【課題】ｐコンタクト層をｐ型化し、かつ電極とのコンタクト抵抗を低減すること。
【解決手段】ｐクラッド層１４上に、ＭＯＣＶＤ法によって、ＭｇがドープされたＧａＮである第１のｐコンタクト層１５１を形成する（図２（ｂ））。次に、次工程で形成する第２のｐコンタクト層１５２の成長温度である７００℃まで降温した後、アンモニアの供給を停止し、キャリアガスを水素から窒素へと切り換えて置換する。これにより、第１のｐコンタクト層１５１のＭｇは活性化され、第１のｐコンタクト層１５１はｐ型化する。次に、前工程の温度である７００℃を維持し、キャリアガスには窒素を用いてＭＯＣＶＤ法によって、第１のｐコンタクト層１５１上に、ＭｇがドープされたＩｎＧａＮである第２のｐコンタクト層１５２を形成する（図２（ｃ））。 （もっと読む）

【課題】本発明は窒化物半導体発光素子に関する。
【解決手段】本発明は、ｐ型窒化物半導体層とｎ型窒化物半導体層及びその間に形成された活性層を有する発光構造物と、上記ｐ型窒化物半導体層及び上記ｎ型窒化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたｐ側及びｎ側電極と、上記ｐ型窒化物半導体層と上記ｐ側電極との間に位置し、上記ｐ型電極とオミックコンタクトされるように第１不純物濃度を有する第１ｐ型窒化物膜と、上記第１不純物濃度より低い第２不純物濃度を有する第２ｐ型窒化物膜を有するコンタクト層とを含む窒化物半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】低転位であり、クラック発生を抑制できるIII族窒化物半導体層を有する窒化物
半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板上にＡｌを含むIII族窒化物半導体のバッファ層を介して成長した、Ｃ
面を表面とするIII族窒化物半導体層を有する窒化物半導体エピタキシャル基板であって
、前記バッファ層が、その表面にインバージョンドメインを有する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の信頼性の向上を図れる窒化物半導体発光素子の製造方法、窒化物半導体発光素子の電気的特性の信頼性の向上を図れるウェハ、電気的特性の信頼性の向上を図れる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】単結晶基板１と、ＡｌＮ層２と、第１導電形の第１窒化物半導体層３と、ＡｌＧａＮ系材料からなる発光層４と、第２導電形の第２窒化物半導体層６とを備えた窒化物半導体発光素子の製造方法において、ＡｌＮ層２を形成するにあたっては、Ａｌの原料ガスとＮの原料ガスとを供給することによって単結晶基板１の上記一表面上にＡｌＮ層２の一部となるＡｌ極性のＡｌＮ結晶核２ａの群を形成する第１工程と、第１工程の後でＡｌの原料ガスとＮの原料ガスとを供給することによってＡｌＮ層２を形成する第２工程とを備え、第１工程では、基板温度を、Ｎ極性のＡｌＮ結晶２ｂの成長を抑制可能な第１所定温度に設定する。 （もっと読む）

