光デバイスウエーハの加工方法
【課題】エッチャントのハンドリングや管理、回収、廃棄等がより容易で環境負荷が低い光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】複数の分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された各領域に形成された光デバイスを有する光デバイスウエーハＷの加工方法で、光デバイスウエーハの表面を保護膜９８で被覆する保護膜被覆ステップと、該保護膜が被覆された光デバイスウエーハの該分割予定ラインに沿って分割起点溝１０２を形成する溝形成ステップと、該分割起点溝が形成された光デバイスウエーハにドライエッチングを施し、該分割起点溝の側面をエッチングするエッチングステップと、該エッチングステップを実施した後、光デバイスウエーハに外力を付与し該分割起点溝を起点に光デバイスウエーハを個々のチップへと分割する分割ステップと、該分割ステップを実施する前又は後に該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を具備したことを特徴とする。
【解決手段】複数の分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された各領域に形成された光デバイスを有する光デバイスウエーハＷの加工方法で、光デバイスウエーハの表面を保護膜９８で被覆する保護膜被覆ステップと、該保護膜が被覆された光デバイスウエーハの該分割予定ラインに沿って分割起点溝１０２を形成する溝形成ステップと、該分割起点溝が形成された光デバイスウエーハにドライエッチングを施し、該分割起点溝の側面をエッチングするエッチングステップと、該エッチングステップを実施した後、光デバイスウエーハに外力を付与し該分割起点溝を起点に光デバイスウエーハを個々のチップへと分割する分割ステップと、該分割ステップを実施する前又は後に該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を具備したことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインと、該分割予定ラインで区画された各領域に形成された光デバイスとを有する光デバイスウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光デバイスの製造プロセスでは、サファイア基板や炭化珪素基板等の結晶成長用基板の表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインで区画される各領域に発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザダイオード（ＬＤ）等の発光素子を形成して、光デバイスウエーハを製造する。
【０００３】
その後、光デバイスウエーハの結晶成長用基板側を研削装置で研削して所定の厚みまで薄化し、更に電極を形成した後、分割予定ラインに沿って分割することで、個々の光デバイス（チップ）を製造している。
【０００４】
光デバイスウエーハの分割には、例えば特開２００３−１２４１５１号公報に開示される切削装置や、スクライブ装置が用いられる。光デバイスウエーハ表面に切削装置やスクライブ装置で溝を形成した後、この溝を起点に個々のチップへと分割する。
【０００５】
一方、近年では、光デバイスウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームをウエーハに照射することでレーザ加工溝を形成し、このレーザ加工溝を分割起点としてブレーキング装置でウエーハを割断してチップへと分割する方法が提案されている（例えば、特開平１０−３０５４２０号公報参照）。
【０００６】
レーザ加工装置によるレーザ加工溝の形成は、ダイサーによるダイシング方法に比べて加工速度を早くすることができるとともに、サファイアやＳｉＣ等の硬度の高い結晶成長用基板を有する光デバイスウエーハであっても比較的容易に加工することができる。また、加工溝を例えば１０μｍ以下等の狭い幅とすることができるので、ダイシング方法で加工する場合に対してウエーハ１枚当たりのデバイス取り量を増やすことができる。
【０００７】
切削、スクライブ又はレーザ加工で形成された加工溝の側面に歪が形成されるが、ブレーキング装置で光デバイスウエーハを割断して個々のチップへと分割する前に、この歪を除去するために、光デバイスウエーハにはウェットエッチングが施される。ウェットエッチングにより歪を除去することで、製造される光デバイスの輝度が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１２４１５１号公報
【特許文献２】特開平１０−３０５４２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、結晶成長用基板に用いられるサファイア基板や炭化珪素基板等が、一般にエッチング性が悪く、ウェットエッチングには主にリン酸が用いられる。リン酸はハンドリングや管理に細心の注意が必要な上、使用後の回収や廃棄にも多くの手間や費用がかかり、環境負荷が高いという問題がある。
【００１０】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、エッチャントのハンドリングや管理、回収、廃棄等がより容易で環境負荷が低い光デバイスウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によると、表面に形成された複数の分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された各領域に形成された光デバイスとを有する光デバイスウエーハの加工方法であって、光デバイスウエーハの表面を保護膜で被覆する保護膜被覆ステップと、該保護膜が被覆された光デバイスウエーハの該分割予定ラインに沿って分割起点溝を形成する溝形成ステップと、該分割起点溝が形成された光デバイスウエーハにドライエッチングを施して、該分割起点溝の側面をエッチングするエッチングステップと、該エッチングステップを実施した後、光デバイスウエーハに外力を付与して該分割起点溝を起点に光デバイスウエーハを個々のチップへと分割する分割ステップと、該分割ステップを実施する前又は後に該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を具備したことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。
【００１２】
好ましくは、前記保護膜は水溶性保護膜から構成され、前記溝形成ステップは、光デバイスウエーハの表面側から光デバイスウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射することで前記分割起点溝を形成し、前記保護膜除去ステップでは、水を用いて該保護膜を除去する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の光デバイスウエーハの加工方法では、ドライエッチングによって分割起点溝の側面がエッチングされる。酸を使用しないため、エッチャントのハンドリングや管理、回収、廃棄等がより容易で環境負荷が低い光デバイスウエーハの加工方法が提供される。
