【課題】実施形態は、透明電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を低減できる生産性の高い半導体発光装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、被処理ウェーハとターゲットとの間に磁界を介在させるスパッタ法を用いて透明電極を形成する。そして、前記磁界を遮蔽した状態で、前記透明電極に含まれる第１の透明導電膜を前記被処理ウェーハの表面に形成する工程と、前記被処理ウェーハと前記ターゲットとの間に前記磁界を介在させ、前記透明電極に含まれる第２の導電膜を前記第１の透明導電膜の上に形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光透過窓が帯電することがなく、電子線が半導体発光素子の一面に確実に入射されて高い発光効率が得られる電子線励起型光源装置を提供する。
【解決手段】光透過窓を有するケーシング内に、電子線源およびこの電子線源からの電子線によって光を放射する半導体発光素子が配置されてなり、前記半導体発光素子の一面に前記電子線源からの電子線が入射されることによって、当該半導体発光素子の一面から光が放射されて前記光透過窓から出射される電子線励起型光源装置において、前記光透過窓に、または前記光透過窓と前記半導体発光素子との間に、負の電位に維持される、光透過部を有する電子線遮蔽電極が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ポーラスＳｉＣ部が好適な条件で処理されている発光ダイオード素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード素子１において、半導体発光部と、ドナー及びアクセプタが添加されたポーラス状の単結晶６Ｈ型ＳｉＣからなり半導体発光部から発せられる光により励起されると可視光を発するポーラスＳｉＣ部１２４と、ポーラスＳｉＣ部１２４の表面を覆う保護膜と、を有し、ポーラスＳｉＣ部１２４は、８５０℃以下で保護膜を形成するための熱処理が行われている。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、発光効率を向上させた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電形の第１半導体層であって、前記第１半導体層の他の部分よりも層厚が薄い複数の薄層部を有する前記第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。そして、前記発光層とは反対側の前記第１半導体層の表面の上に設けられた透明電極と、前記透明電極の上に選択的に設けられた第１電極と、前記発光層とは反対側の前記第２半導体層の表面に接した第２電極と、前記透明電極と前記第２電極との間の電流経路の一部を遮断する電流ブロック層であって、前記第１半導体層の表面に平行な平面視において、前記薄層部に重ならない前記電流ブロック層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】熱劣化による変色が小さく耐熱変色性に優れ、長寿命で、バリ取りが非常に容易で、比較的安価でしかも材料の保存安定性、ハンドリング性、加工性に優れた表面実装型発光装置を提供する。
【解決手段】乾式不飽和ポリエステル樹脂成形体からなる第１の樹脂体４０と、発光素子１０を被覆する第２の樹脂体５０とを備え、第１の樹脂体４０の凹部４０ｃの底面部４０ａには、発光素子１０を載置した第１のリード２０が露出され、かつ第１のリード２０と第２のリード３０とを絶縁する樹脂絶縁部４５が設けられ、乾式不飽和ポリエステル樹脂成形体は、不飽和アルキッド樹脂と架橋剤が混合された不飽和ポリエステル樹脂１４〜４０質量％、無機充填剤と白色顔料の合計４４〜７４質量％、無機充填剤と白色顔料の合計に占める白色顔料の割合３０質量％以上の樹脂組成物を成形したものである。 （もっと読む）

【課題】発光領域への電流注入密度、および発光効率が高められた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、支持基板と、第１電極と、第１導電形層と、発光層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。前記第１導電形層は、第１コンタクト層、前記第１コンタクト層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する窓層、第１クラッド層、を有する。前記第２導電形層は、第２クラッド層、電流拡散層、第２コンタクト層、を有する。前記第２電極は、前記第２コンタクト層の上に延在する細線部と、前記第２コンタクト層の非形成領域に設けられ前記細線部と電気的に接続されたパッド部と、を有する。前記第１コンタクト層および前記窓層のバンドギャップエネルギーは、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりもそれぞれ大きい。前記第１コンタクト層は、前記窓層と前記第１電極との間に選択的に設けられ、上方からみて、前記第１コンタクト層と、前記第２コンタクト層と、は、重ならないように設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性が高いＧａＮ系半導体デバイスを歩留まりよく製造することができるＧａＮ系半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ系半導体デバイス５の製造方法は、イオン注入分離法を用いて、ＧａＮの熱膨張係数に対する比が０．８以上１．