２の主面と、前記第２の主面上に形成された第１の電極部５０および第２の電極部８０と、を有する。透光部３０は、前記第１の主面側に設けられ、凹状の面を有する。波長変換部４０は、前記透光部を覆うように設けられ、蛍光体４１を含有する。封止部１３０は、前記第２の主面側に設けられ、第１の導電部の端部および第２の導電部の端部を露出させつつ前記第１の導電部および前記第２の導電部を封止している。前記蛍光体は、前記透光部の側方に充填された第１の蛍光体と、前記第１の蛍光体の粒子径よりも大きく前記凹状の面の開口部よりも小さい粒子径を有し前記開口部に充填された第２の蛍光体と、を含む。
【解決手段】発光部２０は、第１の主面と、前記第１の主面の反対面を形成する第２の主面と、前記第２の主面上に形成された第１の電極部５０および第２の電極部８０と、を有する。透光部３０は、前記第１の主面側に設けられ、凹状の面を有する。波長変換部４０は、前記透光部を覆うように設けられ、蛍光体４１を含有する。封止部１３０は、前記第２の主面側に設けられ、第１の導電部の端部および第２の導電部の端部を露出させつつ前記第１の導電部および前記第２の導電部を封止している。前記蛍光体は、前記透光部の側方に充填された第１の蛍光体と、前記第１の蛍光体の粒子径よりも大きく前記凹状の面の開口部よりも小さい粒子径を有し前記開口部に充填された第２の蛍光体と、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子と蛍光体とを組み合わせた半導体発光装置がある。一例として、窒化ガリウム（ＧａＮ）などのIII族窒化物半導体を用い、高輝度の青色光を発光する半導体発光装置が知られている。そして、青色光を発光する半導体発光装置に波長変換可能な蛍光体を含む波長変換部を設けることで白色光を出射させる技術が提案されている。このような白色光を出射する半導体発光装置においては、青色光を発光する半導体発光装置上に波長変換可能な蛍光体を含む樹脂を単に塗布または滴下し、これを硬化させることにより波長変換部を形成するようにしている。
そのため、白色光を出射する半導体発光装置を見る方向によって色度が異なる色度ずれが生ずるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１０−５０２０００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、色度ずれを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施態様によれば、発光部と、透光部と、波長変換部と、第１の導電部と、第２の導電部と、封止部と、を備えた半導体発光装置が提供される。前記発光部は、第１の主面と、前記第１の主面の反対面を形成する第２の主面と、前記第２の主面上に形成された第１の電極部および第２の電極部と、を有する。前記透光部は、前記第１の主面側に設けられ、凹状の面を有する。前記波長変換部は、前記透光部を覆うように設けられ、蛍光体を含有する。前記第１の導電部は、前記第１の電極部に接続されている。前記第２の導電部は、前記第２の電極部に接続されている。前記封止部は、前記第２の主面側に設けられ、前記第１の導電部の端部および前記第２の導電部の端部を露出させつつ前記第１の導電部および前記第２の導電部を封止している。前記蛍光体は、前記透光部の側方に充填された第１の蛍光体と、前記第１の蛍光体の粒子径よりも大きく前記凹状の面の開口部よりも小さい粒子径を有し前記開口部に充填された第２の蛍光体と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置を表す断面模式図である。
【図２】本実施形態にかかる半導体発光装置の色度ずれを説明するための模式図である。
【図３】比較例にかかる半導体発光装置を表す断面模式図である。
【図４】比較例にかかる半導体発光装置の色度ずれを説明するための模式図である。
【図５】本発明の他の実施の形態にかかる半導体発光装置を表す断面模式図である。
【図６】本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
【図７】本実施形態の波長変換部の形成方法を例示する断面模式図である。
【図８】本発明の実施の他の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
【図９】本実施形態の波長変換部の形成方法を例示する断面模式図である。
【図１０】本発明の実施のさらに他の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
【図１１】本実施形態の波長変換部の形成方法を例示する断面模式図である。
【図１２】本発明の実施のさらに他の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
【図１３】本実施形態の波長変換部の形成方法を例示する断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置を表す断面模式図である。
また、図２は、本実施形態にかかる半導体発光装置の色度ずれを説明するための模式図である。
また、図３は、比較例にかかる半導体発光装置を表す断面模式図である。
また、図４は、比較例にかかる半導体発光装置の色度ずれを説明するための模式図である。
【０００８】
なお、図２（ａ）は、本実施形態にかかる半導体発光装置における視野角度を例示する断面模式図であり、図２（ｂ）は、本実施形態にかかる半導体発光装置の色度ずれを例示するグラフ図である。
また、図４（ａ）は、比較例にかかる半導体発光装置における視野角度を例示する断面模式図であり、図４（ｂ）は、比較例にかかる半導体発光装置の色度ずれを例示するグラフ図である。
【０００９】
本実施形態にかかる半導体発光装置１の製造方法では、例えば、複数の半導体発光装置１が一体的に形成された後、各半導体発光装置１が個片化される。これにより、半導体発光装置１の生産性を向上させることができる。図１は、一体的に形成された複数の半導体発光装置１のうちの２つの半導体発光装置１が並列した状態を例示している。
【００１０】
図１に表したように、半導体発光装置１は、発光部２０と、透光部３０と、波長変換部４０と、第１の導電部６０と、第１の接続部材７０と、第２の導電部９０と、第２の接続部材１１０と、絶縁部１２０と、封止部１３０と、固定部１５０と、を備える。
【００１１】
発光部２０は、第１の半導体部２１と、第２の半導体部２２と、活性部２３と、を有する。また、発光部２０は、第１の主面２５と、第１の主面２５の反対面を形成する第２の主面２７と、第２の主面２７上に形成された第１の電極部５０および第２の電極部８０と、を有する。
【００１２】
第１の半導体部２１は、例えばｎ形となるようにドープされた半導体（ｎ形半導体）などにより形成されている。この場合、第１の半導体部２１は、例えばｎ形の窒化物半導体などにより形成されている。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）などが挙げられる。
【００１３】
第２の半導体部２２は、例えばｐ形となるようにドープされた半導体（ｐ形半導体）などにより形成されている。この場合、第２の半導体部２２は、例えばｐ形の窒化物半導体などにより形成されている。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）などが挙げられる。
【００１４】
活性部２３は、第１の半導体部２１と第２の半導体部２２との間に設けられている。
活性部２３は、例えば、正孔および電子が再結合して光を発生する井戸層と、井戸層よりも大きなバンドギャップを有する障壁層（クラッド層）と、を含む量子井戸構造などを有する。この場合、活性部２３は、単一量子井戸（ＳＱＷ；Single Quantum Well）構造を有してもよいし、多重量子井戸（ＭＱＷ；Multiple Quantum Well）構造を有してもよい。また、活性部２３は、複数の単一量子井戸構造が積層された構造を有してもよい。
【００１５】
単一量子井戸構造としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）を有する障壁層と、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）を有する井戸層と、ＧａＮ（窒化ガリウム）を有する障壁層と、がこの順で積層された構造などが挙げられる。
多重量子井戸構造としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）を有する障壁層と、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）を有する井戸層と、ＧａＮ（窒化ガリウム）を有する障壁層と、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）を有する井戸層と、ＧａＮ（窒化ガリウム）を有する障壁層と、がこの順で積層された構造などが挙げられる。
この場合、第１の半導体部２１が障壁層として機能してもよい。
なお、活性部２３は、量子井戸構造を有することに限定されるわけではなく、発光可能な構造を適宜有することができる。
【００１６】
発光部２０は、例えば、ピークの発光波長が約３８０ｎｍ〜５３０ｎｍ程度の発光ダイオードなどである。また、発光部２０は、例えば、発光波長の帯域が約３５０ｎｍ〜６００ｎｍ程度の発光ダイオードなどであってもよい。
【００１７】
透光部３０は、発光部２０の第１の主面２５上に形成され、凹状の面３１を有する。凹状の面３１の上方には、開口部３５（第２の開口部）が形成されている。透光部３０は、発光部２０から出射した光を透過させるとともに、色度ずれを抑制する。発光部２０から出射した光を透過させやすいように、透光部３０の透過率は、例えば、４２０ｎｍ〜７２０ｎｍの波長領域において例えば９０％以上であることがより望ましい。また、透光部３０の屈折率は、例えば１．２以上、１．９以下であることがより望ましい。
【００１８】
透光部３０は、半導体発光装置１を見る方向によって色度が異なる色度ずれを抑制するために設けられている。すなわち、透光部３０を設けることで、波長変換部４０の内部における光路長が発光部２０の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなっている。但し、透光部３０が設けられた場合でも、色度ずれが比較的大きくなる場合がある。これについては、後に詳述する。
【００１９】
透光部３０を形成する材料としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン系樹脂、メタクリル樹脂(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、環状ポリオレフィン(COP)、脂環式アクリル(OZ)、アリルジグリコールカーボネート(ADC)、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂とエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂、ウレタン樹脂、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２などが挙げられる。
【００２０】
この場合、発光部２０から出射する光が波長の短い紫外から青色の光であり、輝度が高い場合には、透光部３０を形成する材料が劣化するおそれがある。そのため、透光部３０を形成する材料としては、青色光などによる劣化が生じにくいものであることが好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が１．５程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーンなどが挙げられる。
ただし、透光部３０を形成する材料は、例示をしたこれらの材料に限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００２１】
波長変換部４０は、発光部２０の第１の主面２５の側に設けられ、透光部３０を覆うように設けられている。波長変換部４０は、波長変換可能な蛍光体４１と、蛍光体４１と混合された樹脂４３と、を有する。蛍光体４１は、例えば粒子状を有する。半導体発光装置に使用される粒子状の蛍光体４１の粒子径は、一般的に、約数μｍ〜１００μｍ程度である。
【００２２】
前述したように、本実施形態にかかる半導体発光装置１の製造方法では、例えば、複数の半導体発光装置１が一体的に形成される。そのため、半導体発光装置１の取れ高（形成量あるいは形成率）を高めようとすると、半導体発光装置１同士の間の隙間をより狭くして一体的に形成する必要がある。本実施形態では、一体的に形成された複数の半導体発光装置１の透光部３０同士の間の隙間３（第１の開口部）は、例えば約１００μｍ程度である。
【００２３】
しかしながら、図３に表した比較例にかかる半導体発光装置１ａのように、蛍光体４１が分級されず蛍光体４１の粒子径が数μｍ〜１００μｍ程度である場合には、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３と同等あるいはそれよりも大きい粒子径を有する蛍光体４１ｃは、その隙間３に入り込むことができない。一方、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも小さい粒子径を有する蛍光体４１ｄは、その隙間３に入り込むことができる。そのため、比較例にかかる半導体発光装置１ａでは、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３への蛍光体４１の充填が不十分となる場合がある。
【００２４】
なお、蛍光体４１の充填が不十分となるおそれのある部分は、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３に限定されるわけではない。蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布あるいは滴下する際に、製造途中の複数の半導体発光装置同士の間に生じている開口部（隙間）においては、蛍光体４１の充填が不十分となるおそれがある。本実施形態では、蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布あるいは滴下する際に、製造途中の複数の半導体発光装置１同士の間に生じている最小の開口部が透光部３０同士の間の隙間３である場合を例に挙げて説明する。
【００２５】
図３および図４（ａ）に表したように、隙間３への蛍光体４１の充填が不十分である場合には、透光部３０の側方すなわち透光部３０の側面３３の近傍における蛍光体４１の充填が十分ではない。つまり、透光部３０の側方における蛍光体４１の充填率は、透光部３０の凹状の面３１の上方における蛍光体４１の充填率よりも低く十分ではない。そうすると、比較的大きい色度ずれが生ずる場合がある。
【００２６】
図４（ｂ）は、所定の位置から出射し波長変換部４０を透過した光をシミュレーション分析したグラフ図である。図４（ｂ）における横軸は、視野角度を表している。図４（ａ）に表したように、視野角度が０°とは、半導体発光装置を上方正面側から見た場合の角度である。その他の視野角度は、図４（ａ）に表した如くである。図４（ｂ）における縦軸は色度を表しており、図中の上側になるほど黄色となり、図中の下側になるほど青色となる。また、色度ずれは、視野角度に対する色度の差で表される。そのため、例えば、０°、４５°、−４５°、６０°、−６０°、８０°、および−８０°の少なくとも２つ以上の視野角度の間における色度の差が小さくなるほど色度ずれが小さいことになる。
【００２７】
図４（ｂ）に表したように、比較例にかかる半導体発光装置１ａでは、透光部３０の側面３３から光が出射されるほどに視野角度が大きくなると（例えば、視野角度６０°、−６０°、８０°、−８０°を参照）、透光部３０の側面３３から光が出射されない視野角度（例えば、視野角度０°、４５°、−４５°を参照）と比較して色度が急激に低下することが分かる。これにより、比較的大きい色度ずれが生ずる。これは、透光部３０の側方すなわち透光部３０の側面３３の近傍における蛍光体４１の充填率が十分ではなく、波長変換部４０に入射した光の波長が蛍光体４１により十分には変換されないためである。
【００２８】
これに対して、本実施形態にかかる半導体発光装置１では、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも小さい粒子径を有する蛍光体４１が使用されている。言い換えれば、蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布あるいは滴下する際に、製造途中の複数の半導体発光装置１同士の間に生じている最小の開口部よりも小さい粒子径を有する蛍光体４１が使用されている。このように分級された蛍光体４１が使用されることで、図１に表したように、蛍光体４１が分級されない場合（図３参照）よりも隙間３への蛍光体４１の充填を十分に行うことができる。
【００２９】
そうすると、図２（ａ）に表したように、本実施形態にかかる半導体発光装置１の透光部３０の側方における蛍光体４１の充填率は、比較例にかかる半導体発光装置１ａの透光部３０の側方における蛍光体４１の充填率よりも高くなり十分となる。つまり、透光部３０の側方における蛍光体４１の充填率は、透光部３０の凹状の面３１の上方における蛍光体４１の充填率と略同じとなる。これにより、色度ずれを抑制することができる。
