半導体発光装置及びその製造方法
【課題】電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１０ｄと第１導電部３０ａと絶縁層２０と第２導電部３０ｂと封止部５０と光学層６０とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１半導体層、発光層及び第２半導体層を含む半導体積層体１０と、第２主面１０ａの側で第１、第２半導体層に接続された第１、第２電極１４、１５と、を含む。第１導電部は、第１電極に接続され、第２半導体層と離間しつつ第２半導体層の一部１２ｐを覆う第１柱部３１ａを含む。絶縁層２０は第２半導体層と第１柱部との間に設けられる。第２導電部は第２電極に接続され第２主面の上に立設される。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第１主面１０ｂに設けられ、波長変換部を含む。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１０ｄと第１導電部３０ａと絶縁層２０と第２導電部３０ｂと封止部５０と光学層６０とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１半導体層、発光層及び第２半導体層を含む半導体積層体１０と、第２主面１０ａの側で第１、第２半導体層に接続された第１、第２電極１４、１５と、を含む。第１導電部は、第１電極に接続され、第２半導体層と離間しつつ第２半導体層の一部１２ｐを覆う第１柱部３１ａを含む。絶縁層２０は第２半導体層と第１柱部との間に設けられる。第２導電部は第２電極に接続され第２主面の上に立設される。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第１主面１０ｂに設けられ、波長変換部を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型で低消費電力の発光装置として、青色ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの半導体発光素子と、蛍光体と、を組み合わせることで白色光を発する白色ＬＥＤ発光装置が開発されている。
【０００３】
例えば、ＬＥＤチップをリードフレームや導電性基板にダイボンドしてワイヤーボンドを行った後、ＬＥＤチップ表面に蛍光体を塗布する構成の半導体発光装置が知られている。しかしながら、このような半導体発光装置においては、ＬＥＤチップの他に、リードフレーム、導電性基板及びボンディングワイヤなどのような部材が必要であるため、装置が大きくなり小型化の妨げとなる。
【０００４】
半導体発光素子において、例えば、放熱性や発光効率の向上のために、ｎ形半導体層に設けられるｎ側電極の面積は、ｐ形半導体層に設けられるｐ側電極よりも小さく設定されることが多い。半導体発光素子を小型化したときに、例えばｎ形電極が小さくなり接続がし難くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２１０８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態によれば、発光部と、第１導電部と、絶縁層と、第２導電部と、封止部と、光学層と、を備えた半導体発光装置が提供される。前記発光部は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第１半導体層の側の第１主面と前記第２半導体層の側の第２主面とを有し、前記第２半導体層及び前記発光層が選択的に除去されて前記第２主面において前記第１半導体層の一部が露出した半導体積層体と、前記第２主面の側において前記第１半導体層に電気的に接続された第１電極と、前記第２主面の側において前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、を含む。前記第１導電部は、前記第１電極に電気的に接続された前記第１導電部であって、前記第２半導体層と離間しつつ前記第２半導体層の前記第２主面の側の一部を覆い前記第２主面の上に立設された第１柱部を含む。前記絶縁層は、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１柱部と、の間に設けられる。前記第２導電部は、前記第２電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む。前記封止部は、前記第１導電部の側面及び前記第２導電部の側面を覆う。前記光学層は、前記半導体積層体の前記第１主面に設けられた光学層であって、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む。
【０００８】
本発明の別の実施形態によれば、発光部と、第１導電部と、絶縁層と、第２導電部と、封止部と、光学層と、を有する半導体発光装置の製造方法が提供される。前記発光部は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第１半導体層の側の第１主面と前記第２半導体層の側の第２主面とを有し、前記第２半導体層及び前記発光層が選択的に除去されて前記第２主面において前記第１半導体層の一部が露出した半導体積層体と、前記第２主面の側において前記第１半導体層に電気的に接続された第１電極と、前記第２主面の側において前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、を含む。前記第１導電部は、前記第１電極に電気的に接続された前記第１導電部であって、前記第２半導体層と離間しつつ前記第２半導体層の前記第２主面の側の一部を覆い前記第２主面の上に立設された第１柱部を含む。前記絶縁層は、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１柱部と、の間に設けられる。前記第２導電部は、前記第２電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む。前記封止部は、前記第１導電部の側面及び前記第２導電部の側面を覆う。前記波長変換部は、前記半導体積層体の前記第１主面に設けられた光学層であって、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む。前記製造方法は、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部を覆う前記絶縁層を形成し、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部を覆う前記絶縁層の上に、前記第１導電部の少なくとも一部となる導電膜を形成する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第２の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第２の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的平面図である。
【図９】図９（ａ）〜図９（ｃ）は、第２の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的平面図である。
【図１０】第３の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図１１】第３の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図１２】第４の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図１３】第５の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図１４】図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、第６の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
【図１５】第７の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００１１】
（第１の実施の形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
すなわち、図１（ｂ）は模式的平面図であり、図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【００１２】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１１０は、発光部１０ｄと、第１導電部３０ａと、第２導電部３０ｂと、絶縁層２０と、封止部５０と、光学層６０と、を備える。
【００１３】
発光部１０ｄは、半導体積層体１０と、第１電極１４と、第２電極１５と、を含む。
半導体積層体１０は、第１導電形の第１半導体層１１と、第２導電形の第２半導体層１２と、第１半導体層１１と第２半導体層１２との間に設けられた発光層１３と、を含む。
【００１４】
半導体積層体１０においては、第２半導体層１２及び発光層１３が選択的に除去されて第２半導体層１２の側の第２主面１０ａにおいて第１半導体層１１の一部が露出している。
【００１５】
すなわち、半導体積層体１０は、第１主面１０ｂと、第１主面１０ｂとは反対側の第２主面１０ａと、を有している。第２主面１０ｂの側に第２半導体層１２が配置され、第１主面１０ｂの側に、第１半導体層１１が配置される。第２半導体層１２及び発光層１３の面積は、第１半導体層１１の面積よりも小さく、第２主面１０ａの側において、第１半導体層１１の一部は、第２半導体層１２及び発光層１３に覆われていない。
【００１６】
第１導電形は例えばｎ形であり、第２導電形は例えばｐ形である。ただし、実施形態はこれに限らず、第１導電形がｐ形であり、第２導電形がｎ形でも良い。以下では、第１導電形がｎ形であり、第２導電形がｐ形である場合として説明する。すなわち、第１半導体層１１は、ｎ形半導体層である。第２半導体層１２は、ｐ形半導体層である。
【００１７】
第１半導体層１１、第２半導体層１２及び発光層１３には、例えば、窒化物半導体を用いることができる。第１半導体層１１は、例えばＧａＮを含むｎ形クラッド層である。第２半導体層１２は、例えばｐ形クラッド層である。発光層１３は、例えば量子井戸層と、量子井戸層に積層された障壁層と、を有する。発光層１３は、例えば、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有することができる。
【００１８】
ここで、第２主面１０ａから第１主面１０ｂに向かう方向をＺ軸方向とする。すなわち、Ｚ軸方向は、第１半導体層１１、発光層１３及び第２半導体層１２の積層方向である。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００１９】
半導体積層体１０は、例えば、サファイアなどの基板の上に、第１半導体層１１となる結晶、発光層１３となる結晶、及び、第２半導体層１２となる結晶が順次成長され、その後、所定の領域の、第１半導体層１１の一部、発光層１３、及び、第２半導体層１２が除去されて形成される。
【００２０】
第１電極１４は、第２主面１０ａの側において第１半導体層１１に電気的に接続される。第２電極１５は、第２主面１０ａの側において第２半導体層１２に電気的に接続される。第１電極１４は、例えばｎ側電極であり、第２電極１５は、例えばｐ側電極である。発光部１０ｄにおいて、第１電極１４と第２電極１５とを介して、半導体積層体１０に電流を供給することで、発光層１３から光（発光光）が放出される。
【００２１】
このように、発光部１０ｄは、第１主面１０ｂと、第１主面１０ｂとは反対側の第２主面１０ａと、第２主面１０ａに設けられた第１電極１４と及び第２電極１５と、を有する。
【００２２】
第１導電部３０ａは、第１電極１４に電気的に接続される。第１導電部３０ａは、第１柱部３１ａを含む。第１柱部３１ａは、第２半導体層１２と離間しつつ第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆い、第２主面１０ａの上に立設される。第１柱部３１ａは、例えばＺ軸方向に沿って延在する部分を少なくとも含む。
【００２３】
絶縁層２０は、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の上記の一部１２ｐと、第１柱部３１ａと、の間に設けられる。絶縁層２０によって、第２半導体層１２と第１柱部３１ａとは電気的に遮断される。
【００２４】
絶縁層２０は、第１導電部３０ａと第１電極１４との電気的な接続を実現するために、第１電極１４の少なくとも一部の上には設けられていない。絶縁層２０は、例えば、第１開口部２０ｏ１を有し、第１開口部２０ｏ１において、第１導電部３０ａと第１電極１４との電気的な接続が行われる。なお、第１開口部２０ｏ１は、絶縁層２０を貫通する孔を含むことができる。ただし、実施形態はこれに限らず、第１開口部２０ｏ１は、絶縁層２０の端部のうち、第１電極１４の端部から後退し、第１電極１４を露出させる部分を便宜的に含むことができる。すなわち、第１開口部２０ｏ１は、絶縁層２０のうちで第１電極１４の少なくとも一部を露出させる部分を含むことができ、その形状は任意である。第１開口部２０ｏ１の数は、任意である。
【００２５】
第２導電部３０ｂは、第２電極１５に電気的に接続される。第２導電部３０ｂは、第２主面１０ａの上に立設された第２柱部３１ｂを含む。第２柱部３１ｂは、Ｚ軸方向に沿って延在する部分を少なくとも含む。
【００２６】
本具体例では、第１柱部３１ａから第２柱部３１ｂに向かう方向に沿った、半導体積層体１０の辺の方向が、Ｘ軸方向に設定されている。
【００２７】
なお、絶縁層２０は、第２電極１５の少なくとも一部をさらに露出する。これにより、第２導電部３０ｂと第２電極１５との電気的な接続が行われる。すなわち、絶縁層２０は、例えば、第２電極１５の側の第２開口部２０ｏ２を有し、第２開口部２０ｏ２において、第２導電部３０ｂと第２電極１５との電気的な接続が行われる。この場合も、第２開口部２０ｏ２は、絶縁層２０を貫通する孔を含む。また、第２開口部２０ｏ２は、第２電極１５の端部から後退し第２電極１５を露出させる部分を便宜的に含むことができる。すなわち、第２開口部２０ｏ２は、絶縁層２０のうちで第２電極１５の少なくとも一部を露出させる部分を含むことができ、その形状は任意である。第２開口部２０ｏ２の数は、任意である。
【００２８】
封止部５０は、第１導電部３０ａの側面、及び、第２導電部３０ｂの側面を覆う。すなわち、封止部５０は、第１柱部３１ａの側面、及び、第２柱部３１ｂの側面を覆う。封止部５０は、第１導電部３０ａの半導体積層体１０とは反対の側の第１端面３１ａｅを露出する。また、封止部５０は、第２導電部３０ｂの半導体積層体１０とは反対の側の第２端面３１ｂｅを露出する。なお、第１端面３１ａｅは、第１柱部３１ａの半導体積層体１０とは反対の側の端面である。また、第２端面３１ｂｅは、第２柱部３１ｂの半導体積層体１０とは反対の側の端面である。
【００２９】
光学層６０は、半導体積層体１０の第２主面１０ａとは反対側の第１主面１０ｂに設けられる。光学層６０は、蛍光体層６１（波長変換部）を含む。蛍光体層６１は、発光層１３から放出された発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長の光を放出する。
【００３０】
本具体例では、光学層６０は、例えば蛍光体を含む蛍光体層６１と、蛍光体層６１と半導体積層体１０との間に設けられた透光部６２と、を含む。透光部６２は、発光層１３から放出される発光光に対する透光性を有する。透光部６２は、例えばレンズ作用や屈折作用などの光の進行方向を変化させる作用を有することができる。これにより、発光層１３で発生した光の放射角や色ずれを調整することができる。透光部６２は必要に応じて設けられ、透光部６２は場合によっては省略できる。
【００３１】
蛍光体層６１は、例えば透光性の樹脂と、この樹脂に分散された蛍光体と、を含む。蛍光体は、発光層１３から放出された発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長の光を放出する。なお、蛍光体層６１は、複数種の蛍光体を含むことができる。蛍光体には、例えば、黄色光を放出する蛍光体、緑色光を放出する蛍光体、及び、赤色光を放出す蛍光体など、任意の色を放出する蛍光体を用いることができる。また、蛍光体層６１は、波長が異なる蛍光体を含む積層された複数の層を含むこともできる。
【００３２】
半導体発光装置１１０においては、第１導電部３０ａ、第１電極１４、第２導電部３０ｂ及び第２電極１５を介して、半導体積層体１０に電流が供給され、これにより、発光層１３から光（発光光）が放出される。発光光は、例えば、青色光、紫色光及び紫外光などの比較的短い波長の光とすることができる。
【００３３】
発光層１３から放出された例えば青色の発光光は、光学層６０の内部に進行し、蛍光体層６１によって例えば黄色の光に波長が変換される。そして、発光層１３から放出された例えば青色の発光光と、蛍光体層６１で得られた例えば黄色の光と、が合成される。これにより、半導体発光装置１１０は、白色光を発光することができる。
【００３４】