２以下の熱膨張係数を有する支持基板１０と、支持基板１０に貼り合わされたＧａＮ層２１と、を含む複合基板１を準備する工程と、複合基板１のＧａＮ層２１上に少なくとも１層のＧａＮ系半導体層４０を成長させる工程と、複合基板１の支持基板１０を溶解することにより除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、横方向エピタキシャル成長方式によって半導体構造内の積層欠陥と転位密度の低下を抑制するのに有効であり、発光層の結晶品質を高め、漏れ電流を減少させ、同時に半導体構造表面に粗化構造を形成して外部量子効率を高めることができるナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードは、基板と、基板上に位置する接合金属層と、接合金属層上に位置する第一電極と、第一電極上に位置し横方向エピタキシャル成長により形成される半導体構造と、半導体構造上に位置する第二電極であり、上述の半導体構造は第二電極によって被蓋していない上表面にナノスケール粗化構造を形成する第二電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が向上した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、半導体層と、前記半導体層の上面に配置された第１電極と、前記半導体層の下面に配置された第２電極と、を備える半導体発光素子であって、前記半導体層の上面は第１領域と、前記第１領域よりも前記半導体層の厚みが厚い第２領域とを有し、前記第１電極はパッド電極と、前記パッド電極から延伸する補助電極と、を備え、前記第１電極は前記第２領域上にあり、前記第２領域は、前記補助電極に沿ったものと、前記補助電極と異なる方向に延伸するものと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の順方向電圧の上昇を抑制してライフ特性を改善する。
【解決手段】第一半導体層と、第一半導体層と異なる導電性を有する第二半導体層と、第一半導体層及び第二半導体層の間に設けられる活性領域と、第一半導体層上に設けられる透光性導電層１３と、透光性導電層１３の上に設けられる反射構造２０と、反射構造２０の上に設けられ、第一半導体層と電気的に接続される第一電極とを備える半導体発光素子であって、反射構造２０が、少なくとも反射層１６を有し、透光性導電層１３と反射構造２０との間に、中間層１７を介在させており、中間層１７を、反射層１６よりもイオン化傾向の大きい材料で構成している。これにより、半導体発光素子の使用の経過と共に順方向電圧が上昇する事態を、透光性導電層１３と反射構造２０との間に介在された中間層１７によって抑制でき、信頼性及び耐久性を向上できる利点が得られる。 （もっと読む）

【課題】ｍ面基板上で結晶成長させたＧａＮ系半導体素子におけるＡｇ電極の凝集による反射率低下を抑制する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、成長面がｍ面であるｐ型Ａｌ_dＧａ_eＮ層２５を有する窒化物系半導体積層構造２０を形成する工程（ａ）と、ｐ型Ａｌ_dＧａ_eＮ層２５の成長面１３に接するＡｇ電極３０を形成する工程（ｂ）と、を含み、前記工程（ｂ）は、厚さが２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下のＡｇ電極３０を形成する工程（ｂ１）と、Ａｇ電極３０を４００℃以上６００℃以下に加熱する工程（ｂ２）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体に給電するための電極の接合性および電極の信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０、ｐ型半導体層１７０、透明導電層１７０、透明導電層１７０上に形成されるｐ電極３００、ｎ型半導体層１４０上に形成されるｎ電極４００を備える。ｐ電極３００は、Ａｕを含む金属材料で構成され、外部に露出するように設けられるｐ側第２金属層３３２と、Ａｕを含むとともにｐ側第２金属層３３２よりも硬度が高い金属材料で構成され、ｐ側第２金属層３３２よりも透明導電層１７０に近い側に、ｐ側第２金属層３３２に沿って設けられるｐ側第１金属層３３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、発光効率を向上させた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体を備える。さらに、前記積層体の前記第１半導体層側の第１主面に設けられた透明電極であって、薄膜部と、前記薄膜部よりも厚い第１の厚膜部と、前記薄膜部よりも厚く前記第１の厚膜部から前記第１主面に平行に延在するストライプ状の第２の厚膜部と、を有する前記透明電極と、前記第１の厚膜部の上に設けられた第１電極と、前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】新たな構造を有する発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】本発明は発光素子パッケージに対するものであって、このパッケージはキャビティが形成されているセラミック胴体と、上記キャビティの内に形成された紫外線発光ダイオードと、上記セラミック胴体の上に形成され、上記キャビティを囲む支持部材と、上記支持部材と結合し、上記キャビティを覆うガラスフィルムとを備える。したがって、紫外線発光素子パッケージにおいて、セラミック胴体を適用して放熱性が向上し、セラミック胴体の上に直接ガラスフィルムを付着して他の構成要素無しで製造工程が単純化されて製造費用が低減する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の煩雑化を伴うことなく製造中におけるウエハの割れを防止すること。