【００３０】
図２（ｂ）は、図４（ｂ）と同様に、所定の位置から出射し波長変換部４０を透過した光をシミュレーション分析したグラフ図である。図２（ｂ）における横軸および縦軸は、図４（ｂ）に関して前述した横軸および縦軸とそれぞれ同様である。また、視野角度は、図２（ａ）に表した如くである。
【００３１】
図２（ｂ）に表したように、本実施形態にかかる半導体発光装置１では、透光部３０の側面３３から光が出射されるほどに視野角度が大きくとも（例えば、視野角度６０°、−６０°を参照）、比較例にかかる半導体発光装置１ａのようには色度が急激に低下しないことが分かる。これにより、色度ずれを抑制することができる。これは、本実施形態の透光部３０の側方すなわち透光部３０の側面３３の近傍における蛍光体４１の充填率が十分であり、波長変換部４０に入射した光の波長が蛍光体４１により十分に変換されるためである。
【００３２】
波長変換部４０は、例えば、４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下(青色)、５００ｎｍ以上５５５ｎｍ以下(緑色)、５６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下(黄色)、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下(赤色)にピークの発光波長を持つ蛍光体４１の少なくとも１つ以上を含む。あるいは、波長変換部４０は、例えば、発光波長の帯域が３８０ｎｍ〜７２０ｎｍの蛍光体４１を含む。
【００３３】
蛍光体４１は、例えば、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、燐（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）、アルカリ土類元素、硫化物元素、希土類元素、窒化物元素よりなる群から選択される少なくとも１つの元素を含む。
【００３４】
赤色の蛍光を発する蛍光体４１の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる赤色の蛍光を発する蛍光体４１は、これらに限定されるわけではない。
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ＋顔料、
Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、
Ｚｎ３（ＰＯ４）２：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）ＢＯ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）２Ｏ３、
ＹＶＯ４：Ｅｕ、
Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、
ＬａＳｉ３Ｎ５：Ｅｕ２＋、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｃｅ２＋、
Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＣａ）ＡｌＳｉＮ３：ＥｕＸ＋、
Ｓｒｘ（ＳｉｙＡｌ３）ｚ（ＯｘＮ）：ＥｕＸ＋
【００３５】
緑色の蛍光を発する蛍光体４１の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる緑色の蛍光を発する蛍光体４１は、これらに限定されるわけではない。
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋顔料、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，＋顔料、
Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｍｎ）２ＳｉＯ４、
ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ２Ｏ３：Ｍｎ、
ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
３（Ｂａ，Ｍｇ，Ｅｕ，Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３、
Ｌａ２Ｏ３・０．２ＳｉＯ２・０．９Ｐ２Ｏ５：Ｃｅ，Ｔｂ、
ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ、
ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ、
（ＢｒＳｒ）ＳｉＯ４：Ｅｕ、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｙｂ２＋、
β−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＢａ）ＹＳｉ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
（ＣａＳｒ）Ｓｉ２Ｏ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
Ｓｒ（ＳｉＡｌ）（ＯＮ）：Ｃｅ
【００３６】
青色の蛍光を発する蛍光体４１の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる青色の蛍光を発する蛍光体４１は、これらに限定されるわけではない。
ＺｎＳ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋顔料、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｃｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
ＺｎＳ：Ｚｎ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｂａ，Ｅｕ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７、
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｅｕ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７、
１０（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｅｕ）・６ＰＯ４・Ｃｌ２、
ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２５：Ｅｕ
【００３７】
黄色の蛍光を発する蛍光体４１の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄色の蛍光を発する蛍光体４１は、これらに限定されるわげではない。
Ｌｉ（Ｅｕ，Ｓｍ）Ｗ２Ｏ８、
（Ｙ，Ｇｄ）３，（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、
Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、
（Ｓｒ（Ｃａ，Ｂａ））３ＳｉＯ５：Ｅｕ２＋、
ＳｒＳｉ２ＯＮ２．７：Ｅｕ２＋
【００３８】
黄緑色の蛍光を発する蛍光体４１の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄緑色の蛍光を発する蛍光体４１は、これに限定されるわけではない。
ＳｒＳｉ２ＯＮ２．７：Ｅｕ２＋
【００３９】
蛍光体４１の混合比率を少なくすると色調が青色に近づき(色温度１００００Ｋ付近)、蛍光体４１の混合比率を多くすると色調が黄色に近づく(色温度６５００Ｋ〜２８００Ｋ)。なお、混合する蛍光体４１は１種類である必要はなく、複数種類の蛍光体４１が混合されるようにしてもよい。例えば、赤色の蛍光を発する蛍光体４１と、緑色の蛍光を発する蛍光体４１と、青色の蛍光を発する蛍光体４１と、黄色の蛍光を発する蛍光体４１と、黄緑色の蛍光を発する蛍光体４１と、が混合されるようにしてもよい。また、青味がかった白色光、黄味がかった白色光などのように色味を変えるために複数種類の蛍光体４１の混合割合を変えるようにすることもできる。
【００４０】
蛍光体４１が混合される樹脂４３としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン系樹脂、メタクリル樹脂(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、環状ポリオレフィン(COP)、脂環式アクリル(OZ)、アリルジグリコールカーボネート(ADC)、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂とエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。蛍光体４１が混合される樹脂４３の屈折率は、蛍光体４１の屈折率以下であることがより好ましい。また、発光部２０から出射する光に対する樹脂４３の透過率は、９０％以上であることがより好ましい。
【００４１】
発光部２０から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度が高い場合には、波長変換部４０を形成する樹脂４３が劣化するおそれがある。そのため、波長変換部４０を形成する樹脂４３は、青色光などによる劣化が生じにくい性質を有することがより好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が１．５程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーン、メチルフェニルシリコーンとエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂などが挙げられる。ただし、蛍光体４１が混合される樹脂４３としては、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００４２】
第１の電極部５０は、第１の半導体部２１に接続され、例えばＮｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などを有する。この場合、例えば、Ｎｉ（ニッケル）層の厚みは、約１μｍ程度であり、Ａｕ（金）層の厚みは、約１μｍ程度である。ただし、第１の電極部５０の材料や厚みは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。第１の電極部５０の形状は、例えば、円形などである。ただし、第１の電極部５０の形状は、円形に限定されるわけではなく、後述する第１の接続部６１の断面形状や大きさなどに応じて適宜変更することができる。
【００４３】
第１の導電部６０は、封止部１３０の凹部１３１の底面と、封止部１３０の端面と、の間を貫通するようにして設けられている。第１の導電部６０は、例えば、円柱状を呈し、Ｃｕ（銅）などの金属材料により形成されている。また、第１の導電部６０は、封止部１３０を貫通する部分の断面積よりも小さな断面積を有する第１の接続部６１を有する。そして、第１の接続部６１は、第１の電極部５０に接続されている。これにより、第１の電極部５０を介して、第１の導電部６０と、第１の半導体部２１と、が電気的に接続されている。ただし、第１の導電部６０および第１の接続部６１の形状および材料などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００４４】
第１の接続部材７０は、封止部１３０から露出する第１の導電部６０の一方の端面を覆うようにして設けられている。第１の接続部材７０は、例えばいわゆるはんだバンプなどである。第１の接続部材７０がはんだバンプである場合には、第１の接続部材７０の形状は、例えば半球形などを有し、第１の接続部材７０の材料は、例えば表面実装に使用されるはんだ材料などである。この場合、表面実装に使用されるはんだ材料としては、例えば、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ、Ｓｎ−０．８Ｃｕはんだ、Ｓｎ−３．５Ａｇはんだなどが挙げられる。
【００４５】
ただし、第１の接続部材７０の形状および材料などは、例示をしたものに限定されるわけではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜変更することができる。例えば、第１の接続部材７０は、例えば薄膜状などを有し、例えばＮｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などを有する。また、第１の接続部材７０は、必ずしも必要ではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜設けることができる。
【００４６】
第２の電極部８０は、第２の半導体部２２に接続され、例えばＮｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などを有する。この場合、例えば、Ｎｉ（ニッケル）層の厚みは、約１μｍ程度であり、Ａｕ（金）層の厚みは、約１μｍ程度である。ただし、第２の電極部８０の材料や厚みは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。第２の電極部８０の形状は、例えば、円形などである。ただし、第２の電極部８０の形状は、円形に限定されるわけではなく、後述する第２の接続部９１の断面形状や大きさなどに応じて適宜変更することができる。
【００４７】
第２の導電部９０は、封止部１３０の凹部１３１の底面と、封止部１３０の端面と、の間を貫通するようにして設けられている。第２の導電部９０は、例えば、円柱状を呈し、Ｃｕ（銅）などの金属材料により形成されている。また、第２の導電部９０は、封止部１３０を貫通する部分の断面積よりも小さな断面積を有する第２の接続部９１を有する。そして、第２の接続部９１は、第２の電極部８０に接続されている。これにより、第２の電極部８０を介して、第２の導電部９０と、第２の半導体部２２と、が電気的に接続されている。ただし、第２の導電部９０および第２の接続部９１の形状および材料などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００４８】
第２の接続部材１１０は、封止部１３０から露出する第２の導電部９０の一方の端面を覆うようにして設けられている。第２の接続部材１１０は、例えばいわゆるはんだバンプなどである。第２の接続部材１１０がはんだバンプである場合には、第２の接続部材１１０の形状は、例えば半球形などを有し、第２の接続部材１１０の材料は、例えば表面実装に使用されるはんだ材料などである。この場合、表面実装に使用されるはんだ材料としては、例えば、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ、Ｓｎ−０．８Ｃｕはんだ、Ｓｎ−３．５Ａｇはんだなどが挙げられる。
【００４９】
ただし、第２の接続部材１１０の形状および材料などは、例示をしたものに限定されるわけではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜変更することができる。例えば、第２の接続部材１１０は、例えば薄膜状などを有し、例えばＮｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などを有する。また、第２の接続部材１１０は必ずしも必要ではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜設けることができる。
【００５０】
絶縁部１２０は、封止部１３０に設けられた凹部１３１を埋め込むようにして設けられている。絶縁部１２０は、絶縁材料から形成されている。例えば、絶縁部１２０は、ＳｉＯ２などの無機材料や、樹脂などから形成される。この場合、発光部２０から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度が高い場合には、絶縁部１２０を形成する樹脂が劣化するおそれがある。そのため、絶縁部１２０が樹脂から形成される場合には、絶縁部１２０を形成する樹脂は、青色光などによる劣化が生じにくい性質を有することがより好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が１．５程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーンなどが挙げられる。
【００５１】
封止部１３０は、第２の主面２７側に設けられ、第１の導電部６０の端部および第２の導電部９０の端部を露出させつつ第１の導電部６０および第２の導電部９０を封止する。封止部１３０は、例えば熱硬化性樹脂などから形成される。封止部１３０は、発光部２０と、第１の電極部５０と、第２の電極部８０と、を封止する役割を有している。なお、封止部１３０と絶縁部１２０とは、一体的に形成されていてもよい。
【００５２】
発光部２０に電力を供給する第１の接続部材７０と、第１の導電部６０と、第１の電極部５０と、第２の接続部材１１０と、第２の導電部９０と、第２の電極部８０と、は、固定部１５０により発光部２０に固定されている。
【００５３】
次に、半導体発光装置１の作用について例示をする。