なお、発光層１３から放出される発光光の波長、及び、蛍光体層６１で変換された光の波長は任意である。また、半導体発光装置１１０から出射する光の色は、白色の他、任意の色とすることができる。
【００３５】
本具体例では、発光部１０ｄは、半導体積層体１０の第２主面１０ａの側の第１電極１４及び第２電極１５を除く部分に設けられた保護層１８をさらに含む。保護層１８は、半導体積層体１０の端部を覆う。保護層１８には、絶縁材料を用いることができる。これにより、例えば、第１電極１４と第２電極１５との間の絶縁性が向上する。保護層１８は、半導体積層体１０の端部の全部を覆うこともできる。また、保護層１８は、半導体積層体１０の端部の一部を覆うこともできる。この保護層１８には、例えば酸化シリコンなどを用いることができる。ただし、実施形態はこれに限らず、保護層１８には任意の絶縁材料を用いることができる。また、保護層１８は必要に応じて設けられ、場合によっては省略できる。
【００３６】
第２電極１５は積層構造を有することができる。例えば、第２電極１５は、導電層と、その導電層と第２半導体層１２との間に設けられた反射層（図示しない）を含むことができる。これにより、発光層１３から放出され、第２主面１０ａの側に進行する光が反射層で反射され、光を光学層６０の側に効率良く進行させることができる。
【００３７】
本具体例では、第１導電部３０ａは、第１接続部３２ａをさらに含む。第１接続部３２ａは、絶縁層２０の少なくとも一部を覆い、第１電極１４と第１柱部３１ａとを電気的に接続する。第１接続部３２ａは、例えばＸ−Ｙ平面に沿って延在する部分を含むことができる。
【００３８】
また、第２導電部３０ｂは、第２接続部３２ｂをさらに含むことができる。第２接続部３２ｂは、第２電極１５と第２柱部３１ｂとを電気的に接続する。第２接続部３２ｂは、例えばＸ−Ｙ平面に沿って延在する部分を含むことができる。
【００３９】
第１柱部３１ａ、第１接続部３２ａ、第２柱部３１ｂ及び第２接続部３２ｂには、例えば、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、及び、Ａｌ（アルミニウム）などの金属を用いることができる。ただし、実施形態はこれに限らず、第１柱部３１ａ、第１接続部３２ａ、第２柱部３１ｂ及び第２接続部３２ｂに用いられる材料は任意である。
【００４０】
封止部５０は、第１接続部３２ａの側面、第１柱部３１ａの側面、第２接続部３２ｂの側面、及び、第２柱部３１ｂの側面を覆う。封止部５０には、例えばエポキシ樹脂などの樹脂を用いることができる。封止部５０に用いられる樹脂は、例えば石英フィラーやアルミナフィラーなどのフィラーを含有することができる。これにより、封止部５０の熱伝導率を上昇させることができ、これにより放熱性を高め、半導体積層体の温度上昇を抑制でき、発光効率を向上できる。
【００４１】
第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の上記の一部１２ｐと、第１柱部３１ａと、の間に設けられる絶縁層２０には、例えば、ポリイミドなどの樹脂を用いることができる。
【００４２】
半導体発光装置１１０においては、第１導電部３０ａの第１柱部３１ａが、絶縁層２０を介して第２半導体層１２の一部を覆う構成が採用されている。これにより、第１柱部３１ａの半導体積層体１０とは反対側の端面（第１端面３１ａｅ）の面積は、第１電極１４の面積よりも大きく設定される。
【００４３】
発光部１０ｄにおいては、高い放熱性や高い発光効率を得るために、半導体積層体１０に設けられる２つの電極の一方の面積が大きく、他方が小さく設定される。本具体例では、ｎ形半導体の第１半導体層１１に接続される第１電極１４の面積（Ｚ軸方向からみたときの第１電極１４の面積）は、ｐ形半導体の第２半導体層１２に接続される第２電極１５の面積（Ｚ軸方向からみたときの第２電極１５の面積）よりも小さく設定されている。
【００４４】
一方、半導体発光装置１１０の外部と、半導体発光装置１１０と、の電気的な接続は、第１導電部３０ａ及び第２導電部３０ｂを介して行われる。
このため、半導体発光装置１１０において良好な接続性を得るためには、封止部５０から露出する第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅの面積、及び、封止部５０から露出する第２導電部３０ｂの第２端面３１ｂｅの面積をできるだけ大きくすることが望ましい。また、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとの間隔は、例えば、第１端面３１ａｅの辺の長さ（例えばＸ軸方向に沿った辺の長さ）程度に広く設定されることが望ましい。
【００４５】
半導体発光装置１１０が小型化され、その外形（特に、Ｘ−Ｙ平面に対して平行な面の面積）が小さくなった場合において、良好な接続性を維持することが重要である。
【００４６】
例えば、ｎ形半導体の第１半導体層１１に接続される第１電極１４の面積が、ｐ形半導体の第２半導体層１２に接続される第２電極１５の面積よりも小さく設定されており、第１電極１４に接続される第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅの面積が第１電極１４の面積と同じように小さい比較例においては、接続性が劣化する場合がある。このため、接続不良が発生し易い。また、接続性が劣化し易いことが、半導体発光装置１１０の小型化を妨げる。
【００４７】
本実施形態に係る半導体発光装置１１０においては、第１半導体層１１用の第１電極１４に接続される第１導電部３０ａの第１柱部３１ａが、第２半導体層１２と離間しつつ、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う。これにより、第１柱部３１ａの断面積（Ｘ−Ｙ平面で切断したときの断面積）を、第１電極１４の面積よりも大きくできる。そして、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐと、第１柱部３１ａと、の間に設けられた絶縁層２０によって、第１柱部３１ａと第２半導体層１２とが電気的に遮断される。このような構成を採用することで、第１電極１４の面積が小さい場合においても、第１電極１４に接続される第１柱部３１ａ（第１導電部３０ａ）の第１端面３１ａｅの面積が大きくでき、良好な接続性を実現できる。
【００４８】
このように、本実施形態に係る半導体発光装置１１０によれば、電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置が提供できる。
【００４９】
このような構成の効果は、半導体発光装置１１０が小型化され、その外形（特に、Ｘ−Ｙ平面に対して平行な面）が小さくなった場合において、特に効果的に発揮される。そして、第１電極１４の面積が、第２電極１５の面積よりも小さい場合に、特に効果的に発揮される。
【００５０】
なお、半導体発光装置１１０を例えばプリント配線基板に搭載する場合、量産型のプリント配線基板の配線技術における精度から、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとの間隔は、例えば２００マイクロメートル（μｍ）以上とすることが望ましい。ただし、実施形態はこれに限らず、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとの間隔は任意である。
【００５１】
また、第１導電部３０ａの側面と半導体発光装置１１０の外面との距離、及び、第２導電部３０ｂの側面と半導体発光装置１１０の外面との距離は、例えば、封止部５０に用いられる樹脂に含まれるフィラーの径以上とすることが望ましい。例えば、第１端面３１ａｅと、半導体発光装置１１０の外面（Ｚ軸方向に沿った面）と、の距離、及び、第２端面３１ｂｅと、半導体発光装置１１０の外面（Ｚ軸方向に沿った面）と、の距離は、一般的な熱硬化性樹脂の場合には例えば５０μｍ以上とすることが望ましい。ただし、実施形態はこれに限らず、第１端面３１ａｅと半導体発光装置１１０の外面との距離、及び、第２端面３１ｂｅと半導体発光装置１１０の外面との距離は、任意である。
【００５２】
半導体発光装置１１０のＸ−Ｙ平面に平行な面の大きさは、下面電極タイプの電子部品の最小サイズとされることができる。例えば、半導体発光装置１１０のＸ−Ｙ平面に平行な面は、６００μｍ×３００μｍの長方形とすることができる。例えば、半導体発光装置１１０の外形は、例えば６００μｍ×３００μｍ×３００μｍの直方体とすることができる。また、半導体発光装置１１０のＸ−Ｙ平面に平行な面は、１０００μｍ×５００μｍの長方形とすることができる。例えば、半導体発光装置１１０の外形は、例えば１０００μｍ×５００μｍ×５００μｍの直方体とすることができる。ただし、実施形態はこれに限らず、半導体発光装置１１０のＸ−Ｙ平面に対して平行な面の大きさ及び形状、並びに、半導体発光装置１１０の大きさ及び形状は、任意である。
【００５３】
本実施形態に係る半導体発光装置１１０においては、第１導電部３０ａ（例えば第１柱部３１ａ）及び第２導電部３０ｂ（例えば第２柱部３１ｂ）の断面積（Ｘ−Ｙ平面で切断した時の断面積）を大きくすることができる。すなわち、発光部１０ｄにおいて熱の放熱経路である第１導電部３０ａ及び第２導電部３０ｂの断面を大きくすることができる。第１導電部３０ａ（例えば第１柱部３１ａ）及び第２導電部３０ｂ（例えば第２柱部３１ｂ）として、熱伝導率が高い例えば金属を用いることで、半導体積層体１０において発生する熱の放熱経路の熱抵抗が小さくなり、放熱性が高まる。
【００５４】
なお、半導体発光装置１１０と接続される例えばプリント配線板と、半導体発光装置１１０と、の電気的な接続は、第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅとプリント配線板の電極との間、及び、第２導電部３０ｂの第２端面３１ｂｅとプリント配線板の電極との間、を例えばはんだ材を用いて接続することによって行われる。はんだ材の熱伝導率は、第１導電部３０ａ及び第２導電部３０ｂに用いられる例えば銅の熱伝導率の１／７程度と小さい。このため、放熱性を高めるためには、はんだ接合部の断面積を大きくすることが効果的である。
【００５５】
本実施形態に係る半導体発光装置１１０においては、第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅの面積、及び、第２導電部３０ｂの第２端面３１ｂｅの面積を大きくすることができるので、はんだ接合部の断面積が大きくできる。このため、半導体発光装置１１０の構成により、放熱性が向上できる。
【００５６】
半導体積層体１０の厚さは、例えば５μｍ以上６μｍ以下程度と薄く、さらに、半導体積層体１０の熱伝導率は金属よりも低い。このため、発光層１３で発生した熱のうちの一部が、半導体積層体１０中をＸ−Ｙ平面に沿った方向に伝わり、半導体積層体１０において熱が蓄積され易く、発光層１３では温度が上昇し易い。
【００５７】
このとき、本実施形態に係る半導体発光装置１１０においては、発光層１３に対向する位置（すなわち、第２半導体層１２に対向する位置）に、熱伝導率が高い第２導電部３０ｂを設けることで、半導体積層体１０で発生する熱を、効率的にＺ軸方向及びＸ−Ｙ平面方向に伝導させ、発光層１３の昇温を抑制することができる。また、発光層１３の温度を均一化することができる。
【００５８】
なお、第１導電部３０ａ及び第２導電部３０ｂの熱伝導経路の断面積を大きくするほど、放熱効果は大きくなる。例えば、第１柱部３１ａの断面積（第１柱部３１ａをＸ−Ｙ平面で切断したときの断面積）及び第２柱部３１ｂの断面積（第２柱部３１ｂをＸ−Ｙ平面で切断したときの断面積）を大きくするほど放熱効果が大きくなる。また、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂを設ける場合は、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂの厚さ（Ｚ軸方向に沿った厚さ）を大きくするほど放熱効果が大きくなる。
【００５９】
このように、本実施形態に係る半導体発光装置１１０によれば、さらに、放熱性を向上でき、発光効率が向上でき、信頼性を向上できる。
【００６０】
以下、半導体発光装置１１０の構成の例についてさらに説明する。
半導体発光装置１１０のＸ軸方向に沿った辺の長さは、例えば６００μｍとすることができる。半導体発光装置１１０のＹ軸方向に沿った辺の長さは、例えば３００μｍとすることができる。以下では、半導体発光装置１１０のＸ軸方向に沿った辺の長さが６００μｍであり、Ｙ軸方向に沿った辺の長さが３００μｍである場合についての構成の例について説明する。
【００６１】
第１半導体層１１のＸ軸方向に沿った辺の長さは、例えば５７０μｍとすることできる。また、第１半導体層１１のＹ軸方向に沿った辺の長さは、例えば２７０μｍとすることができる。
【００６２】
なお、Ｘ軸方向は、第１柱部３１ａから第２柱部３１ｂに向かう方向に沿った、半導体積層体１０の辺の方向とされている。
Ｘ軸方向（第１柱部３１ａから第２柱部３１ｂに向かう方向）に沿った半導体発光装置１１０の長さは、Ｙ軸方向（第１柱部３１ａから第２柱部３１ｂに向かう方向と、第２主面１０ａから第１主面１０ｂに向かう方向と、に対して直交する方向）に沿った半導体発光装置１１０の長さよりも長く設定することができる。
【００６３】
また、Ｘ軸方向に沿った第１半導体層１１の長さは、Ｙ軸方向に沿った第１半導体層１１の長さよりも長く設定することができる。
これにより、Ｘ軸方向に沿って第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとを配置したときにおいて、第１端面３１ａｅのサイズと第２端面３１ｂｅのサイズと、を大きく設定できる。これにより、電極の接続性がより向上できる。
【００６４】
蛍光体層６１には、例えば、光を吸収し、その光の波長よりも長い波長を有する光を放出する蛍光体の粒子を混合した樹脂を用いることができる。この蛍光体は、例えば、青色光、紫光、及び、紫外光の少なくともいずれかの光を吸収し、その光よりも長い波長を有する光を放出する。また、蛍光体が混合される樹脂には、例えばシリコーン樹脂が用いられる。蛍光体層６１の厚さは、例えば２００μｍとされる。蛍光体層６１に用いられるシリコーン樹脂には、例えば、屈折率が約１．５のメチルフェニルシリコーンを用いることができる。ただし、実施形態はこれに限らず、蛍光体層６１に含まれる樹脂及び蛍光体は任意である。
【００６５】
なお、既に説明したように、第２電極１５は、導電層と、その導電層と第２半導体層１２との間に設けられた反射層を含むことができる。この反射層は、例えばＡｇ及びＡｌの少なくともいずれかを含有することができる。この反射層の厚さは、例えば０．３μｍとすることができる。この反射層は、例えば、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の実質的に全部の領域に設けることができる。これにより、発光層１３から放出された発光光を効率的に第１主面１０ｂに向けて反射することができる。ただし、反射層が設けられる領域は、任意であり、例えば、反射層は、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部の領域に設けても良い。
【００６６】
また、第２電極１５は、上記の反射層と、第２半導体層１２と、の間に設けられたコンタクト電極層をさらに含んでも良い。このコンタクト電極層は、例えば、Ａｕ層（金層）と、Ａｕ層と第２半導体層１２との間に設けられたＮｉ層（ニッケル層）と、を含むことができる。なお、Ｎｉ層の厚さは０．１μｍとすることができ、Ａｕ層の厚さは０．１μｍとすることができる。
【００６７】
第１電極１４は、例えば、Ａｕ層と、Ａｕ層と第１半導体層１１との間に設けられたＮｉ層と、を含むことができる。このＡｕ層の厚さは例えば０．１μｍとすることができ、このＮｉ層の厚さは０．１μｍとすることができる。第１電極１４は、例えば、第１半導体層１１の第２主面１０ａの側の実質的に全部の領域に設けられることができる。ただし、第１電極１４が設けられる領域は任意であり、第１電極１４は第１半導体層１１の第２主面１０ａの側の少なくとも一部に設けられる。
なお、第１電極１４は、導電層と、導電層と第１半導体層１１との間に設けられた反射層と、を含んでも良い。このように、第１電極１４は積層構造を有することができる。
【００６８】
第２電極１５の導電層は、例えば、Ａｕ層と、Ａｕ層と第２半導体層１２との間に設けられたＮｉ層と、を含むことができる。このＡｕ層の厚さは例えば０．１μｍとすることができ、このＮｉ層の厚さは０．１μｍとすることができる。第２電極１５は、例えば、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の実質的に全部の領域に設けられることができる。ただし、第２電極１５が設けられる領域は任意であり、第２電極１５は第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の少なくとも一部に設けられる。
【００６９】
第１導電部３０ａに含まれる第１接続部３２ａには、例えばＣｕ等の金属が用いられる。第１接続部３２ａは、第１層と、第２層と、を含むことができる。第１層は、第２層と第１電極１４との間に設けられる。すなわち、第１層は第１電極１４に接する。第１層は、例えばシード層であり、第２層は、例えばメッキ層である。第１層の面積は、第１電極１４の面積と同等か、第１電極１４の面積以下とすることができる。第２層の面積は、例えば、２５０μｍ×１５０μｍとすることができる。第１層の厚さは、例えば約１μｍとすることができる。第２層の厚さは、例えば１０μｍとすることができる。
