【課題】低抵抗で十分な発光強度が得られる発光素子を提供する。
【解決手段】この発光素子１００は、ｎ型ＧａＮ半導体基部１１３と、ｎ型ＧａＮ半導体基部１１３上に立設状態で互いに間隔を隔てて形成された複数のｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１と、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１を覆うｐ型ＧａＮ半導体層１２３とを備えた。ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１は棒状半導体１２１にｎ型を与える不純物量を増やすことにより容易に低抵抗化できる。それゆえ、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１の長さを長くしても、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１の抵抗の増大が抑えられ、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１の根元部から先端部にわたって一様に発光させることができる。 （もっと読む）

【課題】 指向性を広げることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、上面側に、それぞれの突起上面が同じ平面上に位置する突起を複数有した単結晶基板と、該単結晶基板の前記突起上に形成された光半導体層とを有しており、前記突起は、前記突起上面から下方に向かうにつれて前記突起上面と平行な断面積が前記突起上面の面積よりも小さくなる漸小部を有し、前記光半導体層は、前記突起上面に成長した半導体層を含み、該半導体層は、下端が前記突起上面に位置するとともに上端が前記半導体層の上面に位置し、前記下端から前記上端にかけて延在した転位を有しているとともに、上面側からみたとき、前記転位の前記上端が前記突起と重ならないように位置している。そのため、突起の側面からも光を出射されやすくすることができ、発光素子の指向性を広げることができる。 （もっと読む）

【課題】特殊な技術を用いることなく、ＬＥＤの光取り出し面を構成する半導体膜の表面を、効率よくエッチングして粗面化（凹凸化）することが可能なエッチング液組成物および該エッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】無機酸と、金属化合物とを含む組成とする。
さらに、有機酸、有機酸塩、無機酸塩、界面活性剤のいずれかを含む組成とする。
さらに、無機酸として、塩酸、リン酸、硫酸、硝酸のいずれかを含む組成とする。
また、金属化合物として、鉄系化合物を用いる。
有機酸および有機酸塩として、モノカルボン酸、ポリカルボン酸、オキシカルボン酸、ホスホン酸、スルホン酸およびその塩からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
本発明のエッチング液組成物を用いて、ＡｌＧａＩｎＰ膜、ＡｌＧａＡｓ膜、ＧａＡｓＰ膜のいずれか半導体膜をエッチングし、表面を粗面化する。 （もっと読む）

【課題】発光輝度の更なる向上を図ることができるパターン基板及び該パターン基板を用いた発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】発光ダイオード５は、パターン基板２と、パターン基板２の上面２１に形成されたエピタキシャル層構造体３と、エピタキシャル層構造体３上に形成された電極ユニット４とを備えている。パターン基板２は、上面２１から下向きに窪んだ凹部形成面２２により画成され、互いに離間して設けられた複数の凹部２５と、各凹部形成面２２は、上面２１より下向きに延伸される周面２４と、該周面２４と共に凹部２５を画成する底面２３とを有し、複数の凹部２５のそれぞれの底面２３より突起２６が上向きに突出して形成されている。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体層の半極性主面とパラジウム電極との接触抵抗が増加することを抑制可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１００の製造方法は、半導体基板１０の表面上に活性層１４と、半極性主面を有するｐ型半導体層１８とを順に配置して積層体２０を形成する積層体形成工程と、パラジウム電極３８をｐ型半導体層１８の半極性主面に接合するように形成して基板生産物を形成する表面電極形成工程と、ｐ型半導体層１８及びパラジウム電極３８を処理する処理工程と、を備え、処理工程において、ｐ型半導体層１８及びパラジウム電極３８は、下記式（１）で表される条件を満たすように温度Ｔ（Ｋ）の状態で時間ｔ（分）保持される。


（式中、α_１は１６８７０であり、α_２は３０．３５〜３０．５５である） （もっと読む）

【課題】光吸収率を増加することなくチップ全体に電流を広げることができる電極構造を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、光取り出し面としての第１の面と、第１の面に対向する第２の面とを有し、発光層６３を有するIII−Ｖ族化合物半導体からなる積層構造１０と、支持基板３と第２の面との間に設けられ発光層６３の発光光を第１の面側に反射する反射金属膜４と、第１の面の一部に複数設けられて積層構造１０と導電する第１電極７０と、第１の面に設けられ第１電極７０と導電する透明導電膜７１と、透明導電膜７１の上に設けられる電極パッド９とを有する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な方法で製造することができ、歩留り低下、信頼性低下、駆動電圧の上昇および光り取り出し効率の低下といった従来の問題を解消し得る半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間に設けられた活性層と、を含む半導体発光装置において、ｐ型半導体層の表面に設けられた金属酸化物透明導電体からなる第１の透明電極と、ｐ型半導体層の表面に設けられ、第１の透明電極に電気的に接続された金属酸化物透明導電体からなる第２の透明電極と、第２の透明電極の表面に設けられた金属からなるｐ側パッド電極と、を含む。第２の透明電極は、第１の透明電極よりもｐ型半導体層に対する接触抵抗が高い。 （もっと読む）