第１の導電部６０に電圧が印加されると、第１の電極部５０を介して第１の半導体部２１に電位が与えられる。また、第２の導電部９０に電圧が印加されると、第２の電極部８０を介して第２の半導体部２２に電位が与えられる。そして、第１の半導体部２１と第２の半導体部２２とに電位が与えられると、活性部２３において正孔および電子が再結合して光が発生する。
【００５４】
活性部２３から出射した光の一部は、第１の半導体部２１および透光部３０を透過して波長変換部４０に入射する。波長変換部４０に入射した光は、蛍光体４１により波長が変換され波長変換部４０から外部に向けて出射される。例えば、活性部２３から出射した青色光と、その光により励起された光（黄色、あるいは、赤色及び緑色）と、が混合され、白色光として波長変換部４０から外部に向けて出射される。
【００５５】
本実施形態においては、波長変換部４０の内部における光路長を発光部２０の発光特性に応じて適正化するようにしている。すなわち、所定の形状を有する透光部３０を設けることで、内部における光路長が発光部２０の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような面４５を有する波長変換部４０が形成されている。また、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも小さい粒子径に分級された蛍光体４１が使用されることで、本実施形態の透光部３０の側方における蛍光体４１の充填率は、比較例にかかる半導体発光装置１ａの透光部３０の側方における蛍光体４１の充填率よりも高くなっている。そのため、色度ずれを抑制することができる。例えば、白色光を出射する半導体発光装置１を見る方向にかかわらず色度ずれを少なくすることができ、波長変換部４０のほぼ全域において白色光が出射されるようにすることができる。
【００５６】
図５は、本発明の他の実施の形態にかかる半導体発光装置を表す断面模式図である。
本実施形態にかかる半導体発光装置１ｂでは、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも大きく透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５よりも小さい粒子径を有する蛍光体４１ａ（第２の蛍光体）と、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも小さい粒子径を有する蛍光体４１ｂ（第１の蛍光体）と、が使用されている。言い換えれば、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５に充填される蛍光体４１ａの粒子径は、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３に充填される蛍光体４１ｂの粒子径よりも大きい。
【００５７】
図５に表したように、隙間３よりも大きく開口部３５よりも小さい蛍光体４１ａは、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５に充填されている。一方、隙間３よりも小さい粒子径を有する蛍光体４１ｂは、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３、言い換えれば透光部３０の側方すなわち透光部３０の側面３３の近傍に充填されている。その他の構造は、図１に関して前述した半導体発光装置１の構造と同様である。
【００５８】
本実施形態によれば、隙間３よりも大きい粒子径を有する蛍光体４１ａを捨てる必要はなく、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５に充填させる蛍光体４１ａとして有効に利用することができる。また、図１および図２に関して前述した半導体発光装置１と同様ように、色度ずれを抑制することができる。
【００５９】
次に、本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置の製造方法について、図面を参照しつつ説明する。
まず、図１に関して前述した半導体発光装置１の製造方法について説明する。
図６は、本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
また、図７は、本実施形態の波長変換部の形成方法を例示する断面模式図である。
【００６０】
まず、サファイアなどにより形成された基板上に所定の形状の第１の半導体部２１と、活性部２３と、第２の半導体部２２と、をこの順で積層させる（ステップＳ１０１）。この場合、既知の気相成長法などを用いてこれらの積層を行うことができる。気相成長法としては、例えば、有機金属気相成長（MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ハイドライド気相成長（HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy）法、分子線エピタキシャル成長（MBE;Molecular Beam Epitaxy）法などが挙げられる。
【００６１】
次に、第１の半導体部２１上に第１の電極部５０を形成し、第２の半導体部２２上に第２の電極部８０を形成する（ステップＳ１０３）。この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法や、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法や、メッキ法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などと、を組み合わせることで第１の電極部５０および第２の電極部８０を形成することができる。
【００６２】
次に、このようにして基板上に積層された積層体を覆うようにして所定の形状の絶縁部１２０を形成する（ステップＳ１０５）。この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法や、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などと、を組み合わせることで絶縁部１２０を形成することができる。
【００６３】
次に、絶縁部１２０を覆うようにして所定の形状の封止部１３０を形成する（ステップＳ１０７）。この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法や、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などと、を組み合わせることで封止部１３０を形成するようにすることができる。
【００６４】
次に、第１の導電部６０および第２の導電部９０を形成する（ステップＳ１０９）。この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法や、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法や、メッキ法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などと、を組み合わせることで第１の導電部６０および第２の導電部９０を形成することができる。
【００６５】
次に、第１の導電部６０の端面に第１の接続部材７０を形成し、第２の導電部９０の端面に第２の接続部材１１０を形成する（ステップＳ１１１）。この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法や、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法や、メッキ法などと、リソグラフィ技術などと、を組み合わせることで第１の接続部材７０および第２の接続部材１１０を形成することができる。
【００６６】
次に、このようにして形成された積層体を基板から剥離させる（ステップＳ１１３）。この場合、レーザリフトオフ法などを用いて積層体を基板から剥離させることができる。
【００６７】
次に、剥離させた積層体を反転させ、第１の半導体部２１を覆うようにして透光部３０を形成する（ステップＳ１１５）。この場合、樹脂などを塗布し、これを硬化させることで透光部３０を形成することができる。
【００６８】
次に、透光部３０を覆うようにして波長変換部４０を形成する。ここからは、図７も参照しつつ説明する。
まず、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも小さい粒子径に分級した蛍光体４１と、波長変換部４０を形成する樹脂４３と、を混合させる（ステップＳ１１７）。続いて、１０００Ｐａ（パスカル）以下の真空中においてスキージ印刷法により、透光部３０を覆うようにして蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布する（ステップＳ１１９）。
【００６９】
例えば、図７（ａ）に表したように、圧力が１０００Ｐａ以下の図示しないチャンバー内において、透光部３０の上方にスキージマスク２０１を設置する。スキージマスク２０１は、一体的に形成された複数の透光部３０の全体に亘って開口している。そして、スキージ２１１を矢印Ａの方向に移動させることで、透光部３０を覆うように蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布する。つまり、本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法では、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３と、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５と、に対して蛍光体４１を含む樹脂４３を一括して塗布する。
【００７０】
このとき、図７（ｂ）に表したように、透光部３０を覆う樹脂４０１は、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３には完全には入り込むことができない。これは、樹脂４３が硬化する前に蛍光体４１が沈降することを抑えるため、蛍光体４１を含む樹脂４３の粘度が比較的高いためである。そのため、透光部３０を覆う樹脂４０１は、隙間３には充填されず、空隙が生ずる。
【００７１】
続いて、図示しないチャンバー内の圧力を３０００Ｐａ以上に上昇させる（ステップＳ１２１）。このとき、チャンバー内の圧力は大気圧であってもよい。そうすると、図７（ｃ）に表したように、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３を覆う部分の樹脂４０１は、図示しないチャンバー内の圧力の上昇により隙間３に充填される（ステップＳ１２１）。そのため、図示しないチャンバー内の圧力を３０００Ｐａ以上に上昇させた後の状態で透光部３０を覆っている樹脂４０３には、凹部４０５が形成される。
【００７２】
続いて、大気中においてスキージ印刷法により、樹脂４０３に形成された凹部４０５を埋めるようにして蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布し平坦かつ適宜設定された厚さに調整する（ステップＳ１２３）。例えば、図７（ｃ）に表したように、大気中において、透光部３０を覆っている樹脂４０３の上方にスキージマスク２０１を設置し、スキージ２１１を矢印Ｂの方向に移動させることで、樹脂４０３に形成された凹部４０５を埋めるように蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布する。
【００７３】
続いて、蛍光体４１を含む樹脂４３に紫外線（ＵＶ：Ultraviolet）を照射することにより、あるいは蛍光体４１を含む樹脂４３に熱を加えることにより、蛍光体４１を含む樹脂４３を硬化させ波長変換部４０を形成する（ステップＳ１２５、図７（ｄ））。紫外線を照射して硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば紫外線硬化性樹脂である。一方、熱を加えて硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば熱硬化性樹脂である。
【００７４】
本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法によれば、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３における蛍光体４１の充填率は、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５における蛍光体４１の充填率と略同じとなり、また十分となる。そのため、色度ずれを抑制することができる。
【００７５】
図８は、本発明の実施の他の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
また、図９は、本実施形態の波長変換部の形成方法を例示する断面模式図である。
本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法は、図６および図７に関して前述した半導体発光装置の製造方法と同様に、図１に関して前述した半導体発光装置１の製造方法である。
【００７６】
まず、ステップＳ１６１〜Ｓ１７５の半導体発光装置１の製造方法は、図６に関して前述したステップＳ１０１〜Ｓ１１５の半導体発光装置１の製造方法と同様である。
次に、透光部３０を覆うようにして波長変換部４０を形成する。ここからは、図９も参照しつつ説明する。
【００７７】
まず、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも小さい粒子径に分級した蛍光体４１と、波長変換部４０を形成する樹脂４３と、を混合させる（ステップＳ１７７）。続いて、１０００Ｐａ以下の真空中においてダイコート法により、透光部３０を覆うようにして蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布する（ステップＳ１７９）。例えば、圧力が１０００Ｐａ以下の図示しないチャンバー内において、ダイコート法により透光部３０を覆うようにして蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布する。つまり、本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法では、図６および図７に関して前述した製造方法と同様に、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３と、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５と、に対して蛍光体４１を含む樹脂４３を一括して塗布する。
【００７８】
このとき、図９（ａ）に表したように、透光部３０を覆う樹脂４１１は、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３には完全には入り込むことができない。これは、樹脂４３が硬化する前に蛍光体４１が沈降することを抑えるため、蛍光体４１を含む樹脂４３の粘度が比較的高いためである。そのため、透光部３０を覆う樹脂４１１は、隙間３には充填されず、空隙が生ずる。
【００７９】
続いて、図示しないチャンバー内の圧力を３０００Ｐａ以上に上昇させる（ステップＳ１８１）。このとき、チャンバー内の圧力は大気圧であってもよい。そうすると、図９（ｂ）に表したように、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３を覆う部分の樹脂４１１は、図示しないチャンバー内の圧力の上昇により隙間３に充填される（ステップＳ１８１）。また、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５を覆う部分の樹脂４１１は、図示しないチャンバー内の圧力の上昇により開口部３５に充填される。そのため、図示しないチャンバー内の圧力を３０００Ｐａ以上に上昇させた後の状態で透光部３０を覆っている樹脂４１３には、凹部４１５が形成される。
【００８０】
続いて、大気中においてインプリント法により、予め離型剤を散布したインプリントモールド（凹版）２２１を透光部３０を覆っている樹脂４１３に押し付ける（ステップＳ１８３）。そうすると、図９（ｃ）に表したように、透光部３０を覆っていた樹脂４１３が凹部４１５に充填される。そして、インプリントモールド２２１を適宜設定された圧力で押し付けることで、透光部３０を覆っている樹脂４１７を平坦かつ適宜設定された厚さに調整する。
【００８１】
続いて、蛍光体４１を含む樹脂４３に紫外線を照射することにより、あるいは蛍光体４１を含む樹脂４３に熱を加えることにより、蛍光体４１を含む樹脂４３を硬化させ波長変換部４０を形成する（ステップＳ１８５）。紫外線を照射して硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば紫外線硬化性樹脂である。一方、熱を加えて硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば熱硬化性樹脂である。
続いて、図９（ｄ）に表したように、インプリントモールドを波長変換部４０から剥離させる（ステップＳ１８７）。
【００８２】
本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法によれば、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３における蛍光体４１の充填率は、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５における蛍光体４１の充填率と略同じとなり、また十分となる。そのため、色度ずれを抑制することができる。