【００７０】
第２導電部３０ｂに含まれる第２接続部３２ｂには、例えばＣｕ等の金属が用いられる。第２接続部３２ｂは、第３層と、第４層と、を含むことができる。第３層は、第４層と第２電極１５との間に設けられる。すなわち、第３層は第２電極１５に接する。第３層は、例えばシード層であり、第４層は、例えばメッキ層である。第３層は、第１層と同層であり、第３層には、第１層に用いられる材料と同じ材料を用いることができる。第４層は第２層と同層であり、第４層には、第２層に用いられる材料と同じ材料を用いることができる。第３層の面積は、第２電極１５の面積と同等か、第２電極１５の面積以下とすることができる。第４層の面積は、例えば、２５０μｍ×３５０μｍとすることができる。第３層の厚さは、例えば約１μｍとすることができる。第４層の厚さは、例えば１０μｍとすることができる。
【００７１】
ただし、第１〜第４層の面積、形状及び厚さは任意である。また、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂは、単層の薄膜でも良く、上記のように、積層膜でも良い。また、第１接続部３２ａは、第１層及び第２層に積層された他の層をさらに有しても良い。また、第２接続部３２ｂは、第３層及び第４層に積層された他の層をさらに有しても良い。
【００７２】
第１柱部３１ａには、例えばＣｕ等の金属を用いることができる。第１柱部３１ａのＸ−Ｙ平面で切断したときの断面は、例えば、２００μｍ×１５０μｍの長方形とすることができる。第１柱部３１ａの厚さ（Ｚ軸方向に沿った長さ）は、例えば６０μｍ程度とすることができる。第１接続部３２ａによって、第１電極１４と第１柱部３１ａとが電気的に接続される。
【００７３】
第２柱部３１ｂには、例えばＣｕ等の金属を用いることができる。第２柱部３１ｂのＸ−Ｙ平面で切断したときの断面は、例えば、２００μｍ×１５０μｍの長方形とすることができる。第２柱部３１ｂの厚さ（Ｚ軸方向に沿った長さ）は、例えば６０μｍ程度とすることができる。第２接続部３２ｂによって、第２電極１５と第２柱部３１ｂとが電気的に接続される。
【００７４】
第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂに用いられる材料、断面の形状、断面積及び厚さは上記に限らず任意である。
【００７５】
封止部５０には、例えば、熱硬化性樹脂を用いることができる。封止部５０の厚さは、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂの厚さと同程度であり、例えば、６０μｍ程度である。封止部５０は、第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅ、及び、第２導電部３０ｂの第２端面３１ｂｅを露出しつつ、第１導電部３０ａの側面（第１柱部３１ａの側面及び第１接続部３２ａの側面）、及び、第２導電部３０ｂの側面（第２柱部３１ｂの側面及び第２接続部３２ｂの側面）を覆う。封止部５０は、さらに、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂの半導体積層体１０とは反対側の面を覆うことができる。さらに、封止部５０は、半導体積層体１０の第２主面１０ａの側の全体を覆うことができる。
【００７６】
なお、後述するように、封止部５０は、第１封止層と第２封止層とを含むことができる。第１封止層は、第２封止層と半導体積層体１０との間に設けられる。このように、封止部５０は、２層構造を有することができる。第１封止層には、例えばポリイミドを用いることができる。第２封止層には、例えばエポキシ系熱硬化性樹脂を用いることができる。
【００７７】
以下、半導体発光装置１１０の製造方法の例について説明する。
図２（ａ）〜図２（ｅ）、図３（ａ）〜図３（ｅ）、及び、図４（ａ）〜図４（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
すなわち、これらの図は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面に相当する断面図である。
本製造方法は、複数の半導体発光装置１１０をウェーハレベルで一括して製造する方法である。
【００７８】
図２（ａ）に表したように、半導体積層体１０が形成された基板１０ｓが用いられる。なお、基板１０ｓには、例えばサファイア基板が用いられる。基板１０ｓのサイズは、例えば直径が４インチであり、基板１０ｓの厚さは、例えば５００μｍ程度である。なお、半導体積層体１０の形成方法は、例えば以下である。すなわち、基板１０ｓ上に、窒化物半導体の、第１半導体層１１となる結晶膜、発光層１３となる結晶膜、及び、第２半導体層１２となる結晶膜が、エピタキシャル成長され、これらの結晶膜が、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）処理によりエッチングされ、第２主面１０ａの側に第１半導体層１１の一部を露出させる。さらに、これらの結晶膜が、例えばＲＩＥ処理により加工され、個別化され、複数の半導体積層体１０が形成される。
【００７９】
次に、図２（ｂ）に表したように、半導体積層体１０の第２主面１０ａに、第１電極１４及び第２電極１５となる膜を形成し、所定の形状にこの膜を加工し、第１電極１４及び第２電極１５を形成する。さらに、保護層１８を形成する。なお、図２（ｂ）においては、煩雑さを避けるために、保護層１８は図示されていない。
【００８０】
具体的には、例えば、半導体積層体１０の第２主面１０ａに、コンタクト電極層となる膜を形成する。すなわち、厚さが０．１μｍのＮｉ膜を形成し、その上に厚さが０．１μｍのＡｕ膜を形成する。これにより、コンタクト電極層となる膜が形成される。Ｎｉ膜及びＡｕ膜の形成には例えばスパッタ法を用いることができる。さらに、このＡｕ膜の上に、反射層となる層が形成される。すなわち、反射層として、Ａｇ及びＡｌの少なくともいずれかを含む、例えば厚さが０．３μｍの膜が形成される。この場合にもスパッタ法を用いることができる。これにより、反射層となる膜が形成される。
【００８１】
さらに、反射層となる膜の上に、第１電極１４及び第２電極１５の導電層となる導電膜が形成される。すなわち、反射層となる膜の上に、例えば０．１μｍのＮｉ膜を形成し、その上に厚さが０．１μｍのＡｕ膜を形成する。このＮｉ膜及びＡｕ膜の形成にも、例えばスパッタ法を用いることができる。
【００８２】
上記のコンタクト電極層となる膜、反射層となる膜、第１電極１４及び第２電極１５の導電層となる導電膜を所定の形状に加工する。これにより、第１電極１４及び第２電極１５が形成される。なお、上記の各膜の加工には、例えばリフトオフ法などの任意の方法を用いることができる。なお、コンタクト電極層、反射層、及び、第１電極１４の導電層は、互いに異なるパターン形状を有することができる。また、コンタクト電極層、反射層、及び、第２電極１５の導電層は、互いに異なるパターン形状を有することができる。
【００８３】
さらに、第１電極１４の少なくとも一部を除く領域、及び、第２電極１５の少なくとも一部を除く領域に、保護層１８となる、例えば、厚さが０．３μｍのＳｉＯ２膜を例えばＣＶＤ法により形成し、例えばドライエッチングやウエットエッチングによって加工し、保護層１８を形成する。
【００８４】
次に、図２（ｃ）に表したように、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０を形成する。この絶縁層２０は、第１電極１４の少なくとも一部を除く領域、及び、第２電極１５の少なくとも一部を除く領域に形成される。なお、本具体例では、絶縁層２０は、複数の半導体積層体１０どうしの間にも設けられる。
【００８５】
絶縁層２０には、例えばポリイミドやＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール）が用いられる。すなわち、例えば、半導体積層体１０の第２主面１０ａの全面に、絶縁層２０となるポリイミド膜を形成し、例えばマスクを用いた露光と、現像と、を行うことにより、選択的に絶縁層２０を形成する。加工された絶縁層２０は、必要に応じてベーキングされる。
【００８６】
そして、この後、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０の上に、第１導電部３０ａの少なくとも一部となる導電膜を形成する。この導電膜は、第２導電部３０ｂの少なくとも一部となることもできる。さらに、この導電膜は、絶縁層２０に覆われていない第１電極１４の少なくとも一部と、絶縁層２０に覆われていない第２電極１５の少なくとも一部と、を覆うように、形成されることができる。具体的には以下の処理が行われる。
【００８７】
すなわち、図２（ｄ）に表したように、例えば、基板１０ｓの第２主面１０ａの側の全面に、第１接続部３２ａの第１層、及び、第２接続部３２ｂの第３層、となるシード層３３を形成する。シード層３３は、例えば、蒸着法やスパッタ法などの物理的被着法により形成される。シード層３３は、後述するメッキ工程における給電層として機能する。シード層３３には、例えば、Ｔｉ膜とＣｕ膜との積層膜を用いることができる。なお、シード層３３のＴｉ層により、Ｃｕ膜と、レジストやパッド（第１電極１４及び第２電極１５）と、の密着強度を高めることができる。Ｔｉ層の厚さは、例えば０．２μｍ程度とされる。一方、シード層３３のＣｕ膜は、主に給電に寄与する。Ｃｕ膜の厚さは、０．２μｍ以上とすることが望ましい。
【００８８】
次に、図２（ｅ）に表したように、第１接続部３２ａに対応する領域、及び、第２接続部３２ｂに対応する領域以外の領域に、第１レジスト層３７を形成する。第１レジスト層３７には、例えば、感光性の液状レジストやドライフィルムレジストを用いることができる。第１レジスト層３７は、まず、第１レジスト層３７となる膜を形成した後に、所定の開口部を有する遮光マスクを用いた露光と、現像と、を実施することにより形成される。なお、必要に応じて第１レジスト層３７はベーキングされる。
【００８９】
次に、図３（ａ）に表したように、第１レジスト層３７が設けられていない領域に、第１接続部３２ａの第２層、及び、第２接続部３２ｂの第４層、となる接続部導電膜３２ｆを形成する。接続部導電膜３２ｆは、例えば、電気メッキ法により形成される。電気メッキ法においては、例えば、硫酸銅と硫酸とからなるメッキ液中に、上記の被加工体が設けられた基板１０ｓを浸漬し、シード層３３と直流電源の負極とを接続し、基板１０ｓの被メッキ面と対向するように設置したアノードとなるＣｕ板と直流電源の陽極とを接続する。そして、負極と陽極との間に電流を通電し、Ｃｕのメッキを行う。メッキ工程において、メッキ膜の厚さは時間の経過と共に増加し、メッキ膜の厚さが必要な厚さに達したときに通電が停止されてメッキが完了する。これにより、メッキ膜からなる接続部導電膜３２ｆが、第１レジスト層３７の開口部に形成される。
【００９０】
第１電極１４に対応する位置のシード層３３（第１層）と、第１電極１４に対応する位置の接続部導電膜３２ｆ（第２層）と、が第１接続部３２ａとなる。第２電極１５に対応する位置のシード層３３（第３層）と、第２電極１５に対応する位置の接続部導電膜３２ｆ（第４層）と、が第２接続部３２ｂとなる。
【００９１】
第１接続部３２ａが、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０の上に形成された、第１導電部３０ａの少なくとも一部となる導電膜に相当する。そして、本具体例では、この導電膜となるシード層３３及び接続部導電膜３２ｆは、第２導電部３０ｂの少なくとも一部となる導電膜にもなる。さらに、この導電膜となるシード層３３及び接続部導電膜３２ｆは、絶縁層２０に覆われていない第１電極１４の少なくとも一部と、絶縁層２０に覆われていない第２電極１５の少なくとも一部と、を覆うように形成されている。
【００９２】
この後、第１接続部３２ａ（第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０の上に形成された、第１導電部３０ａの少なくとも一部となる導電膜）の上に、第１柱部３１ａを形成する。具体的には、例えば以下の処理が行われる。
【００９３】
図３（ｂ）に表したように、第１柱部３１ａに対応する領域、及び、第２柱部３１ｂに対応する領域以外の領域に第２レジスト層３８を形成する。第２レジスト層３８に用いられる材料、及び、第２レジスト層３８の形成には、第１レジスト層３７に関して説明した材料及び方法を採用することができる。
【００９４】
次に、図３（ｃ）に表したように、第２レジスト層３８が設けられていない領域に、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂとなる柱部導電膜３１ｆを形成する。柱部導電膜３１ｆも、例えば、電気メッキ法により形成される。柱部導電膜３１ｆの形成には、接続部導電膜３２ｆの形成に関して説明した材料及び方法を適用することができる。第１接続部３２ａに接続される部分の柱部導電膜３１ｆが第１柱部３１ａとなり、第２接続部３２ｂに接続される部分の柱部導電膜３１ｆが第２柱部３１ｂとなる。
【００９５】
次に、図３（ｄ）に表したように、第１レジスト層３７及び第２レジスト層３８を除去する。さらに、露出したシード層３３を、例えば、酸洗浄により除去する。なお、接続部導電膜３２ｆに覆われているシード層３３は、第１層及び第３層として残存し、それぞれ第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂに含まれる。
【００９６】
次に、図３（ｅ）に表したように、基板１０ｓの第２主面１０ａの側の面に、封止部５０となる樹脂層５０ｆを形成する。樹脂層５０ｆには、例えば、熱硬化性樹脂を用いることができる。例えば、印刷等の手法によって、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂが埋没する程度の厚さで、基板１０ｓの第２主面１０ａの側の面に樹脂層５０ｆとなる膜を形成し、加熱して硬化させ樹脂層５０ｆを形成する。樹脂層５０ｆの硬化の際の加熱条件は、例えば、１５０℃程度で２時間程度とされる。
【００９７】
次に、図４（ａ）に表したように、樹脂層５０ｆの表面を研削し、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂを露出させる。これにより、封止部５０が形成される。なお、この研削において、樹脂層５０ｆの研削と共に、第１柱部３１ａの一部と、第２柱部３１ｂの一部と、を研削することができ、これにより、第１柱部３１ａの第１端面３１ａｅ、及び、第２柱部３１ｂの第２端面３１ｂｅは、封止部５０の第２主面１０ａとは反対の側の面を含む面内に配置される。
【００９８】
なお、上記の研削には、例えば、回転研磨ホイールを用いることができる。回転研削によって、平坦性を確保しながら研削を実施することができる。なお、研削後に、必要に応じて、乾燥が行われる。
【００９９】
次に、図４（ｂ）に表したように、半導体積層体１０から基板１０ｓを除去する。すなわち、例えば、基板１０ｓの半導体積層体１０とは反対側の面から、基板１０ｓを介して、半導体積層体１０に含まれる層（例えばＧａＮ層）にレーザ光を照射し、この層の少なくとも一部を分解することで、半導体積層体１０から基板１０ｓを分離する。このレーザ光には、例えば、ＧａＮの禁制帯幅に基づく禁制帯幅波長よりも短い波長を有するレーザ光を用いることができる。例えば、Ｎｄ：ＹＡＧの三倍高調波レーザを用いることができる。ただし、用いられるレーザ光は任意である。
【０１００】
次に、図４（ｃ）に表したように、本具体例では、半導体積層体１０の第１主面１０ｂに、光学層６０の一部となる透光部６２を形成する。すなわち、半導体積層体１０の第１主面１０ｂに、例えば、液状の透明樹脂層を印刷等によって塗布し、所定の形状を有する型をこの透明樹脂層に押し付け、透明樹脂層を所定の形状に変形させた後に、型を離型し、必要に応じて加熱及び紫外線照射の少なくともいずれかの処理を施して硬化させ、透光部６２を形成する。この方法を採用することにより、所望の形状を有する型を用いることで任意の形状を有する透光部６２を容易に形成することができる。
【０１０１】
次に、図４（ｄ）に表したように、透光部６２を覆うように蛍光体層６１となる蛍光体膜６１ｆを形成する。蛍光体膜６１ｆは、例えば、蛍光体の粒子と、シリコーン樹脂と、が混合された樹脂材料を、透光部６２を覆うように、スピンコートまたは印刷により塗布し、その後、樹脂材料を加熱硬化して形成される。この樹脂材料には、例えば、１５０℃で１時間の加熱により硬化する材料が用いられる。
【０１０２】
そして、図４（ｅ）に表したように、封止部５０となる樹脂層５０ｆ、及び、蛍光体層６１となる蛍光体膜６１ｆを切断し、複数の半導体積層体１０のそれぞれを分離する。これにより、複数の半導体発光装置１１０が一括して製造できる。なお、上記の切断には、例えばダイサによるダイシング法を採用することができる。
【０１０３】
上記の製造方法においては、ウェーハレベルで一括して、電極、封止部及び光学層を形成することができ、生産性が高い。また、ウェーハレベルでの検査も可能となる。これにより生産性高く半導体発光装置を製造できる。また、リードフレーム、導電性基板及びボンディングワイヤなどのような部材を必要としないため、小型化が容易にできる。また、低コスト化も可能になる。