【００１４】
更に、水溶性の保護膜が使用できるため、保護膜の被覆や除去が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】レーザ加工装置の外観斜視図である。
【図２】ダイシングテープを介して環状フレームに支持された光デバイスウエーハを示す斜視図である。
【図３】レーザビーム照射ユニットのブロック図である。
【図４】保護膜被覆装置の一部破断斜視図である。
【図５】スピンナテーブルが上昇されて光デバイスウエーハがスピンナテーブルに保持された状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。
【図６】光デバイスウエーハ表面に水溶性樹脂を塗布する状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。
【図７】保護膜が被覆された光デバイスウエーハの拡大断面図である。
【図８】レーザ加工ステップを示す断面図である。
【図９】エッチングステップを示す断面図である。
【図１０】保護膜除去ステップを示す保護膜被覆装置の縦断面図である。
【図１１】分割ステップを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明の光デバイスウエーハの加工方法で分割起点溝を形成するのに適したレーザ加工装置２の外観が示されている。
【００１７】
レーザ加工装置２の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段４が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるＣＲＴ等の表示手段６が設けられている。
【００１８】
図２に示すように、加工対象の光デバイスウエーハＷの表面においては、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とが直交されて形成されており、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とによって区画された領域に多数の光デバイスＤが形成されている。
【００１９】
ウエーハＷは粘着テープであるダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴの外周縁部は環状フレームＦに貼着されている。これにより、ウエーハＷはダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持された状態となり、図１に示したウエーハカセット８中にウエーハが複数枚（例えば２５枚）収容される。ウエーハカセット８は上下動可能なカセットエレベータ９上に載置される。
【００２０】
ウエーハカセット８の後方には、ウエーハカセット８からレーザ加工前のウエーハＷを搬出するとともに、加工後のウエーハをウエーハカセット８に搬入する搬出入手段１０が配設されている。
【００２１】
ウエーハカセット８と搬出入手段１０との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域１２が設けられており、仮置き領域１２にはウエーハＷを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段１４が配設されている。
【００２２】
３０は保護膜被覆装置であり、この保護膜被覆装置３０は加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。３５は保護膜被覆装置３０の蓋である。仮置き領域１２の近傍には、ウエーハＷと一体となったフレームＦを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段１６が配設されている。
【００２３】
仮置き領域１２に搬出されたウエーハＷは、搬送手段１６により吸着されて保護膜被覆装置３０に搬送される。保護膜被覆装置３０では、後で詳細に説明するようにウエーハＷの加工面に保護膜が被覆される。
【００２４】
加工面に保護膜が被覆されたウエーハＷは、搬送手段１６により吸着されてチャックテーブル１８上に搬送され、チャックテーブル１８に吸引されるとともに、複数の固定手段（クランプ）１９によりフレームＦが固定されることでチャックテーブル１８上に保持される。
【００２５】
チャックテーブル１８は、回転可能且つＸ軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル１８のＸ軸方向の移動経路の上方には、ウエーハＷのレーザ加工すべきストリートを検出するアライメント手段２０が配設されている。
【００２６】
アライメント手段２０は、ウエーハＷの表面を撮像する撮像手段２２を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザ加工すべきストリートを検出することができる。撮像手段２２によって取得された画像は、表示手段６に表示される。
【００２７】
アライメント手段２０の左側には、チャックテーブル１８に保持されたウエーハＷに対してレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット２４が配設されている。レーザビーム照射ユニット２４はＹ軸方向に移動可能である。
【００２８】
レーザビーム照射ユニット２４のケーシング２６中には後で詳細に説明するレーザビーム発振手段等が収容されており、ケーシング２６の先端にはレーザビームを加工すべきウエーハ上に集光する集光器（レーザヘッド）２８が装着されている。
【００２９】
レーザビーム照射ユニット２４のケーシング２６内には、図３のブロック図に示すように、レーザビーム発振手段３４と、レーザビーム変調手段３６が配設されている。レーザビーム発振手段３４としては、ＹＡＧレーザ発振器或いはＹＶＯ４レーザ発振器を用いることができる。レーザビーム変調手段３６は、繰り返し周波数設定手段３８と、レーザビームパルス幅設定手段４０と、レーザビーム波長設定手段４２を含んでいる。
【００３０】
レーザビーム変調手段３６を構成する繰り返し周波数設定手段３８、レーザビームパルス幅設定手段４０及びレーザビーム波長設定手段４２は周知の形態のものであり、本明細書においてはその詳細な説明を省略する。
【００３１】
次に、光デバイスウエーハＷの表面上に保護膜を被服する保護膜被覆装置３０について図４乃至図６を参照して説明する。まず図４を参照すると、保護膜被覆装置３０の一部破断斜視図が示されている。
【００３２】
保護膜被覆装置３０は、スピンナテーブル機構４４と、スピンナテーブル機構４４を包囲して配設された洗浄水受け機構４６を具備している。スピンナテーブル機構４４は、スピンナテーブル（保持テーブル）４８と、スピンナテーブル４８を回転駆動する電動モータ５０と、電動モータ５０を上下方向に移動可能に支持する支持機構５２とから構成される。
【００３３】
