【課題】白色ＬＥＤ用の励起光源に適したＧａＮ系発光ダイオード素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオード素子は、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板と、該ｍ面ＧａＮ基板のおもて面上にＧａＮ系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成されたｎ側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が２０ｍＡのときの順方向電圧が４．０Ｖ以下である。 （もっと読む）

【課題】基板の両面に窒化物半導体層を形成するに際し、基板に被着した堆積物の除去が容易な窒化物半導体積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体積層構造体の製造方法では、第１および第２の面１１ａ、１１ｂと第１熱膨張係数α１を有する基板１１の第２の面１１ｂに、第1保護膜３１を形成する。第１保護膜３１が形成された基板１１の第１の面１１ａに、第１熱膨張係数α１と異なる第２熱膨張係数α２を有する第１窒化物半導体層１２を形成する。第１窒化物半導体層１２に、第２保護膜３４を形成する。第１保護膜３１を除去し、基板１１の第２の面１１ｂを露出させる。露出した基板１１の第２の面１１ｂに、第２熱膨張係数α２に略等しい第３熱膨張係数α３を有する第２窒化物半導体層１３を形成する。第２保護膜３４を除去し、第１窒化物半導体層１２を露出させる。 （もっと読む）

【課題】発光特性のばらつきを抑制することができ、且つ、光の取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、基板と、前記基板の一方の主面の側に設けられた第１の電極と、前記第１の電極の上に設けられた第２の電極と、前記第２の電極の上に設けられた第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２の半導体層と、を備えている。
そして、前記第２の電極は、前記第１の半導体層が設けられる側の面に複数の第１の凹部を有している。 （もっと読む）

【課題】 発光輝度分布の発生を抑制する。
【解決手段】 第１の方向に長い基板上に複数の半導体発光素子が形成された半導体発光素子アレイは、前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、前記基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成され、前記電極層に電気的に接続されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｎ型半導体層とを有する半導体発光層と、前記半導体発光層の一辺に沿って、該一辺と平行に形成された第１配線層と、前記第１配線層から前記半導体発光層にかけて延在し、前記半導体発光層の表面において、前記ｎ型半導体層と電気的に接続される複数の第２配線層と、前記半導体発光層の上方に形成される蛍光体層とを有し、前記半導体発光層の平面形状が、前記第１の方向に平行な底辺と、該底辺に垂直な線に対して傾斜する部分を含む少なくとも１つの辺を有し、前記半導体発光層の前記第１の方向の幅が前記底辺から離れるに従い減少する形状である。 （もっと読む）

【課題】発光スペクトルの幅が広く、発光効率の高いIII 族窒化物半導体発光素子を実現すること。
【解決手段】実施例１のIII 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０を有し、サファイア基板１０上にｎコンタクト層１１、ホールブロック層１２、発光層１３、ｐクラッド層１４、ｐコンタクト層１５が順に積層されている。ホールブロック層１２は、厚さ１００Åのｎ−ＡｌＧａＮからなる。発光層１３は、ＩｎＧａＮからなる井戸層１３０と、ＧａＮからなる障壁層１３１とを１ペアとして、４ペア繰り返し積層したＭＱＷ構造である。井戸層１３０は、ｎコンタクト層１１に近い側から順に井戸層１３０−１、１３０−２、１３０−３、１３０−４として、井戸層１３０−ｉ（１≦ｉ≦４）のＩｎ組成比をｘｉ（単位は％、以下も同様）とすれば、ｘ１＞ｘ２＞ｘ３＞ｘ４となるよう井戸層１３０−１〜１３０−４は構成されている。 （もっと読む）

【課題】高輝度化に適した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード５０は、基板１と、基板１上に結晶成長によって形成された半導体積層構造２と、半導体積層構造２の表面に形成された透明電極膜３とを含む。半導体積層構造２は、ｐ型クラッド層１５に対して活性層１０とは反対側に配置されたｐ型ＧａＰウインドウ層１７と、ｐ型ＧａＰウインドウ層１７におけるｐ型クラッド層１５とは反対側に形成されたｐ型コンタクト層１８とを含む。ｐ型コンタクト層１８は、炭素がドープされたＧａＰからなる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が良好で、パッド電極が剥がれにくく、さらに反射層とそれを挟む層との間の密着性を考慮せずに高い反射性を有する材料からなる反射層を選択できる半導体発光素子およびこれを用いたランプを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１２と発光層１３とｐ型半導体層１４とがこの順に積層された半導体層１０と、ｐ型半導体層１４上に形成された第１透明導電層１５ａと、第１透明導電層１５ａ上に部分的に形成された金属反射層２ａと、金属反射層２ａ上を覆うように形成された第２透明導電層１５ｂと、金属反射層２ａと平面視で重なる位置の第２透明導電層１５ｂ上に形成された正極１７とを備え、第１透明導電層１５ａおよび第２透明導電層１５ｂが、Ｉｎ_２Ｏ_３を８０質量％以上含む半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】 発光輝度分布の発生を抑制する。
【解決手段】 基板上に複数の半導体発光素子が形成された半導体発光素子アレイであって、前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、前記基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成され、前記電極層に電気的に接続されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｎ型半導体層とを有する半導体発光層と、前記半導体発光層の一辺に沿って、該一辺と平行に形成された第１配線層と、前記第１配線層から前記半導体発光層にかけて延在し、前記半導体発光層の表面において、前記ｎ型半導体層と電気的に接続される複数の第２配線層とを有し、前記複数の第２配線層のうち、前記半導体発光層の他の前記半導体発光素子間との端部近傍に形成される第２配線層の前記半導体発光層への電流注入量が、前記半導体発光層の中心部近傍に形成される第２配線層の前記半導体発光層への電流注入量よりも高い半導体発光素子アレイが提供される。 （もっと読む）

