【課題】発光デバイスにおいて、多重量子井戸での発熱を抑制する。
【解決手段】発光デバイスは、ｎ型層と、ｐ型層と、活性領域と、基板とを含む。ｎ型層は、活性領域に横方向で電子を注入するために、活性領域に実質的に垂直な第１の接触領域で活性領域と接している。基板は、GaN、サファイア、シリコン、シリコンカーバイド、石英、酸化亜鉛、ガラスおよびガリウムヒ素を含むグループから選択される材料からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は偏光性を有する半導体発光素子に関する。
【解決手段】半導体発光素子４０は、第１導電型半導体層４４、活性層４６及び第２導電型半導体層４８が積層された半導体構造物を含む半導体発光素子において、上記半導体構造物は上記第２導電型半導体層から少なくとも活性層に至るまでの深さを有するように一定方向に沿って配列された複数の溝領域により形成された複数の光ガイド部Ｇを含み、上記複数の光ガイド部は長さ方向に該当する偏光成分が選択的に放出されるようにその幅より大きい長さを有する。 （もっと読む）

【課題】 発光効率が高く信頼性の高い窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態の窒化物半導体素子は、第１の主面上の面内方向に形成された複数の凸部１ａと、隣接する前記凸部の間の凹部１ｂと、を有する基板１と、前記基板１の前記凹部１ａ及び前記凸部１ｂ上に形成されたＡｌ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１Ｎ（０≦ｘ１≦１）第１埋込層２と、前記第１埋込層２上に形成されたＩｎ_ｙＡｌ_ｚＧａ_{１−ｙ−ｚ}Ｎ（０＜ｙ≦１、０≦ｚ≦１）埋込層３と、前記埋込層３上に形成されたＡｌ_ｘ２Ｇａ_１−ｘ２Ｎ（０≦ｘ２≦１）第２埋込層４と、を備える。前記第１埋込層２の前記凹部１ｂの上に形成された部分と、前記第１埋込層２の前記凸部１ａの上に形成された部分とは、互いに結合しない。前記埋込層３の前記凹部１ｂの上に形成された部分と、前記埋込層３の前記凸部１ａの上に形成された部分とは、互いに結合している。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンが形成でき、製造工程の迅速化を図ることが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本実施形態のパターン形成方法は、下地１０の上に第１の膜１１を選択的に形成する工程と、前記第１の膜１１および前記第１の膜に覆われていない前記下地１０の上に、第２の膜１３を形成する工程と、前記第２の膜１３の平均結晶粒径を前記第２の膜１３の膜厚以上に調整する工程と、前記第１の膜１１のエッチャントを前記第２の膜１３の表面に晒し、前記第１の膜１１の上に形成された前記第２の膜１３を前記下地上から選択的に除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】厚み方向の一面側からの光取り出し効率の向上を図れる紫外半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ形窒化物半導体層３とｐ形窒化物半導体層５との間に発光層４を有するとともに、ｎ形窒化物半導体層３に接触するｎ電極６と、ｐ形窒化物半導体層５に接触するｐ電極７とを有し、ｐ形窒化物半導体層５が、発光層４よりもバンドギャップが小さくｐ電極７との接触がオーミック接触となるｐ形コンタクト層５ｂを備えている。ｐ形窒化物半導体層５における発光層４とは反対側の表面に、ｐ電極７の形成領域を避けて凹部８が形成され、凹部８の内底面８ａに、発光層４から放射される紫外光を反射する反射膜９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】大発光量、高発光効率、均一面発光を実現し得るコストの安価な発光ダイオード、それを用いた発光装置、照明装置及びディスプレイを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層２１及びｐ型半導体層２３は、支持層１の一面上で積層されている。p側電極４は、支持層１側に位置するｎ型半導体層２１を、支持層１の側から貫通し、先端がｐ型半導体層２３に達している。ｎ側電極は、ｎ型半導体層２１の、支持層１の側に位置する面に形成された薄膜電極３である。 （もっと読む）

【課題】半導体層に加わる応力を緩和し、発光効率の向上が可能な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１０ｄと第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂと第１絶縁層２１と封止部５０と光学層６０とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１主面１０ｂと第２主面１０ａとを有する半導体積層体１０と、第２主面に設けられた第１、第２電極と、を含む。第１、第２導電部は、それぞれ第１、第２電極に接続され、第２主面に立設された第１、第２柱部を含む。第１絶縁層は第１、第２柱部の少なくとも一部と半導体積層体との間に設けられる。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第１主面に設けられ発光部１０ｄから放出された発光光の波長を変換する波長変換部を含む。 （もっと読む）

