【課題】複数の発光素子が列状に配列された発光素子アレイのそれぞれの発光素子にレンズを設けることにより、発光素子から取り出される光量の差を抑制した発光部品等を提供することを目的とする。
【解決手段】発光チップＣは、基板８０上に列状に配置された複数の発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８と、それぞれの発光サイリスタＬの光を出射する発光面３１１に対向してそれぞれ設けられ、発光サイリスタＬが出射する光を集光するとともに、それぞれの発光サイリスタＬに発光のための電流が供給される配線のφＩ端子からの抵抗値に対応して、光量を増加させる割合が設定された複数のレンズ９０を備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子が列状に配列された発光素子アレイのそれぞれの発光素子の発光面にレンズを設けることにより、効率よく光を取り出すことのできる発光部品等を提供する。
【解決手段】第１アイランド３０１には、発光サイリスタＬ１が設けられている。発光サイリスタＬ１の発光面３１１上には、発光面３１１と交差する方向に開口された開口部９２ａと、開口部９２ａの発光面３１１から遠い側の端に連続し、開口部９２ａから発光面３１１に沿う方向に遠ざかるとともに発光面３１１に近づくとともに、発光面３１１から遠ざかる方向に凸面状である表面（曲面９２ｃ）を有する曲面部９２ｂとを備えたレンズ９２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】同一の発光ピーク波長をもつ２層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板１０２の上面側に、中間電極１０４、下側第１導電型半導体層１０６、第１発光層１０８、第２導電型半導体層１１０、第１発光層１０８と同一の発光波長を有する第２発光層１１２、上側第１導電型半導体層１１４および上側電極１１６を順次具え、支持基板１０２の下面側に設けられる下側電極１１８と、上側第１導電型半導体層１１４および第２発光層１１２を貫通する凹部１２０に設けられ、第２導電型半導体層１１０と電気的に接続する基準電極１２２と、を有し、第１発光層１０８の電流が流れる有効領域１０８ａを規制する絶縁部１２６を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】色度ずれを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光部２０は、第１の主面と、前記第１の主面の反対面を形成する第２の主面と、前記第２の主面上に形成された第１の電極部５０および第２の電極部８０と、を有する。透光部３０は、前記第１の主面側に設けられ、凹状の面を有する。波長変換部４０は、前記透光部を覆うように設けられ、蛍光体４１を含有する。封止部１３０は、前記第２の主面側に設けられ、第１の導電部の端部および第２の導電部の端部を露出させつつ前記第１の導電部および前記第２の導電部を封止している。前記蛍光体は、前記透光部の側方に充填された第１の蛍光体と、前記第１の蛍光体の粒子径よりも大きく前記凹状の面の開口部よりも小さい粒子径を有し前記開口部に充填された第２の蛍光体と、を含む。 （もっと読む）

【課題】単一基板上に複数の発光素子が設けられた半導体発光素子において、本構成を用いない場合に比べて光取出効率を向上する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板１０上に第１導電型層と第２導電型層とに挟まれた発光層を含む半導体積層構造２１を有する発光部１Ａと、基板１０上に発光部１Ｂと離間して異なる領域に設けられ、第１導電型層と第２導電型層とに挟まれた発光層を有する半導体積層構造２１を有する発光部１Ｂと、発光部１Ａの第１導電型層と、発光部１Ｂの第２の導電型層とを電気的に接続する内部配線層８３と、発光部１Ａの発光層及び発光部１Ｂの発光層の少なくともいずれかの発光層と、内部配線層８３との間に設けられ、発光部１Ａの発光層及び発光部１Ｂの発光層の少なくともいずれかの発光層から発光した光の少なくとも一部を反射する反射層９３とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数の発光面が列状に配列された発光素子アレイを有する発光部品において、光を効率よく取り出すためのレンズを設置する台座による応力の発生を抑制する。
【解決手段】発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３…上（基板８０の反対側）には、円筒（丸筒）状の台座（ペデスタル）９１を介して、球状のレンズ９２がそれぞれ設けられている。台座９１は、発光サイリスタＬ１の発光面３１１の周辺部に設けられている。それぞれのレンズ９２は発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…のそれぞれの発光面３１１から空隙（空気層）９３を介して設けられている。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、基板と、前記基板上に形成された共晶層と、前記共晶層上方に形成された絶縁層と、各々が前記絶縁層上に形成された密着層と、前記密着層上に形成されたＡｇ反射膜と、前記Ａｇ反射膜上に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成され、第１導電型の第１の窒化物半導体層と、該第１の窒化物半導体層の上に形成され、電流が流れることにより発光する第２の窒化物半導体層と、該第２の窒化物半導体層の上に形成された、第２導電型の第３の窒化物半導体層とを含んだ半導体積層とを有する複数の半導体発光素子と、前記密着層及びＡｇ反射膜上方に形成され、隣接する半導体発光素子の一方の前記第１導電型の第１の窒化物半導体層と他方の前記第２導電型の第３の窒化物半導体層とを接続し、積層の最下層が前記密着層と同一の材料からなる配線電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、製造の容易な発光デバイス、及び、その製造方法を提供するこを提供すること。
【解決手段】透明結晶基板２は、一面が光出射面２１であり、発光素子１は透明結晶基板２の光出射面２１とは反対側の他面２２に積層されている。透明結晶基板の側に位置するＮ型半導体層３１は、Ｐ型半導体層３２と重ならない部分３３を有している。Ｎ型半導体層３１の第１半導体面電極５１は、重ならない部分３３の表面に設けられており、Ｐ型半導体層３２の第２半導体面電極５２は、第１半導体面電極５１と同じ側の面に設けられている。発光素子１は絶縁層６によって覆われており、絶縁層６には支持基板９が積層されている。絶縁層６を通って第１及び第２半導体面電極５１、５２に接続された第１及び第２縦導体７１、７２が、支持基板９を貫通する第１及び第２貫通電極９４、９５と接続されている。 （もっと読む）