スピンナテーブル４８は多孔性材料から形成された吸着チャック（保持面）４８ａを具備しており、吸着チャック４８ａが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナテーブル４８は、吸着チャック４８ａにウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用させることにより、吸着チャック４８ａ上にウエーハを吸引保持する。
【００３４】
スピンナテーブル４８には振り子タイプの一対のクランプ４９が配設されており、スピンナテーブル４８が回転されるとこのクランプ４９が遠心力で揺動して図２に示す環状フレームＦをクランプする。
【００３５】
スピンナテーブル４８は、電動モータ５０の出力軸５０ａに連結されている。支持機構５２は、複数の（本実施形態においては３本）の支持脚５４と、支持脚５４にそれぞれ連結され電動モータ５０に取り付けられた複数（本実施形態においては３本）のエアシリンダ５６とから構成される。
【００３６】
このように構成された支持機構５２は、エアシリンダ５６を作動することにより、電動モータ５０及びスピンナテーブル４８を図５に示す上昇位置であるウエーハ搬入・搬出位置と、図６に示す下降位置である作業位置に位置付け可能である。
【００３７】
洗浄水受け機構４６は、洗浄水受け容器５８と、洗浄水受け容器５８を支持する３本（図４には２本のみ図示）の支持脚６０と、電動モータ５０の出力軸５０ａに装着されたカバー部材６２とから構成される。
【００３８】
洗浄水受け容器５８は、図５に示すように、円筒状の外側壁５８ａと、底壁５８ｂと、内側壁５８ｃとから構成される。底壁５８ｂの中央部には、電動モータ５０の出力軸５０ａが挿入される穴５１が設けられており、内側壁５８ｃはこの穴５１の周辺から上方に突出するように形成されている。
【００３９】
また、図４に示すように、底壁５８ｂには廃液口５９が設けられており、この廃液口５９にドレンホース６４が接続されている。カバー部材６２は円盤状に形成されており、その外周辺から下方に突出するカバー部６２ａを備えている。
【００４０】
このように構成されたカバー部材６２は、電動モータ５０及びスピンナテーブル４８が図６に示す作業位置に位置付けられると、カバー部６２ａが洗浄水受け容器５８を構成する内側壁５８ｃの外側に隙間を持って重なるように位置付けられる。
【００４１】
保護膜被覆装置３０は、スピンナテーブル４８に保持された加工前のウエーハＷに水溶性樹脂を塗布する塗布手段６６を具備している。塗布手段６６は、スピンナテーブル４８に保持された加工前のウエーハの加工面に向けて水溶性樹脂を供給する水溶性樹脂供給ノズル６８と、水溶性樹脂供給ノズル６８を支持する概略Ｌ形状のアーム７０と、アーム７０に支持された水溶性樹脂供給ノズル６８を揺動する正転・逆転可能な電動モータ７２とから構成される。水溶性樹脂供給ノズル６８はアーム７０を介して図示しない水溶性樹脂供給源に接続されている。
【００４２】
保護膜被覆装置３０はレーザ加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。よって、保護膜被覆装置３０は、スピンナテーブル４８に保持された加工後のウエーハを洗浄するための洗浄水供給手段７４及びエア供給手段７６を具備している。
【００４３】
洗浄水供給手段７４は、スピンナテーブル４８に保持された加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する洗浄水ノズル７８と、洗浄水ノズル７８を支持するアーム８０と、アーム８０に支持された洗浄水ノズル７８を揺動する正転・逆転可能な電動モータ８２とから構成される。洗浄水噴射ノズル７８はアーム８０を介して図示しない洗浄水供給源に接続されている。
【００４４】
エア供給手段７６は、スピンナテーブル４８に保持された洗浄後のウエーハに向けてエアを噴出するエアノズル８４と、エアノズル８４を支持するアーム８６と、アーム８６に支持されたエアノズル８４を揺動する正転・逆転可能な電動モータ（図示せず）を備えている。エアノズル８４はアーム８６を介して図示しないエア供給源に接続されている。
【００４５】
次に、このように構成された保護膜被覆装置３０の作用について説明する。ウエーハ搬送手段１６の旋回動作によって加工前のウエーハが保護膜被覆装置３０のスピンナテーブル４８に搬送され、図５に示すように吸着チャック４８ａにより吸引保持される。
【００４６】
この時、水溶性樹脂供給ノズル６８、洗浄水ノズル７８及びエアノズル８４は図４及び図５に示すように、スピンナテーブル４８の上方から隔離した待機位置に位置付けられている。
【００４７】
スピンナテーブル４８でウエーハＷを吸引保持したならば、ウエーハＷの加工面である表面に水溶性樹脂を塗布して保護膜を被覆する保護膜被覆ステップを実施する。保護膜被覆ステップを実施するには、スピンナテーブル４８を図６に示すように１０〜１００ｒｐｍ（好ましくは３０〜５０ｒｐｍ）で回転させながら、ウエーハＷの加工面の中央領域に水溶性樹脂供給ノズル６８から水溶性樹脂６９を滴下する。
【００４８】
スピンナテーブル４８が回転されているため、滴下された水溶性樹脂６９はウエーハＷの加工面にスピンコーティングされ、図７に示すようにウエーハＷの加工面に保護膜９８が形成される。
【００４９】
保護膜９８を形成する液状樹脂としては、ＰＶＡ（ポリ・ビニール・アルコール）ＰＥＧ（ポリ・エチレン・グリコール）、ＰＥＯ（酸化ポリエチレン）等の水溶性のレジストが望ましい。
【００５０】
保護膜被覆ステップによって半導体ウエーハＷの表面に保護膜９８が被覆されたならば、スピンナテーブル４８を図５に示すウエーハ搬入・搬出位置に位置付けるとともに、スピンナテーブル４８に保持されているウエーハの吸引保持を解除する。
【００５１】
そして、スピンナテーブル４８上のウエーハＷは、ウエーハ搬送手段１６によってチャックテーブル１８に搬送され、チャックテーブル１８により吸引保持される。さらに、チャックテーブル１８がＸ軸方向に移動してウエーハＷは撮像手段２２の直下に位置付けられる。
【００５２】
撮像手段２２でウエーハＷの加工領域を撮像して、レーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット２４の集光器２８とストリートＳとの位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザビーム照射位置のアライメントが遂行される。
【００５３】
このようにして、チャックテーブル１８上に保持されているウエーハＷのストリートＳ１又はＳ２を検出し、レーザビーム照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル１８をレーザビームを照射する集光器２８が位置するレーザビーム照射領域に移動し、ウエーハＷのストリートＳ１又はＳ２に沿って集光器２８からレーザビームを保護膜９８を通して照射して、分割起点溝となるレーザ加工溝を形成する。
【００５４】
レーザ加工溝形成ステップにおいては、図８に示すようにレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット２４の集光器２８からウエーハＷの加工面である表面側から保護膜９８を通して所定のストリートＳに向けてパルスレーザビームを照射しながら、チャックテーブル１８をＸ軸方向に所定の送り速度（例えば１００ｍｍ／秒）で移動する。