【課題】電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１０ｄと第１導電部３０ａと絶縁層２０と第２導電部３０ｂと封止部５０と光学層６０とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１半導体層、発光層及び第２半導体層を含む半導体積層体１０と、第２主面１０ａの側で第１、第２半導体層に接続された第１、第２電極１４、１５と、を含む。第１導電部は、第１電極に接続され、第２半導体層と離間しつつ第２半導体層の一部１２ｐを覆う第１柱部３１ａを含む。絶縁層２０は第２半導体層と第１柱部との間に設けられる。第２導電部は第２電極に接続され第２主面の上に立設される。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第１主面１０ｂに設けられ、波長変換部を含む。 （もっと読む）

【課題】発光素子の耐久性および発光効率を向上させ、小型化を図る。
【解決手段】発光素子は、基板と、第１の半導体層、前記第１の半導体層上に設けられた発光層、および前記発光層の上に設けられた第２の半導体層を有し、前記基板の第１の主面側に設けられた半導体多層構造体と、前記半導体多層構造体の前記第２の半導体層上に設けられた電極と、前記基板を貫通して前記第１の半導体層に接続し、前記基板の第２の主面側に設けられた第１のビア電極と、前記基板および前記半導体多層構造体を貫通して前記電極に接続し、前記基板の前記第２の主面側に設けられた第２のビア電極と、を備え、前記第１のビア電極および前記第２のビア電極の少なくともいずれかのビア電極であって、前記第２の主面側の一部に、凹みが設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、微細壁状部材１１２，１１３は、第１面１０４ａに隣接した第３層１１４と、第２面１０６ａに隣接した第４層１１６と、第３層１１４と第４層１１６とに挟まれた第５層と、を有し、半導体部材１１８は、微細壁状部材１１２，１１３に挟まれており、第１層１０４および第２層１０６の材質は、ＧａＮであり、第３層１１４、第４層１１６、第５層、および半導体部材１１８の材質は、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）であり、第５層のｘの値は、第３層１１４のｘの値、第４層１１６のｘの値、および半導体部材１１８のｘの値より大きく、第５層は、光を発生させ、かつ光を導波させる層であり、第３層１１４および第４層１１６は、第５層で発生した光を導波させる層であり、第１層１０４および第２層１０６は、第５層で発生した光の漏れを抑制する層である。 （もっと読む）

【課題】半導体層とメッキ基板との反りを低減して量産性にすぐれて簡単な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、成長基板３０上に窒化物半導体層１０を形成する工程と、窒化物半導体層１０の上面であるｐ側表面をｐ電極層４とｐ保護層７とで被覆する工程と、ｐ電極層４およびｐ保護層７の上にシード層９を形成する工程と、シード層９の上面において素子間の境界線上の一部に絶縁層２０を形成する工程と、シード層９の上にメッキ層を形成する工程と、絶縁層２０を除去して素子間の境界線上におけるメッキ層の一部に隙間部４０を形成してメッキ基板８とする工程と、成長基板３０を剥離する工程と、成長基板３０を剥離して現れた窒化物半導体層１０のｎ側表面に、素子間の境界線に沿って溝３５を形成する工程と、ｎ側電極５を形成する工程と、メッキ基板８を素子間の境界線に沿って切断する工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】小型半導体発光装置を用いた放熱性が高い光源装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置１１０と、実装基板２５０と、第１接続材２３０ａと、第２接続材２３０ｂと、を備えた光源装置が提供される。半導体発光装置は、発光部１０ｄと、第１導電部３０ａと、第２導電部３０ｂと、封止部５０と、光学層６０と、を含む。実装基板は、基体２０１と、第１基板電極２１０ａ及び第２基板電極２１０ｂと、を含む。接続材は、導電部と基板電極とを電気的に接続する。第１、第２導電部は、発光部の電極に電気的に接続され、第２主面の上に立設された第１、第２柱部を含む。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は波長変換部を含み半導体積層体の第２主面とは反対側に設けられる。第２基板電極の面積は、第２柱部の断面積の１００倍以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオードに関する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板と、第一半導体層と、第二半導体層と、活性層と、第一電極と、第二電極と、三次元ナノ構造体アレイと、を含む。前記第一半導体層、前記活性層、及び前記第二半導体層は、前記基板から離れる方向に順次的に前記基板に積層されている。前記第一電極は、前記第一半導体層に電気的に接続され、前記第二電極は、前記第二半導体層に電気的に接続される。前記三次元ナノ構造体アレイは、前記第二半導体層の前記活性層と隣接する表面とは反対の表面に配置される。前記三次元ナノ構造体アレイは複数のナノ構造体を含み、前記ナノ構造体は梯形三次元ナノ構造体である。 （もっと読む）