【課題】レーザスクライブによる不良が無く、所望の形状を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体からなる半導体素子１０は、以下の構成を備えている。基板１００上には、ｎ型の第１半導体層２００、活性層３００、ｐ型の第２半導体層４００が順に設けられている。また、２つの第１端面８４０は、平面視で対向するように劈開により形成されている。また、２つの溝部８２０は、平面視で第１端面８４０と直交する方向に、２つの第１端面８４０まで延在している。さらに、溝部８２０は、底部が少なくとも活性層３００の下面よりも下まで位置している。また、第２端面８６０は、第１端面８４０と直交する方向で、かつ、溝部８２０よりも外側に形成され、レーザによるスクライブによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】光取出効率を高めることができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、素子搭載基板２０と、素子搭載基板２０に搭載されたＬＥＤ素子２１と、ＬＥＤ素子２１を封止する封止部材２２と、ＬＥＤ素子２１から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体層２３とを有する発光部２を備え、発光部２は、蛍光体層２３が封止部材２２の外部であって、ＬＥＤ素子２１の発光面に対向する面内に外部領域側の蛍光体層２３０として配置されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン及びゲルマニウム発光素子として作成可能な、注入キャリアを発光領域に閉じ込めるための素子構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】電極と発光領域の間にキャリアにとって狭い通路、すなわち１次元的または２次元的量子閉じ込め領域を作成する。量子閉じ込めにより、その部分ではバンドギャップが開くため、電子にとっても正孔にとってもエネルギー障壁となり、通常のＩＩＩ−Ｖ族半導体レーザーのダブルへテロ構造と同様の効果が得られる。素子の形状を制御するだけで、通常のシリコンプロセスで使用する元素以外は使わないため、安価に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】大電流駆動時における窒化物半導体発光素子の電力効率の低下を防止すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、第１導電型窒化物半導体層と、第１導電型窒化物半導体層の上に設けられた超格子層と、超格子層の上に設けられた活性層と、活性層の上に設けられた第２導電型窒化物半導体層とを備えている。超格子層の平均キャリア濃度は、活性層の平均キャリア濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】低コスト化の障害を回避することができる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１の製造方法は、平面状の素子集合搭載基板５を形成する基板形成工程と、素子集合搭載基板５に閉塞した枠部材５Ｂを形成する枠形成工程と、枠部材５Ｂの内側に複数個のＬＥＤ素子３を搭載する素子搭載工程と、枠部材５Ｂの内側に封止部材４となる液状材料を注入して複数個のＬＥＤ素子３を封止する封止工程と、複数個のＬＥＤ素子３を素子集合搭載基板５及び封止部材４とともに分割し、側面から封止部材４が露出した複数個の発光装置１を得る分割工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層構造体と、透明電極と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、を備えた半導体発光素子を提供する。積層構造体は、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間の発光部と、を含む。透明電極は、積層構造体のｐ形半導体層の側の第１主面においてｐ形半導体層に接続される。透明電極はｐ側電極の上に設けられる。ｎ側電極は、第１主面においてｎ形半導体層に接続される。透明電極は、おいてｎ側電極とｐ側電極との間に設けられ透明電極を貫通する孔を有する。ｐ側電極からｎ側電極に向かう第２軸に対して垂直な第３軸に沿った孔の幅は、ｎ側電極及びｐ側電極の第３軸に沿った幅よりも大きい。孔のｎ側電極側の端とｎ側電極との間の第２軸に沿った距離は、孔のｐ側電極側の端とｐ側電極との間の第２軸に沿う距離以下である。 （もっと読む）

【課題】電力効率が良好な窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層と、下部発光層と、上部発光層と、ｐ型窒化物半導体層とをこの順に備える。下部発光層は、複数の下部井戸層と、下部井戸層に挟まれ下部井戸層よりバンドギャップの大きい下部バリア層とが交互に積層されたものである。上部発光層は、複数の上部井戸層と、上部井戸層に挟まれ上部井戸層よりバンドギャップの大きい上部バリア層とが交互に積層されたものである。上部発光層における上部バリア層の厚さは、下部発光層における下部バリア層の厚さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の高い半導体発光素子を実現する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光素子は、基板、導電性反射膜、活性領域、第１電極、透明導電膜、及び第２電極が設けられる。導電性反射膜は基板上に設けられる。活性領域は、第１導電型透明電極、第１導電型コンタクト層、発光層、第２導電型コンタクト層、及び第２導電型透明電極が導電性反射膜上に積層形成される。第１電極は活性領域と離間し、導電性反射膜上に設けられる。透明導電膜は、一端が第２導電型透明電極上部を覆うように設けられ、他端が絶縁膜を介して記導電性反射膜上に設けられ、活性領域の側面とは絶縁膜を介して接する。第２電極は、透明導電膜の他端上に設けられる。 （もっと読む）

【課題】赤色光、青色光および緑色光を発光する発光装置の小型化を可能にできるIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体発光素子１０は、第１〜第３の面１１ｃ〜１１ｅ、及び裏面１１ｂを有する窒化ガリウム支持基体１１と、第１及び第２の面１１ｃ、１１ｄ上にそれぞれ設けられた第１及び第２のIII族窒化物半導体積層部１２、１３と、第３の面１１ｅ上に設けられた第３のIII族窒化物半導体積層部１４とを備える。第１及び第２のIII族窒化物半導体積層部１２，１３は、緑色光を発生する組成比のインジウムを含む活性層１２ｂ、１３ｂを有する。第３のIII族窒化物半導体積層部１４は、青色光を発生する組成比のインジウムを含む活性層１４ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】 光の出射効率を高めながらも、耐食性に優れた半導体発光素子やその製造方法を提供する。
【解決手段】 電力を供給することで発光する発光層１２を有した半導体積層構造１１〜１４を形成し、さらにその上に、発光層１２が出射する光の少なくとも一部を反射する反射膜２ｂを有した電極２１，２２を形成する。そして、電極２１，２２の露出面を酸化することで、少なくとも反射膜２ｂの表面に酸化被膜２ｂｘを形成する。これにより、反射膜２ｂの耐食性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】発光波長に応じて発光層の障壁層のＡｌ組成比を最適化して、発光効率を向上させること。
【解決手段】ＩｎＧａＮからなる井戸層、ＡｌＧａＮからなる障壁層、が順に繰り返し形成されたＭＱＷ構造の発光層を形成するに当たり、障壁層１３１のＡｌ組成比をｘ（％）、障壁層１３１のバンドギャップエネルギーと井戸層１３０のバンドギャップエネルギーとの差をｙ（ｅＶ）として、１２．９≦−２．８ｘ＋１００ｙ≦３７、かつ、０．６５≦ｙ≦０．８６、の範囲を満たすように井戸層１３０と障壁層１３１を形成する。あるいは、障壁層１３１のＡｌ組成比をｘ（％）、井戸層１３０のＩｎ組成比をｚ（％）として、１６２．９≦７．１ｘ＋１０ｚ≦２１６．１、かつ、３．１≦ｚ≦９．２、の範囲を満たすように形成する。 （もっと読む）