【課題】光吸収率を増加することなくチップ全体に電流を広げることができる電極構造を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、光取り出し面としての第１の面と、第１の面に対向する第２の面とを有し、発光層６３を有するIII−Ｖ族化合物半導体からなる積層構造１０と、支持基板３と第２の面との間に設けられ発光層６３の発光光を第１の面側に反射する反射金属膜４と、第１の面の一部に複数設けられて積層構造１０と導電する第１電極７０と、第１の面に設けられ第１電極７０と導電する透明導電膜７１と、透明導電膜７１の上に設けられる電極パッド９とを有する。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンが表面に形成された成長用基板をレーザリフトオフ法によって除去の際に、金属材料等の異物の付着を防止しつつ、半導体成長層におけるクラックの発生を防止することができる半導体発光素子の製造方法及びこれよって製造される半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】成長用基板の表面に複数の素子形成領域と、複数の素子形成領域を囲む素子区画領域と、素子形成領域の内側に設けられた凹凸面形成領域と、凹凸面形成領域を囲み平坦形状を有する凹凸面区画領域とを区画し、凹凸面形成領域内に複数の凸部又は凹部を形成する工程と、成長用基板の表面上に半導体成長層を形成する工程と、凹凸面区画領域及び素子区画領域上の半導体成長層をエッチングし、成長用基板に向かって開口が徐々に小さくなるとともに成長用基板の表面に達する素子分割溝を形成する工程と、支持体を複数の素子部に接合する工程と、成長用基板を剥離する工程と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】発光層で発光した光の取り出し効率を高めることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、ｐ型半導体層２１、発光層２２及びｎ型半導体層２３が積層され、ｐ型半導体層及び発光層２２の一部が除去されてｎ型半導体層２１の一部が露出したＧａＮ半導体層２０と、ＧａＮ半導体層２０の上に、ｐ側第１絶縁膜開口部５５及びｎ側第１絶縁膜開口部５６を備えて積層される第１反射層５０と、ｐ側第１絶縁膜開口部５５を通じて、ｐ型半導体層２３にキャリアを注入するためのｐ側透明配線電極層４０と、ｐ側透明配線電極層４０の上方に、ｐ側第１絶縁膜開口部５５の少なくとも一部を覆うように積層され、ｐ側第１絶縁膜開口部５５を通過した光を発光層２２側に反射する第２反射層６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】化合物系半導体発光素子の発光効率を低下させることなく、静電破壊に対する耐圧を付与する。
【解決手段】本発明の化合物系半導体発光素子は、基板と、該基板上に形成された半導体積層構造とを有する化合物系半導体発光素子であって、半導体積層構造は、基板側から順に、ｎ型層、発光層、およびｐ型層を含むものであり、ｐ型層に接するｐ側電極と、ｎ型層に接するｎ側電極とを有し、ｎ型層は、半導体積層構造を構成する他の層よりも表面粗さが粗いリークパス層を１層以上有し、該化合物系半導体発光素子の上面からの平面視において、リークパス層の面積は、半導体積層構造を構成する他の層の面積よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基材の基板の表面に繰り返し凹凸パターンを形成するためのエッチングマスクをレジスト膜の露光現像により形成する際、レジスト膜に対する繰り返し露光による隣接する露光領域の隣接する部分での過剰露光による現像パターンの歪みを防止する。
【解決手段】半導体基材を製造する方法において、半導体基材の表面に凹凸部を形成するためのエッチングマスクをレジスト膜のフォトリソグラフィ処理により形成する際、転写用マスク１００として、あらかじめ露光ショットの重なる領域付近にある凹凸パターンであるドット状遮光部１０４の寸法を補正した転写用マスクを使用する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体発光素子からの光取り出し効率を向上させた半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体発光装置１は、光を発生する半導体発光素子１０と、半導体発光素子１０に電力を供給する配線として働くとともに、半導体発光素子１０が発光した光の波長を反射する反射層２１、２４が設けられたサブマウント１５とを備えている。半導体発光素子１０は、透光性基板１１０上に、中間層１２０、下地層１３０、積層半導体層１００、透光性電極１７０が順に積層されている。半導体発光素子１０の透光性電極１７０とサブマウント１５の反射層２１、２４とは、距離が隔てられて対向しているので、半導体発光素子１０が発生し透光性電極１７０に向かう光が効率よく反射され、半導体発光素子１０から取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】光の高出力化及び取出効率並びに低動作電圧化を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１は、活性層を有する半導体積層体１４の一方の表面に設けられる複数の分配電極１２と、半導体積層体１４の一方の表面側に設けられ、複数の分配電極１２を覆う透明導電膜２１と、半導体積層体１４の他方の表面側に設けられる導電反射層９と半導体積層体１４との間に位置する誘電体層１５と、誘電体層１５の内部で導電反射層９と半導体積層体１４とを電気的に接続し、平面視にて複数の分配電極１２に重ならない位置に設けられる界面電極８と、透明導電膜２１を介して複数の分配電極１２に電気的に接続し、平面視にて分配電極１２及び界面電極８に重ならない位置に設けられる表面電極１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加や製造歩留まりの低下を招くことなく、コアに所望の特性を持たせることができるダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード５は、ＳｉＣで作製された棒状コア１と、ｎ型のＧａＮで作製された第１のシェル２と、ｐ型のＧａＮで作製された第２のシェル３とを備える。ダイオードの２極の役割は、ｎ型の第１のシェル２とｐ型の第２のシェル３とが担うので、コア１の材質として第１,第２のシェル２,３とは異なるＳｉＣを選択できる。棒状コア１の屈折率(３〜３.５)が第１のシェル２の屈折率(２.５)よりも大きいので、第１,第２のシェル２,３のｐｎ接合面で発生した光が第１のシェル２から棒状コア１内へ入射し易いと共に棒状コア１内へ入射した光は、棒状コア１と第１のシェル２との界面で全反射し易い。よって、発生した光をコア１へ導波してコア１で強く発光させることができる。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第１電極層と、発光層と、第２導電形の第２半導体層と、第２導電形の第３半導体層と、第１半導体層に接続される第２電極層と、を備える。第１電極層は、第１半導体層から第１電極層に向かう方向に沿った厚さが１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下である金属部と、前記方向に沿って金属部を貫通し、前記方向に沿ってみたときの形状の円相当直径が１０ｎｍ以上、５マイクロメートル（μｍ）以下である複数の開口部と、を有する。発光層は、第１半導体層と第１電極層との間に設けられる。第３半導体層は、第２半導体層と第１電極層との間に設けられ、シート抵抗値が１０^３Ω／□以上、１０^６Ω／□以下である。 （もっと読む）