【００８３】
図１０は、本発明の実施のさらに他の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
また、図１１は、本実施形態の波長変換部の形成方法を例示する断面模式図である。
本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法は、図５に関して前述した半導体発光装置１ｂの製造方法である。
【００８４】
まず、ステップＳ２０１〜Ｓ２１５の半導体発光装置１ｂの製造方法は、図６に関して前述したステップＳ１０１〜Ｓ１１５の半導体発光装置１の製造方法と同様である。
次に、透光部３０を覆うようにして波長変換部４０を形成する。ここからは、図１１も参照しつつ説明する。
【００８５】
まず、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも小さい粒子径に分級した蛍光体４１ｂと、波長変換部４０を形成する樹脂４３と、を混合させる（ステップＳ２１７）。続いて、１０００Ｐａ以下の真空中においてスキージ印刷法により、透光部３０を覆うようにして蛍光体４１ｂを含む樹脂４３を塗布する（ステップＳ２１９）。
【００８６】
例えば、図１１（ａ）に表したように、圧力が１０００Ｐａ以下の図示しないチャンバー内において、透光部３０の上方にスキージマスク２０３を設置する。スキージマスク２０３は、図７に関して前述したスキージマスク２０１のようには、一体的に形成された複数の透光部３０の全体に亘って開口しているわけではない。スキージマスク２０３には、半導体発光装置を上方正面側（視野角度０°側）からみたときに、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３と略同じ程度の開口面積を有する開口部２０３ａが形成されている。そして、スキージマスク２０３は、半導体発光装置を上方正面側（視野角度０°側）からみたときに、開口部２０３ａと隙間３との位置が合うように透光部３０の上方に設置される。続いて、スキージ２１１を矢印Ｃの方向に移動させることで、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３を覆うように蛍光体４１ｂを含む樹脂４３を塗布する。
【００８７】
このとき、図７（ｂ）に表したように、隙間３を覆う樹脂４２１は、その隙間３には完全には入り込むことができない。これは、樹脂４３が硬化する前に蛍光体４１ｂが沈降することを抑えるため、蛍光体４１ｂを含む樹脂４３の粘度が比較的高いためである。そのため、透光部３０を覆う樹脂４２１は、隙間３には充填されず、空隙が生ずる。
【００８８】
続いて、図示しないチャンバー内の圧力を３０００Ｐａ以上に上昇させる（ステップＳ２２１）。このとき、チャンバー内の圧力は大気圧であってもよい。そうすると、図１１（ｃ）に表した樹脂４２３のように、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３を覆う部分の樹脂４２１は、図示しないチャンバー内の圧力の上昇により隙間３に充填される（ステップＳ２２１）。
【００８９】
続いて、印刷版を交換する（ステップＳ２２３）。例えば、透光部３０の上方に設置されたスキージマスク２０３を、図７に関して前述したスキージマスク２０１に交換する。
【００９０】
続いて、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも大きく透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５よりも小さい粒子径を有する蛍光体４１ａと、波長変換部４０を形成する樹脂４３と、を混合させる（ステップＳ２２５）。続いて、１０００Ｐａ以下の真空中においてスキージ印刷法により、透光部３０を覆うようにして蛍光体４１ａを含む樹脂４３を塗布する（ステップＳ２２７）。
【００９１】
例えば、図１１（ｄ）に表したように、圧力が１０００Ｐａ以下の図示しないチャンバー内において、スキージ２１１を矢印Ｄの方向に移動させることで、透光部３０を覆うように蛍光体４１ａを含む樹脂４３を塗布する。つまり、本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法では、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３に対して蛍光体４１ｂを含む樹脂４３を塗布し、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５に対して蛍光体４１ａを含む樹脂４３を塗布する。言い換えれば、本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法では、隙間３および開口部３５に対して蛍光体４１ｂおよび蛍光体４１ａを含む樹脂４３をそれぞれ分割して塗布する。
【００９２】
続いて、図示しないチャンバー内の圧力を３０００Ｐａ以上に上昇させる（ステップＳ２２９）。このとき、チャンバー内の圧力は大気圧であってもよい。そうすると、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５を覆う部分の樹脂は、図示しないチャンバー内の圧力の上昇により開口部３５に充填される（ステップＳ２２９）。
【００９３】
続いて、図１１（ｅ）に表したように、大気中においてスキージ印刷法により、蛍光体４１ａを含む樹脂４３を塗布し平坦かつ適宜設定された厚さに調整する（ステップＳ２３１）。
【００９４】
続いて、蛍光体４１ａ、４１ｂを含む樹脂４３に紫外線を照射することにより、あるいは蛍光体４１ａ、４１ｂを含む樹脂４３に熱を加えることにより、蛍光体４１ａ、４１ｂを含む樹脂４３を硬化させ波長変換部４０を形成する（ステップＳ２３３）。紫外線を照射して硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば紫外線硬化性樹脂である。一方、熱を加えて硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば熱硬化性樹脂である。
【００９５】
本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法によれば、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３における蛍光体４１ｂの充填率は、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５における蛍光体４１ａの充填率と略同じとなり、また十分となる。そのため、隙間３よりも大きい粒子径を有する蛍光体４１ａを有効に利用しつつ、色度ずれを抑制することができる。
【００９６】
図１２は、本発明の実施のさらに他の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
また、図１３は、本実施形態の波長変換部の形成方法を例示する断面模式図である。
本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法は、図１０および図１１に関して前述した半導体発光装置の製造方法と同様に、図５に関して前述した半導体発光装置１ｂの製造方法である。
【００９７】
まず、ステップＳ２６１〜Ｓ２７５の半導体発光装置１ｂの製造方法は、図６に関して前述したステップＳ１０１〜Ｓ１１５の半導体発光装置１の製造方法と同様である。
次に、透光部３０を覆うようにして波長変換部４０を形成する。ここからは、図１３も参照しつつ説明する。
【００９８】
まず、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも小さい粒子径に分級した蛍光体４１ｂと、波長変換部４０を形成する樹脂４３と、を混合させる（ステップＳ２７７）。続いて、１０００Ｐａ以下の真空中においてスキージ印刷法により、透光部３０を覆うようにして蛍光体４１ｂを含む樹脂４３を塗布する（ステップＳ２７９）。
【００９９】
例えば、図１１（ａ）に表したように、圧力が１０００Ｐａ以下の図示しないチャンバー内において、透光部３０の上方にスキージマスク２０３を設置する。スキージマスク２０３の設置形態は、図１１（ａ）に関して前述した如くである。続いて、スキージ２１１を矢印Ｅの方向に移動させることで、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３を覆うように蛍光体４１ｂを含む樹脂４３を塗布する。
【０１００】
このとき、図１１（ｂ）に表したように、隙間３を覆う樹脂４３１は、その隙間３には完全には入り込むことができない。これは、樹脂４３が硬化する前に蛍光体４１ｂが沈降することを抑えるため、蛍光体４１ｂを含む樹脂４３の粘度が比較的高いためである。そのため、透光部３０を覆う樹脂４３１は、隙間３には充填されず、空隙が生ずる。
【０１０１】
続いて、図示しないチャンバー内の圧力を３０００Ｐａ以上に上昇させる（ステップＳ２８１）。このとき、チャンバー内の圧力は大気圧であってもよい。そうすると、図１３（ｃ）に表した樹脂４３３のように、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３を覆う部分の樹脂４３１は、図示しないチャンバー内の圧力の上昇により隙間３に充填される（ステップＳ２８１）。
【０１０２】
続いて、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも大きく透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５よりも小さい粒子径を有する蛍光体４１ａと、波長変換部４０を形成する樹脂４３と、を混合させる（ステップＳ２８３）。続いて、１０００Ｐａ以下の真空中においてスリットコート法により、透光部３０を覆うようにして蛍光体４１ａを含む樹脂４３を塗布する（ステップＳ２８５）。
【０１０３】
つまり、本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法では、図１１および図１２に関して前述した製造方法と同様に、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３に対して蛍光体４１ｂを含む樹脂４３を塗布し、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５に対して蛍光体４１ａを含む樹脂４３を塗布する。言い換えれば、本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法では、隙間３および開口部３５に対して蛍光体４１ｂおよび蛍光体４１ａを含む樹脂４３をそれぞれ分割して塗布する。
【０１０４】
続いて、図１３（ｄ）に表したように、大気中においてインプリント法により、予め離型剤を散布したインプリントモールド２２１を透光部３０を覆っている樹脂４３５に押し付ける（ステップＳ２８７）。そして、インプリントモールド２２１を適宜設定された圧力で押し付けることで、透光部３０を覆っている樹脂４３５を平坦かつ適宜設定された厚さに調整する。
【０１０５】
続いて、蛍光体４１ａ、４１ｂを含む樹脂４３に紫外線を照射することにより、あるいは蛍光体４１ａ、４１ｂを含む樹脂４３に熱を加えることにより、蛍光体４１ａ、４１ｂを含む樹脂４３を硬化させ波長変換部４０を形成する（ステップＳ２８９）。紫外線を照射して硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば紫外線硬化性樹脂である。一方、熱を加えて硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば熱硬化性樹脂である。
続いて、図１３（ｅ）に表したように、インプリントモールドを波長変換部４０から剥離させる（ステップＳ２９１）。
【０１０６】
本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法によれば、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３における蛍光体４１ｂの充填率は、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５における蛍光体４１ａの充填率と略同じとなり、また十分となる。そのため、隙間３よりも大きい粒子径を有する蛍光体４１ａを有効に利用しつつ、色度ずれを抑制することができる。
【０１０７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１０８】
１、１ａ、１ｂ 半導体発光装置、 ３ 隙間、 ２０ 発光部、 ２１ 第１の半導体部、 ２２ 第２の半導体部、 ２３ 活性部、 ２５ 第１の主面、 ２７ 第２の主面、 ３０ 透光部、 ３１ 面、 ３３ 側面、 ３５ 開口部、 ４０ 波長変換部、 ４１、４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄ 蛍光体、 ４３ 樹脂、 ４５ 面、 ５０ 第１の電極部、 ６０ 第１の導電部、 ６１ 第１の接続部、 ７０ 第１の接続部材、 ８０ 第２の電極部、 ９０ 第２の導電部、 ９１ 第２の接続部、 １１０ 第２の接続部材、 １２０ 絶縁部、 １３０ 封止部、 １３１ 凹部、 １５０ 固定部、 ２０１、２０３ スキージマスク、 ２０３ａ 開口部、 ２１１ スキージ、 ２２１ インプリントモールド、 ４０１、４０３、樹脂、 ４０５ 凹部、 ４１１、４１３ 樹脂、 ４１５ 凹部、 ４１７、４２１、４２３、４３１、４３３、４３５ 樹脂
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子と蛍光体とを組み合わせた半導体発光装置がある。一例として、窒化ガリウム（ＧａＮ）などのIII族窒化物半導体を用い、高輝度の青色光を発光する半導体発光装置が知られている。そして、青色光を発光する半導体発光装置に波長変換可能な蛍光体を含む波長変換部を設けることで白色光を出射させる技術が提案されている。このような白色光を出射する半導体発光装置においては、青色光を発光する半導体発光装置上に波長変換可能な蛍光体を含む樹脂を単に塗布または滴下し、これを硬化させることにより波長変換部を形成するようにしている。
そのため、白色光を出射する半導体発光装置を見る方向によって色度が異なる色度ずれが生ずるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１０−５０２０００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、色度ずれを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施態様によれば、発光部と、透光部と、波長変換部と、第１の導電部と、第２の導電部と、封止部と、を備えた半導体発光装置が提供される。前記発光部は、第１の主面と、前記第１の主面の反対面を形成する第２の主面と、前記第２の主面上に形成された第１の電極部および第２の電極部と、を有する。前記透光部は、前記第１の主面側に設けられ、凹状の面を有する。前記波長変換部は、前記透光部を覆うように設けられ、蛍光体を含有する。前記第１の導電部は、前記第１の電極部に接続されている。前記第２の導電部は、前記第２の電極部に接続されている。前記封止部は、前記第２の主面側に設けられ、前記第１の導電部の端部および前記第２の導電部の端部を露出させつつ前記第１の導電部および前記第２の導電部を封止している。前記蛍光体は、前記透光部の側方に充填された第１の蛍光体と、前記第１の蛍光体の粒子径よりも大きく前記凹状の面の開口部よりも小さい粒子径を有し前記開口部に充填された第２の蛍光体と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置を表す断面模式図である。
【図２】本実施形態にかかる半導体発光装置の色度ずれを説明するための模式図である。
【図３】比較例にかかる半導体発光装置を表す断面模式図である。
【図４】比較例にかかる半導体発光装置の色度ずれを説明するための模式図である。
【図５】本発明の他の実施の形態にかかる半導体発光装置を表す断面模式図である。
【図６】本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
【図７】本実施形態の波長変換部の形成方法を例示する断面模式図である。
【図８】本発明の実施の他の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
【図９】本実施形態の波長変換部の形成方法を例示する断面模式図である。
【図１０】本発明の実施のさらに他の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
【図１１】本実施形態の波長変換部の形成方法を例示する断面模式図である。
【図１２】本発明の実施のさらに他の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
【図１３】本実施形態の波長変換部の形成方法を例示する断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置を表す断面模式図である。