【００５５】
尚、レーザ加工条件は例えば以下の通りである。
【００５６】
光源 ：ＹＡＧレーザ
波長 ：３５５ｎｍ（ＹＡＧレーザの第３高調波）
出力 ：３．０Ｗ
繰り返し周波数 ：２０ｋＨｚ
集光スポット径 ：１．０μｍ
送り速度 ：１００ｍｍ／秒
【００５７】
レーザ加工溝形成ステップを実施することによって、ウエーハＷにはストリートＳに沿ってレーザ加工溝１０２が形成される。この時、図８に示すようにレーザビームの照射によりデブリ１００が発生しても、このデブリ１００は保護膜９８によって遮断され、デバイスＤの電子回路及びボンディングパッド等に付着することはない。
【００５８】
このようにして、ウエーハＷにレーザ加工溝１０２を形成したら、チャックテーブル１８は最初にウエーハＷを吸引保持した位置に戻され、ここでウエーハＷの吸引保持を解除する。
【００５９】
次いで、環状フレームＦに支持された光デバイスウエーハＷをレーザ加工装置２から取り出し、図９に示すように、プラズマエッチング装置１０４のチャンバー内に搬入する。そして、矢印Ａに示すようにＳＦ６又はＣＦ４を用いたプラズマエッチングを光デバイスウエーハＷに施し、分割起点溝（レーザ加工溝）１０２の側面１０２ａをエッチングして、側面１０２ａから歪を除去する。光デバイスウエーハＷの表面（デバイス形成面）は保護膜９８で被覆されているため、デバイスＤがエッチングされることはない。
【００６０】
プラズマエッチング終了後、光デバイスウエーハＷをレーザ加工装置２のチャックテーブル１８上に再び載置し、光デバイスウエーハＷを搬送手段３２によって保護膜形成装置３０のスピンナテーブル４０まで搬送し、吸着チャック４８ａにより吸引保持する。
【００６１】
この時、水溶性樹脂供給ノズル６８、洗浄水ノズル７８及びエアノズル８４は、図４及び図５に示すようにスピンナテーブル４８の上方から隔離した待機位置に位置づけられている。
【００６２】
そして、図１０に示すように純水源とエア源に接続された洗浄水ノズル７８から純水とエアとからなる洗浄水を噴射しながらウエーハＷを低速回転（例えば３００ｒｐｍ）させることによりウエーハＷを洗浄する。
【００６３】
その結果、ウエーハＷの表面に被覆されていた保護膜９８は水溶性の樹脂によって形成されているので、保護膜９８を容易に洗い流すことができるとともに、レーザ加工時に発生したデブリ１００も除去される。
【００６４】
洗浄工程が終了したら、乾燥工程を実行する。即ち、洗浄水ノズル７８を待機位置に位置付けるとともに、エアノズル８４の噴出口をスピンナテーブル４８上に保持されたウエーハＷの外周部上方に位置付ける。
【００６５】
そして、スピンナテーブル４８を例えば３０００ｒｐｍで回転しつつエアノズル８４からスピンナテーブル４８に保持されているウエーハＷに向けてエアを噴出する。この時、エアノズル８４から噴出されたエアがスピンナテーブル４８に保持されたウエーハＷの外周部に当たる位置から中心部に当たる位置までの揺動範囲で揺動される。その結果、ウエーハＷの表面が乾燥される。
【００６６】
ウエーハＷを乾燥させた後、搬送手段１６によりウエーハＷを吸着して仮置き領域１２に戻し、更に搬出入手段１０によりウエーハカセット８の元の収納場所にウエーハＷは戻される。
【００６７】
このように保護膜９８を光デバイスウエーハＷの表面から除去した後、図１１に示すようなブレーキング装置１０６を用いて、分割起点溝１０２を起点に光デバイスウエーハＷを個々のチップ（デバイス）Ｄに分割する分割ステップを実施する。
【００６８】
この分割ステップでは、ブレーキング装置１０６の円筒１０８の載置面上に環状フレームＦを載置して、クランプ１１０で環状フレームＦをクランプする。そして、バー形状の分割治具１１２を円筒１０８内に配設する。
【００６９】
分割治具１１２は上段保持面１１４ａと下段保持面１１４ｂとを有しており、下段保持面１１４ｂに開口する真空吸引路１１６が形成されている。ここで、分割治具１１２の詳細構造は、特許第４３６１５０６号公報に開示されているので参照されたい。
【００７０】
分割治具１１２による分割ステップを実施するには、分割治具１１２の真空吸引路１１６を矢印１１８で示すように真空吸引しながら、分割治具１１２の上段保持面１１４ａ及び下段保持面１１４ｂを下側からダイシングテープＴに接触させて、分割治具１１２を矢印Ａ方向に移動する。即ち、分割治具１１２を分割しようとするストリートＳ１と直交する方向に移動する。
【００７１】
これにより、分割起点溝１０２が分割治具１１２の上段保持面１１４ａの内側エッジの真上に移動すると、分割起点溝１０２を有するストリートＳ１の部分に曲げ応力が集中して発生し、この曲げ応力で光デバイスウエーハＷはストリートＳ１に沿って割断される。
【００７２】
全ての第１のストリートＳ１に沿っての分割が終了すると、分割治具１１２を９０度回転して、或いは円筒１０８を９０度回転して、第１のストリートＳ１に直交する第２のストリートＳ２を同様に分割する。これにより光デバイスウエーハＷは個々の光デバイスＤに分割される。
【００７３】
上述した実施形態では、保護膜除去ステップを実施してから分割ステップを実施しているが、光デバイスウエーハＷを個々の光デバイスＤに分割した後、保護膜除去ステップを実施するようにしてもよい。
【００７４】
このように上述した実施形態では、ドライエッチングの一種であるプラズマエッチングにより分割起点溝１０２の側面１０２ａをエッチングして歪を除去している。酸を使用しないため、エッチャントのハンドリングや管理、回収、廃棄等がより容易で環境負荷が低い光デバイスウエーハの加工方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００７５】
２ レーザ加工装置
１８ チャックテーブル
２４ レーザビーム照射ユニット
２８ 集光器
３０ 保護膜被覆装置
４８ スピンナテーブル
６６ 水溶性樹脂塗布手段
６８ 水溶性樹脂供給ノズル
７４ 洗浄手段
７８ 洗浄水ノズル
９８ 保護膜
１００ デブリ
１０２ 分割起点溝
１０２ａ 分割起点溝の側面
１０４ プラズマエッチング装置
１０６ ブレーキング装置
１１２ 分割治具
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインと、該分割予定ラインで区画された各領域に形成された光デバイスとを有する光デバイスウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光デバイスの製造プロセスでは、サファイア基板や炭化珪素基板等の結晶成長用基板の表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインで区画される各領域に発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザダイオード（ＬＤ）等の発光素子を形成して、光デバイスウエーハを製造する。
【０００３】
その後、光デバイスウエーハの結晶成長用基板側を研削装置で研削して所定の厚みまで薄化し、更に電極を形成した後、分割予定ラインに沿って分割することで、個々の光デバイス（チップ）を製造している。