【０１０４】
なお、図４（ｂ）に関して説明した、半導体積層体１０から基板１０ｓを分離する工程において、絶縁層２０となる膜に高い温度が加わる場合があることがある。すなわち、基板１０ｓの半導体積層体１０とは反対側の面から、基板１０ｓを介して、半導体積層体１０にレーザ光を照射する際に、絶縁層２０となる膜が加熱されることがある。このときの加熱による絶縁層２０となる膜の劣化を抑制するために、絶縁層２０となる膜には、耐熱性の高い材料を用いることが望ましい。
【０１０５】
例えば、絶縁層２０には、封止部５０に用いられる樹脂よりも耐熱性が高い樹脂を用いることが、より望ましい。すなわち、絶縁層２０の熱分解温度は、封止部５０の熱分解温度よりも高いことが、より望ましい。例えば、絶縁層２０には、熱分解温度が３８０℃程度以上のポリイミドを用いることができ、封止部５０には、例えば、熱分解温度が２８０℃以上３００℃以下程度のエポキシ樹脂を用いることができる。なお、熱分解温度は、例えば、加熱によって重量が一定の割合（例えば５パーセント）で減少するときの温度を採用することができる。
【０１０６】
また、絶縁層２０となる膜がフィラーを含んだ場合においては、絶縁層２０となる膜に加わる高温によってフィラーに起因した不良が発生することがある。この不良を抑制するため、絶縁層２０に含まれるフィラーの含有率は、封止部５０に含まれるフィラーの含有率よりも低く設定されることが望ましい。例えば、絶縁層２０には、実質的にフィラーを含まないポリイミドを用いることができる。
【０１０７】
図５（ａ）〜図５（ｃ）、及び、図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
すなわち、これらの図は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面に相当する断面図である。
【０１０８】
図５（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１０ａにおいては、透光部６２が凸レンズの形状を有している。
【０１０９】
さらに、透光部６２の厚さが一定であっても良い。すなわち、透光部６２は、レンズ作用を有する他、半導体積層体１０の温度上昇を抑制する作用を有することもできる。すなわち、蛍光体層６１においては、波長変換の際に一部のエネルギーが吸収され発熱するが、透光部６２を蛍光体層６１と半導体積層体１０との間に設けることで、蛍光体層６１を半導体積層体１０から離すことができ、半導体積層体１０の温度の上昇を抑制できる。
このように、透光部６２の形状は任意である。
【０１１０】
図５（ｂ）に表したように、別の半導体発光装置１１０ｂにおいては、光学層６０には、蛍光体層６１が設けられているが、透光部６２が設けられていない。このように、透光部６２は、必要に応じて設けられる。
【０１１１】
図５（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１０ｃにおいては、光学層６０は、蛍光体を含む蛍光体層６１と、蛍光体層６１の半導体積層体１０とは反対側に設けられた硬質膜６３と、を有する。硬質膜６３は、蛍光体層６１の硬度よりも高い硬度を有する。硬質膜６３は透光性を有する。硬質膜６３には、例えば硬度の高いシリコーン樹脂を用いることができる。硬質膜６３の形成には、例えば、スピンコート法または印刷法を採用できる。また、硬質膜６３には、例えば窒化シリコンや酸化シリコンなどを用いることができる。この場合には、硬質膜６３は、例えばスパッタなどの方法によって形成される。ただし、硬質膜６３の材料及び形成方法は任意である。
【０１１２】
硬質膜６３を設けることで、半導体発光装置１１０ｃの発光面（光学層６０の側の面）において高い硬度が得られるため、例えば、半導体発光装置１１０ｃのハンドリングが容易になる。
【０１１３】
例えば、蛍光体層６１に用いられるシリコーン樹脂の硬度が低い場合において、光学層６０の最表面（半導体積層体１０から最も離れた面）に蛍光体層６１が露出していると、例えば、半導体発光装置をコレットでピックアップする際に、蛍光体層６１がコレットに密着し適切な実装が行われ難い場合がある。このとき、蛍光体層６１よりも硬度が高い硬質膜６３を蛍光体層６１の上に設けることで、良好な実装がより実施し易くなる。
【０１１４】
図６（ａ）、図６（ｂ）及び図６（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１０ｄ、１１０ｅ及び１１０ｆにおいては、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂが設けられていない。この場合にも、第１柱部３１ａと、第２半導体層１２と、の間に絶縁層２０が設けられ、絶縁層２０を介して、第１柱部３１ａの一部は、第２半導体層１２の一部１２ｐに対向している。これにより、第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅの面積は、第１電極１４の面積よりも大きくできる。半導体発光装置１１０ｄ、１１０ｅ及び１１０ｆによっても電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置が提供できる。
【０１１５】
なお、図６（ａ）に例示した半導体発光装置１１０ｄにおいては、透光部６２は、凸レンズの形状を有しているが、半導体発光装置１１０のように、透光部６２の形状を凹レンズの形状としても良い。また、透光部６２の厚さは一定としても良い。
【０１１６】
なお、図６（ｂ）に例示した半導体発光装置１１０ｅは、透光部６２が省略される例であり、図６（ｃ）に例示した半導体発光装置１１０ｆは、図５（ｃ）に関して説明した硬質膜６３が設けられる例である。
【０１１７】
（第２の実施の形態）
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第２の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
すなわち、図７（ｂ）は模式的平面図であり、図７（ａ）は、図７（ｂ）のＢ−Ｂ’線断面図である。
【０１１８】
図７（ａ）及び図７（ｂ）に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１２０においては、第１導電部３０ａの半導体積層体１０とは反対側の第１端面３１ａｅと、第２導電部３０ｂの半導体積層体１０とは反対側の第２端面３１ｂｅと、は非対称である。これ以外は、半導体発光装置１１０と同様とすることができるので説明を省略する。
【０１１９】
本具体例では、第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅの第２導電部３０ｂ側の２つの角部に、Ｘ軸方向に対して傾斜した斜めの辺が設けられている。一方、第２導電部３０ｂの第２端面３１ｂｅの第１導電部３０ａとは反対側の２つの角部に、Ｘ軸方向に対して傾斜した斜めの辺が設けられている。すなわち、第１端面３１ａｅの形状と、第２端面３１ｂｅの形状と、は互いに、並進の関係を有するが、非対称の関係を有する。すなわち、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとは、Ｙ軸方向に平行な軸に関して線対称でない。
【０１２０】
このような構成により、半導体発光装置１２０がＺ軸方向に関して回転された場合においても、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとが互いに判別できる。
【０１２１】
半導体発光装置１２０によれば、電極の接続性を高く維持し、小型化に適し、さらに、小型化したときに特に問題となり易い、電極の判別が容易な半導体発光装置が提供できる。
【０１２２】
図８（ａ）〜図８（ｃ）及び図９（ａ）〜図９（ｃ）は、第２の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的平面図である。
これらの図は、Ｚ軸方向に沿って半導体発光装置をみたときの、第１端面３１ａｅ及び第２端面３１ｂｅの形状を例示している。
【０１２３】
図８（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１２０ａにおいては、第１端面３１ａｅの大きさは、第２端面３１ｂｅの大きさよりも小さい。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。
【０１２４】
なお、このように、第１端面３１ａｅの大きさを第２端面３１ｂｅの大きさとは異ならせる場合には、ｐ形半導体層に接続される電極の端面を、ｎ形半導体層に接続される電極の端面のよりも大きくすることが望ましい。ｐ形半導体層の方がｎ形半導体層よりも高温になり易いため、この構成を採用することで、高温になり易いｐ形半導体層の熱をより放熱し易くできる。
【０１２５】
図８（ｂ）に表したように、別の半導体発光装置１２０ｂにおいては、第１端面３１ａｅは４つの端面を含む。すなわち、第１端面３１ａｅは、第１〜第４サブ端面３１ａｅ１〜３１ａｅ４を含む。一方、第２端面３１ｂｅは１つである。このように、第１端面３１ａｅに含まれる面の数と、第２端面３１ｂｅに含まれる面の数とを異ならせることができる。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。なお、本具体例においては、第１〜第４サブ端面３１ａｅ１〜３１ａｅ４を含む第１端面３１ａｅの全体の形状は、第２端面３１ｂｅの形状と、線対称または点対称の関係を有しているが、第１端面３１ａｅに含まれる面の数と、第２端面３１ｂｅに含まれる面の数とが異なることで、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとは非対称とされる。
【０１２６】
図８（ｃ）に表したように、別の半導体発光装置１２０ｃにおいては、第１端面３１ａｅは１つである。一方、第２端面３１ｂｅは、第５及び第６サブ端面３１ｂｅ１及び３１ｂｅ２の２つの面を含む。このように、この場合も、第１端面３１ａｅに含まれる面の数と、第２端面３１ｂｅに含まれる面の数とが異なる。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。なお、本具体例においては、第１端面３１ａｅの形状は、第５及び第６サブ端面３１ｂｅ１及び３１ｂｅ２を含む第２端面３１ｂｅの全体の形状と、非対称である。なお、本具体例においては、第２半導体層１２に接続され、第５及び第６サブ端面３１ｂｅ１及び３１ｂｅ２を含む第２端面３１ｂｅの全体の面積は、第１半導体層１１に接続される第１端面３１ａｅの面積よりも大きく設定されている。
【０１２７】
図９（ａ）に表したように、別の半導体発光装置１２０ｄにおいては、第１端面３１ａｅは円形であり、第２端面３１ｂｅは長方形である。このように、第１端面３１ａｅのパターン形状と、第２端面３１ｂｅのパターン形状と、が異なる。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。
【０１２８】
図９（ｂ）に表したように、別の半導体発光装置１２０ｅにおいては、第１端面３１ａｅは６角形であり、第２端面３１ｂｅは四角形である。このように、第１端面３１ａｅのパターン形状と、第２端面３１ｂｅのパターン形状と、が異なる。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。さらに、本具体例では、第１端面３１ａｅは、異方性を有する多角形のパターン形状を有している。パターン形状が異方性を有することから、そのパターン形状から電流の流れる方向を直感的に把握することも可能になり、これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとがより判別し易くできる。
【０１２９】
図９（ｃ）に表したように、別の半導体発光装置１２０ｆにおいては、第１端面３１ａｅの半導体発光装置の外形に対する配置と、第２端面３１ｂｅの半導体発光装置の外形に対する配置と、が非対称である。すなわち、本具体例では、第１端面３１ａｅの辺と外形の１つの辺との間の距離が、第２端面３１ｂｅの辺と外形の１つの辺との間の距離よりも短く設定されている。このように、第１端面３１ａｅの配置（例えば半導体発光装置の外形に対する配置）と、第２端面３１ｂｅの配置（例えば半導体発光装置の外形に対する配置）と、を非対称にすることで、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。
【０１３０】
このように、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが非対称であることは、例えば、第１端面３１ａｅの大きさが、第２端面３１ｂｅの大きさとは異なる場合を含む。また、例えば、第１端面３１ａｅの数が、第２端面３１ｂｅの数とは異なる場合を含む。また、例えば、第１端面３１ａｅのパターン形状が、第２端面３１ｂｅのパターン形状とは異なる場合を含む。また、例えば、第１端面３１ａｅの配置が、第２端面３１ｂｅの配置と非対称である場合を含む。
【０１３１】
なお、上記の第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが非対称である構成は、既に説明した実施形態のいずれかに係る半導体発光装置においても適用でき、同様の効果を発揮することができる。
【０１３２】
（第３の実施の形態）
図１０は、第３の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
すなわち、同図は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面に相当する断面図である。
【０１３３】
図１０に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１３０においては、第１導電部３０ａは、第１導電部３０ａの半導体積層体１０とは反対側の第１端面３１ａｅに設けられた第１表面層７１ａをさらに有し、第２導電部３０ｂは、第２導電部３０ｂの半導体積層体１０とは反対側の第２端面３１ｂｅに設けられた第２表面層７１ｂをさらに有する。これ以外は、半導体発光装置１１０と同様とすることができるので説明を省略する。
【０１３４】
第１表面層７１ａは、例えば第１柱部３１ａに用いられる材料の濡れ性よりも高い濡れ性を有する。第２表面層７１ｂは、例えば第２柱部３１ｂに用いられる材料の濡れ性よりも高い濡れ性を有する。第１表面層７１ａ及び第２表面層７１ｂは、酸化防止層の機能を有することができる。
【０１３５】
第１表面層７１ａ及び第２表面層７１ｂには、例えば、水溶性プリフラックス、無電解Ｎｉ／Ａｊｕメッキ、及び、ＡｕＳｎメッキなどの少なくともいずれかの処理が行われた層を用いることができる。これにより、第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅ、及び、第２導電部３０ｂの第２端面３１ｂｅにおけるはんだとの濡れ性が向上できる。これにより、半導体発光装置１３０の実装性が向上する。
【０１３６】
図１１は、第３の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
すなわち、同図は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面に相当する断面図である。
【０１３７】
図１１に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１３１においては、第１導電部３０ａの半導体積層体１０とは反対側の第１端面３１ａｅに設けられた第１接続部材７２ａと、第２導電部３０ｂの半導体積層体１０とは反対側の第２端面３１ｂｅに設けられた第２接続部材７２ｂと、をさらに備える。これ以外は、半導体発光装置１１０と同様とすることができるので説明を省略する。
【０１３８】
なお、本具体例では、第１導電部３０ａが第１表面層７１ａを有し、第２導電部３０ｂが第２表面層７１ｂを有しているが、第１表面層７１ａ及び第２表面層７１ｂは必要に応じて設けられ、場合によっては省略しても良い。
【０１３９】
第１接続部材７２ａ及び第２接続部材７２ｂには、はんだを用いることができる。半導体発光装置１３１においては、第１接続部材７２ａ及び第２接続部材７２ｂをさらに設けることで、半導体発光装置１３１の実装性がさらに向上する。
【０１４０】
上記の第１表面層７１ａ及び第２表面層７１ｂ、並びに、第１接続部材７２ａ及び第２接続部材７２ｂは、既に説明した実施形態のいずれかに係る半導体発光装置においても設けることができ、同様の効果を発揮することができる。
【０１４１】
（第４の実施の形態）
図１２は、第４の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
すなわち、同図は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面に相当する断面図である。
【０１４２】