また、図２は、本実施形態にかかる半導体発光装置の色度ずれを説明するための模式図である。
また、図３は、比較例にかかる半導体発光装置を表す断面模式図である。
また、図４は、比較例にかかる半導体発光装置の色度ずれを説明するための模式図である。
【０００８】
なお、図２（ａ）は、本実施形態にかかる半導体発光装置における視野角度を例示する断面模式図であり、図２（ｂ）は、本実施形態にかかる半導体発光装置の色度ずれを例示するグラフ図である。
また、図４（ａ）は、比較例にかかる半導体発光装置における視野角度を例示する断面模式図であり、図４（ｂ）は、比較例にかかる半導体発光装置の色度ずれを例示するグラフ図である。
【０００９】
本実施形態にかかる半導体発光装置１の製造方法では、例えば、複数の半導体発光装置１が一体的に形成された後、各半導体発光装置１が個片化される。これにより、半導体発光装置１の生産性を向上させることができる。図１は、一体的に形成された複数の半導体発光装置１のうちの２つの半導体発光装置１が並列した状態を例示している。
【００１０】
図１に表したように、半導体発光装置１は、発光部２０と、透光部３０と、波長変換部４０と、第１の導電部６０と、第１の接続部材７０と、第２の導電部９０と、第２の接続部材１１０と、絶縁部１２０と、封止部１３０と、固定部１５０と、を備える。
【００１１】
発光部２０は、第１の半導体部２１と、第２の半導体部２２と、活性部２３と、を有する。また、発光部２０は、第１の主面２５と、第１の主面２５の反対面を形成する第２の主面２７と、第２の主面２７上に形成された第１の電極部５０および第２の電極部８０と、を有する。
【００１２】
第１の半導体部２１は、例えばｎ形となるようにドープされた半導体（ｎ形半導体）などにより形成されている。この場合、第１の半導体部２１は、例えばｎ形の窒化物半導体などにより形成されている。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）などが挙げられる。
【００１３】
第２の半導体部２２は、例えばｐ形となるようにドープされた半導体（ｐ形半導体）などにより形成されている。この場合、第２の半導体部２２は、例えばｐ形の窒化物半導体などにより形成されている。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）などが挙げられる。
【００１４】
活性部２３は、第１の半導体部２１と第２の半導体部２２との間に設けられている。
活性部２３は、例えば、正孔および電子が再結合して光を発生する井戸層と、井戸層よりも大きなバンドギャップを有する障壁層（クラッド層）と、を含む量子井戸構造などを有する。この場合、活性部２３は、単一量子井戸（ＳＱＷ；Single Quantum Well）構造を有してもよいし、多重量子井戸（ＭＱＷ；Multiple Quantum Well）構造を有してもよい。また、活性部２３は、複数の単一量子井戸構造が積層された構造を有してもよい。
【００１５】
単一量子井戸構造としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）を有する障壁層と、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）を有する井戸層と、ＧａＮ（窒化ガリウム）を有する障壁層と、がこの順で積層された構造などが挙げられる。
多重量子井戸構造としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）を有する障壁層と、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）を有する井戸層と、ＧａＮ（窒化ガリウム）を有する障壁層と、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）を有する井戸層と、ＧａＮ（窒化ガリウム）を有する障壁層と、がこの順で積層された構造などが挙げられる。
この場合、第１の半導体部２１が障壁層として機能してもよい。
なお、活性部２３は、量子井戸構造を有することに限定されるわけではなく、発光可能な構造を適宜有することができる。
【００１６】
発光部２０は、例えば、ピークの発光波長が約３８０ｎｍ〜５３０ｎｍ程度の発光ダイオードなどである。また、発光部２０は、例えば、発光波長の帯域が約３５０ｎｍ〜６００ｎｍ程度の発光ダイオードなどであってもよい。
【００１７】
透光部３０は、発光部２０の第１の主面２５上に形成され、凹状の面３１を有する。凹状の面３１の上方には、開口部３５（第２の開口部）が形成されている。透光部３０は、発光部２０から出射した光を透過させるとともに、色度ずれを抑制する。発光部２０から出射した光を透過させやすいように、透光部３０の透過率は、例えば、４２０ｎｍ〜７２０ｎｍの波長領域において例えば９０％以上であることがより望ましい。また、透光部３０の屈折率は、例えば１．２以上、１．９以下であることがより望ましい。
【００１８】
透光部３０は、半導体発光装置１を見る方向によって色度が異なる色度ずれを抑制するために設けられている。すなわち、透光部３０を設けることで、波長変換部４０の内部における光路長が発光部２０の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなっている。但し、透光部３０が設けられた場合でも、色度ずれが比較的大きくなる場合がある。これについては、後に詳述する。
【００１９】
透光部３０を形成する材料としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン系樹脂、メタクリル樹脂(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、環状ポリオレフィン(COP)、脂環式アクリル(OZ)、アリルジグリコールカーボネート(ADC)、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂とエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂、ウレタン樹脂、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２などが挙げられる。
【００２０】
この場合、発光部２０から出射する光が波長の短い紫外から青色の光であり、輝度が高い場合には、透光部３０を形成する材料が劣化するおそれがある。そのため、透光部３０を形成する材料としては、青色光などによる劣化が生じにくいものであることが好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が１．５程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーンなどが挙げられる。
ただし、透光部３０を形成する材料は、例示をしたこれらの材料に限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００２１】
波長変換部４０は、発光部２０の第１の主面２５の側に設けられ、透光部３０を覆うように設けられている。波長変換部４０は、波長変換可能な蛍光体４１と、蛍光体４１と混合された樹脂４３と、を有する。蛍光体４１は、例えば粒子状を有する。半導体発光装置に使用される粒子状の蛍光体４１の粒子径は、一般的に、約数μｍ〜１００μｍ程度である。
【００２２】
前述したように、本実施形態にかかる半導体発光装置１の製造方法では、例えば、複数の半導体発光装置１が一体的に形成される。そのため、半導体発光装置１の取れ高（形成量あるいは形成率）を高めようとすると、半導体発光装置１同士の間の隙間をより狭くして一体的に形成する必要がある。本実施形態では、一体的に形成された複数の半導体発光装置１の透光部３０同士の間の隙間３（第１の開口部）は、例えば約１００μｍ程度である。
【００２３】
しかしながら、図３に表した比較例にかかる半導体発光装置１ａのように、蛍光体４１が分級されず蛍光体４１の粒子径が数μｍ〜１００μｍ程度である場合には、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３と同等あるいはそれよりも大きい粒子径を有する蛍光体４１ｃは、その隙間３に入り込むことができない。一方、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも小さい粒子径を有する蛍光体４１ｄは、その隙間３に入り込むことができる。そのため、比較例にかかる半導体発光装置１ａでは、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３への蛍光体４１の充填が不十分となる場合がある。
【００２４】
なお、蛍光体４１の充填が不十分となるおそれのある部分は、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３に限定されるわけではない。蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布あるいは滴下する際に、製造途中の複数の半導体発光装置同士の間に生じている開口部（隙間）においては、蛍光体４１の充填が不十分となるおそれがある。本実施形態では、蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布あるいは滴下する際に、製造途中の複数の半導体発光装置１同士の間に生じている最小の開口部が透光部３０同士の間の隙間３である場合を例に挙げて説明する。
【００２５】
図３および図４（ａ）に表したように、隙間３への蛍光体４１の充填が不十分である場合には、透光部３０の側方すなわち透光部３０の側面３３の近傍における蛍光体４１の充填が十分ではない。つまり、透光部３０の側方における蛍光体４１の充填率は、透光部３０の凹状の面３１の上方における蛍光体４１の充填率よりも低く十分ではない。そうすると、比較的大きい色度ずれが生ずる場合がある。
【００２６】
図４（ｂ）は、所定の位置から出射し波長変換部４０を透過した光をシミュレーション分析したグラフ図である。図４（ｂ）における横軸は、視野角度を表している。図４（ａ）に表したように、視野角度が０°とは、半導体発光装置を上方正面側から見た場合の角度である。その他の視野角度は、図４（ａ）に表した如くである。図４（ｂ）における縦軸は色度を表しており、図中の上側になるほど黄色となり、図中の下側になるほど青色となる。また、色度ずれは、視野角度に対する色度の差で表される。そのため、例えば、０°、４５°、−４５°、６０°、−６０°、８０°、および−８０°の少なくとも２つ以上の視野角度の間における色度の差が小さくなるほど色度ずれが小さいことになる。
【００２７】
図４（ｂ）に表したように、比較例にかかる半導体発光装置１ａでは、透光部３０の側面３３から光が出射されるほどに視野角度が大きくなると（例えば、視野角度６０°、−６０°、８０°、−８０°を参照）、透光部３０の側面３３から光が出射されない視野角度（例えば、視野角度０°、４５°、−４５°を参照）と比較して色度が急激に低下することが分かる。これにより、比較的大きい色度ずれが生ずる。これは、透光部３０の側方すなわち透光部３０の側面３３の近傍における蛍光体４１の充填率が十分ではなく、波長変換部４０に入射した光の波長が蛍光体４１により十分には変換されないためである。
【００２８】
これに対して、本実施形態にかかる半導体発光装置１では、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも小さい粒子径を有する蛍光体４１が使用されている。言い換えれば、蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布あるいは滴下する際に、製造途中の複数の半導体発光装置１同士の間に生じている最小の開口部よりも小さい粒子径を有する蛍光体４１が使用されている。このように分級された蛍光体４１が使用されることで、図１に表したように、蛍光体４１が分級されない場合（図３参照）よりも隙間３への蛍光体４１の充填を十分に行うことができる。
【００２９】
そうすると、図２（ａ）に表したように、本実施形態にかかる半導体発光装置１の透光部３０の側方における蛍光体４１の充填率は、比較例にかかる半導体発光装置１ａの透光部３０の側方における蛍光体４１の充填率よりも高くなり十分となる。つまり、透光部３０の側方における蛍光体４１の充填率は、透光部３０の凹状の面３１の上方における蛍光体４１の充填率と略同じとなる。これにより、色度ずれを抑制することができる。
【００３０】
図２（ｂ）は、図４（ｂ）と同様に、所定の位置から出射し波長変換部４０を透過した光をシミュレーション分析したグラフ図である。図２（ｂ）における横軸および縦軸は、図４（ｂ）に関して前述した横軸および縦軸とそれぞれ同様である。また、視野角度は、図２（ａ）に表した如くである。
【００３１】
図２（ｂ）に表したように、本実施形態にかかる半導体発光装置１では、透光部３０の側面３３から光が出射されるほどに視野角度が大きくとも（例えば、視野角度６０°、−６０°を参照）、比較例にかかる半導体発光装置１ａのようには色度が急激に低下しないことが分かる。これにより、色度ずれを抑制することができる。これは、本実施形態の透光部３０の側方すなわち透光部３０の側面３３の近傍における蛍光体４１の充填率が十分であり、波長変換部４０に入射した光の波長が蛍光体４１により十分に変換されるためである。
【００３２】
波長変換部４０は、例えば、４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下(青色)、５００ｎｍ以上５５５ｎｍ以下(緑色)、５６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下(黄色)、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下(赤色)にピークの発光波長を持つ蛍光体４１の少なくとも１つ以上を含む。あるいは、波長変換部４０は、例えば、発光波長の帯域が３８０ｎｍ〜７２０ｎｍの蛍光体４１を含む。
【００３３】
蛍光体４１は、例えば、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、燐（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）、アルカリ土類元素、硫化物元素、希土類元素、窒化物元素よりなる群から選択される少なくとも１つの元素を含む。
【００３４】
赤色の蛍光を発する蛍光体４１の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる赤色の蛍光を発する蛍光体４１は、これらに限定されるわけではない。
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ＋顔料、
Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、
Ｚｎ３（ＰＯ４）２：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）ＢＯ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）２Ｏ３、
ＹＶＯ４：Ｅｕ、
Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、
ＬａＳｉ３Ｎ５：Ｅｕ２＋、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｃｅ２＋、
Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＣａ）ＡｌＳｉＮ３：ＥｕＸ＋、
Ｓｒｘ（ＳｉｙＡｌ３）ｚ（ＯｘＮ）：ＥｕＸ＋
【００３５】
緑色の蛍光を発する蛍光体４１の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる緑色の蛍光を発する蛍光体４１は、これらに限定されるわけではない。
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋顔料、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，＋顔料、
Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｍｎ）２ＳｉＯ４、
ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ２Ｏ３：Ｍｎ、
ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
３（Ｂａ，Ｍｇ，Ｅｕ，Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３、
Ｌａ２Ｏ３・０．２ＳｉＯ２・０．９Ｐ２Ｏ５：Ｃｅ，Ｔｂ、
ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ、
ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ、
（ＢｒＳｒ）ＳｉＯ４：Ｅｕ、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｙｂ２＋、
β−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＢａ）ＹＳｉ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