【課題】発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置は、キャリアと、前記キャリアの上に形成され、且つ、前記キャリアに面する第一表面と、前記第一表面に相対する第二表面と、前記第一表面と前記第二表面との間に介在する能動層とを有する発光構造と、前記第一表面から延伸して前記能動層を通過し、複数の発光素子を区分する複数の第一トレンチと、前記第二表面から延伸して前記複数の発光素子の各々の前記能動層を通過する複数の第二トレンチと、を含む。 （もっと読む）

【課題】高効率な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、第１の絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、第２の絶縁層とを備えた。第１の電極は半導体層の第２の主面に設けられた。第２の電極は半導体層における発光層と第１の主面との間の部分の側面に設けられた。第１の配線層は、第２の主面に対する反対側の第１の絶縁層上及び第１の開口内に設けられ、第１の電極と接続された。第２の配線層は、第２の主面に対する反対側の第１の絶縁層上及び第２の開口内に設けられ、側面に設けられた第２の電極と接続された。 （もっと読む）

【課題】外部に保護素子を設けることなく静電気や過電圧から保護することができる半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置、信号灯器及び道路情報装置を提供する。
【解決手段】発光素子１００は、矩形状の基板１の一方の対角線上の角部近傍それぞれに、ｎ型半導体層（ＬＥＤ構造）２０、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３を積層した半導体層で構成されるＬＥＤ構造を分離して形成してある。また、基板１の他方の対角線上の角部近傍それぞれに、平面視が円状のボンディング電極７１、７１を形成してある。また、基板１の対向する辺縁近傍にｎ型半導体層２２、２１で構成される抵抗素子を形成してある。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能な発光素子およびその製造方法、ならびに、これを備える光プリントヘッドを提供する。
【解決手段】 本発明の実施形態の一例である発光素子アレイ１１は、［１１０］方向および［１−１０］方向に沿って切断されて、矩形状に形成された化合物半導体からなる素子基板２０と、素子基板２０の上に連続してエピタキシャル成長された化合物半導体層からなる発光素子４０と、［１１０］方向および［１−１０］方向の端部に、他方方向に沿って延び、素子基板２０の上に連続してエピタキシャル成長された化合物半導体からなる化合物層５０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高輝度な半導体発光装置および画像表示装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体薄膜発光素子が、実装基板101上に反射メタル層103を介して集積された第１半導体薄膜発光素子102と、第１半導体薄膜発光素子から放射される第１発光波長の光に対し透明な材料から構成され、かつ、第１半導体薄膜発光素子の素子構造を平坦とし、さらに電気的に絶縁性を有する第１透明絶縁平坦化膜113を介して第１半導体薄膜発光素子上に集積された第２半導体薄膜発光素子114とを備え、第２半導体薄膜発光素子は、内部の第１半導体薄膜発光素子側に、第１発光波長の光を透過し、かつ第２半導体薄膜発光素子から発光される第２発光波長の光のみを反射する半導体多層膜からなる第１半導体多層膜反射層116が形成され、第１半導体多層膜反射層を含む第２半導体薄膜発光素子は、第１発光波長の光に対し透明な材料から構成されている. （もっと読む）