図１２に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１４０においては、第１導電部３０ａの第１柱部３１ａは、第１柱部３１ａの側面に設けられた第１粗面化部３１ａｓを有している。そして、第２導電部３０ｂの第２柱部３１ｂは、第２柱部３１ｂの側面に設けられた第２粗面化部３１ｂｓを有している。これ以外は、半導体発光装置１１０と同様とすることができるので説明を省略する。
【０１４３】
第１粗面化部３１ａｓ及び第２粗面化部３１ｂｓは、例えば、図３（ｄ）に関して説明した工程において、第１レジスト層３７及び第２レジスト層３８を除去した後、第１柱部３１ａの側面及び第２柱部３１ｂの側面を、ソフトエッチングすることで形成できる。このソフトエッチングには、例えば、過酸化水素―硫酸系のソフトエッチング液を用いることができる。
【０１４４】
また、第１粗面化部３１ａｓ及び第２粗面化部３１ｂｓは、例えば、図３（ｃ）に関して説明した工程において、第２レジスト層３８の側面を粗面化し、第２レジスト層３８の粗面化された側面の凹凸を、柱部導電膜３１ｆに転写することで形成できる。
【０１４５】
第１柱部３１ａの側面に第１粗面化部３１ａｓを設け、第２柱部３１ｂの側面に第２粗面化部３１ｂｓを設けることで、第１柱部３１ａと封止部５０との密着性、及び、第２柱部３１ｂと封止部５０との密着性が向上し、信頼性が向上できる。
【０１４６】
第１粗面化部３１ａｓ及び第２粗面化部３１ｂｓは、既に説明した実施形態のいずれかに係る半導体発光装置においても設けることができ、同様の効果を発揮することができる。
【０１４７】
（第５の実施の形態）
図１３は、第５の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
すなわち、同図は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面に相当する断面図である。
【０１４８】
図１３に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１５０においては、半導体積層体１０が設けられていない領域において、封止部５０が２層構造を有している。
【０１４９】
すなわち、封止部５０は、光学層６０の側の第１封止層５１と、第１封止層５１よりも光学層６０から遠い第２封止層５２と、を有する部分を有する。第１封止層５１には、第２封止層５２に用いられる材料とは異なる材料が用いられる。
【０１５０】
例えば、第１封止層５１は、第２封止層５２の耐熱性よりも高い耐熱性を有することができる。すなわち、第１封止層５１の熱分解温度は、第２封止層５２の熱分解温度よりも高い。例えば、第１封止層５１には、熱分解温度が３８０℃程度以上のポリイミドを用いることができ、第２封止層５２には、例えば、熱分解温度が２８０℃以上３００℃以下程度のエポキシ樹脂を用いることができる。
【０１５１】
また、第１封止層５１に含まれるフィラーの含有率は、第２封止層５２に含まれるフィラーの含有率よりも低く設定されることができる。例えば、第１封止層５１には、実質的にフィラーを含まないポリイミドを用いることができる。一方、第２封止層５２には、フィラーを含むエポキシ樹脂を用いることができる。
【０１５２】
第１封止層５１には、例えば、絶縁層２０に用いられる材料と同じ材料を用いることができ、第１封止層５１と、絶縁層２０と、は一括して形成することができる。
【０１５３】
既に説明したように、半導体積層体１０から基板１０ｓを分離する工程において、半導体積層体１０どうしの間の領域において、封止部５０の内の半導体積層体１０に近い部分に高温が加わる場合がある。すなわち、基板１０ｓの半導体積層体１０とは反対側の面から、基板１０ｓを介して、半導体積層体１０にレーザ光を照射する際に、半導体積層体１０どうしの間の領域において、封止部５０が加熱され、封止部５０の半導体積層体１０に近い部分が特に高温になる。このとき、封止部５０を２層構造とし、第１封止層５１の耐熱性を第２封止層５２よりも高くすることで、この加熱による封止部５０の特性の劣化が抑制できる。
【０１５４】
また、第１封止層５１に含まれるフィラーの含有率を、第２封止層５２に含まれるフィラーの含有率よりも低く設定することで、封止部５０に加わる高温によってフィラーに起因した不良が発生することを抑制できる。
【０１５５】
なお、第１封止層５１及び第２封止層５２の積層構成は、既に説明した実施形態のいずれかに係る半導体発光装置においても設けることができ、同様の効果を発揮することができる。
【０１５６】
（第６の実施の形態）
図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、第６の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
すなわち、図１４（ｂ）は模式的平面図であり、図１４（ａ）は、図１４（ｂ）のＣ−Ｃ’線断面図である。
【０１５７】
図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１６０は、Ｘ−Ｙ平面内（第２主面１０ａから第１主面１０ｂに向かう方向であるＺ軸方向に対して垂直な平面内）において、半導体積層体の少なくとも１つの辺に対向して設けられた周辺積層部１０ｐをさらに備える。
【０１５８】
周辺積層部１０ｐは、半導体積層体１０に用いられる材料からなる。周辺積層部１０ｐは、封止部５０と光学層６０とに覆われる。
【０１５９】
本具体例では、周辺積層部１０ｐは、Ｘ−Ｙ平面内において、半導体積層体１０の４つの辺に対向して設けられる。すなわち、周辺積層部１０ｐは、Ｘ−Ｙ平面内において、半導体積層体１０を取り囲んでいる。本具体例においては、周辺積層部１０ｐのパターン形状は環状である。
【０１６０】
周辺積層部１０ｐを設けることで、例えば図４（ｅ）に関して説明した、例えばダイシングによる複数の半導体積層体１０のそれぞれの分離の際に、半導体積層体１０に加わる応力を低減できる。すなわち、ダイシングの際の衝撃が周辺積層部１０ｐによって吸収され、衝撃が半導体積層体１０に加わることが抑制できる。これにより、半導体積層体１０に含まれる半導体層に欠陥が発生することが抑制され、高い発光効率を維持できる。
【０１６１】
本具体例は、周辺積層部１０ｐがＸ−Ｙ平面内において半導体積層体１０を取り囲む例であるが、実施形態はこれに限らず、周辺積層部１０ｐのパターン形状は任意である。例えば、周辺積層部１０ｐは、半導体積層体１０の４つの辺のそれぞれに対向する分断された４つの帯状のパターン形状を有していても良い。また、周辺積層部１０ｐは、半導体積層体１０の全ての辺に対向して設けられる必要はなく、周辺積層部１０ｐは、半導体積層体１０の少なくとも１つの辺に対向して設けられれば良い。また、周辺積層部１０ｐは、半導体積層体１０の少なくとも１つの辺の全ての長さに沿って設けられなくても良く、周辺積層部１０ｐは、半導体積層体１０の少なくとも１つの辺の少なくとも一部に対向して設けられれば良い。
【０１６２】
なお、このような周辺積層部１０ｐは、既に説明した実施形態のいずれかに係る半導体発光装置に設けられることができ、同様の効果を発揮することができる。
【０１６３】
（第７の実施の形態）
図１５は、第７の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
本実施形態は、上記の実施形態に係るいずれかの半導体発光装置を製造する方法である。すなわち、本製造方法は、第１導電形の第１半導体層１１と、第２導電形の第２半導体層１２と、第１半導体層１１と第２半導体層１２との間に設けられた発光層１３と、を含み、第１半導体層１１の側の第１主面１０ｂと第２半導体層１２の側の第２主面１０ａとを有し、第２半導体層１２及び発光層１３が選択的に除去されて第２主面１０ａにおいて第１半導体層１１の一部が露出した半導体積層体１０と、第２主面１０ａの側において第１半導体層１１に電気的に接続された第１電極１４と、第２主面１０ａの側において第２半導体層１２に電気的に接続された第２電極１５と、を含む発光部１０ｄと、第１電極１４に電気的に接続された第１導電部３０ａであって、第２半導体層１２と離間しつつ第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆い第２主面１０ａの上に立設された第１柱部３１ａを含む第１導電部３０ａと、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐと、第１柱部３１ａと、の間に設けられた絶縁層２０と、第２電極１５に電気的に接続され、第２主面１０ａの上に立設された第２柱部３１ｂを含む第２導電部３０ｂと、第１導電部３０ａの側面及び第２導電部３０ｂの側面を覆う封止部５０と、半導体積層体１０の第１主面１０ｂに設けられた光学層であって、発光層１３から放出された発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部（蛍光体層６１）を含む光学層６０と、を有する半導体発光装置の製造方法である。
【０１６４】
図１５に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０を形成する（ステップＳ１１０）。すなわち、例えば、図２（ｃ）に関して説明した処理を行う。
【０１６５】
なお、既に説明したように、絶縁層２０は、第１電極１４の少なくとも一部を除く領域、及び、第２電極１５の少なくとも一部を除く領域に形成することができる。また、絶縁層２０は、複数の半導体積層体１０どうしの間にも設けることができる。
【０１６６】
そして、図１５に表したように、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０の上に、第１導電部３０ａの少なくとも一部となる導電膜を形成する（ステップＳ１２０）。すなわち、例えば、図２（ｄ）、図２（ｅ）及び図３（ａ）に関して説明した処理を行う。
【０１６７】
すなわち、ステップＳ１２０は、例えば、シード層３３を形成する工程、第１接続部３２ａに対応する領域、及び、第２接続部３２ｂに対応する領域以外の領域に、第１レジスト層３７を形成する工程、並びに、第１レジスト層３７が設けられていない領域に、第１接続部３２ａの第２層、及び、第２接続部３２ｂの第４層、となる接続部導電膜３２ｆを形成する工程を含むことができる。
【０１６８】
なお、既に説明したように、第１導電部３０ａの少なくとも一部となる導電膜は、第２導電部３０ｂの少なくとも一部となることもできる。さらに、この導電膜は、絶縁層２０に覆われていない第１電極１４の少なくとも一部と、絶縁層２０に覆われていない第２電極１５の少なくとも一部と、を覆うように、形成されることができる。
【０１６９】
これにより、電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置を製造することができる。
【０１７０】
そして、既に説明したように、上記の絶縁層２０の形成（ステップＳ１１０）と、上記の導電膜の形成（ステップＳ１２０）と、は、複数の半導体積層体１０が設けられた基板１０ｓにおいて、複数の半導体積層体１０について一括して実施されることができる。これにより、電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置を高い生産性で製造することができる。
【０１７１】
なお、本実施形態に係る製造方法は、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０の上に形成された、第１導電部３０ａの少なくとも一部となる導電膜（第１接続部３２ａ）の上に、第１柱部３１ａを形成する工程をさらに備えることができる。すなわち、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に関して説明した処理をさらに実施することができる。
【０１７２】
また、図６（ａ）〜図６（ｃ）に関して説明した半導体発光装置１１０ｄ、１１０ｅ及び１１０ｆのように、接続部導電膜３２ｆが省略される場合には、ステップＳ１２０における第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０の上に、第１導電部３０ａの少なくとも一部となる導電膜を形成する工程は、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０の上に、第１柱部３１ａを形成する工程となる。この方法においても、電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置を製造することができる。
【０１７３】
赤色の蛍光体として例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる赤色の蛍光体は、これに限定されない。
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ＋顔料、
Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、
Ｚｎ３（ＰＯ４）２：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）ＢＯ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）２Ｏ３、
ＹＶＯ４：Ｅｕ、
Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、
ＬａＳｉ３Ｎ５：Ｅｕ２＋、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｃｅ２＋、
Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＣａ）ＡｌＳｉＮ３：ＥｕＸ＋、
Ｓｒｘ（ＳｉｙＡｌ３）ｚ（ＯｘＮ）：ＥｕＸ＋ 。
【０１７４】
緑色の蛍光体として例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる緑色の蛍光体は、これに限定されない。
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋顔料、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，＋顔料、
Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｍｎ）２ＳｉＯ４、
ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ２Ｏ３：Ｍｎ、
ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
３（Ｂａ，Ｍｇ，Ｅｕ，Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３、
Ｌａ２Ｏ３・０．２ＳｉＯ２・０．９Ｐ２Ｏ５：Ｃｅ，Ｔｂ、
ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ、
ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ、
（ＢｒＳｒ）ＳｉＯ４：Ｅｕ、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｙｂ２＋、
β−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＢａ）ＹＳｉ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
（ＣａＳｒ）Ｓｉ２Ｏ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
Ｓｒ（ＳｉＡｌ）（ＯＮ）：Ｃｅ 。
【０１７５】
青色の蛍光体として例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる青色の蛍光体はこれに限定されない。
ＺｎＳ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋顔料、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｃｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
ＺｎＳ：Ｚｎ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｂａ，Ｅｕ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７、
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｅｕ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７、
１０（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｅｕ）・６ＰＯ４・Ｃｌ２、
ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２５：Ｅｕ 。
【０１７６】
黄色の蛍光体として例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄色の蛍光体はこれに限定されない。
Ｌｉ（Ｅｕ，Ｓｍ）Ｗ２Ｏ８、
（Ｙ，Ｇｄ）３，（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、
Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、
（Ｓｒ（Ｃａ，Ｂａ））３ＳｉＯ５：Ｅｕ２＋、
ＳｒＳｉ２ＯＮ２．７：Ｅｕ２＋ 。
【０１７７】
なお、本明細書において「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）なる化学式において組成比ｘ、ｙ及びｚをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むものや、導電形などを制御するために添加される各種のドーパントのいずれかをさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
【０１７８】
以上説明したように、実施形態によれば、電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供することができる。
【０１７９】
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれは良い。
【０１８０】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施の形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光部に含まれる半導体層、発光層、電極、導電層、反射層及びコンタクト電極層、並びに、半導体発光装置に含まれる導電部、柱部、接続部、絶縁層、封止部、封止層、光学層、波長変換部、蛍光体層、蛍光体、透光部及び硬質膜などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１８１】
その他、本発明の実施の形態として上述した半導体発光装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体発光装置及びその製造方法も、本発明の実施の形態の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１８２】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１８３】
１０…半導体積層体、 １０ａ…第２主面、 １０ｂ…第１主面、 １０ｄ…発光部、 １０ｐ…周辺積層部、 １０ｓ…基板、 １１…第１半導体層、 １２…第２半導体層、 １２ｐ…一部、 １３…発光層、 １４…第１電極、 １５…第２電極、 １８…保護層、 ２０…絶縁層、 ２０ｏ１、２０ｏ２…第１及び第２開口部、 ３０ａ…第１導電部、 ３０ｂ…第２導電部、 ３１ａ…第１柱部、 ３１ａｅ…第１端面、 ３１ａｅ１〜３１ａｅ４…第１〜第４サブ端面、 ３１ａｓ…第１粗面化部、 ３１ｂ…第２柱部、 ３１ｂｅ…第２端面、 ３１ｂｅ１、３１ｂｅ２…第５及び第６サブ端面、 ３１ｂｓ…第２粗面化部、 ３１ｆ…柱部導電膜、 ３２ａ…第１接続部、 ３２ｂ…第２接続部、 ３２ｆ…接続部導電膜、 ３３…シード層、 ３７…第１レジスト層、 ３８…第２レジスト層、 ５０…封止部、 ５０ｆ…樹脂層、 ５１…第１封止層、 ５２…第２封止層、 ６０…光学層、 ６１…蛍光体層（波長変換部）、 ６１ｆ…蛍光体膜、 ６２…透光部、 ６３…硬質膜、 ７１ａ、７１ｂ…第１及び第２表面層、 ７２ａ、７２ｂ…第１及び第２接続部材、 １１０、１１０ａ〜１１０ｆ、１２０、１２０ａ〜１２０ｆ、１３０、１３１、１４０、１５０、１６０…半導体発光装置
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型で低消費電力の発光装置として、青色ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの半導体発光素子と、蛍光体と、を組み合わせることで白色光を発する白色ＬＥＤ発光装置が開発されている。
【０００３】
例えば、ＬＥＤチップをリードフレームや導電性基板にダイボンドしてワイヤーボンドを行った後、ＬＥＤチップ表面に蛍光体を塗布する構成の半導体発光装置が知られている。しかしながら、このような半導体発光装置においては、ＬＥＤチップの他に、リードフレーム、導電性基板及びボンディングワイヤなどのような部材が必要であるため、装置が大きくなり小型化の妨げとなる。
【０００４】
半導体発光素子において、例えば、放熱性や発光効率の向上のために、ｎ形半導体層に設けられるｎ側電極の面積は、ｐ形半導体層に設けられるｐ側電極よりも小さく設定されることが多い。半導体発光素子を小型化したときに、例えばｎ形電極が小さくなり接続がし難くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２１０８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態によれば、発光部と、第１導電部と、絶縁層と、第２導電部と、封止部と、光学層と、を備えた半導体発光装置が提供される。前記発光部は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第１半導体層の側の第１主面と前記第２半導体層の側の第２主面とを有し、前記第２半導体層及び前記発光層が選択的に除去されて前記第２主面において前記第１半導体層の一部が露出した半導体積層体と、前記第２主面の側において前記第１半導体層に電気的に接続された第１電極と、前記第２主面の側において前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、を含む。前記第１導電部は、前記第１電極に電気的に接続された前記第１導電部であって、前記第２半導体層と離間しつつ前記第２半導体層の前記第２主面の側の一部を覆い前記第２主面の上に立設された第１柱部を含む。前記絶縁層は、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１柱部と、の間に設けられる。前記第２導電部は、前記第２電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む。前記封止部は、前記第１導電部の側面及び前記第２導電部の側面を覆う。前記光学層は、前記半導体積層体の前記第１主面に設けられた光学層であって、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む。
【０００８】
本発明の別の実施形態によれば、発光部と、第１導電部と、絶縁層と、第２導電部と、封止部と、光学層と、を有する半導体発光装置の製造方法が提供される。前記発光部は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第１半導体層の側の第１主面と前記第２半導体層の側の第２主面とを有し、前記第２半導体層及び前記発光層が選択的に除去されて前記第２主面において前記第１半導体層の一部が露出した半導体積層体と、前記第２主面の側において前記第１半導体層に電気的に接続された第１電極と、前記第２主面の側において前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、を含む。前記第１導電部は、前記第１電極に電気的に接続された前記第１導電部であって、前記第２半導体層と離間しつつ前記第２半導体層の前記第２主面の側の一部を覆い前記第２主面の上に立設された第１柱部を含む。前記絶縁層は、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１柱部と、の間に設けられる。前記第２導電部は、前記第２電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む。前記封止部は、前記第１導電部の側面及び前記第２導電部の側面を覆う。前記波長変換部は、前記半導体積層体の前記第１主面に設けられた光学層であって、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む。前記製造方法は、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部を覆う前記絶縁層を形成し、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部を覆う前記絶縁層の上に、前記第１導電部の少なくとも一部となる導電膜を形成する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第２の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第２の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的平面図である。
【図９】図９（ａ）〜図９（ｃ）は、第２の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的平面図である。
【図１０】第３の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図１１】第３の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図１２】第４の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図１３】第５の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図１４】図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、第６の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
【図１５】第７の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００１１】
（第１の実施の形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
すなわち、図１（ｂ）は模式的平面図であり、図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【００１２】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１１０は、発光部１０ｄと、第１導電部３０ａと、第２導電部３０ｂと、絶縁層２０と、封止部５０と、光学層６０と、を備える。
【００１３】
発光部１０ｄは、半導体積層体１０と、第１電極１４と、第２電極１５と、を含む。
半導体積層体１０は、第１導電形の第１半導体層１１と、第２導電形の第２半導体層１２と、第１半導体層１１と第２半導体層１２との間に設けられた発光層１３と、を含む。
【００１４】
半導体積層体１０においては、第２半導体層１２及び発光層１３が選択的に除去されて第２半導体層１２の側の第２主面１０ａにおいて第１半導体層１１の一部が露出している。
【００１５】
すなわち、半導体積層体１０は、第１主面１０ｂと、第１主面１０ｂとは反対側の第２主面１０ａと、を有している。第２主面１０ｂの側に第２半導体層１２が配置され、第１主面１０ｂの側に、第１半導体層１１が配置される。第２半導体層１２及び発光層１３の面積は、第１半導体層１１の面積よりも小さく、第２主面１０ａの側において、第１半導体層１１の一部は、第２半導体層１２及び発光層１３に覆われていない。
【００１６】
第１導電形は例えばｎ形であり、第２導電形は例えばｐ形である。ただし、実施形態はこれに限らず、第１導電形がｐ形であり、第２導電形がｎ形でも良い。以下では、第１導電形がｎ形であり、第２導電形がｐ形である場合として説明する。すなわち、第１半導体層１１は、ｎ形半導体層である。第２半導体層１２は、ｐ形半導体層である。
【００１７】
第１半導体層１１、第２半導体層１２及び発光層１３には、例えば、窒化物半導体を用いることができる。第１半導体層１１は、例えばＧａＮを含むｎ形クラッド層である。第２半導体層１２は、例えばｐ形クラッド層である。発光層１３は、例えば量子井戸層と、量子井戸層に積層された障壁層と、を有する。発光層１３は、例えば、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有することができる。
【００１８】
ここで、第２主面１０ａから第１主面１０ｂに向かう方向をＺ軸方向とする。すなわち、Ｚ軸方向は、第１半導体層１１、発光層１３及び第２半導体層１２の積層方向である。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００１９】
半導体積層体１０は、例えば、サファイアなどの基板の上に、第１半導体層１１となる結晶、発光層１３となる結晶、及び、第２半導体層１２となる結晶が順次成長され、その後、所定の領域の、第１半導体層１１の一部、発光層１３、及び、第２半導体層１２が除去されて形成される。
【００２０】
第１電極１４は、第２主面１０ａの側において第１半導体層１１に電気的に接続される。第２電極１５は、第２主面１０ａの側において第２半導体層１２に電気的に接続される。第１電極１４は、例えばｎ側電極であり、第２電極１５は、例えばｐ側電極である。発光部１０ｄにおいて、第１電極１４と第２電極１５とを介して、半導体積層体１０に電流を供給することで、発光層１３から光（発光光）が放出される。
【００２１】
このように、発光部１０ｄは、第１主面１０ｂと、第１主面１０ｂとは反対側の第２主面１０ａと、第２主面１０ａに設けられた第１電極１４と及び第２電極１５と、を有する。
【００２２】
第１導電部３０ａは、第１電極１４に電気的に接続される。第１導電部３０ａは、第１柱部３１ａを含む。第１柱部３１ａは、第２半導体層１２と離間しつつ第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆い、第２主面１０ａの上に立設される。第１柱部３１ａは、例えばＺ軸方向に沿って延在する部分を少なくとも含む。
【００２３】
絶縁層２０は、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の上記の一部１２ｐと、第１柱部３１ａと、の間に設けられる。絶縁層２０によって、第２半導体層１２と第１柱部３１ａとは電気的に遮断される。
【００２４】
絶縁層２０は、第１導電部３０ａと第１電極１４との電気的な接続を実現するために、第１電極１４の少なくとも一部の上には設けられていない。絶縁層２０は、例えば、第１開口部２０ｏ１を有し、第１開口部２０ｏ１において、第１導電部３０ａと第１電極１４との電気的な接続が行われる。なお、第１開口部２０ｏ１は、絶縁層２０を貫通する孔を含むことができる。ただし、実施形態はこれに限らず、第１開口部２０ｏ１は、絶縁層２０の端部のうち、第１電極１４の端部から後退し、第１電極１４を露出させる部分を便宜的に含むことができる。すなわち、第１開口部２０ｏ１は、絶縁層２０のうちで第１電極１４の少なくとも一部を露出させる部分を含むことができ、その形状は任意である。第１開口部２０ｏ１の数は、任意である。
【００２５】
第２導電部３０ｂは、第２電極１５に電気的に接続される。第２導電部３０ｂは、第２主面１０ａの上に立設された第２柱部３１ｂを含む。第２柱部３１ｂは、Ｚ軸方向に沿って延在する部分を少なくとも含む。
【００２６】
本具体例では、第１柱部３１ａから第２柱部３１ｂに向かう方向に沿った、半導体積層体１０の辺の方向が、Ｘ軸方向に設定されている。
【００２７】
なお、絶縁層２０は、第２電極１５の少なくとも一部をさらに露出する。これにより、第２導電部３０ｂと第２電極１５との電気的な接続が行われる。すなわち、絶縁層２０は、例えば、第２電極１５の側の第２開口部２０ｏ２を有し、第２開口部２０ｏ２において、第２導電部３０ｂと第２電極１５との電気的な接続が行われる。この場合も、第２開口部２０ｏ２は、絶縁層２０を貫通する孔を含む。また、第２開口部２０ｏ２は、第２電極１５の端部から後退し第２電極１５を露出させる部分を便宜的に含むことができる。すなわち、第２開口部２０ｏ２は、絶縁層２０のうちで第２電極１５の少なくとも一部を露出させる部分を含むことができ、その形状は任意である。第２開口部２０ｏ２の数は、任意である。
【００２８】
封止部５０は、第１導電部３０ａの側面、及び、第２導電部３０ｂの側面を覆う。すなわち、封止部５０は、第１柱部３１ａの側面、及び、第２柱部３１ｂの側面を覆う。封止部５０は、第１導電部３０ａの半導体積層体１０とは反対の側の第１端面３１ａｅを露出する。また、封止部５０は、第２導電部３０ｂの半導体積層体１０とは反対の側の第２端面３１ｂｅを露出する。なお、第１端面３１ａｅは、第１柱部３１ａの半導体積層体１０とは反対の側の端面である。また、第２端面３１ｂｅは、第２柱部３１ｂの半導体積層体１０とは反対の側の端面である。
【００２９】
光学層６０は、半導体積層体１０の第２主面１０ａとは反対側の第１主面１０ｂに設けられる。光学層６０は、蛍光体層６１（波長変換部）を含む。蛍光体層６１は、発光層１３から放出された発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長の光を放出する。
【００３０】
本具体例では、光学層６０は、例えば蛍光体を含む蛍光体層６１と、蛍光体層６１と半導体積層体１０との間に設けられた透光部６２と、を含む。透光部６２は、発光層１３から放出される発光光に対する透光性を有する。透光部６２は、例えばレンズ作用や屈折作用などの光の進行方向を変化させる作用を有することができる。これにより、発光層１３で発生した光の放射角や色ずれを調整することができる。透光部６２は必要に応じて設けられ、透光部６２は場合によっては省略できる。