（ＣａＳｒ）Ｓｉ２Ｏ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
Ｓｒ（ＳｉＡｌ）（ＯＮ）：Ｃｅ
【００３６】
青色の蛍光を発する蛍光体４１の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる青色の蛍光を発する蛍光体４１は、これらに限定されるわけではない。
ＺｎＳ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋顔料、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｃｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
ＺｎＳ：Ｚｎ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｂａ，Ｅｕ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７、
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｅｕ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７、
１０（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｅｕ）・６ＰＯ４・Ｃｌ２、
ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２５：Ｅｕ
【００３７】
黄色の蛍光を発する蛍光体４１の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄色の蛍光を発する蛍光体４１は、これらに限定されるわげではない。
Ｌｉ（Ｅｕ，Ｓｍ）Ｗ２Ｏ８、
（Ｙ，Ｇｄ）３，（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、
Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、
（Ｓｒ（Ｃａ，Ｂａ））３ＳｉＯ５：Ｅｕ２＋、
ＳｒＳｉ２ＯＮ２．７：Ｅｕ２＋
【００３８】
黄緑色の蛍光を発する蛍光体４１の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄緑色の蛍光を発する蛍光体４１は、これに限定されるわけではない。
ＳｒＳｉ２ＯＮ２．７：Ｅｕ２＋
【００３９】
蛍光体４１の混合比率を少なくすると色調が青色に近づき(色温度１００００Ｋ付近)、蛍光体４１の混合比率を多くすると色調が黄色に近づく(色温度６５００Ｋ〜２８００Ｋ)。なお、混合する蛍光体４１は１種類である必要はなく、複数種類の蛍光体４１が混合されるようにしてもよい。例えば、赤色の蛍光を発する蛍光体４１と、緑色の蛍光を発する蛍光体４１と、青色の蛍光を発する蛍光体４１と、黄色の蛍光を発する蛍光体４１と、黄緑色の蛍光を発する蛍光体４１と、が混合されるようにしてもよい。また、青味がかった白色光、黄味がかった白色光などのように色味を変えるために複数種類の蛍光体４１の混合割合を変えるようにすることもできる。
【００４０】
蛍光体４１が混合される樹脂４３としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン系樹脂、メタクリル樹脂(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、環状ポリオレフィン(COP)、脂環式アクリル(OZ)、アリルジグリコールカーボネート(ADC)、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂とエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。蛍光体４１が混合される樹脂４３の屈折率は、蛍光体４１の屈折率以下であることがより好ましい。また、発光部２０から出射する光に対する樹脂４３の透過率は、９０％以上であることがより好ましい。
【００４１】
発光部２０から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度が高い場合には、波長変換部４０を形成する樹脂４３が劣化するおそれがある。そのため、波長変換部４０を形成する樹脂４３は、青色光などによる劣化が生じにくい性質を有することがより好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が１．５程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーン、メチルフェニルシリコーンとエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂などが挙げられる。ただし、蛍光体４１が混合される樹脂４３としては、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００４２】
第１の電極部５０は、第１の半導体部２１に接続され、例えばＮｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などを有する。この場合、例えば、Ｎｉ（ニッケル）層の厚みは、約１μｍ程度であり、Ａｕ（金）層の厚みは、約１μｍ程度である。ただし、第１の電極部５０の材料や厚みは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。第１の電極部５０の形状は、例えば、円形などである。ただし、第１の電極部５０の形状は、円形に限定されるわけではなく、後述する第１の接続部６１の断面形状や大きさなどに応じて適宜変更することができる。
【００４３】
第１の導電部６０は、封止部１３０の凹部１３１の底面と、封止部１３０の端面と、の間を貫通するようにして設けられている。第１の導電部６０は、例えば、円柱状を呈し、Ｃｕ（銅）などの金属材料により形成されている。また、第１の導電部６０は、封止部１３０を貫通する部分の断面積よりも小さな断面積を有する第１の接続部６１を有する。そして、第１の接続部６１は、第１の電極部５０に接続されている。これにより、第１の電極部５０を介して、第１の導電部６０と、第１の半導体部２１と、が電気的に接続されている。ただし、第１の導電部６０および第１の接続部６１の形状および材料などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００４４】
第１の接続部材７０は、封止部１３０から露出する第１の導電部６０の一方の端面を覆うようにして設けられている。第１の接続部材７０は、例えばいわゆるはんだバンプなどである。第１の接続部材７０がはんだバンプである場合には、第１の接続部材７０の形状は、例えば半球形などを有し、第１の接続部材７０の材料は、例えば表面実装に使用されるはんだ材料などである。この場合、表面実装に使用されるはんだ材料としては、例えば、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ、Ｓｎ−０．８Ｃｕはんだ、Ｓｎ−３．５Ａｇはんだなどが挙げられる。
【００４５】
ただし、第１の接続部材７０の形状および材料などは、例示をしたものに限定されるわけではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜変更することができる。例えば、第１の接続部材７０は、例えば薄膜状などを有し、例えばＮｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などを有する。また、第１の接続部材７０は、必ずしも必要ではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜設けることができる。
【００４６】
第２の電極部８０は、第２の半導体部２２に接続され、例えばＮｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などを有する。この場合、例えば、Ｎｉ（ニッケル）層の厚みは、約１μｍ程度であり、Ａｕ（金）層の厚みは、約１μｍ程度である。ただし、第２の電極部８０の材料や厚みは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。第２の電極部８０の形状は、例えば、円形などである。ただし、第２の電極部８０の形状は、円形に限定されるわけではなく、後述する第２の接続部９１の断面形状や大きさなどに応じて適宜変更することができる。
【００４７】
第２の導電部９０は、封止部１３０の凹部１３１の底面と、封止部１３０の端面と、の間を貫通するようにして設けられている。第２の導電部９０は、例えば、円柱状を呈し、Ｃｕ（銅）などの金属材料により形成されている。また、第２の導電部９０は、封止部１３０を貫通する部分の断面積よりも小さな断面積を有する第２の接続部９１を有する。そして、第２の接続部９１は、第２の電極部８０に接続されている。これにより、第２の電極部８０を介して、第２の導電部９０と、第２の半導体部２２と、が電気的に接続されている。ただし、第２の導電部９０および第２の接続部９１の形状および材料などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００４８】
第２の接続部材１１０は、封止部１３０から露出する第２の導電部９０の一方の端面を覆うようにして設けられている。第２の接続部材１１０は、例えばいわゆるはんだバンプなどである。第２の接続部材１１０がはんだバンプである場合には、第２の接続部材１１０の形状は、例えば半球形などを有し、第２の接続部材１１０の材料は、例えば表面実装に使用されるはんだ材料などである。この場合、表面実装に使用されるはんだ材料としては、例えば、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ、Ｓｎ−０．８Ｃｕはんだ、Ｓｎ−３．５Ａｇはんだなどが挙げられる。
【００４９】
ただし、第２の接続部材１１０の形状および材料などは、例示をしたものに限定されるわけではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜変更することができる。例えば、第２の接続部材１１０は、例えば薄膜状などを有し、例えばＮｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などを有する。また、第２の接続部材１１０は必ずしも必要ではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜設けることができる。
【００５０】
絶縁部１２０は、封止部１３０に設けられた凹部１３１を埋め込むようにして設けられている。絶縁部１２０は、絶縁材料から形成されている。例えば、絶縁部１２０は、ＳｉＯ２などの無機材料や、樹脂などから形成される。この場合、発光部２０から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度が高い場合には、絶縁部１２０を形成する樹脂が劣化するおそれがある。そのため、絶縁部１２０が樹脂から形成される場合には、絶縁部１２０を形成する樹脂は、青色光などによる劣化が生じにくい性質を有することがより好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が１．５程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーンなどが挙げられる。
【００５１】
封止部１３０は、第２の主面２７側に設けられ、第１の導電部６０の端部および第２の導電部９０の端部を露出させつつ第１の導電部６０および第２の導電部９０を封止する。封止部１３０は、例えば熱硬化性樹脂などから形成される。封止部１３０は、発光部２０と、第１の電極部５０と、第２の電極部８０と、を封止する役割を有している。なお、封止部１３０と絶縁部１２０とは、一体的に形成されていてもよい。
【００５２】
発光部２０に電力を供給する第１の接続部材７０と、第１の導電部６０と、第１の電極部５０と、第２の接続部材１１０と、第２の導電部９０と、第２の電極部８０と、は、固定部１５０により発光部２０に固定されている。
【００５３】
次に、半導体発光装置１の作用について例示をする。
第１の導電部６０に電圧が印加されると、第１の電極部５０を介して第１の半導体部２１に電位が与えられる。また、第２の導電部９０に電圧が印加されると、第２の電極部８０を介して第２の半導体部２２に電位が与えられる。そして、第１の半導体部２１と第２の半導体部２２とに電位が与えられると、活性部２３において正孔および電子が再結合して光が発生する。
【００５４】
活性部２３から出射した光の一部は、第１の半導体部２１および透光部３０を透過して波長変換部４０に入射する。波長変換部４０に入射した光は、蛍光体４１により波長が変換され波長変換部４０から外部に向けて出射される。例えば、活性部２３から出射した青色光と、その光により励起された光（黄色、あるいは、赤色及び緑色）と、が混合され、白色光として波長変換部４０から外部に向けて出射される。
【００５５】
本実施形態においては、波長変換部４０の内部における光路長を発光部２０の発光特性に応じて適正化するようにしている。すなわち、所定の形状を有する透光部３０を設けることで、内部における光路長が発光部２０の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような面４５を有する波長変換部４０が形成されている。また、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも小さい粒子径に分級された蛍光体４１が使用されることで、本実施形態の透光部３０の側方における蛍光体４１の充填率は、比較例にかかる半導体発光装置１ａの透光部３０の側方における蛍光体４１の充填率よりも高くなっている。そのため、色度ずれを抑制することができる。例えば、白色光を出射する半導体発光装置１を見る方向にかかわらず色度ずれを少なくすることができ、波長変換部４０のほぼ全域において白色光が出射されるようにすることができる。
【００５６】
図５は、本発明の他の実施の形態にかかる半導体発光装置を表す断面模式図である。
本実施形態にかかる半導体発光装置１ｂでは、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも大きく透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５よりも小さい粒子径を有する蛍光体４１ａ（第２の蛍光体）と、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも小さい粒子径を有する蛍光体４１ｂ（第１の蛍光体）と、が使用されている。言い換えれば、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５に充填される蛍光体４１ａの粒子径は、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３に充填される蛍光体４１ｂの粒子径よりも大きい。
【００５７】
図５に表したように、隙間３よりも大きく開口部３５よりも小さい蛍光体４１ａは、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５に充填されている。一方、隙間３よりも小さい粒子径を有する蛍光体４１ｂは、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３、言い換えれば透光部３０の側方すなわち透光部３０の側面３３の近傍に充填されている。その他の構造は、図１に関して前述した半導体発光装置１の構造と同様である。
【００５８】
本実施形態によれば、隙間３よりも大きい粒子径を有する蛍光体４１ａを捨てる必要はなく、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５に充填させる蛍光体４１ａとして有効に利用することができる。また、図１および図２に関して前述した半導体発光装置１と同様ように、色度ずれを抑制することができる。
【００５９】
次に、本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置の製造方法について、図面を参照しつつ説明する。
まず、図１に関して前述した半導体発光装置１の製造方法について説明する。
図６は、本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
また、図７は、本実施形態の波長変換部の形成方法を例示する断面模式図である。
【００６０】
まず、サファイアなどにより形成された基板上に所定の形状の第１の半導体部２１と、活性部２３と、第２の半導体部２２と、をこの順で積層させる（ステップＳ１０１）。この場合、既知の気相成長法などを用いてこれらの積層を行うことができる。気相成長法としては、例えば、有機金属気相成長（MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ハイドライド気相成長（HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy）法、分子線エピタキシャル成長（MBE;Molecular Beam Epitaxy）法などが挙げられる。
【００６１】