【０００４】
光デバイスウエーハの分割には、例えば特開２００３−１２４１５１号公報に開示される切削装置や、スクライブ装置が用いられる。光デバイスウエーハ表面に切削装置やスクライブ装置で溝を形成した後、この溝を起点に個々のチップへと分割する。
【０００５】
一方、近年では、光デバイスウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームをウエーハに照射することでレーザ加工溝を形成し、このレーザ加工溝を分割起点としてブレーキング装置でウエーハを割断してチップへと分割する方法が提案されている（例えば、特開平１０−３０５４２０号公報参照）。
【０００６】
レーザ加工装置によるレーザ加工溝の形成は、ダイサーによるダイシング方法に比べて加工速度を早くすることができるとともに、サファイアやＳｉＣ等の硬度の高い結晶成長用基板を有する光デバイスウエーハであっても比較的容易に加工することができる。また、加工溝を例えば１０μｍ以下等の狭い幅とすることができるので、ダイシング方法で加工する場合に対してウエーハ１枚当たりのデバイス取り量を増やすことができる。
【０００７】
切削、スクライブ又はレーザ加工で形成された加工溝の側面に歪が形成されるが、ブレーキング装置で光デバイスウエーハを割断して個々のチップへと分割する前に、この歪を除去するために、光デバイスウエーハにはウェットエッチングが施される。ウェットエッチングにより歪を除去することで、製造される光デバイスの輝度が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１２４１５１号公報
【特許文献２】特開平１０−３０５４２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、結晶成長用基板に用いられるサファイア基板や炭化珪素基板等が、一般にエッチング性が悪く、ウェットエッチングには主にリン酸が用いられる。リン酸はハンドリングや管理に細心の注意が必要な上、使用後の回収や廃棄にも多くの手間や費用がかかり、環境負荷が高いという問題がある。
【００１０】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、エッチャントのハンドリングや管理、回収、廃棄等がより容易で環境負荷が低い光デバイスウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によると、表面に形成された複数の分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された各領域に形成された光デバイスとを有する光デバイスウエーハの加工方法であって、光デバイスウエーハの表面を保護膜で被覆する保護膜被覆ステップと、該保護膜が被覆された光デバイスウエーハの該分割予定ラインに沿って分割起点溝を形成する溝形成ステップと、該分割起点溝が形成された光デバイスウエーハにドライエッチングを施して、該分割起点溝の側面をエッチングするエッチングステップと、該エッチングステップを実施した後、光デバイスウエーハに外力を付与して該分割起点溝を起点に光デバイスウエーハを個々のチップへと分割する分割ステップと、該分割ステップを実施する前又は後に該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を具備したことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。
【００１２】
好ましくは、前記保護膜は水溶性保護膜から構成され、前記溝形成ステップは、光デバイスウエーハの表面側から光デバイスウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射することで前記分割起点溝を形成し、前記保護膜除去ステップでは、水を用いて該保護膜を除去する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の光デバイスウエーハの加工方法では、ドライエッチングによって分割起点溝の側面がエッチングされる。酸を使用しないため、エッチャントのハンドリングや管理、回収、廃棄等がより容易で環境負荷が低い光デバイスウエーハの加工方法が提供される。
【００１４】
更に、水溶性の保護膜が使用できるため、保護膜の被覆や除去が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】レーザ加工装置の外観斜視図である。
【図２】ダイシングテープを介して環状フレームに支持された光デバイスウエーハを示す斜視図である。
【図３】レーザビーム照射ユニットのブロック図である。
【図４】保護膜被覆装置の一部破断斜視図である。
【図５】スピンナテーブルが上昇されて光デバイスウエーハがスピンナテーブルに保持された状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。
【図６】光デバイスウエーハ表面に水溶性樹脂を塗布する状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。
【図７】保護膜が被覆された光デバイスウエーハの拡大断面図である。
【図８】レーザ加工ステップを示す断面図である。
【図９】エッチングステップを示す断面図である。
【図１０】保護膜除去ステップを示す保護膜被覆装置の縦断面図である。
【図１１】分割ステップを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明の光デバイスウエーハの加工方法で分割起点溝を形成するのに適したレーザ加工装置２の外観が示されている。
【００１７】
レーザ加工装置２の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段４が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるＣＲＴ等の表示手段６が設けられている。
【００１８】
図２に示すように、加工対象の光デバイスウエーハＷの表面においては、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とが直交されて形成されており、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とによって区画された領域に多数の光デバイスＤが形成されている。
【００１９】
ウエーハＷは粘着テープであるダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴの外周縁部は環状フレームＦに貼着されている。これにより、ウエーハＷはダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持された状態となり、図１に示したウエーハカセット８中にウエーハが複数枚（例えば２５枚）収容される。ウエーハカセット８は上下動可能なカセットエレベータ９上に載置される。
【００２０】
ウエーハカセット８の後方には、ウエーハカセット８からレーザ加工前のウエーハＷを搬出するとともに、加工後のウエーハをウエーハカセット８に搬入する搬出入手段１０が配設されている。
