【課題】半導体発光装置、例えば高出力の端面出射型スーパールミネッセントダイオードを効率良く得られるようにする。
【解決手段】半導体発光装置は、基板１０１と、基板１０１の上に形成され、光ガイド層１２０を含む複数の半導体層からなる積層構造体とを備えている。積層構造体は、上部に選択的に形成されたストライプ状の光導波路１１３と、積層構造体の端面からなる光出射端面１１５とを有している。光ガイド層１２０における積層面と光出射端面１１５とがなす角度θは、θ≠９０°である。 （もっと読む）

【課題】電力効率が良好な窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層と、Ｖピット発生層と、中間層と、多重量子井戸発光層と、ｐ型窒化物半導体層とがこの順で設けられたものである。多重量子井戸発光層は、バリア層と該バリア層よりもバンドギャップの小さい井戸層とを交互に積層して構成された層である。多重量子井戸発光層には部分的にＶピットが形成されており、Ｖピットの始点の平均的な位置は中間層内に位置する。 （もっと読む）

【課題】反射率の低下を防ぎ、高輝度発光が可能となる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板１上に順に、反射層６と、複数のオーミックコンタクト電極７が離間して埋設された透明膜８と、電流拡散層２５及び発光層２４を順に含む化合物半導体層１０とを具備する発光ダイオードであって、オーミックコンタクト電極７の基板１側の面の周縁部は透明膜８に覆われ、オーミックコンタクト電極７は反射層６及び電流拡散層２５に接触している、ことを特徴とする （もっと読む）

【課題】発光動作時における効率低下や光出力の低下を回避しつつ静電破壊耐量の向上を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】支持基板と半導体膜との間に設けられ半導体膜と接する面で光反射面を形成する光反射層を含み、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極は、半導体膜との間でオーミック接触を形成する第１の電極片と、第１の電極片に電気的に接続された第２の電極片と、を含む。光反射層は、反射電極を含み、反射電極は半導体膜との間でオーミック接触を形成する第３の電極片と、第３の電極片に電気的に接続され且つ第２の電極片と対向するように配置された第４の電極片とを含む。第１の電極片と第３の電極片は、半導体膜の主面と平行な面に投影したときに互いに重ならないように配置される。第２の電極片と第４の電極片は、半導体膜との間でショットキー接触を形成して半導体膜の順方向電流を妨げる障壁を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＡＭ−ＯＬＥＤ等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにＬＣＤやＰＤＰよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板２の上にＴＦＴ配線部３、パッシベーション膜４、第一蛍光体層６ａ、第一平坦化層７ａを積層し、その上に透明アノード電極１００、発光層１０１、透明カソード電極１０２を順次積層した発光体１０を配設する。発光層１０１はＺｎＯ系またはＧａＮ系等材料で構成し、発光面（上面）の面積に対する側面の総面積の割合を１／１０以上に設定する。これにより表示装置１を得る。 （もっと読む）

【課題】フォトルミネッセンスを用いることにより、発光素子を容易かつ迅速に識別するための発光素子の検査方法などを提供する。
【解決手段】検査工程は、発光素子１に通電を行わずに、通電により発光する波長（第１波長）より波長が短い光（第２波長の光）を励起光として照射する光照射工程（ステップ２０１）と、第２波長の光の照射により発光素子１が出射する光を検出する検出工程（ステップ２０２）と、発光素子１が出射する第１波長の光の強度に基づき、発光素子１の電流リークの状態を判別する判別工程（ステップ２０３）とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】近接場光デバイスにおいて、エネルギー効率を高める。
【解決手段】近接場光デバイスは、基板（１２）上に配置されており、量子ドット（１６）を含み、基板により導かれる入射光をエネルギー源として量子ドットの光発生作用により近接場光（１８）を発生可能な量子ドット層（１３、１４、１５）を備える。近接場光デバイスは更に、量子ドット層上に配置されており、量子ドット層で発生された近接場光をエネルギー源として近接場光（６５）を発生可能且つ外部へ出力可能な出力端（１７）を備える。 （もっと読む）