次に、第１の半導体部２１上に第１の電極部５０を形成し、第２の半導体部２２上に第２の電極部８０を形成する（ステップＳ１０３）。この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法や、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法や、メッキ法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などと、を組み合わせることで第１の電極部５０および第２の電極部８０を形成することができる。
【００６２】
次に、このようにして基板上に積層された積層体を覆うようにして所定の形状の絶縁部１２０を形成する（ステップＳ１０５）。この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法や、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などと、を組み合わせることで絶縁部１２０を形成することができる。
【００６３】
次に、絶縁部１２０を覆うようにして所定の形状の封止部１３０を形成する（ステップＳ１０７）。この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法や、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などと、を組み合わせることで封止部１３０を形成するようにすることができる。
【００６４】
次に、第１の導電部６０および第２の導電部９０を形成する（ステップＳ１０９）。この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法や、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法や、メッキ法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などと、を組み合わせることで第１の導電部６０および第２の導電部９０を形成することができる。
【００６５】
次に、第１の導電部６０の端面に第１の接続部材７０を形成し、第２の導電部９０の端面に第２の接続部材１１０を形成する（ステップＳ１１１）。この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法や、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法や、メッキ法などと、リソグラフィ技術などと、を組み合わせることで第１の接続部材７０および第２の接続部材１１０を形成することができる。
【００６６】
次に、このようにして形成された積層体を基板から剥離させる（ステップＳ１１３）。この場合、レーザリフトオフ法などを用いて積層体を基板から剥離させることができる。
【００６７】
次に、剥離させた積層体を反転させ、第１の半導体部２１を覆うようにして透光部３０を形成する（ステップＳ１１５）。この場合、樹脂などを塗布し、これを硬化させることで透光部３０を形成することができる。
【００６８】
次に、透光部３０を覆うようにして波長変換部４０を形成する。ここからは、図７も参照しつつ説明する。
まず、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも小さい粒子径に分級した蛍光体４１と、波長変換部４０を形成する樹脂４３と、を混合させる（ステップＳ１１７）。続いて、１０００Ｐａ（パスカル）以下の真空中においてスキージ印刷法により、透光部３０を覆うようにして蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布する（ステップＳ１１９）。
【００６９】
例えば、図７（ａ）に表したように、圧力が１０００Ｐａ以下の図示しないチャンバー内において、透光部３０の上方にスキージマスク２０１を設置する。スキージマスク２０１は、一体的に形成された複数の透光部３０の全体に亘って開口している。そして、スキージ２１１を矢印Ａの方向に移動させることで、透光部３０を覆うように蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布する。つまり、本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法では、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３と、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５と、に対して蛍光体４１を含む樹脂４３を一括して塗布する。
【００７０】
このとき、図７（ｂ）に表したように、透光部３０を覆う樹脂４０１は、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３には完全には入り込むことができない。これは、樹脂４３が硬化する前に蛍光体４１が沈降することを抑えるため、蛍光体４１を含む樹脂４３の粘度が比較的高いためである。そのため、透光部３０を覆う樹脂４０１は、隙間３には充填されず、空隙が生ずる。
【００７１】
続いて、図示しないチャンバー内の圧力を３０００Ｐａ以上に上昇させる（ステップＳ１２１）。このとき、チャンバー内の圧力は大気圧であってもよい。そうすると、図７（ｃ）に表したように、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３を覆う部分の樹脂４０１は、図示しないチャンバー内の圧力の上昇により隙間３に充填される（ステップＳ１２１）。そのため、図示しないチャンバー内の圧力を３０００Ｐａ以上に上昇させた後の状態で透光部３０を覆っている樹脂４０３には、凹部４０５が形成される。
【００７２】
続いて、大気中においてスキージ印刷法により、樹脂４０３に形成された凹部４０５を埋めるようにして蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布し平坦かつ適宜設定された厚さに調整する（ステップＳ１２３）。例えば、図７（ｃ）に表したように、大気中において、透光部３０を覆っている樹脂４０３の上方にスキージマスク２０１を設置し、スキージ２１１を矢印Ｂの方向に移動させることで、樹脂４０３に形成された凹部４０５を埋めるように蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布する。
【００７３】
続いて、蛍光体４１を含む樹脂４３に紫外線（ＵＶ：Ultraviolet）を照射することにより、あるいは蛍光体４１を含む樹脂４３に熱を加えることにより、蛍光体４１を含む樹脂４３を硬化させ波長変換部４０を形成する（ステップＳ１２５、図７（ｄ））。紫外線を照射して硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば紫外線硬化性樹脂である。一方、熱を加えて硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば熱硬化性樹脂である。
【００７４】
本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法によれば、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３における蛍光体４１の充填率は、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５における蛍光体４１の充填率と略同じとなり、また十分となる。そのため、色度ずれを抑制することができる。
【００７５】
図８は、本発明の実施の他の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
また、図９は、本実施形態の波長変換部の形成方法を例示する断面模式図である。
本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法は、図６および図７に関して前述した半導体発光装置の製造方法と同様に、図１に関して前述した半導体発光装置１の製造方法である。
【００７６】
まず、ステップＳ１６１〜Ｓ１７５の半導体発光装置１の製造方法は、図６に関して前述したステップＳ１０１〜Ｓ１１５の半導体発光装置１の製造方法と同様である。
次に、透光部３０を覆うようにして波長変換部４０を形成する。ここからは、図９も参照しつつ説明する。
【００７７】
まず、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも小さい粒子径に分級した蛍光体４１と、波長変換部４０を形成する樹脂４３と、を混合させる（ステップＳ１７７）。続いて、１０００Ｐａ以下の真空中においてダイコート法により、透光部３０を覆うようにして蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布する（ステップＳ１７９）。例えば、圧力が１０００Ｐａ以下の図示しないチャンバー内において、ダイコート法により透光部３０を覆うようにして蛍光体４１を含む樹脂４３を塗布する。つまり、本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法では、図６および図７に関して前述した製造方法と同様に、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３と、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５と、に対して蛍光体４１を含む樹脂４３を一括して塗布する。
【００７８】
このとき、図９（ａ）に表したように、透光部３０を覆う樹脂４１１は、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３には完全には入り込むことができない。これは、樹脂４３が硬化する前に蛍光体４１が沈降することを抑えるため、蛍光体４１を含む樹脂４３の粘度が比較的高いためである。そのため、透光部３０を覆う樹脂４１１は、隙間３には充填されず、空隙が生ずる。
【００７９】
続いて、図示しないチャンバー内の圧力を３０００Ｐａ以上に上昇させる（ステップＳ１８１）。このとき、チャンバー内の圧力は大気圧であってもよい。そうすると、図９（ｂ）に表したように、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３を覆う部分の樹脂４１１は、図示しないチャンバー内の圧力の上昇により隙間３に充填される（ステップＳ１８１）。また、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５を覆う部分の樹脂４１１は、図示しないチャンバー内の圧力の上昇により開口部３５に充填される。そのため、図示しないチャンバー内の圧力を３０００Ｐａ以上に上昇させた後の状態で透光部３０を覆っている樹脂４１３には、凹部４１５が形成される。
【００８０】
続いて、大気中においてインプリント法により、予め離型剤を散布したインプリントモールド（凹版）２２１を透光部３０を覆っている樹脂４１３に押し付ける（ステップＳ１８３）。そうすると、図９（ｃ）に表したように、透光部３０を覆っていた樹脂４１３が凹部４１５に充填される。そして、インプリントモールド２２１を適宜設定された圧力で押し付けることで、透光部３０を覆っている樹脂４１７を平坦かつ適宜設定された厚さに調整する。
【００８１】
続いて、蛍光体４１を含む樹脂４３に紫外線を照射することにより、あるいは蛍光体４１を含む樹脂４３に熱を加えることにより、蛍光体４１を含む樹脂４３を硬化させ波長変換部４０を形成する（ステップＳ１８５）。紫外線を照射して硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば紫外線硬化性樹脂である。一方、熱を加えて硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば熱硬化性樹脂である。
続いて、図９（ｄ）に表したように、インプリントモールドを波長変換部４０から剥離させる（ステップＳ１８７）。
【００８２】
本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法によれば、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３における蛍光体４１の充填率は、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５における蛍光体４１の充填率と略同じとなり、また十分となる。そのため、色度ずれを抑制することができる。
【００８３】
図１０は、本発明の実施のさらに他の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
また、図１１は、本実施形態の波長変換部の形成方法を例示する断面模式図である。
本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法は、図５に関して前述した半導体発光装置１ｂの製造方法である。
【００８４】
まず、ステップＳ２０１〜Ｓ２１５の半導体発光装置１ｂの製造方法は、図６に関して前述したステップＳ１０１〜Ｓ１１５の半導体発光装置１の製造方法と同様である。
次に、透光部３０を覆うようにして波長変換部４０を形成する。ここからは、図１１も参照しつつ説明する。
【００８５】
まず、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも小さい粒子径に分級した蛍光体４１ｂと、波長変換部４０を形成する樹脂４３と、を混合させる（ステップＳ２１７）。続いて、１０００Ｐａ以下の真空中においてスキージ印刷法により、透光部３０を覆うようにして蛍光体４１ｂを含む樹脂４３を塗布する（ステップＳ２１９）。
【００８６】
例えば、図１１（ａ）に表したように、圧力が１０００Ｐａ以下の図示しないチャンバー内において、透光部３０の上方にスキージマスク２０３を設置する。スキージマスク２０３は、図７に関して前述したスキージマスク２０１のようには、一体的に形成された複数の透光部３０の全体に亘って開口しているわけではない。スキージマスク２０３には、半導体発光装置を上方正面側（視野角度０°側）からみたときに、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３と略同じ程度の開口面積を有する開口部２０３ａが形成されている。そして、スキージマスク２０３は、半導体発光装置を上方正面側（視野角度０°側）からみたときに、開口部２０３ａと隙間３との位置が合うように透光部３０の上方に設置される。続いて、スキージ２１１を矢印Ｃの方向に移動させることで、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３を覆うように蛍光体４１ｂを含む樹脂４３を塗布する。
【００８７】
このとき、図７（ｂ）に表したように、隙間３を覆う樹脂４２１は、その隙間３には完全には入り込むことができない。これは、樹脂４３が硬化する前に蛍光体４１ｂが沈降することを抑えるため、蛍光体４１ｂを含む樹脂４３の粘度が比較的高いためである。そのため、透光部３０を覆う樹脂４２１は、隙間３には充填されず、空隙が生ずる。
【００８８】
続いて、図示しないチャンバー内の圧力を３０００Ｐａ以上に上昇させる（ステップＳ２２１）。このとき、チャンバー内の圧力は大気圧であってもよい。そうすると、図１１（ｃ）に表した樹脂４２３のように、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３を覆う部分の樹脂４２１は、図示しないチャンバー内の圧力の上昇により隙間３に充填される（ステップＳ２２１）。
【００８９】
続いて、印刷版を交換する（ステップＳ２２３）。例えば、透光部３０の上方に設置されたスキージマスク２０３を、図７に関して前述したスキージマスク２０１に交換する。
【００９０】
続いて、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも大きく透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５よりも小さい粒子径を有する蛍光体４１ａと、波長変換部４０を形成する樹脂４３と、を混合させる（ステップＳ２２５）。続いて、１０００Ｐａ以下の真空中においてスキージ印刷法により、透光部３０を覆うようにして蛍光体４１ａを含む樹脂４３を塗布する（ステップＳ２２７）。
【００９１】
例えば、図１１（ｄ）に表したように、圧力が１０００Ｐａ以下の図示しないチャンバー内において、スキージ２１１を矢印Ｄの方向に移動させることで、透光部３０を覆うように蛍光体４１ａを含む樹脂４３を塗布する。つまり、本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法では、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３に対して蛍光体４１ｂを含む樹脂４３を塗布し、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５に対して蛍光体４１ａを含む樹脂４３を塗布する。言い換えれば、本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法では、隙間３および開口部３５に対して蛍光体４１ｂおよび蛍光体４１ａを含む樹脂４３をそれぞれ分割して塗布する。
【００９２】