【００２１】
ウエーハカセット８と搬出入手段１０との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域１２が設けられており、仮置き領域１２にはウエーハＷを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段１４が配設されている。
【００２２】
３０は保護膜被覆装置であり、この保護膜被覆装置３０は加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。３５は保護膜被覆装置３０の蓋である。仮置き領域１２の近傍には、ウエーハＷと一体となったフレームＦを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段１６が配設されている。
【００２３】
仮置き領域１２に搬出されたウエーハＷは、搬送手段１６により吸着されて保護膜被覆装置３０に搬送される。保護膜被覆装置３０では、後で詳細に説明するようにウエーハＷの加工面に保護膜が被覆される。
【００２４】
加工面に保護膜が被覆されたウエーハＷは、搬送手段１６により吸着されてチャックテーブル１８上に搬送され、チャックテーブル１８に吸引されるとともに、複数の固定手段（クランプ）１９によりフレームＦが固定されることでチャックテーブル１８上に保持される。
【００２５】
チャックテーブル１８は、回転可能且つＸ軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル１８のＸ軸方向の移動経路の上方には、ウエーハＷのレーザ加工すべきストリートを検出するアライメント手段２０が配設されている。
【００２６】
アライメント手段２０は、ウエーハＷの表面を撮像する撮像手段２２を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザ加工すべきストリートを検出することができる。撮像手段２２によって取得された画像は、表示手段６に表示される。
【００２７】
アライメント手段２０の左側には、チャックテーブル１８に保持されたウエーハＷに対してレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット２４が配設されている。レーザビーム照射ユニット２４はＹ軸方向に移動可能である。
【００２８】
レーザビーム照射ユニット２４のケーシング２６中には後で詳細に説明するレーザビーム発振手段等が収容されており、ケーシング２６の先端にはレーザビームを加工すべきウエーハ上に集光する集光器（レーザヘッド）２８が装着されている。
【００２９】
レーザビーム照射ユニット２４のケーシング２６内には、図３のブロック図に示すように、レーザビーム発振手段３４と、レーザビーム変調手段３６が配設されている。レーザビーム発振手段３４としては、ＹＡＧレーザ発振器或いはＹＶＯ４レーザ発振器を用いることができる。レーザビーム変調手段３６は、繰り返し周波数設定手段３８と、レーザビームパルス幅設定手段４０と、レーザビーム波長設定手段４２を含んでいる。
【００３０】
レーザビーム変調手段３６を構成する繰り返し周波数設定手段３８、レーザビームパルス幅設定手段４０及びレーザビーム波長設定手段４２は周知の形態のものであり、本明細書においてはその詳細な説明を省略する。
【００３１】
次に、光デバイスウエーハＷの表面上に保護膜を被服する保護膜被覆装置３０について図４乃至図６を参照して説明する。まず図４を参照すると、保護膜被覆装置３０の一部破断斜視図が示されている。
【００３２】
保護膜被覆装置３０は、スピンナテーブル機構４４と、スピンナテーブル機構４４を包囲して配設された洗浄水受け機構４６を具備している。スピンナテーブル機構４４は、スピンナテーブル（保持テーブル）４８と、スピンナテーブル４８を回転駆動する電動モータ５０と、電動モータ５０を上下方向に移動可能に支持する支持機構５２とから構成される。
【００３３】
スピンナテーブル４８は多孔性材料から形成された吸着チャック（保持面）４８ａを具備しており、吸着チャック４８ａが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナテーブル４８は、吸着チャック４８ａにウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用させることにより、吸着チャック４８ａ上にウエーハを吸引保持する。
【００３４】
スピンナテーブル４８には振り子タイプの一対のクランプ４９が配設されており、スピンナテーブル４８が回転されるとこのクランプ４９が遠心力で揺動して図２に示す環状フレームＦをクランプする。
【００３５】
スピンナテーブル４８は、電動モータ５０の出力軸５０ａに連結されている。支持機構５２は、複数の（本実施形態においては３本）の支持脚５４と、支持脚５４にそれぞれ連結され電動モータ５０に取り付けられた複数（本実施形態においては３本）のエアシリンダ５６とから構成される。
【００３６】
このように構成された支持機構５２は、エアシリンダ５６を作動することにより、電動モータ５０及びスピンナテーブル４８を図５に示す上昇位置であるウエーハ搬入・搬出位置と、図６に示す下降位置である作業位置に位置付け可能である。
【００３７】
洗浄水受け機構４６は、洗浄水受け容器５８と、洗浄水受け容器５８を支持する３本（図４には２本のみ図示）の支持脚６０と、電動モータ５０の出力軸５０ａに装着されたカバー部材６２とから構成される。
【００３８】
洗浄水受け容器５８は、図５に示すように、円筒状の外側壁５８ａと、底壁５８ｂと、内側壁５８ｃとから構成される。底壁５８ｂの中央部には、電動モータ５０の出力軸５０ａが挿入される穴５１が設けられており、内側壁５８ｃはこの穴５１の周辺から上方に突出するように形成されている。
【００３９】
また、図４に示すように、底壁５８ｂには廃液口５９が設けられており、この廃液口５９にドレンホース６４が接続されている。カバー部材６２は円盤状に形成されており、その外周辺から下方に突出するカバー部６２ａを備えている。
【００４０】
このように構成されたカバー部材６２は、電動モータ５０及びスピンナテーブル４８が図６に示す作業位置に位置付けられると、カバー部６２ａが洗浄水受け容器５８を構成する内側壁５８ｃの外側に隙間を持って重なるように位置付けられる。
【００４１】
保護膜被覆装置３０は、スピンナテーブル４８に保持された加工前のウエーハＷに水溶性樹脂を塗布する塗布手段６６を具備している。塗布手段６６は、スピンナテーブル４８に保持された加工前のウエーハの加工面に向けて水溶性樹脂を供給する水溶性樹脂供給ノズル６８と、水溶性樹脂供給ノズル６８を支持する概略Ｌ形状のアーム７０と、アーム７０に支持された水溶性樹脂供給ノズル６８を揺動する正転・逆転可能な電動モータ７２とから構成される。水溶性樹脂供給ノズル６８はアーム７０を介して図示しない水溶性樹脂供給源に接続されている。
【００４２】
保護膜被覆装置３０はレーザ加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。よって、保護膜被覆装置３０は、スピンナテーブル４８に保持された加工後のウエーハを洗浄するための洗浄水供給手段７４及びエア供給手段７６を具備している。