【課題】ＡＭ−ＯＬＥＤ等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにＬＣＤやＰＤＰよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板２の上にＴＦＴ配線部３、パッシベーション膜４、第一蛍光体層６ａ、第一平坦化層７ａを積層し、その上に透明アノード電極１００、発光層１０１、透明カソード電極１０２を順次積層した発光体１０を配設する。発光層１０１はＺｎＯ系またはＧａＮ系等材料で構成し、発光面（上面）の面積に対する側面の総面積の割合を１／１０以上に設定する。これにより表示装置１を得る。 （もっと読む）

【課題】光損失を低減することができ、光取出効率を高めることができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、回路パターン２０，２１を素子搭載面２ａに有する素子搭載基板２と、素子搭載基板２の素子搭載側に搭載され、かつ回路パターン２０，２１に接続されたＬＥＤ素子３と、ＬＥＤ素子３を封止して素子搭載面２ａに接合された封止部材４と、封止部材４内で素子搭載基板２の素子搭載側を覆うコーティング層５とを備え、コーティング層５は、その屈折率が封止部材４の屈折率よりも低い屈折率に設定されている。 （もっと読む）

【課題】高温ＮＨ₃雰囲気下においても耐久性が高い透明かつ導電性の中間膜を有し、半導体デバイスの製造に好適に用いられる複合基板およびその製造方法、ならびにかかる複合基板を用いた半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本複合基板１は、多結晶ＩＩＩ族窒化物支持基板１０と、多結晶ＩＩＩ族窒化物支持基板１０上に配置された中間ＧａＮ系膜３０と、中間ＧａＮ系膜３０上に配置された単結晶ＧａＮ系層２１と、を含む。本半導体デバイス２は、複合基板１と、複合基板１の単結晶ＧａＮ系層２１上に配置された少なくとも１層のＧａＮ系半導体層４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させることを目的とする。
【解決手段】ｎ型半導体層と、通電により発光波長λの光を出射する発光層と、ｐ型半導体層１６０と、発光層から出射される光に対する透過性および導電性を備えるとともに第１屈折率ｎ１を有する透明導電層１７０と、発光層から出射される光に対する透過性および絶縁性を備えるとともに第１屈折率ｎ１よりも低い第２屈折率ｎ２を有する透明絶縁層１８０と、発光層から出射される光に対する反射性を備えるｐ金属反射層２０２とが積層された半導体発光素子１において、透明導電層１７０の第１膜厚ｔ１は、（λ／４ｎ１）×（Ａ−０．５）≦ｔ１≦（λ／４ｎ１）×（Ａ＋０．５）の関係を有し、透明絶縁層１８０の第２膜厚ｔ２は、（λ／４ｎ２）×（Ｂ−０．５）≦ｔ２≦（λ／４ｎ２）×（Ｂ＋０．５）の関係を有する。ただし、Ａは正の偶数、Ｂは正の奇数である。 （もっと読む）

【課題】発光効率及び結晶欠陥が改善された発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、第１半導体層１２０、第２半導体層１５０、及び前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に配置された活性層を有し、活性層と第２半導体層１５０との間に、活性層での電子と正孔の再結合確率を高め、漏れ電流を防止する電子遮断層の機能をもつ、活性層より相対的に大きいバンドギャップを有する中間層１４０を備える。発光素子は、活性層の障壁層の構造を変更し、中間層のバンドギャップエネルギーに変化を与えて、活性層の正孔注入効率を改善することによって、発光効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】発光動作時における効率低下や光出力の低下を回避しつつ静電破壊耐量の向上を図る。
【解決手段】支持基板３０と、発光層１２を含む半導体膜１０と、光取り出し面側の表面に設けられた表面電極と、支持基板と半導体膜との間に設けられた光反射層２０、から形成され、表面電極は、半導体膜とオーミック接触する第１の電極片４３と、第１の電極片に電気的に接続され且つ半導体膜とショットキー接触する第２の電極片４１と、を含み、光反射層に形成される反射電極は、第１の電極片と互いに重ならないように配置され半導体膜とオーミック接触する第３の電極片２１Ｄと、第３の電極片に電気的に接続され半導体膜とオーミック接触し且つ第２の電極片と対向するように配置された第４の電極片とを含み、第１の電極片と第４の電極片との間の半導体膜の主面方向における最短距離は、第１の電極片と第３の電極片との間の同方向における最短距離よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】低減された順方向電圧のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層におけるｐ型ドーパントの濃度がｎ型不純物の濃度より大きくなるように、ｐ型クラッド層はｐ型ドーパント及びｎ型不純物を含む。ｐ型クラッド層のバンドギャップより大きい励起光を用いた測定によるフォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトルは、バンド端発光及びドナーアクセプタ対発光のピークを有する。このＰＬスペクトルにおけるバンド端発光ピーク値のエネルギＥ（ＢＡＮＤ）と該ＰＬスペクトルにおけるドナーアクセプタ対発光ピーク値のエネルギＥ（ＤＡＰ）との差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の順方向駆動電圧（Ｖｆ）と相関を有する。このエネルギ差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））が０．４２ｅＶ以下であるとき、III族窒化物半導体発光素子の順方向電圧印加に係る駆動電圧が低減される。 （もっと読む）