続いて、図示しないチャンバー内の圧力を３０００Ｐａ以上に上昇させる（ステップＳ２２９）。このとき、チャンバー内の圧力は大気圧であってもよい。そうすると、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５を覆う部分の樹脂は、図示しないチャンバー内の圧力の上昇により開口部３５に充填される（ステップＳ２２９）。
【００９３】
続いて、図１１（ｅ）に表したように、大気中においてスキージ印刷法により、蛍光体４１ａを含む樹脂４３を塗布し平坦かつ適宜設定された厚さに調整する（ステップＳ２３１）。
【００９４】
続いて、蛍光体４１ａ、４１ｂを含む樹脂４３に紫外線を照射することにより、あるいは蛍光体４１ａ、４１ｂを含む樹脂４３に熱を加えることにより、蛍光体４１ａ、４１ｂを含む樹脂４３を硬化させ波長変換部４０を形成する（ステップＳ２３３）。紫外線を照射して硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば紫外線硬化性樹脂である。一方、熱を加えて硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば熱硬化性樹脂である。
【００９５】
本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法によれば、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３における蛍光体４１ｂの充填率は、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５における蛍光体４１ａの充填率と略同じとなり、また十分となる。そのため、隙間３よりも大きい粒子径を有する蛍光体４１ａを有効に利用しつつ、色度ずれを抑制することができる。
【００９６】
図１２は、本発明の実施のさらに他の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
また、図１３は、本実施形態の波長変換部の形成方法を例示する断面模式図である。
本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法は、図１０および図１１に関して前述した半導体発光装置の製造方法と同様に、図５に関して前述した半導体発光装置１ｂの製造方法である。
【００９７】
まず、ステップＳ２６１〜Ｓ２７５の半導体発光装置１ｂの製造方法は、図６に関して前述したステップＳ１０１〜Ｓ１１５の半導体発光装置１の製造方法と同様である。
次に、透光部３０を覆うようにして波長変換部４０を形成する。ここからは、図１３も参照しつつ説明する。
【００９８】
まず、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも小さい粒子径に分級した蛍光体４１ｂと、波長変換部４０を形成する樹脂４３と、を混合させる（ステップＳ２７７）。続いて、１０００Ｐａ以下の真空中においてスキージ印刷法により、透光部３０を覆うようにして蛍光体４１ｂを含む樹脂４３を塗布する（ステップＳ２７９）。
【００９９】
例えば、図１１（ａ）に表したように、圧力が１０００Ｐａ以下の図示しないチャンバー内において、透光部３０の上方にスキージマスク２０３を設置する。スキージマスク２０３の設置形態は、図１１（ａ）に関して前述した如くである。続いて、スキージ２１１を矢印Ｅの方向に移動させることで、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３を覆うように蛍光体４１ｂを含む樹脂４３を塗布する。
【０１００】
このとき、図１１（ｂ）に表したように、隙間３を覆う樹脂４３１は、その隙間３には完全には入り込むことができない。これは、樹脂４３が硬化する前に蛍光体４１ｂが沈降することを抑えるため、蛍光体４１ｂを含む樹脂４３の粘度が比較的高いためである。そのため、透光部３０を覆う樹脂４３１は、隙間３には充填されず、空隙が生ずる。
【０１０１】
続いて、図示しないチャンバー内の圧力を３０００Ｐａ以上に上昇させる（ステップＳ２８１）。このとき、チャンバー内の圧力は大気圧であってもよい。そうすると、図１３（ｃ）に表した樹脂４３３のように、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３を覆う部分の樹脂４３１は、図示しないチャンバー内の圧力の上昇により隙間３に充填される（ステップＳ２８１）。
【０１０２】
続いて、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３よりも大きく透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５よりも小さい粒子径を有する蛍光体４１ａと、波長変換部４０を形成する樹脂４３と、を混合させる（ステップＳ２８３）。続いて、１０００Ｐａ以下の真空中においてスリットコート法により、透光部３０を覆うようにして蛍光体４１ａを含む樹脂４３を塗布する（ステップＳ２８５）。
【０１０３】
つまり、本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法では、図１１および図１２に関して前述した製造方法と同様に、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３に対して蛍光体４１ｂを含む樹脂４３を塗布し、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５に対して蛍光体４１ａを含む樹脂４３を塗布する。言い換えれば、本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法では、隙間３および開口部３５に対して蛍光体４１ｂおよび蛍光体４１ａを含む樹脂４３をそれぞれ分割して塗布する。
【０１０４】
続いて、図１３（ｄ）に表したように、大気中においてインプリント法により、予め離型剤を散布したインプリントモールド２２１を透光部３０を覆っている樹脂４３５に押し付ける（ステップＳ２８７）。そして、インプリントモールド２２１を適宜設定された圧力で押し付けることで、透光部３０を覆っている樹脂４３５を平坦かつ適宜設定された厚さに調整する。
【０１０５】
続いて、蛍光体４１ａ、４１ｂを含む樹脂４３に紫外線を照射することにより、あるいは蛍光体４１ａ、４１ｂを含む樹脂４３に熱を加えることにより、蛍光体４１ａ、４１ｂを含む樹脂４３を硬化させ波長変換部４０を形成する（ステップＳ２８９）。紫外線を照射して硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば紫外線硬化性樹脂である。一方、熱を加えて硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば熱硬化性樹脂である。
続いて、図１３（ｅ）に表したように、インプリントモールドを波長変換部４０から剥離させる（ステップＳ２９１）。
【０１０６】
本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法によれば、一体的に形成された複数の透光部３０同士の間の隙間３における蛍光体４１ｂの充填率は、透光部３０に設けられた凹状の面３１の開口部３５における蛍光体４１ａの充填率と略同じとなり、また十分となる。そのため、隙間３よりも大きい粒子径を有する蛍光体４１ａを有効に利用しつつ、色度ずれを抑制することができる。
【０１０７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１０８】
１、１ａ、１ｂ 半導体発光装置、 ３ 隙間、 ２０ 発光部、 ２１ 第１の半導体部、 ２２ 第２の半導体部、 ２３ 活性部、 ２５ 第１の主面、 ２７ 第２の主面、 ３０ 透光部、 ３１ 面、 ３３ 側面、 ３５ 開口部、 ４０ 波長変換部、 ４１、４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄ 蛍光体、 ４３ 樹脂、 ４５ 面、 ５０ 第１の電極部、 ６０ 第１の導電部、 ６１ 第１の接続部、 ７０ 第１の接続部材、 ８０ 第２の電極部、 ９０ 第２の導電部、 ９１ 第２の接続部、 １１０ 第２の接続部材、 １２０ 絶縁部、 １３０ 封止部、 １３１ 凹部、 １５０ 固定部、 ２０１、２０３ スキージマスク、 ２０３ａ 開口部、 ２１１ スキージ、 ２２１ インプリントモールド、 ４０１、４０３、樹脂、 ４０５ 凹部、 ４１１、４１３ 樹脂、 ４１５ 凹部、 ４１７、４２１、４２３、４３１、４３３、４３５ 樹脂
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と、前記第１の主面の反対面を形成する第２の主面と、前記第２の主面上に形成された第１の電極部および第２の電極部と、を有する発光部と、
前記第１の主面側に設けられ、凹状の面を有する透光部と、
前記透光部を覆うように設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、
前記第１の電極部に接続された第１の導電部と、
前記第２の電極部に接続された第２の導電部と、
前記第２の主面側に設けられ、前記第１の導電部の端部および前記第２の導電部の端部を露出させつつ前記第１の導電部および前記第２の導電部を封止した封止部と、
を備え、
前記蛍光体は、前記透光部の側方に充填された第１の蛍光体と、前記第１の蛍光体の粒子径よりも大きく前記凹状の面の開口部よりも小さい粒子径を有し前記開口部に充填された第２の蛍光体と、を含むことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
複数の半導体発光装置を一体的に形成する半導体発光装置の製造方法であって、
第１の主面と、前記第１の主面の反対面を形成する第２の主面と、前記第２の主面上に形成される第１の電極部および第２の電極部と、を有する発光部を形成し、
前記第１の電極部に接続される第１の導電部と、前記第２の電極部に接続される第２の導電部と、を形成し、
前記第２の主面側に設けられ、前記第１の導電部の端部および前記第２の導電部の端部を露出させつつ前記第１の導電部および前記第２の導電部を封止する封止部を形成し、
前記第１の主面側に設けられ、凹状の面を有する透光部を形成し、
蛍光体が混合された樹脂を大気圧よりも減圧された雰囲気中において塗布した後、前記雰囲気中の圧力を前記減圧された圧力よりも高い圧力に上昇させることにより、前記一体的に形成される複数の半導体発光装置同士の間に生じた開口部に前記樹脂を充填させることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記蛍光体を分級し、前記一体的に形成される複数の半導体発光装置同士の間に生じた最小の開口部よりも小さい粒子径を有する前記蛍光体を使用することを特徴とする請求項２記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記最小の開口部は、前記一体的に形成される複数の前記透光部同士の間の開口部であることを特徴とする請求項３記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記蛍光体を、前記一体的に形成される複数の半導体発光装置同士の間に生じた複数の開口部の大きさに応じて分級し、前記複数の開口部のそれぞれよりも小さい粒子径を有する前記蛍光体を前記複数の開口部の大きさに応じて使用することを特徴とする請求項２記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記蛍光体を、前記一体的に形成される複数の前記透光部同士の間の第１の開口部よりも小さい粒子径を有する第１の蛍光体と、前記第１の開口部よりも大きく前記凹状の面の第２の開口部よりも小さい粒子径を有する第２の蛍光体と、に分級し、前記第１の開口部に前記第１の蛍光体を充填させ、前記第２の開口部に前記第２の蛍光体を充填させることを特徴とする請求項５記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記減圧された圧力は、１０００Ｐａ以下の圧力であり、前記高い圧力は、３０００Ｐａ以上の圧力であることを特徴とする請求項２〜６のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記蛍光体は、３８０ｎｍ以上、７２０ｎｍ以下の発光波長を有し、
ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、燐（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）、アルカリ土類元素、硫化物元素、希土類元素、窒化物元素よりなる群から選択された少なくとも１つの元素を含むことを特徴とする請求項２〜７のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１】
第１の主面と、前記第１の主面の反対面を形成する第２の主面と、前記第２の主面上に形成された第１の電極部および第２の電極部と、を有する発光部と、
前記第１の主面側に設けられ、凹状の面を有する透光部と、
前記透光部を覆うように設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、
前記第１の電極部に接続された第１の導電部と、
前記第２の電極部に接続された第２の導電部と、
前記第２の主面側に設けられ、前記第１の導電部の端部および前記第２の導電部の端部を露出させつつ前記第１の導電部および前記第２の導電部を封止した封止部と、
を備え、
前記蛍光体は、前記透光部の側方に充填された第１の蛍光体と、前記第１の蛍光体の粒子径よりも大きく前記凹状の面の開口部よりも小さい粒子径を有し前記開口部に充填された第２の蛍光体と、を含むことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
複数の半導体発光装置を一体的に形成する半導体発光装置の製造方法であって、
第１の主面と、前記第１の主面の反対面を形成する第２の主面と、前記第２の主面上に形成される第１の電極部および第２の電極部と、を有する発光部を形成し、
前記第１の電極部に接続される第１の導電部と、前記第２の電極部に接続される第２の導電部と、を形成し、
前記第２の主面側に設けられ、前記第１の導電部の端部および前記第２の導電部の端部を露出させつつ前記第１の導電部および前記第２の導電部を封止する封止部を形成し、
前記第１の主面側に設けられ、凹状の面を有する透光部を形成し、
蛍光体が混合された樹脂を大気圧よりも減圧された雰囲気中において塗布した後、前記雰囲気中の圧力を前記減圧された圧力よりも高い圧力に上昇させることにより、前記一体的に形成される複数の半導体発光装置同士の間に生じた開口部に前記樹脂を充填させることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記蛍光体を分級し、前記一体的に形成される複数の半導体発光装置同士の間に生じた最小の開口部よりも小さい粒子径を有する前記蛍光体を使用することを特徴とする請求項２記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記最小の開口部は、前記一体的に形成される複数の前記透光部同士の間の開口部であることを特徴とする請求項３記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記蛍光体を、前記一体的に形成される複数の半導体発光装置同士の間に生じた複数の開口部の大きさに応じて分級し、前記複数の開口部のそれぞれよりも小さい粒子径を有する前記蛍光体を前記複数の開口部の大きさに応じて使用することを特徴とする請求項２記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記蛍光体を、前記一体的に形成される複数の前記透光部同士の間の第１の開口部よりも小さい粒子径を有する第１の蛍光体と、前記第１の開口部よりも大きく前記凹状の面の第２の開口部よりも小さい粒子径を有する第２の蛍光体と、に分級し、前記第１の開口部に前記第１の蛍光体を充填させ、前記第２の開口部に前記第２の蛍光体を充填させることを特徴とする請求項５記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記減圧された圧力は、１０００Ｐａ以下の圧力であり、前記高い圧力は、３０００Ｐａ以上の圧力であることを特徴とする請求項２〜６のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記蛍光体は、３８０ｎｍ以上、７２０ｎｍ以下の発光波長を有し、
ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、燐（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）、アルカリ土類元素、硫化物元素、希土類元素、窒化物元素よりなる群から選択された少なくとも１つの元素を含むことを特徴とする請求項２〜７のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１２−２０４４８１（Ｐ２０１２−２０４４８１Ａ）
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６６０１９（Ｐ２０１１−６６０１９）
【出願日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]