【００３１】
蛍光体層６１は、例えば透光性の樹脂と、この樹脂に分散された蛍光体と、を含む。蛍光体は、発光層１３から放出された発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長の光を放出する。なお、蛍光体層６１は、複数種の蛍光体を含むことができる。蛍光体には、例えば、黄色光を放出する蛍光体、緑色光を放出する蛍光体、及び、赤色光を放出す蛍光体など、任意の色を放出する蛍光体を用いることができる。また、蛍光体層６１は、波長が異なる蛍光体を含む積層された複数の層を含むこともできる。
【００３２】
半導体発光装置１１０においては、第１導電部３０ａ、第１電極１４、第２導電部３０ｂ及び第２電極１５を介して、半導体積層体１０に電流が供給され、これにより、発光層１３から光（発光光）が放出される。発光光は、例えば、青色光、紫色光及び紫外光などの比較的短い波長の光とすることができる。
【００３３】
発光層１３から放出された例えば青色の発光光は、光学層６０の内部に進行し、蛍光体層６１によって例えば黄色の光に波長が変換される。そして、発光層１３から放出された例えば青色の発光光と、蛍光体層６１で得られた例えば黄色の光と、が合成される。これにより、半導体発光装置１１０は、白色光を発光することができる。
【００３４】
なお、発光層１３から放出される発光光の波長、及び、蛍光体層６１で変換された光の波長は任意である。また、半導体発光装置１１０から出射する光の色は、白色の他、任意の色とすることができる。
【００３５】
本具体例では、発光部１０ｄは、半導体積層体１０の第２主面１０ａの側の第１電極１４及び第２電極１５を除く部分に設けられた保護層１８をさらに含む。保護層１８は、半導体積層体１０の端部を覆う。保護層１８には、絶縁材料を用いることができる。これにより、例えば、第１電極１４と第２電極１５との間の絶縁性が向上する。保護層１８は、半導体積層体１０の端部の全部を覆うこともできる。また、保護層１８は、半導体積層体１０の端部の一部を覆うこともできる。この保護層１８には、例えば酸化シリコンなどを用いることができる。ただし、実施形態はこれに限らず、保護層１８には任意の絶縁材料を用いることができる。また、保護層１８は必要に応じて設けられ、場合によっては省略できる。
【００３６】
第２電極１５は積層構造を有することができる。例えば、第２電極１５は、導電層と、その導電層と第２半導体層１２との間に設けられた反射層（図示しない）を含むことができる。これにより、発光層１３から放出され、第２主面１０ａの側に進行する光が反射層で反射され、光を光学層６０の側に効率良く進行させることができる。
【００３７】
本具体例では、第１導電部３０ａは、第１接続部３２ａをさらに含む。第１接続部３２ａは、絶縁層２０の少なくとも一部を覆い、第１電極１４と第１柱部３１ａとを電気的に接続する。第１接続部３２ａは、例えばＸ−Ｙ平面に沿って延在する部分を含むことができる。
【００３８】
また、第２導電部３０ｂは、第２接続部３２ｂをさらに含むことができる。第２接続部３２ｂは、第２電極１５と第２柱部３１ｂとを電気的に接続する。第２接続部３２ｂは、例えばＸ−Ｙ平面に沿って延在する部分を含むことができる。
【００３９】
第１柱部３１ａ、第１接続部３２ａ、第２柱部３１ｂ及び第２接続部３２ｂには、例えば、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、及び、Ａｌ（アルミニウム）などの金属を用いることができる。ただし、実施形態はこれに限らず、第１柱部３１ａ、第１接続部３２ａ、第２柱部３１ｂ及び第２接続部３２ｂに用いられる材料は任意である。
【００４０】
封止部５０は、第１接続部３２ａの側面、第１柱部３１ａの側面、第２接続部３２ｂの側面、及び、第２柱部３１ｂの側面を覆う。封止部５０には、例えばエポキシ樹脂などの樹脂を用いることができる。封止部５０に用いられる樹脂は、例えば石英フィラーやアルミナフィラーなどのフィラーを含有することができる。これにより、封止部５０の熱伝導率を上昇させることができ、これにより放熱性を高め、半導体積層体の温度上昇を抑制でき、発光効率を向上できる。
【００４１】
第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の上記の一部１２ｐと、第１柱部３１ａと、の間に設けられる絶縁層２０には、例えば、ポリイミドなどの樹脂を用いることができる。
【００４２】
半導体発光装置１１０においては、第１導電部３０ａの第１柱部３１ａが、絶縁層２０を介して第２半導体層１２の一部を覆う構成が採用されている。これにより、第１柱部３１ａの半導体積層体１０とは反対側の端面（第１端面３１ａｅ）の面積は、第１電極１４の面積よりも大きく設定される。
【００４３】
発光部１０ｄにおいては、高い放熱性や高い発光効率を得るために、半導体積層体１０に設けられる２つの電極の一方の面積が大きく、他方が小さく設定される。本具体例では、ｎ形半導体の第１半導体層１１に接続される第１電極１４の面積（Ｚ軸方向からみたときの第１電極１４の面積）は、ｐ形半導体の第２半導体層１２に接続される第２電極１５の面積（Ｚ軸方向からみたときの第２電極１５の面積）よりも小さく設定されている。
【００４４】
一方、半導体発光装置１１０の外部と、半導体発光装置１１０と、の電気的な接続は、第１導電部３０ａ及び第２導電部３０ｂを介して行われる。
このため、半導体発光装置１１０において良好な接続性を得るためには、封止部５０から露出する第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅの面積、及び、封止部５０から露出する第２導電部３０ｂの第２端面３１ｂｅの面積をできるだけ大きくすることが望ましい。また、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとの間隔は、例えば、第１端面３１ａｅの辺の長さ（例えばＸ軸方向に沿った辺の長さ）程度に広く設定されることが望ましい。
【００４５】
半導体発光装置１１０が小型化され、その外形（特に、Ｘ−Ｙ平面に対して平行な面の面積）が小さくなった場合において、良好な接続性を維持することが重要である。
【００４６】
例えば、ｎ形半導体の第１半導体層１１に接続される第１電極１４の面積が、ｐ形半導体の第２半導体層１２に接続される第２電極１５の面積よりも小さく設定されており、第１電極１４に接続される第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅの面積が第１電極１４の面積と同じように小さい比較例においては、接続性が劣化する場合がある。このため、接続不良が発生し易い。また、接続性が劣化し易いことが、半導体発光装置１１０の小型化を妨げる。
【００４７】
本実施形態に係る半導体発光装置１１０においては、第１半導体層１１用の第１電極１４に接続される第１導電部３０ａの第１柱部３１ａが、第２半導体層１２と離間しつつ、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う。これにより、第１柱部３１ａの断面積（Ｘ−Ｙ平面で切断したときの断面積）を、第１電極１４の面積よりも大きくできる。そして、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐと、第１柱部３１ａと、の間に設けられた絶縁層２０によって、第１柱部３１ａと第２半導体層１２とが電気的に遮断される。このような構成を採用することで、第１電極１４の面積が小さい場合においても、第１電極１４に接続される第１柱部３１ａ（第１導電部３０ａ）の第１端面３１ａｅの面積が大きくでき、良好な接続性を実現できる。
【００４８】
このように、本実施形態に係る半導体発光装置１１０によれば、電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置が提供できる。
【００４９】
このような構成の効果は、半導体発光装置１１０が小型化され、その外形（特に、Ｘ−Ｙ平面に対して平行な面）が小さくなった場合において、特に効果的に発揮される。そして、第１電極１４の面積が、第２電極１５の面積よりも小さい場合に、特に効果的に発揮される。
【００５０】
なお、半導体発光装置１１０を例えばプリント配線基板に搭載する場合、量産型のプリント配線基板の配線技術における精度から、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとの間隔は、例えば２００マイクロメートル（μｍ）以上とすることが望ましい。ただし、実施形態はこれに限らず、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとの間隔は任意である。
【００５１】
また、第１導電部３０ａの側面と半導体発光装置１１０の外面との距離、及び、第２導電部３０ｂの側面と半導体発光装置１１０の外面との距離は、例えば、封止部５０に用いられる樹脂に含まれるフィラーの径以上とすることが望ましい。例えば、第１端面３１ａｅと、半導体発光装置１１０の外面（Ｚ軸方向に沿った面）と、の距離、及び、第２端面３１ｂｅと、半導体発光装置１１０の外面（Ｚ軸方向に沿った面）と、の距離は、一般的な熱硬化性樹脂の場合には例えば５０μｍ以上とすることが望ましい。ただし、実施形態はこれに限らず、第１端面３１ａｅと半導体発光装置１１０の外面との距離、及び、第２端面３１ｂｅと半導体発光装置１１０の外面との距離は、任意である。
【００５２】
半導体発光装置１１０のＸ−Ｙ平面に平行な面の大きさは、下面電極タイプの電子部品の最小サイズとされることができる。例えば、半導体発光装置１１０のＸ−Ｙ平面に平行な面は、６００μｍ×３００μｍの長方形とすることができる。例えば、半導体発光装置１１０の外形は、例えば６００μｍ×３００μｍ×３００μｍの直方体とすることができる。また、半導体発光装置１１０のＸ−Ｙ平面に平行な面は、１０００μｍ×５００μｍの長方形とすることができる。例えば、半導体発光装置１１０の外形は、例えば１０００μｍ×５００μｍ×５００μｍの直方体とすることができる。ただし、実施形態はこれに限らず、半導体発光装置１１０のＸ−Ｙ平面に対して平行な面の大きさ及び形状、並びに、半導体発光装置１１０の大きさ及び形状は、任意である。
【００５３】
本実施形態に係る半導体発光装置１１０においては、第１導電部３０ａ（例えば第１柱部３１ａ）及び第２導電部３０ｂ（例えば第２柱部３１ｂ）の断面積（Ｘ−Ｙ平面で切断した時の断面積）を大きくすることができる。すなわち、発光部１０ｄにおいて熱の放熱経路である第１導電部３０ａ及び第２導電部３０ｂの断面を大きくすることができる。第１導電部３０ａ（例えば第１柱部３１ａ）及び第２導電部３０ｂ（例えば第２柱部３１ｂ）として、熱伝導率が高い例えば金属を用いることで、半導体積層体１０において発生する熱の放熱経路の熱抵抗が小さくなり、放熱性が高まる。
【００５４】
なお、半導体発光装置１１０と接続される例えばプリント配線板と、半導体発光装置１１０と、の電気的な接続は、第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅとプリント配線板の電極との間、及び、第２導電部３０ｂの第２端面３１ｂｅとプリント配線板の電極との間、を例えばはんだ材を用いて接続することによって行われる。はんだ材の熱伝導率は、第１導電部３０ａ及び第２導電部３０ｂに用いられる例えば銅の熱伝導率の１／７程度と小さい。このため、放熱性を高めるためには、はんだ接合部の断面積を大きくすることが効果的である。
【００５５】
本実施形態に係る半導体発光装置１１０においては、第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅの面積、及び、第２導電部３０ｂの第２端面３１ｂｅの面積を大きくすることができるので、はんだ接合部の断面積が大きくできる。このため、半導体発光装置１１０の構成により、放熱性が向上できる。
【００５６】
半導体積層体１０の厚さは、例えば５μｍ以上６μｍ以下程度と薄く、さらに、半導体積層体１０の熱伝導率は金属よりも低い。このため、発光層１３で発生した熱のうちの一部が、半導体積層体１０中をＸ−Ｙ平面に沿った方向に伝わり、半導体積層体１０において熱が蓄積され易く、発光層１３では温度が上昇し易い。
【００５７】
このとき、本実施形態に係る半導体発光装置１１０においては、発光層１３に対向する位置（すなわち、第２半導体層１２に対向する位置）に、熱伝導率が高い第２導電部３０ｂを設けることで、半導体積層体１０で発生する熱を、効率的にＺ軸方向及びＸ−Ｙ平面方向に伝導させ、発光層１３の昇温を抑制することができる。また、発光層１３の温度を均一化することができる。
【００５８】
なお、第１導電部３０ａ及び第２導電部３０ｂの熱伝導経路の断面積を大きくするほど、放熱効果は大きくなる。例えば、第１柱部３１ａの断面積（第１柱部３１ａをＸ−Ｙ平面で切断したときの断面積）及び第２柱部３１ｂの断面積（第２柱部３１ｂをＸ−Ｙ平面で切断したときの断面積）を大きくするほど放熱効果が大きくなる。また、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂを設ける場合は、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂの厚さ（Ｚ軸方向に沿った厚さ）を大きくするほど放熱効果が大きくなる。
【００５９】
このように、本実施形態に係る半導体発光装置１１０によれば、さらに、放熱性を向上でき、発光効率が向上でき、信頼性を向上できる。
【００６０】
以下、半導体発光装置１１０の構成の例についてさらに説明する。
半導体発光装置１１０のＸ軸方向に沿った辺の長さは、例えば６００μｍとすることができる。半導体発光装置１１０のＹ軸方向に沿った辺の長さは、例えば３００μｍとすることができる。以下では、半導体発光装置１１０のＸ軸方向に沿った辺の長さが６００μｍであり、Ｙ軸方向に沿った辺の長さが３００μｍである場合についての構成の例について説明する。
【００６１】
第１半導体層１１のＸ軸方向に沿った辺の長さは、例えば５７０μｍとすることできる。また、第１半導体層１１のＹ軸方向に沿った辺の長さは、例えば２７０μｍとすることができる。
【００６２】
なお、Ｘ軸方向は、第１柱部３１ａから第２柱部３１ｂに向かう方向に沿った、半導体積層体１０の辺の方向とされている。
Ｘ軸方向（第１柱部３１ａから第２柱部３１ｂに向かう方向）に沿った半導体発光装置１１０の長さは、Ｙ軸方向（第１柱部３１ａから第２柱部３１ｂに向かう方向と、第２主面１０ａから第１主面１０ｂに向かう方向と、に対して直交する方向）に沿った半導体発光装置１１０の長さよりも長く設定することができる。
【００６３】
また、Ｘ軸方向に沿った第１半導体層１１の長さは、Ｙ軸方向に沿った第１半導体層１１の長さよりも長く設定することができる。
これにより、Ｘ軸方向に沿って第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとを配置したときにおいて、第１端面３１ａｅのサイズと第２端面３１ｂｅのサイズと、を大きく設定できる。これにより、電極の接続性がより向上できる。
【００６４】
蛍光体層６１には、例えば、光を吸収し、その光の波長よりも長い波長を有する光を放出する蛍光体の粒子を混合した樹脂を用いることができる。この蛍光体は、例えば、青色光、紫光、及び、紫外光の少なくともいずれかの光を吸収し、その光よりも長い波長を有する光を放出する。また、蛍光体が混合される樹脂には、例えばシリコーン樹脂が用いられる。蛍光体層６１の厚さは、例えば２００μｍとされる。蛍光体層６１に用いられるシリコーン樹脂には、例えば、屈折率が約１．５のメチルフェニルシリコーンを用いることができる。ただし、実施形態はこれに限らず、蛍光体層６１に含まれる樹脂及び蛍光体は任意である。
【００６５】
なお、既に説明したように、第２電極１５は、導電層と、その導電層と第２半導体層１２との間に設けられた反射層を含むことができる。この反射層は、例えばＡｇ及びＡｌの少なくともいずれかを含有することができる。この反射層の厚さは、例えば０．３μｍとすることができる。この反射層は、例えば、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の実質的に全部の領域に設けることができる。これにより、発光層１３から放出された発光光を効率的に第１主面１０ｂに向けて反射することができる。ただし、反射層が設けられる領域は、任意であり、例えば、反射層は、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部の領域に設けても良い。
【００６６】
また、第２電極１５は、上記の反射層と、第２半導体層１２と、の間に設けられたコンタクト電極層をさらに含んでも良い。このコンタクト電極層は、例えば、Ａｕ層（金層）と、Ａｕ層と第２半導体層１２との間に設けられたＮｉ層（ニッケル層）と、を含むことができる。なお、Ｎｉ層の厚さは０．１μｍとすることができ、Ａｕ層の厚さは０．１μｍとすることができる。
【００６７】