【００４３】
洗浄水供給手段７４は、スピンナテーブル４８に保持された加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する洗浄水ノズル７８と、洗浄水ノズル７８を支持するアーム８０と、アーム８０に支持された洗浄水ノズル７８を揺動する正転・逆転可能な電動モータ８２とから構成される。洗浄水噴射ノズル７８はアーム８０を介して図示しない洗浄水供給源に接続されている。
【００４４】
エア供給手段７６は、スピンナテーブル４８に保持された洗浄後のウエーハに向けてエアを噴出するエアノズル８４と、エアノズル８４を支持するアーム８６と、アーム８６に支持されたエアノズル８４を揺動する正転・逆転可能な電動モータ（図示せず）を備えている。エアノズル８４はアーム８６を介して図示しないエア供給源に接続されている。
【００４５】
次に、このように構成された保護膜被覆装置３０の作用について説明する。ウエーハ搬送手段１６の旋回動作によって加工前のウエーハが保護膜被覆装置３０のスピンナテーブル４８に搬送され、図５に示すように吸着チャック４８ａにより吸引保持される。
【００４６】
この時、水溶性樹脂供給ノズル６８、洗浄水ノズル７８及びエアノズル８４は図４及び図５に示すように、スピンナテーブル４８の上方から隔離した待機位置に位置付けられている。
【００４７】
スピンナテーブル４８でウエーハＷを吸引保持したならば、ウエーハＷの加工面である表面に水溶性樹脂を塗布して保護膜を被覆する保護膜被覆ステップを実施する。保護膜被覆ステップを実施するには、スピンナテーブル４８を図６に示すように１０〜１００ｒｐｍ（好ましくは３０〜５０ｒｐｍ）で回転させながら、ウエーハＷの加工面の中央領域に水溶性樹脂供給ノズル６８から水溶性樹脂６９を滴下する。
【００４８】
スピンナテーブル４８が回転されているため、滴下された水溶性樹脂６９はウエーハＷの加工面にスピンコーティングされ、図７に示すようにウエーハＷの加工面に保護膜９８が形成される。
【００４９】
保護膜９８を形成する液状樹脂としては、ＰＶＡ（ポリ・ビニール・アルコール）ＰＥＧ（ポリ・エチレン・グリコール）、ＰＥＯ（酸化ポリエチレン）等の水溶性のレジストが望ましい。
【００５０】
保護膜被覆ステップによって半導体ウエーハＷの表面に保護膜９８が被覆されたならば、スピンナテーブル４８を図５に示すウエーハ搬入・搬出位置に位置付けるとともに、スピンナテーブル４８に保持されているウエーハの吸引保持を解除する。
【００５１】
そして、スピンナテーブル４８上のウエーハＷは、ウエーハ搬送手段１６によってチャックテーブル１８に搬送され、チャックテーブル１８により吸引保持される。さらに、チャックテーブル１８がＸ軸方向に移動してウエーハＷは撮像手段２２の直下に位置付けられる。
【００５２】
撮像手段２２でウエーハＷの加工領域を撮像して、レーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット２４の集光器２８とストリートＳとの位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザビーム照射位置のアライメントが遂行される。
【００５３】
このようにして、チャックテーブル１８上に保持されているウエーハＷのストリートＳ１又はＳ２を検出し、レーザビーム照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル１８をレーザビームを照射する集光器２８が位置するレーザビーム照射領域に移動し、ウエーハＷのストリートＳ１又はＳ２に沿って集光器２８からレーザビームを保護膜９８を通して照射して、分割起点溝となるレーザ加工溝を形成する。
【００５４】
レーザ加工溝形成ステップにおいては、図８に示すようにレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット２４の集光器２８からウエーハＷの加工面である表面側から保護膜９８を通して所定のストリートＳに向けてパルスレーザビームを照射しながら、チャックテーブル１８をＸ軸方向に所定の送り速度（例えば１００ｍｍ／秒）で移動する。
【００５５】
尚、レーザ加工条件は例えば以下の通りである。
【００５６】
光源 ：ＹＡＧレーザ
波長 ：３５５ｎｍ（ＹＡＧレーザの第３高調波）
出力 ：３．０Ｗ
繰り返し周波数 ：２０ｋＨｚ
集光スポット径 ：１．０μｍ
送り速度 ：１００ｍｍ／秒
【００５７】
レーザ加工溝形成ステップを実施することによって、ウエーハＷにはストリートＳに沿ってレーザ加工溝１０２が形成される。この時、図８に示すようにレーザビームの照射によりデブリ１００が発生しても、このデブリ１００は保護膜９８によって遮断され、デバイスＤの電子回路及びボンディングパッド等に付着することはない。
【００５８】
このようにして、ウエーハＷにレーザ加工溝１０２を形成したら、チャックテーブル１８は最初にウエーハＷを吸引保持した位置に戻され、ここでウエーハＷの吸引保持を解除する。
【００５９】
次いで、環状フレームＦに支持された光デバイスウエーハＷをレーザ加工装置２から取り出し、図９に示すように、プラズマエッチング装置１０４のチャンバー内に搬入する。そして、矢印Ａに示すようにＳＦ６又はＣＦ４を用いたプラズマエッチングを光デバイスウエーハＷに施し、分割起点溝（レーザ加工溝）１０２の側面１０２ａをエッチングして、側面１０２ａから歪を除去する。光デバイスウエーハＷの表面（デバイス形成面）は保護膜９８で被覆されているため、デバイスＤがエッチングされることはない。
【００６０】
プラズマエッチング終了後、光デバイスウエーハＷをレーザ加工装置２のチャックテーブル１８上に再び載置し、光デバイスウエーハＷを搬送手段３２によって保護膜形成装置３０のスピンナテーブル４０まで搬送し、吸着チャック４８ａにより吸引保持する。
【００６１】
この時、水溶性樹脂供給ノズル６８、洗浄水ノズル７８及びエアノズル８４は、図４及び図５に示すようにスピンナテーブル４８の上方から隔離した待機位置に位置づけられている。
【００６２】
そして、図１０に示すように純水源とエア源に接続された洗浄水ノズル７８から純水とエアとからなる洗浄水を噴射しながらウエーハＷを低速回転（例えば３００ｒｐｍ）させることによりウエーハＷを洗浄する。
【００６３】
その結果、ウエーハＷの表面に被覆されていた保護膜９８は水溶性の樹脂によって形成されているので、保護膜９８を容易に洗い流すことができるとともに、レーザ加工時に発生したデブリ１００も除去される。
【００６４】
洗浄工程が終了したら、乾燥工程を実行する。即ち、洗浄水ノズル７８を待機位置に位置付けるとともに、エアノズル８４の噴出口をスピンナテーブル４８上に保持されたウエーハＷの外周部上方に位置付ける。
【００６５】
そして、スピンナテーブル４８を例えば３０００ｒｐｍで回転しつつエアノズル８４からスピンナテーブル４８に保持されているウエーハＷに向けてエアを噴出する。この時、エアノズル８４から噴出されたエアがスピンナテーブル４８に保持されたウエーハＷの外周部に当たる位置から中心部に当たる位置までの揺動範囲で揺動される。その結果、ウエーハＷの表面が乾燥される。