【課題】ｎ型ＧａＮ層の格子欠陥が抑制され、発光効率が向上した半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
サファイア基板１１と、サファイア基板１１上に配置されたｎ型ＧａＮ層１３と、ｎ型ＧａＮ層１３上に配置されたｐ型ＧａＮ層１５とを有する半導体素子１０であって、ｎ型ＧａＮ層１３には電子線が照射されている。Ａｌ_(1-x)Ｇａ_xＮ結晶と電子線との相互作用により、ｎ型ＧａＮ層１３の格子欠陥が抑制され、半導体素子１０の発光効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】反射膜材が基板の側面へ付着するのを防止した半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１の面１１ａから第２の面１１ｂ側に向かって略垂直に延在する第１の領域１１ｃ１と第１の領域１１ｃ１から第２の面１１ｂ側に向かって末広がり状に傾斜した第２の領域１１ｃ２を有する側面１１ｃを備えている。第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１２が基板１１の第１の面１１ａに形成されている。反射膜１５が基板１１の第２の面１１ｂに形成されている。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層体と、第１電極と、第２電極と、反射層と、第１金属ピラーと、第２金属ピラーと、封止部と、を含む半導体発光素子が提供される。積層体は、第１部分及び第２部分を有する第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第２部分と第２半導体層との間に設けられた発光部と、を含む。積層体は、第１半導体層の側の第１主面と、２半導体層の側の第２主面と、を有する。第１、第２電極は、第２主面の側において、第１、第２半導体層のそれぞれの上に設けられる。反射層は、積層体の側面を覆い、絶縁性である。第１、第２金属ピラーは、第１、第２電極とそれぞれ接続され、第１半導体層から第２半導体層に向かう第１方向に延びる。封止部は、第１金属ピラー及び第２金属ピラーを封止する。 （もっと読む）

【課題】Top Emitting型の深紫外発光ダイオードの効率を改善し、高効率で安価な深紫外発光ダイオードを提供する。
【解決手段】p型電極7の主成分をAgとし、膜厚を6nmとする。発光層4の発光波長を320±5nmに調整する。発光層4としては、InAlGaNなどの窒化物半導体層、MgZnOなどの酸化物半導体層を利用する。 （もっと読む）

【課題】電気的/光学的信頼性を改善できる発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージおよび照明システムを提供すること。
【解決手段】本発明は、発光素子、発光素子パッケージおよび照明システムに関する。本発明の一態様による発光素ｃ子は、第１導電型の第１半導体層と、前記第１導電型の第１半導体層上の活性層と、前記活性層上の第２導電型の第２半導体層と、前記第２導電型の第２半導体層上の信頼性強化層と、前記信頼性強化層上の、光抽出パターンを有する第２導電型の第３半導体層とを備え、前記信頼性強化層と前記活性層との間の距離は０.３μm〜５μmにすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の側面からの光取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１および第２の面１１ａ、１１ｂに略直交する側面１１ｃを有している。基板１１の側面１１ｃには、第１の面１１ａから第１の距離Ｌ１だけ離間した位置から第２の面１１ｂ側に向かって、第１の粗さＲ１と第１の幅ａを有する第１の領域１２と、第１の粗さＲ１より小さい第２の粗Ｒ２さと第１の幅ａより小さい第２の幅ｂを有する第２の領域１３が交互に形成されている。第１の領域１２の面積の和と側面１１ｃの面積の比が０．５以上である。基板１１の第１の面１１ａ上に、第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１５が形成されている。 （もっと読む）