【課題】蛍光体間の再吸収を抑制し優れた発光効率を実現する発光装置を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光を発する発光素子と、発光素子上に形成され、赤色蛍光体を含有し、断続的に配置される複数の赤色蛍光体層と、発光素子上に形成され、緑色蛍光体を含有し、発光素子から離れた位置に配置される緑色蛍光体層を備え、発光素子と赤色蛍光体層との距離よりも発光素子と緑色蛍光体層との距離が大きい発光装置である。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率と発光効率を向上でき、かつ製造工程時の不良率を低減可能な半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子を提供する。
【解決手段】凹凸が形成された第１基板の一主面上に、ｎ型窒化物半導体層、窒化物半導体の多重量子井戸構造を有する活性層、およびｐ型窒化物半導体層を、順に積層する。ｐ型窒化物半導体層の上面に、複数の発光素子のそれぞれに対応する複数の第１電極を形成し、複数の第１電極およびｐ型窒化物半導体層の表面を覆うように第１メタル層を形成し、第２基板の上面に形成された第２メタル層を介して、第１基板と第２基板を接合する。第１基板の、第１メタル層と反対側の面から、発光素子の境界位置に沿って第１基板の分断または溝形成を行う。分断または溝形成された第１基板の、第１メタル層と反対側の面から、レーザを照射して、第１基板を剥離し、露出した積層膜の表面の少なくとも一部に第２電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】改良された発光能力を持つＩＩＩ族窒化物に基づく発光装置を提供する。
【解決手段】大面積装置は、低い直列抵抗を準備するためにｐ電極金属被覆２０の間に挿入されるｎ電極２２を持つ。該ｐ電極金属被覆は、不透明かつ高反射率であり、優れた電流拡散をもたらす。ＬＥＤ活性領域のピーク放出波長でのｐ電極は、パス毎に入射光の２５％未満を吸収する。サブマウントは、ＬＥＤダイとパッケージとの間の電気的及び熱的接続を準備するために使用されてもよい。該サブマウント材料は、電圧追従制限作動などの電子機能を備えるためにＳｉであってもよい。ＬＥＤサブマウント・インタフェースを含む装置全体は、高い電流密度作動を可能にするために低い熱抵抗に対して設計されている。該装置は、高屈折率（ｎ＞１．８）の上層基板を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子からの光の一部をカットすることなく、輝度分布の最大部をカットオフラインに配光が可能な車両用灯具を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子は、矩形の支持基板と、前記支持基板の片面に形成された裏面電極と、前記支持基板の前記片面の反対側の面に形成された反射電極としてのｐ電極と、前記ｐ電極上に形成されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層表面のうち一方の長辺を含む細幅領域に形成された長辺方向に延びるｎ電極と、を備えた縦型のＬＥＤ素子であり、投影光学系は、複数の光源像を車両前方に投影し、車両前端部に正対した仮想鉛直スクリーン上に、白色光源の複数の光源像それぞれの前記ｎ電極に対応する像部分により形成されるカットオフラインを含むヘッドランプ用配光パターンを形成するように構成する。 （もっと読む）