【課題】高輝度な半導体発光装置および画像表示装置を提供する。
【解決手段】
複数の半導体薄膜発光素子が、実装基板101上に反射メタル層103を介して集積された第１半導体薄膜発光素子102と、第１半導体薄膜発光素子から放射される第１発光波長の光に対し透明な材料から構成され、かつ、第１半導体薄膜発光素子の素子構造を平坦とし、さらに電気的に絶縁性を有する第１透明絶縁平坦化膜113と、第１透明絶縁平坦化膜上に第１半導体薄膜発光素子から放射される第１発光波長の光に対し透明な材料から構成され、かつ、電気的に絶縁性を有する第１誘電体多層膜反射層116を介して集積された第２半導体薄膜発光素子114とを備え、第１誘電体多層膜反射層は、第１の発光波長の光を透過し、第２半導体薄膜発光素子から発光される第２発光波長の光のみを反射し、第２半導体薄膜発光素子は、第１発光波長の光に対し透明な材料から構成されている。 （もっと読む）

【課題】単純な配線構造を使用でき、高い発光効率をもった半導体素子を得る。
【解決手段】ＣｒＮ層１３上に、ｎ型層２１、ｐ型層２２を順次成膜する（図１（ｃ））。成長基板１１表面に達する深さをもつ分離溝３０を形成する（図１（ｄ））。ｐ型層２２の全面に、ｐ側電極４１、第１の導電性接合層４２を順次形成する（図１（ｅ））。支持基板５０の一方の主面上に、第２の導電性接合層５１を形成する（図１（ｆ））。第２の導電性接合層５１と第１の導電性接合層４２とが直接接するようにして、高温で加圧接合する（図１（ｇ））。次に、接合後の状態において、化学的処理によってバッファ層１２とＣｒＮ層１３を除去する（図１（ｈ））。第１の積層体２５におけるｎ型層２１上の一部に、ｎ側電極６１を形成する（図１（ｊ））。最後に、第２の積層体２６全体を覆って第２の導電性接合層５１上の一部にｐ側パッド電極６２を形成する（図１（ｋ））。 （もっと読む）

【課題】転写技術を用いた場合であっても、光取り出し効率の低下を抑制することの可能な発光素子およびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】電極２２に接するｎ型コンタクト層２７において、少なくとも電極２１との対向領域に開口２７Ａが設けられている。ｎ型コンタクト層２７よりも外側（光射出側）には、開口２７Ａと連通する複数の開口２８Ａを有する樹脂ブロック層２８が設けられている。各開口２８Ａの深さ、すなわち、樹脂ブロック層２８の厚さは、ｎ型コンタクト層２７の厚さ（例えば、数十ｎｍ）よりも厚くなっている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の信頼性および半導体発光素子の製造歩留まりをより向上させる。
【解決手段】第１の半導体層と、第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられた発光層と、を含む複数の半導体積層体を、支持基板の第１の主面の上に間隙を隔てて選択的に形成する工程と、前記複数の半導体積層体のそれぞれと、他の支持基板と、を接合材により接合する工程と、前記支持基板の前記第１の主面とは反対側の第２の主面からレーザ光を入射し、前記接合材には前記レーザ光を照射せずに、前記複数の半導体積層体に前記レーザ光を照射して前記複数の半導体積層体から前記支持基板を剥離する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 迷光を抑制した発光素子アレイとそれを用いた画像形成装置を提供する。
【解決手段】 基板と、前記基板上に設けられ、電力が供給されることによって発光する複数の発光素子と、前記複数の発光素子の、前記基板とは反対側の表面上を連続して覆うように設けられ、金属から構成され、前記複数の発光素子に電力を供給するための共通金属電極であって、上面視したとき、前記発光素子の前記表面の一部が露出するように、前記発光素子毎に貫通孔を有する共通金属電極と、を具備する （もっと読む）

【課題】電極金属によって遮光されることなく発光部からの出射光を取り出すことができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００において、基板１１０の表面又は前記基板の表面に形成された接合層１１２の表面に密着固定されている複数の単結晶半導体薄膜１２０と、前記単結晶半導体薄膜の発光部の第１導電側の電極１３２及び第２導電側の電極１１２にそれぞれ接続される第１導電側金属層１３０と第２導電側金属層１１４とを備え、前記第１導電側金属層の上面と前記第２導電側金属層の上面との双方が、前記発光部の上面よりも、前記基板側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】家庭用交流電源に直接接続し駆動可能な発光ダイオードパッケージ。
【解決手段】傾斜した側壁を備えるリセスされたキャビティを有するパッケージ本体と、キャビティ内にそれぞれ離隔して配置される第１及び第２のリード電極と、上部にパッケージ本体が配置され、交流電源と接続される複数の電極と、キャビティ内に配置され、金属を含むヒートシンクと、キャビティ内かつヒートシンク上に配置される発光素子と、それぞれ第１及び第２のリード電極と発光素子とを電気的に接続する第１及び第２のボンディングワイヤと、発光装置から放出された光の方向及び／または波長を変換する、蛍光体を含む第１のモールド部材とを有し、発光素子は第１及び第２のリード電極から離隔して配置され、交流電源で、１つの発光素子が駆動する電圧よりも高い電圧により駆動する発光ダイオードパッケージ。 （もっと読む）