【００６６】
ウエーハＷを乾燥させた後、搬送手段１６によりウエーハＷを吸着して仮置き領域１２に戻し、更に搬出入手段１０によりウエーハカセット８の元の収納場所にウエーハＷは戻される。
【００６７】
このように保護膜９８を光デバイスウエーハＷの表面から除去した後、図１１に示すようなブレーキング装置１０６を用いて、分割起点溝１０２を起点に光デバイスウエーハＷを個々のチップ（デバイス）Ｄに分割する分割ステップを実施する。
【００６８】
この分割ステップでは、ブレーキング装置１０６の円筒１０８の載置面上に環状フレームＦを載置して、クランプ１１０で環状フレームＦをクランプする。そして、バー形状の分割治具１１２を円筒１０８内に配設する。
【００６９】
分割治具１１２は上段保持面１１４ａと下段保持面１１４ｂとを有しており、下段保持面１１４ｂに開口する真空吸引路１１６が形成されている。ここで、分割治具１１２の詳細構造は、特許第４３６１５０６号公報に開示されているので参照されたい。
【００７０】
分割治具１１２による分割ステップを実施するには、分割治具１１２の真空吸引路１１６を矢印１１８で示すように真空吸引しながら、分割治具１１２の上段保持面１１４ａ及び下段保持面１１４ｂを下側からダイシングテープＴに接触させて、分割治具１１２を矢印Ａ方向に移動する。即ち、分割治具１１２を分割しようとするストリートＳ１と直交する方向に移動する。
【００７１】
これにより、分割起点溝１０２が分割治具１１２の上段保持面１１４ａの内側エッジの真上に移動すると、分割起点溝１０２を有するストリートＳ１の部分に曲げ応力が集中して発生し、この曲げ応力で光デバイスウエーハＷはストリートＳ１に沿って割断される。
【００７２】
全ての第１のストリートＳ１に沿っての分割が終了すると、分割治具１１２を９０度回転して、或いは円筒１０８を９０度回転して、第１のストリートＳ１に直交する第２のストリートＳ２を同様に分割する。これにより光デバイスウエーハＷは個々の光デバイスＤに分割される。
【００７３】
上述した実施形態では、保護膜除去ステップを実施してから分割ステップを実施しているが、光デバイスウエーハＷを個々の光デバイスＤに分割した後、保護膜除去ステップを実施するようにしてもよい。
【００７４】
このように上述した実施形態では、ドライエッチングの一種であるプラズマエッチングにより分割起点溝１０２の側面１０２ａをエッチングして歪を除去している。酸を使用しないため、エッチャントのハンドリングや管理、回収、廃棄等がより容易で環境負荷が低い光デバイスウエーハの加工方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００７５】
２ レーザ加工装置
１８ チャックテーブル
２４ レーザビーム照射ユニット
２８ 集光器
３０ 保護膜被覆装置
４８ スピンナテーブル
６６ 水溶性樹脂塗布手段
６８ 水溶性樹脂供給ノズル
７４ 洗浄手段
７８ 洗浄水ノズル
９８ 保護膜
１００ デブリ
１０２ 分割起点溝
１０２ａ 分割起点溝の側面
１０４ プラズマエッチング装置
１０６ ブレーキング装置
１１２ 分割治具
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に形成された複数の分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された各領域に形成された光デバイスとを有する光デバイスウエーハの加工方法であって、
光デバイスウエーハの表面を保護膜で被覆する保護膜被覆ステップと、
該保護膜が被覆された光デバイスウエーハの該分割予定ラインに沿って分割起点溝を形成する溝形成ステップと、
該分割起点溝が形成された光デバイスウエーハにドライエッチングを施して、該分割起点溝の側面をエッチングするエッチングステップと、
該エッチングステップを実施した後、光デバイスウエーハに外力を付与して該分割起点溝を起点に光デバイスウエーハを個々のチップへと分割する分割ステップと、
該分割ステップを実施する前又は後に該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、
を具備したことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。
【請求項２】
前記保護膜は水溶性保護膜から構成され、
前記溝形成ステップは、光デバイスウエーハの表面側から光デバイスウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射することで前記分割起点溝を形成し、
前記保護膜除去ステップでは、水を用いて該保護膜を除去する請求項１記載の光デバイスウエーハの加工方法。
【請求項１】
表面に形成された複数の分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された各領域に形成された光デバイスとを有する光デバイスウエーハの加工方法であって、
光デバイスウエーハの表面を保護膜で被覆する保護膜被覆ステップと、
該保護膜が被覆された光デバイスウエーハの該分割予定ラインに沿って分割起点溝を形成する溝形成ステップと、
該分割起点溝が形成された光デバイスウエーハにドライエッチングを施して、該分割起点溝の側面をエッチングするエッチングステップと、
該エッチングステップを実施した後、光デバイスウエーハに外力を付与して該分割起点溝を起点に光デバイスウエーハを個々のチップへと分割する分割ステップと、
該分割ステップを実施する前又は後に該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、
を具備したことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。
【請求項２】
前記保護膜は水溶性保護膜から構成され、
前記溝形成ステップは、光デバイスウエーハの表面側から光デバイスウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射することで前記分割起点溝を形成し、
前記保護膜除去ステップでは、水を用いて該保護膜を除去する請求項１記載の光デバイスウエーハの加工方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−２３０８５（Ｐ２０１２−２３０８５Ａ）
【公開日】平成２４年２月２日（２０１２．２．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１５７７５４（Ｐ２０１０−１５７７５４）
【出願日】平成２２年７月１２日（２０１０．７．１２）
【出願人】（０００１３４０５１）株式会社ディスコ (2,397)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月２日（２０１２．２．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月１２日（２０１０．７．１２）
【出願人】（０００１３４０５１）株式会社ディスコ (2,397)
【Ｆターム（参考）】
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