【解決手段】窒化物半導体素子形成用ウエハは、基板の上に、下地層、第１導電型窒化物半導体層、活性層、および第２導電型窒化物半導体層が順に積層されて構成されている。基板は、窒化物半導体素子材料とは異なる材料からなる。また、下地層および／または第１導電型窒化物半導体層の膜厚は、基板の中央側と基板の周縁側とで異なっており、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて大きくても良いし、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて小さくても良い。窒化物半導体素子は、窒化物半導体素子形成用ウエハを用いて作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】光吸収が低減された電極構造を有すると共に、耐薬品性に優れた金属基板を用いることにより収率が向上し、特性が安定した発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、金属基板１は一体とされた複数の金属層１ｂ、１ａ、１ｂと上面１ｂａ及び下面１ｂｂを覆うエッチャントに対して耐性を有する金属保護膜２とからなり、金属基板と化合物半導体層間には接合層４と反射層６とオーミックコンタクト電極７とが設けられ、化合物半導体層１０の金属基板の反対側１０ａにはオーミック電極１１と、パッド部１２ａ及び線状部１２ｂからなる表面電極１２とが設けられ、オーミック電極１１の表面１１ａは線状部により覆われ、オーミックコンタクト電極７及びオーミック電極１１はパッド部１２ａに重ならない位置に形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの濃度を制御して半導体層を形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空槽５１内の第二主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有するスパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に配置されたドーパントを蒸着材料６４として加熱し、蒸着材料６４の蒸気を発生させ、成膜対象物２８表面に到達させ、ドーパントを含有する半導体層２６を形成する。蒸着材料６４の蒸気は、成膜対象物２８と蒸着材料６４の間に配置した放出量制限部材６３の貫通孔６６を通過させることで減少させるので、半導体層２６に微少量含有させることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】本発明は窒化物半導体発光素子に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態による窒化物半導体発光素子は、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層と、上記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層の間に形成された活性層と、上記ｎ型窒化物半導体層と上記活性層との間に形成された電子注入層と、を含み、上記電子注入層は、バンドギャップエネルギーが互いに異なる３つ以上の層が積層された多層構造からなり、上記多層構造は、２回以上繰り返され、上記多層構造を構成する層のうち少なくとも１つの層は、上記活性層に近いものほど、バンドギャップエネルギーが小さく、上記多層構造を構成する層のうち最も小さいバンドギャップエネルギーを有する層は、活性層に近いものほど、厚さが厚い構成を含む。 （もっと読む）

【課題】耐薬品に優れた金属基板を用い、金属基板のレーザー切断時に生成するデブリの低減と金属基板に適したレーザー照射の位置決めの両方の目的を同時に果たす工程を含む発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、複数の金属板と該複数の金属板の少なくとも上面及び下面を覆う金属保護膜とからなる金属基板と、化合物半導体層とを備えたウェハを作製する工程と、化合物半導体層の切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、金属保護膜のうち化合物半導体層を備えた面とは反対側の面の少なくとも一つの膜の少なくとも一部を、エッチングによって除去して位置決めマークを形成する工程と、位置決めマークに基づいて、化合物半導体層を備えた面とは反対側の面にレーザーを照射して金属基板を切断する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子の電流拡散効率を向上させるとともに、コンタクト抵抗をも低減でき、大きな駆動電流密度においても発光均一性と高い光出力を得ながら、動作電圧を低減させる得る窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の同一面側にｎ側およびｐ側電極パッドが形成された窒化物半導体発光素子であって、ｐ側電極パッド（およびｎ側電極パッド）から枝状に延伸された延長部を形成し、それによって発光素子中の電流分布を改善する電極構造の窒化物半導体発光素子において、ｎ側およびｐ側のシート抵抗がいずれも充分に低い場合に、ｐ型窒化物半導体層上に形成された透光性導電膜からなる電流拡散層のシート抵抗を一定条件下において高くすることにより、ｐ型窒化物半導体層と電流拡散層とのコンタクト抵抗を低減し、且つ、シート抵抗の面内分布がより均一になり、光出力も向上する。 （もっと読む）