【課題】発光面内での電流密度及び輝度のばらつきを低減した半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、第１の絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、前記第２の金属ピラーと、第２の絶縁層と、を備えた。前記半導体層は、第１の主面と、その反対側に形成された第２の主面と、発光層とを含む。前記第１の電極は、前記第２の主面における前記発光層を有する領域に設けられた。前記第２の電極は、前記第２の主面に設けられ、平面視で前記第１の電極に挟まれている。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第５層は、光を発生させ、かつ光を導波させる層であり、第３層１１４および第４層１１６は、第５層で発生した光を導波させる層であり、第１層１０４および第２層１０６は、第５層で発生した光の漏れを抑制する層であり、構造体１１０は、第１面１０４ａおよび第２面１０６ａと接続する第３面１１０ａと、第１面１０４ａおよび第２面１０６ａと接続し、第３面１１０ａと対向する第４面１１０ｂと、を備え、微細壁状部材１１２，１１３は、第１面１０４ａの垂線方向から平面視して、第３面１１０ａから第４面１１０ｂまで設けられ、第３面１１０ａおよび第４面１１０ｂの少なくとも一方には、出射面が設けられ、微細壁状部材１１２，１１３の少なくとも一方と、半導体部材１１８とは、出射面の少なくとも一部を構成し、出射面は、第５層で発生した光を出射する。 （もっと読む）

【課題】発光特性及び注入電流均一性に優れ、十分な耐性を有する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第一の主面１０１ａと第二の主面１０１ｂを有し、窒化物半導体基板１０１と、第一の主面１０１ａに接して形成された第一の窒化物半導体層１０２と、第一の窒化物半導体層１０２の第一の主面１０１ａと接する側とは反対側に形成された、ｎ型窒化物半導体層１０３、活性層１０４及びｐ型窒化物半導体層１０５を含む積層体と、ｎ型窒化物半導体層１０３に電気的に接続されたｎ側電極１０６と、ｐ型窒化物半導体層１０５に電気的に接続されたｐ側電極１０７とを備える。第一の窒化物半導体層１０２は、アンドープの窒化物半導体層である。また、第二の主面１０１ｂが光取り出し面とする窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤや高電子移動度トランジスタなどのデバイス用として有用なＩＩＩ−Ｖ族窒化物品の提供。
【解決手段】自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上に堆積したＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を含むホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物品であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が１Ｅ６／ｃｍ²未満の転位密度を有しており、（ｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間に酸化物を有するか、（ii）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間にエピ中間層を有するか、
（iii）前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板がオフカットされており、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が非（０００１）ホモエピタキシャルステップフロー成長結晶を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の化合物半導体基板に比べて反りが小さく、これによって割れにくく、またハンドリングが容易であるという化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板１１上に発光層１３をエピタキシャル成長させる工程と、該発光層の前記ＧａＡｓ基板と反対側となる片方の主表面（第一主面）にｐ型ＧａＰ窓層１４を気相成長させる工程とを有する化合物半導体基板の製造方法において、前記ｐ型ＧａＰ窓層を気相成長させた後に、該ｐ型ＧａＰ窓層の表面上に厚さ１μｍ以上のＧａＡｓ層１５を気相成長させることを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡便な工程により、横モードが安定した窒化物半導体からなる半導体発光素子を製造できるようにする。
【解決手段】半導体発光素子は、第１のクラッド層１１１、活性層１１３及び第２のクラッド層１１６を有する窒化物半導体層１０１と、活性層１１３に選択的に電流を注入する電流ブロック層１２１とを備えている。第２のクラッド層１１６は、ストライプ状のリッジ部１１６ａ有している。電流ブロック層１２１は、リッジ部１１６ａの両側方の領域にそれぞれ形成され、結晶構造を有する酸化亜鉛からなる。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、樹脂層と、導電材と、を備えた。樹脂層は、第１の金属ピラーの側面と第２の金属ピラーの側面との間に設けられ、導電材は、樹脂層における第１の金属ピラーと第２の金属ピラーとの間の表面に設けられ、第１の金属ピラーと第２の金属ピラーとを電気的に接続する。 （もっと読む）