【課題】安全性及び信頼性を高めた発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、基板１００と、基板のＲ面上に配置され、岩塩構造（Ｒｏｃｋ Ｓａｌｔ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する窒化物を含むバッファー層２１０と、バッファー層上に配置され、ａ面に成長した発光構造物１２０とを備える。バッファー層２１０は、ＬａＮ、ＴｈＮ、ＰｒＮ、ＮｄＮまたはＳｍＮの少なくとも一つを含んで形成され、基板１００と発光構造物１２０との格子不整合及び熱膨張係数の差を緩和する。 （もっと読む）

【課題】凸パターンを覆うｎ型窒化物半導体層を良好に形成できながら、外部量子効率を向上させることができる発光素子およびこれを含む発光素子ユニットを提供すること
【解決手段】基板２の表面３に互いに第１ピッチｐ_１を空けて離散して配置された複数の凸部１９の集合体からなる凸パターン２０において、凸部１９は、互いに第１ピッチｐ_１よりも小さい第２ピッチｐ_２を空けて当該凸部１９の頂部に離散して形成された複数の微細凸部３５の集合体からなる微細凸パターン３６と、当該微細凸パターン３６を支持するベース部３７とを含む。 （もっと読む）

【課題】 発光輝度分布の発生を抑制する。
【解決手段】 第１の方向に長い基板上に複数の半導体発光素子が形成された半導体発光素子アレイであって、前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、前記基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成され、前記電極層に電気的に接続されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｎ型半導体層とを有する半導体発光層と、前記半導体発光層の一辺に沿って、該一辺と平行に形成された第１配線層と、前記第１配線層から前記半導体発光層にかけて延在し、前記半導体発光層の表面において、前記ｎ型半導体層と電気的に接続される複数の第２配線層とを有し、前記半導体発光層の平面形状が、前記第１の方向に平行な上辺及び下辺と、該上辺及び下辺に垂直な線に対して傾斜する部分を含む２つの短辺を有する形状であり、前記斜辺の頂点から垂直に引いた直線が隣接する半導体発光素子の下辺と交差する形状である半導体発光素子アレイが提供される。 （もっと読む）

【課題】欠陥修復後に新たな短絡が発生するのを防止し得る半導体素子の修復方法を提供する。
【解決手段】欠陥を検出する欠陥検出工程と、欠陥の上面に位置する透明導電膜８、ｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５、活性化層４及びびｎ型窒化ガリウム（ｎ−ＧａＮ）層３を上側から除去加工する除去加工工程とを含む。除去加工工程においては、透明導電膜８の残渣Ｒの垂下長さＬがｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５と活性化層４との合計膜厚Ｈよりも短くなるように透明導電膜８が除去加工される。 （もっと読む）

【課題】
従来に比較して順方向電圧を低くできる窒化物半導体素子を提供する。
【課題手段】ＳｉがドープされたＧａＮからなるｎ側コンタクト層を含むｎ側窒化物半導体層と活性層とｐ側窒化物半導体層とを備え、ｎ側窒化物半導体層にｎ側コンタクト層よりＳｉ不純物濃度の高いＡｌｘＧａ１−ｘＮ（１＞ｘ＞０）層を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体発光素子、該半導体発光素子を備える発光装置及び前記半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のボンディング電極５１は、抵抗層（Ｒ１）を介して１組の半導体発光層（ＬＥＤ１、ＬＥＤ２）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の一方に接続してある。また、第２のボンディング電極５２は、抵抗層（Ｒ２）を介して当該１組の半導体発光層（ＬＥＤ１、ＬＥＤ２）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の他方に接続してある。また、第１のボンディング電極５１は、抵抗層（Ｒ３）を介して１組の半導体発光層（ＬＥＤ３、ＬＥＤ４）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の一方に接続してある。また、第２のボンディング電極５２は、抵抗層（Ｒ４）を介して当該１組の半導体発光層（ＬＥＤ３、ＬＥＤ４）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の他方に接続してある。 （もっと読む）

