【課題】半導体膜内部における電流拡散を阻害することなく半導体膜内部を伝搬する光の自己吸収を抑制することができる半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】支持体上の反射電極と、反射電極上の第１クラッド層と、第１クラッド層上の発光層と、発光層の上に設けられ、凹部及び凸部からなるテラス構造を有し、凸部の頂面及び凹部の底面に凹凸形状の光取り出し構造が形成された第２クラッド層と、凸部の頂面上の表面電極と、を有し、第２クラッド層は、発光層上に、第１電流拡散層、第１電流拡散層上に設けられ凹部の底面の光取り出し構造を備える第１光取り出し層、第１光取り出し層上に設けられた第２電流拡散層、及び第２電流拡散層上に設けられ凸部の頂面の光取り出し構造を備える第２光取り出し層を含む積層構造を有し、第１光取り出し層及び第２光取出し層は、第１電流拡散層及び第２電流拡散層よりも小なる光吸収率と、第１電流拡散層及び第２電流拡散層よりも大なる抵抗値と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】外部に保護素子を設けることなく静電気や過電圧から保護することができる半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置、信号灯器及び道路情報装置を提供する。
【解決手段】基板１上に発光素子用のｎ型半導体層２、活性層及びｐ型半導体層３を積層した半導体層を形成してある。発光素子１００の表面には、適長離隔させた第１のボンディング電極８１、第２のボンディング電極８２を設けてある。第１のボンディング電極８１の下方には、発光素子用のｎ型半導体層２から分離して保護素子用のｎ型半導体層１２を形成してある。保護素子用のｎ型半導体層１２には、活性層及びｐ型半導体層１３を積層してある。ｎ型半導体層１２、活性層及びｐ型半導体層１３により保護素子用の半導体層が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１の主面の周縁に沿って設けられた第１の領域と、前記第１の領域よりも前記第１の主面の中心側に設けられた第２の領域と、を有する基板と、前記基板の第１の主面の上に設けられた第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２の半導体層と、前記第２の半導体層の上に設けられた透光性電極と、を備え、前記第２の領域における反射率は、前記第１の領域における反射率よりも高いこと、を特徴とする半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】窒化物基板上に形成された、特定の平面形状を有する半導体発光素子において理想的な光取り出しを、簡便な作製プロセスで実現可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物基板と、ピーク発光波長λの光を発する活性層構造を含み前記窒化物基板の主面上に形成された半導体層部とを有し、式を満たすことを特徴とする半導体発光素子。
式 Ｌ_ｓｃ×ｔａｎ｛ｓｉｎ^−１（１／ｎ_ｓ（λ））｝≦ｔ_ｓ
（但し、ｔ_ｓは、前記窒化物基板の最大物理厚みを表し、
Ｌ_ｓｃは、前記窒化物基板主面の任意の２点の作る最も長い線分長を表し、
ｎ_ｓ（λ）は、前記窒化物基板の波長λにおける屈折率を表す。） （もっと読む）

【課題】エッチャントのハンドリングや管理、回収、廃棄等がより容易で環境負荷が低い光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】複数の分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された各領域に形成された光デバイスを有する光デバイスウエーハＷの加工方法で、光デバイスウエーハの表面を保護膜９８で被覆する保護膜被覆ステップと、該保護膜が被覆された光デバイスウエーハの該分割予定ラインに沿って分割起点溝１０２を形成する溝形成ステップと、該分割起点溝が形成された光デバイスウエーハにドライエッチングを施し、該分割起点溝の側面をエッチングするエッチングステップと、該エッチングステップを実施した後、光デバイスウエーハに外力を付与し該分割起点溝を起点に光デバイスウエーハを個々のチップへと分割する分割ステップと、該分割ステップを実施する前又は後に該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減でき、特性ばらつきを小さくして歩留まりを向上できる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】同一絶縁性基板４００上に複数の発光素子を配置する配置工程と、絶縁性基板４００上に配置された複数の発光素子の一部または全部を一括して配線する配線工程と、配置工程と配線工程の後、絶縁性基板４００を複数の分割基板４３０Ａ,４３０Ｂ,４３０Ｃ,４３０Ｄ,４３０Ｅに分割する基板分割工程とを有する。これによって、分割基板４３０Ａ,４３０Ｂ,４３０Ｃ,４３０Ｄ,４３０Ｅ上に複数の発光素子が配置された発光装置を複数形成する。 （もっと読む）