【課題】発光層の品質を高めるとともに、発光効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上に、ＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮ層３、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ中間バッファ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＡｌＧａＮ層６、ｐ型ＧａＮ層７が順に積層されている。ＩｎＧａＮ／ＧａＮ中間バッファ層４は、複数のＩｎＧａＮ膜と複数のＧａＮ膜とが交互に積層された超格子構造を有し、ＩｎＧａＮ膜のＩｎ組成比率はｎ型ＧａＮ層３からＭＱＷ活性層５に向かって段階的に増加していくように構成される。 （もっと読む）

【課題】順方向電圧の上昇を抑制し、且つ光取り出し効率を向上させたフリップチップ実装半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び第２の導電型を有する第２の半導体層１６０が積層された積層半導体層と、第１の半導体層と接続する第１の電極と、第２の半導体層の表面に設けた第２の電極１７０と、を備え、第２の電極は、他の部分より膜厚が大きい複数の膜厚部を有し、光透過性を示す透明導電層１７１と、透明導電層上に積層され第１の屈折率を有し光透過性を示す第１の絶縁層と、第１の屈折率より高い第２の屈折率を有し光透過性を示す第２の絶縁層とを交互に積層して構成された多層絶縁層１７２と、多層絶縁層上に積層され導電性を有する金属反射層１７３ａと、多層絶縁層を通して設けられ一端が透明導電層の膜厚部に電気的に接続され他端が金属反射層と電気的に接続される導体部１７６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光出力が高く且つ干渉ノイズが低い光を、効率よく照射することができる光照射装置を実現できるようにする。
【解決手段】光照射装置は、光軸の方向が互いに略同一な複数の光線束を出射する発光装置１０１と、複数の光線束をそれぞれ平行光線束に変換するコリメート部１０２と、平行光線束を集光する集光部１０３とを備えている。発光装置１０１は、基板の上に複数の導波路が形成された、スーパールミネッセントダイオードアレイ１１１を含む。複数の導波路のそれぞれは、光線束を出射する光出射位置を含む出射端面を有し、光出射位置は一の平面１７６内に位置し、一の平面１７６はコリメート部１０２の光軸の方向と直交する。 （もっと読む）

【課題】基板の側面からの光取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１および第２の面１１ａ、１１ｂに略直交する側面１１ｃを有している。基板１１の側面１１ｃには、第１の面１１ａから第１の距離Ｌｏ１だけ離間した位置から第２の面１１ｂ側に向かって、第１の粗さＲ１と第１の幅ａを有する第１の領域１２と、第１の粗さＲ１より小さい第２の粗Ｒ２さと第１の幅ａより小さい第２の幅ｂを有する第２の領域１３が交互に形成されている。第１の領域１２の繰り返しピッチは、一定である。基板１１の第１の面１１ａ上に、第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】同一の発光ピーク波長をもつ２層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板１０２の上面側に、中間電極１０４、下側第１導電型半導体層１０６、第１発光層１０８、第２導電型半導体層１１０、第１発光層１０８と同一の発光波長を有する第２発光層１１２、上側第１導電型半導体層１１４および上側電極１１６を順次具え、支持基板１０２の下面側に設けられる下側電極１１８と、上側第１導電型半導体層１１４および第２発光層１１２を貫通する凹部１２０に設けられ、第２導電型半導体層１１０と電気的に接続する基準電極１２２と、を有し、第１発光層１０８の電流が流れる有効領域１０８ａを規制する絶縁部１２６を有することを特徴とする。 （もっと読む）