【課題】ｎ側メタル電極の延伸部を通してｎ型導電層に流れる電流を増加させたＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子は、複数のＧａＮ系半導体層を含む半導体積層体を有し、該複数のＧａＮ系半導体には、上面および底面を有するｐ型導電層と、該ｐ型導電層の底面側に配置された活性層と、該ｐ型導電層とで該活性層を挟むように配置されたｎ型導電層とが含まれる。該ｐ型導電層の上面にはｐ側電極およびｎ側メタル電極が互いに重ならないように設けられ、該ｐ側電極は透光性を有する部分を有し、該ｎ側メタル電極は接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該半導体積層体には該ｐ型導電層の上面に開口しその底部に該ｎ型導電層が露出する穴が設けられ、少なくとも該延伸部の一部が該穴を通して該ｎ型導電層に接することにより該ｎ側メタル電極と該ｎ型導電層とが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】薄型の発光装置を実現することができる半導体発光素子及び該半導体発光素子を備える発光装置を提供する。
【解決手段】第１の電極５１は、抵抗層（Ｒ１）を介して１組の半導体発光層（ＬＥＤ１、ＬＥＤ２）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の一方に接続してある。また、第２の電極５２は、抵抗層（Ｒ４）を介して当該１組の半導体発光層（ＬＥＤ１、ＬＥＤ２）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の他方に接続してある。また、第１の電極５１は、抵抗層（Ｒ２）を介して１組の半導体発光層（ＬＥＤ３、ＬＥＤ４）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の一方に接続してある。また、第２の電極５２は、抵抗層（Ｒ３）を介して当該１組の半導体発光層（ＬＥＤ３、ＬＥＤ４）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の他方に接続してある。 （もっと読む）

【課題】工程安全性が向上して電気的に連結された複数の発光セルを含む発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニットを提供する。
【解決手段】支持基板７０と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第１半導体層１１、前記第１半導体層の下の第１活性層１２、前記第１活性層の下の第２導電型の第２半導体層１３を有する第１発光構造物１０、前記第１発光構造物の下の第１反射電極１７、前記第１反射電極のまわりに配置された第１金属層１９と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第３半導体層２１、前記第３半導体層の下の第２活性層２２、前記第２活性層の下の第２導電型の第４半導体層２３を有する第２発光構造物２０、前記第２発光構造物の下の第２反射電極２７、前記第２反射電極のまわりに配置された第２金属層２９と、前記第１発光構造物の第１半導体層内部に接触して、前記第２反射電極と電気的に連結する第１コンタクト部４３とを備える。 （もっと読む）

【課題】表示する画像の精細度を高めると共に、視域および奥行き再現範囲を拡大できるＩＰ立体ディスプレイを提供する。
【解決手段】インテグラル・フォトグラフィー（ＩＰ）方式により、撮像側にて被写体を光学レンズが並置されたレンズ板を介して撮像した各要素画像から被写体の立体像を再生するＩＰ立体ディスプレイ１は、各要素画像から被写体の立体像を再生するための撮像側に対応した光学レンズを並置したレンズ板を設けることなく、基板２上に要素画像を構成する要素画素５としての光線指向型発光素子１０を設けて、光線指向型発光素子１０から射出する光線の方向を、各要素画像から被写体の立体像を再生するための光学レンズのレンズ中心を通過する光軸によって規定される方向と同様になるように画素毎に設定したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素子搭載基板からのケース及び封止部材の剥離発生を抑制することができる発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１は、光取出側に開口するケース２０、及びケース２０内に充填された封止部材２１を有する樹脂パッケージ２と、樹脂パッケージ２の封止部材２１によって封止された発光素子４と、発光素子４を搭載するとともに、樹脂パッケージ２を素子搭載面３ａ側に形成する素子搭載基板３とを備え、素子搭載基板３は、ケース２０及び封止部材２１との間に互いに密着する凹凸部Ａ〜Ｄを有する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の増加を縮小可能な、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】誘電体マスク３５ａを用いて犠牲膜３３から金属膜３１を介して窒化物半導体領域３９までのエッチングを行って、リフトオフ層３３ａ、電極３１ａ及びエッチングされた窒化物半導体領域４１を形成すると共に、窒化物半導体領域３９の半極性主面３９ａをエッチングして半導体リッジ４１ａを形成する。このエッチング中に、リッジ部４１ａの形成のためにエッチングされるIII族窒化物半導体表面の面方位に依存して、エッチングされた表面４１ｂにはピラー状の微小突起４３が形成される。半極性面では、微小突起の生成がｃ面に比べて生成されやすい。エッチングにおける基板温度が摂氏６０度以上摂氏２００度以下の範囲にあるとき、微小突起の面密度の増大を避けることができる。 （もっと読む）