【課題】活性層への注入電流の密度を均一化でき、その上、光取り出し効率を向上させることもできる半導体発光装置およびそれを備えた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体発光装置１は、サファイア基板１１と、このサファイア基板１１下に設けられたｎ型半導体層１２と、このｎ型半導体層１２下に設けられ、光を発する活性層１３と、この活性層１３下に設けられたｐ型半導体層１４と、このｐ型半導体層１４下に設けられ、上記光を透過する透明導電膜１５と、この透明導電膜１５下に設けられ、島状の第１開口１６ａ複数有する層間絶縁膜１６と、この層間絶縁膜１６下に設けられて、第１開口１６ａに重なる島状の第２開口１７ａを複数有し、上記光を反射する反射膜１７と、この反射膜１７上に設けられると共に、一部が第１開口１６ａおよび第２開口１７ａ内に入って透明導電膜１５に接続された接続電極１８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】金属基板のレーザー切断時に生成するデブリによる悪影響を低減できると共に、切断時に発生する熱に起因したダイシングラインのずれ等の不都合を防止できる発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、複数の金属層からなる金属基板と、該金属基板上に形成された発光層を含む化合物半導体層とを備えたウェハを作製する工程と、前記化合物半導体層の切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、前記複数の金属層のうちレーザー照射面側の少なくとも一層の、前記切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、平面視して前記金属層の前記除去された部分に沿って、レーザーを照射して前記金属基板を切断する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】活性層にダメージを与えることなく、動作電圧を低下させることを可能にする。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるｎ型層と、前記ｎ型層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる活性層と、前記活性層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるｐ型第１層と、前記ｐ型第１層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるｐ型コンタクト層と、前記ｐ型第１層と前記ｐ型コンタクト層との間に設けられて上面が凹凸形状を有し、ｐ型不純物濃度が前記ｐ型コンタクト層のｐ型不純物濃度より低い、少なくともＩｎおよびＡｌを含むＩＩＩ−Ｖ族半導体とを備えた凹凸層と、を備え、前記ｐ型コンタクト層の上面は前記凹凸層の前記凹凸形状を受け継いだ凹凸形状を有する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディングをすることなくパッケージングが可能な半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に順次に積層された第１電極層、第１絶縁層、第２電極層、第２半導体層、活性層及び第１半導体層と、基板を貫通して、第１電極層と電気的に接続する第１コンタクトと、基板、第１電極層及び第１絶縁層を貫通して、第２電極層と電気的に接続する第２コンタクトと、を備え、第２電極層、第２半導体層及び活性層を貫通するコンタクトホールが形成され、第１電極層は、コンタクトホールを介して、第１半導体層と電気的に連結される半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】金属基板のレーザー切断時に発生する熱に起因したダイシングラインのずれ等の不都合を防止できると共に、切断時に生成するデブリによる悪影響を低減できる発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、複数の金属層からなる金属基板と、該金属基板上に形成された発光層を含む化合物半導体層とを備えたウェハを作製する工程と、前記化合物半導体層の切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、前記複数の金属層のうちレーザー照射面の反対側の少なくとも一層の、前記切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、平面視して前記金属層の前記除去された部分に沿って、レーザーを照射して前記金属基板を切断する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射による加工を窒化物材料に施す際に生じる可能性のある種々の問題を解決することによって、高歩留りと高スループットを両立させる。
【解決手段】半導体発光素子は、バンドギャップがＥ_ｇｓ（ｅＶ）である窒化物基板２１上に薄膜結晶層を形成する薄膜結晶層形成工程と、薄膜結晶層に接して電極部を形成する電極部形成工程と、分離位置１０ａでレーザ光を照射することによって変性部を形成する変性部形成工程と、変性部が形成された窒化物基板２１、薄膜結晶層および電極部を含む加工対象物を分離位置１０ａで分離して複数の半導体発光素子とする素子分離工程と、を経て製造される。変性部形成工程では、波長λ_ｉ（ｎｍ）が１２４０／λ_ｉ＜Ｅ_ｇｓであり、かつ、偏光がランダム偏光または円偏光であるレーザ光を、スクライブ痕４０ａが窒化物基板２１の内部にのみ形成されるように照射する。 （もっと読む）

【課題】安定した特性の半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の第１主面上に、発光層を含む半導体層を結晶成長させる工程（ステップＳ１１０）と、半導体層の少なくとも上面及び側面を第１絶縁膜で覆う工程（ステップＳ１２０）と、半導体層と導通する第１電極部及び第２電極部を形成する工程（ステップＳ１３０）と、第１絶縁膜を第２絶縁膜で覆う工程（ステップＳ１４０）と、基板の第１主面とは反対側の第２主面の側から半導体層にレーザ光を照射して、基板を半導体層から剥離する工程（ステップＳ１５０）と、を備え、第１絶縁膜は、レーザ光のエネルギーよりもバンドギャップエネルギーの小さい材料であり、第２絶縁膜は、レーザ光を吸収する材料であり、半導体層のバンドギャップエネルギーは、レーザ光のエネルギーよりも小さく、第１絶縁膜のうちで半導体層の側面を覆う部分において、レーザ光は発光層の深さまで達しない。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第５層は、光を発生させ、かつ光を導波させる層であり、第３層１１４および第４層１１６は、第５層で発生した光を導波させる層であり、第１層１０４および第２層１０６は、第５層で発生した光の漏れを抑制する層であり、第５層で発生した光が伝播する導波路１１９は、第１面１０４ａの垂線方向から平面視して、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３と交差し、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３の、導波路１１９の延伸方向Ａの長さは、λ／２ｎ_１であり、半導体部材１１８の、導波路１１９の延伸方向Ａの長さは、λ／２ｎ_２である。ただし、λは、第５層で発生する光の波長であり、ｎ_１は、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３における有効屈折率であり、ｎ_２は、半導体部材１１８における有効屈折率である。 （もっと読む）

【課題】光出力の大きい半導体発光素子を実現する。
【解決手段】第１のIII族窒化物からなる発光層と、第２のIII族窒化物からなりｎ型の導電型を呈するｎ型層と、第３のIII族窒化物からなりｐ型の導電型を呈するｐ型層と、を基材上に備え、発光層がｐ型層とｎ型層との間に位置する半導体発光素子において、それぞれが発光層とこれに隣接する相異なる２つの隣接層との界面である、ｎ型層側の第１の界面とｐ型層側の第２の界面との少なくとも一方が、平坦部を有するとともにｐ型層の側からｎ型層の側に向けて突出した曲面形状の凸部を有するようにする。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるＩｎ偏析による発光特性の低下が抑制されたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体光素子１１ａでは、基板１３の主面１３ａは、この第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５は、主面１３ａ上に設けられている。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５上には、活性層１７が設けられている。活性層１７は、少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。半導体エピタキシャル層１９は、ＩｎＧａＮからなる。半導体エピタキシャル層１９の膜厚方向は、基準軸Ｃｘに対して傾斜している。この基準軸Ｃｘは、第１のＧａＮ系半導体の［０００１］軸の方向に向いている。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、底面13ａ、該底面13ａを挟んで第１側面13ｂおよび該第１側面13ｂと対向する第２側面13ｃを有する溝13が形成された単結晶基板12と、単結晶基板12の溝13上に設けられた光半導体層とを備えた発光素子であって、単結晶基板12の溝13は、第１側面13ｂの上端から底面13ａにかけて設けられた、第１側面13ｂから第２側面13ｃ側に向かって突出する凸部16を有している。凸部16を有する溝13が単結晶基板12に設けられていることから、外部への光取り出し効率を向上させることができる発光素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子は静電気で破壊しやすいため保護素子とともに回路基板に実装されることがある。また放熱性や生産性、実装面積効率を考えるとＬＥＤ素子及び保護素子を回路基板にフリップチップ実装することが好ましい。ところが保護素子を回路基板上にフリップチップ実装すると、保護素子の周辺が暗くなってしまうので保護素子を省きたい。
【解決手段】回路基板１２上にフリップチップ実装されるＬＥＤ素子１３は、ｎ型半導体層２１に接続するｎ側バンプ２３とｐ型半導体層２２に接続するｐ側バンプ２４を備えている。このときｎ側バンプ２３から延出したアンダーバンプメタル層２３ａと、ｐ側バンプ２４から延出したアンダーバンプメタル層２４ａとが対向する領域にバリスタ２６が存在する。この結果バリスタ２６によりＬＥＤ素子１３の静電気対策がとられるため回路基板１２に保護素子が不要になった。 （もっと読む）

【課題】クロック駆動回路の出力端子数の削減により、回路規模を削減する。
【解決手段】クロック駆動回路７０内のオープンドレーン形インバータ８０とスリーステート形出力バッファ９０とにより、走査回路部１００を駆動するための２相の第１及び第２クロックを生成している。発光サイリスタ２１０のカソードがＬレベルにされると、アノード・カソード間には電圧が印加される。一方、抵抗１３０を介して供給される第２クロックによりシフト動作を開始する走査回路部１００における各走査サイリスタ１１０のゲートと、発光サイリスタ２１０の各ゲートとがそれぞれ接続されているため、走査サイリスタ１１０のゲート・カソード間にも電圧が印加される。この時、走査回路部１００により発光指令されている発光サイリスタ２１０のゲートのみを選択的にＨレベルとすることで、発光指令されている発光サイリスタ２１０がターンオンする。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスにおいて、多重量子井戸での発熱を抑制する。
【解決手段】発光デバイスは、ｎ型層と、ｐ型層と、活性領域と、基板とを含む。ｎ型層は、活性領域に横方向で電子を注入するために、活性領域に実質的に垂直な第１の接触領域で活性領域と接している。基板は、GaN、サファイア、シリコン、シリコンカーバイド、石英、酸化亜鉛、ガラスおよびガリウムヒ素を含むグループから選択される材料からなる。 （もっと読む）