第１電極１４は、例えば、Ａｕ層と、Ａｕ層と第１半導体層１１との間に設けられたＮｉ層と、を含むことができる。このＡｕ層の厚さは例えば０．１μｍとすることができ、このＮｉ層の厚さは０．１μｍとすることができる。第１電極１４は、例えば、第１半導体層１１の第２主面１０ａの側の実質的に全部の領域に設けられることができる。ただし、第１電極１４が設けられる領域は任意であり、第１電極１４は第１半導体層１１の第２主面１０ａの側の少なくとも一部に設けられる。
なお、第１電極１４は、導電層と、導電層と第１半導体層１１との間に設けられた反射層と、を含んでも良い。このように、第１電極１４は積層構造を有することができる。
【００６８】
第２電極１５の導電層は、例えば、Ａｕ層と、Ａｕ層と第２半導体層１２との間に設けられたＮｉ層と、を含むことができる。このＡｕ層の厚さは例えば０．１μｍとすることができ、このＮｉ層の厚さは０．１μｍとすることができる。第２電極１５は、例えば、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の実質的に全部の領域に設けられることができる。ただし、第２電極１５が設けられる領域は任意であり、第２電極１５は第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の少なくとも一部に設けられる。
【００６９】
第１導電部３０ａに含まれる第１接続部３２ａには、例えばＣｕ等の金属が用いられる。第１接続部３２ａは、第１層と、第２層と、を含むことができる。第１層は、第２層と第１電極１４との間に設けられる。すなわち、第１層は第１電極１４に接する。第１層は、例えばシード層であり、第２層は、例えばメッキ層である。第１層の面積は、第１電極１４の面積と同等か、第１電極１４の面積以下とすることができる。第２層の面積は、例えば、２５０μｍ×１５０μｍとすることができる。第１層の厚さは、例えば約１μｍとすることができる。第２層の厚さは、例えば１０μｍとすることができる。
【００７０】
第２導電部３０ｂに含まれる第２接続部３２ｂには、例えばＣｕ等の金属が用いられる。第２接続部３２ｂは、第３層と、第４層と、を含むことができる。第３層は、第４層と第２電極１５との間に設けられる。すなわち、第３層は第２電極１５に接する。第３層は、例えばシード層であり、第４層は、例えばメッキ層である。第３層は、第１層と同層であり、第３層には、第１層に用いられる材料と同じ材料を用いることができる。第４層は第２層と同層であり、第４層には、第２層に用いられる材料と同じ材料を用いることができる。第３層の面積は、第２電極１５の面積と同等か、第２電極１５の面積以下とすることができる。第４層の面積は、例えば、２５０μｍ×３５０μｍとすることができる。第３層の厚さは、例えば約１μｍとすることができる。第４層の厚さは、例えば１０μｍとすることができる。
【００７１】
ただし、第１〜第４層の面積、形状及び厚さは任意である。また、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂは、単層の薄膜でも良く、上記のように、積層膜でも良い。また、第１接続部３２ａは、第１層及び第２層に積層された他の層をさらに有しても良い。また、第２接続部３２ｂは、第３層及び第４層に積層された他の層をさらに有しても良い。
【００７２】
第１柱部３１ａには、例えばＣｕ等の金属を用いることができる。第１柱部３１ａのＸ−Ｙ平面で切断したときの断面は、例えば、２００μｍ×１５０μｍの長方形とすることができる。第１柱部３１ａの厚さ（Ｚ軸方向に沿った長さ）は、例えば６０μｍ程度とすることができる。第１接続部３２ａによって、第１電極１４と第１柱部３１ａとが電気的に接続される。
【００７３】
第２柱部３１ｂには、例えばＣｕ等の金属を用いることができる。第２柱部３１ｂのＸ−Ｙ平面で切断したときの断面は、例えば、２００μｍ×１５０μｍの長方形とすることができる。第２柱部３１ｂの厚さ（Ｚ軸方向に沿った長さ）は、例えば６０μｍ程度とすることができる。第２接続部３２ｂによって、第２電極１５と第２柱部３１ｂとが電気的に接続される。
【００７４】
第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂに用いられる材料、断面の形状、断面積及び厚さは上記に限らず任意である。
【００７５】
封止部５０には、例えば、熱硬化性樹脂を用いることができる。封止部５０の厚さは、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂの厚さと同程度であり、例えば、６０μｍ程度である。封止部５０は、第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅ、及び、第２導電部３０ｂの第２端面３１ｂｅを露出しつつ、第１導電部３０ａの側面（第１柱部３１ａの側面及び第１接続部３２ａの側面）、及び、第２導電部３０ｂの側面（第２柱部３１ｂの側面及び第２接続部３２ｂの側面）を覆う。封止部５０は、さらに、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂの半導体積層体１０とは反対側の面を覆うことができる。さらに、封止部５０は、半導体積層体１０の第２主面１０ａの側の全体を覆うことができる。
【００７６】
なお、後述するように、封止部５０は、第１封止層と第２封止層とを含むことができる。第１封止層は、第２封止層と半導体積層体１０との間に設けられる。このように、封止部５０は、２層構造を有することができる。第１封止層には、例えばポリイミドを用いることができる。第２封止層には、例えばエポキシ系熱硬化性樹脂を用いることができる。
【００７７】
以下、半導体発光装置１１０の製造方法の例について説明する。
図２（ａ）〜図２（ｅ）、図３（ａ）〜図３（ｅ）、及び、図４（ａ）〜図４（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
すなわち、これらの図は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面に相当する断面図である。
本製造方法は、複数の半導体発光装置１１０をウェーハレベルで一括して製造する方法である。
【００７８】
図２（ａ）に表したように、半導体積層体１０が形成された基板１０ｓが用いられる。なお、基板１０ｓには、例えばサファイア基板が用いられる。基板１０ｓのサイズは、例えば直径が４インチであり、基板１０ｓの厚さは、例えば５００μｍ程度である。なお、半導体積層体１０の形成方法は、例えば以下である。すなわち、基板１０ｓ上に、窒化物半導体の、第１半導体層１１となる結晶膜、発光層１３となる結晶膜、及び、第２半導体層１２となる結晶膜が、エピタキシャル成長され、これらの結晶膜が、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）処理によりエッチングされ、第２主面１０ａの側に第１半導体層１１の一部を露出させる。さらに、これらの結晶膜が、例えばＲＩＥ処理により加工され、個別化され、複数の半導体積層体１０が形成される。
【００７９】
次に、図２（ｂ）に表したように、半導体積層体１０の第２主面１０ａに、第１電極１４及び第２電極１５となる膜を形成し、所定の形状にこの膜を加工し、第１電極１４及び第２電極１５を形成する。さらに、保護層１８を形成する。なお、図２（ｂ）においては、煩雑さを避けるために、保護層１８は図示されていない。
【００８０】
具体的には、例えば、半導体積層体１０の第２主面１０ａに、コンタクト電極層となる膜を形成する。すなわち、厚さが０．１μｍのＮｉ膜を形成し、その上に厚さが０．１μｍのＡｕ膜を形成する。これにより、コンタクト電極層となる膜が形成される。Ｎｉ膜及びＡｕ膜の形成には例えばスパッタ法を用いることができる。さらに、このＡｕ膜の上に、反射層となる層が形成される。すなわち、反射層として、Ａｇ及びＡｌの少なくともいずれかを含む、例えば厚さが０．３μｍの膜が形成される。この場合にもスパッタ法を用いることができる。これにより、反射層となる膜が形成される。
【００８１】
さらに、反射層となる膜の上に、第１電極１４及び第２電極１５の導電層となる導電膜が形成される。すなわち、反射層となる膜の上に、例えば０．１μｍのＮｉ膜を形成し、その上に厚さが０．１μｍのＡｕ膜を形成する。このＮｉ膜及びＡｕ膜の形成にも、例えばスパッタ法を用いることができる。
【００８２】
上記のコンタクト電極層となる膜、反射層となる膜、第１電極１４及び第２電極１５の導電層となる導電膜を所定の形状に加工する。これにより、第１電極１４及び第２電極１５が形成される。なお、上記の各膜の加工には、例えばリフトオフ法などの任意の方法を用いることができる。なお、コンタクト電極層、反射層、及び、第１電極１４の導電層は、互いに異なるパターン形状を有することができる。また、コンタクト電極層、反射層、及び、第２電極１５の導電層は、互いに異なるパターン形状を有することができる。
【００８３】
さらに、第１電極１４の少なくとも一部を除く領域、及び、第２電極１５の少なくとも一部を除く領域に、保護層１８となる、例えば、厚さが０．３μｍのＳｉＯ２膜を例えばＣＶＤ法により形成し、例えばドライエッチングやウエットエッチングによって加工し、保護層１８を形成する。
【００８４】
次に、図２（ｃ）に表したように、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０を形成する。この絶縁層２０は、第１電極１４の少なくとも一部を除く領域、及び、第２電極１５の少なくとも一部を除く領域に形成される。なお、本具体例では、絶縁層２０は、複数の半導体積層体１０どうしの間にも設けられる。
【００８５】
絶縁層２０には、例えばポリイミドやＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール）が用いられる。すなわち、例えば、半導体積層体１０の第２主面１０ａの全面に、絶縁層２０となるポリイミド膜を形成し、例えばマスクを用いた露光と、現像と、を行うことにより、選択的に絶縁層２０を形成する。加工された絶縁層２０は、必要に応じてベーキングされる。
【００８６】
そして、この後、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０の上に、第１導電部３０ａの少なくとも一部となる導電膜を形成する。この導電膜は、第２導電部３０ｂの少なくとも一部となることもできる。さらに、この導電膜は、絶縁層２０に覆われていない第１電極１４の少なくとも一部と、絶縁層２０に覆われていない第２電極１５の少なくとも一部と、を覆うように、形成されることができる。具体的には以下の処理が行われる。
【００８７】
すなわち、図２（ｄ）に表したように、例えば、基板１０ｓの第２主面１０ａの側の全面に、第１接続部３２ａの第１層、及び、第２接続部３２ｂの第３層、となるシード層３３を形成する。シード層３３は、例えば、蒸着法やスパッタ法などの物理的被着法により形成される。シード層３３は、後述するメッキ工程における給電層として機能する。シード層３３には、例えば、Ｔｉ膜とＣｕ膜との積層膜を用いることができる。なお、シード層３３のＴｉ層により、Ｃｕ膜と、レジストやパッド（第１電極１４及び第２電極１５）と、の密着強度を高めることができる。Ｔｉ層の厚さは、例えば０．２μｍ程度とされる。一方、シード層３３のＣｕ膜は、主に給電に寄与する。Ｃｕ膜の厚さは、０．２μｍ以上とすることが望ましい。
【００８８】
次に、図２（ｅ）に表したように、第１接続部３２ａに対応する領域、及び、第２接続部３２ｂに対応する領域以外の領域に、第１レジスト層３７を形成する。第１レジスト層３７には、例えば、感光性の液状レジストやドライフィルムレジストを用いることができる。第１レジスト層３７は、まず、第１レジスト層３７となる膜を形成した後に、所定の開口部を有する遮光マスクを用いた露光と、現像と、を実施することにより形成される。なお、必要に応じて第１レジスト層３７はベーキングされる。
【００８９】
次に、図３（ａ）に表したように、第１レジスト層３７が設けられていない領域に、第１接続部３２ａの第２層、及び、第２接続部３２ｂの第４層、となる接続部導電膜３２ｆを形成する。接続部導電膜３２ｆは、例えば、電気メッキ法により形成される。電気メッキ法においては、例えば、硫酸銅と硫酸とからなるメッキ液中に、上記の被加工体が設けられた基板１０ｓを浸漬し、シード層３３と直流電源の負極とを接続し、基板１０ｓの被メッキ面と対向するように設置したアノードとなるＣｕ板と直流電源の陽極とを接続する。そして、負極と陽極との間に電流を通電し、Ｃｕのメッキを行う。メッキ工程において、メッキ膜の厚さは時間の経過と共に増加し、メッキ膜の厚さが必要な厚さに達したときに通電が停止されてメッキが完了する。これにより、メッキ膜からなる接続部導電膜３２ｆが、第１レジスト層３７の開口部に形成される。
【００９０】
第１電極１４に対応する位置のシード層３３（第１層）と、第１電極１４に対応する位置の接続部導電膜３２ｆ（第２層）と、が第１接続部３２ａとなる。第２電極１５に対応する位置のシード層３３（第３層）と、第２電極１５に対応する位置の接続部導電膜３２ｆ（第４層）と、が第２接続部３２ｂとなる。
【００９１】
第１接続部３２ａが、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０の上に形成された、第１導電部３０ａの少なくとも一部となる導電膜に相当する。そして、本具体例では、この導電膜となるシード層３３及び接続部導電膜３２ｆは、第２導電部３０ｂの少なくとも一部となる導電膜にもなる。さらに、この導電膜となるシード層３３及び接続部導電膜３２ｆは、絶縁層２０に覆われていない第１電極１４の少なくとも一部と、絶縁層２０に覆われていない第２電極１５の少なくとも一部と、を覆うように形成されている。
【００９２】
この後、第１接続部３２ａ（第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０の上に形成された、第１導電部３０ａの少なくとも一部となる導電膜）の上に、第１柱部３１ａを形成する。具体的には、例えば以下の処理が行われる。
【００９３】
図３（ｂ）に表したように、第１柱部３１ａに対応する領域、及び、第２柱部３１ｂに対応する領域以外の領域に第２レジスト層３８を形成する。第２レジスト層３８に用いられる材料、及び、第２レジスト層３８の形成には、第１レジスト層３７に関して説明した材料及び方法を採用することができる。
【００９４】
次に、図３（ｃ）に表したように、第２レジスト層３８が設けられていない領域に、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂとなる柱部導電膜３１ｆを形成する。柱部導電膜３１ｆも、例えば、電気メッキ法により形成される。柱部導電膜３１ｆの形成には、接続部導電膜３２ｆの形成に関して説明した材料及び方法を適用することができる。第１接続部３２ａに接続される部分の柱部導電膜３１ｆが第１柱部３１ａとなり、第２接続部３２ｂに接続される部分の柱部導電膜３１ｆが第２柱部３１ｂとなる。
【００９５】
次に、図３（ｄ）に表したように、第１レジスト層３７及び第２レジスト層３８を除去する。さらに、露出したシード層３３を、例えば、酸洗浄により除去する。なお、接続部導電膜３２ｆに覆われているシード層３３は、第１層及び第３層として残存し、それぞれ第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂに含まれる。
【００９６】
次に、図３（ｅ）に表したように、基板１０ｓの第２主面１０ａの側の面に、封止部５０となる樹脂層５０ｆを形成する。樹脂層５０ｆには、例えば、熱硬化性樹脂を用いることができる。例えば、印刷等の手法によって、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂが埋没する程度の厚さで、基板１０ｓの第２主面１０ａの側の面に樹脂層５０ｆとなる膜を形成し、加熱して硬化させ樹脂層５０ｆを形成する。樹脂層５０ｆの硬化の際の加熱条件は、例えば、１５０℃程度で２時間程度とされる。
【００９７】
次に、図４（ａ）に表したように、樹脂層５０ｆの表面を研削し、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂを露出させる。これにより、封止部５０が形成される。なお、この研削において、樹脂層５０ｆの研削と共に、第１柱部３１ａの一部と、第２柱部３１ｂの一部と、を研削することができ、これにより、第１柱部３１ａの第１端面３１ａｅ、及び、第２柱部３１ｂの第２端面３１ｂｅは、封止部５０の第２主面１０ａとは反対の側の面を含む面内に配置される。
【００９８】
なお、上記の研削には、例えば、回転研磨ホイールを用いることができる。回転研削によって、平坦性を確保しながら研削を実施することができる。なお、研削後に、必要に応じて、乾燥が行われる。
【００９９】
次に、図４（ｂ）に表したように、半導体積層体１０から基板１０ｓを除去する。すなわち、例えば、基板１０ｓの半導体積層体１０とは反対側の面から、基板１０ｓを介して、半導体積層体１０に含まれる層（例えばＧａＮ層）にレーザ光を照射し、この層の少なくとも一部を分解することで、半導体積層体１０から基板１０ｓを分離する。このレーザ光には、例えば、ＧａＮの禁制帯幅に基づく禁制帯幅波長よりも短い波長を有するレーザ光を用いることができる。例えば、Ｎｄ：ＹＡＧの三倍高調波レーザを用いることができる。ただし、用いられるレーザ光は任意である。
【０１００】
次に、図４（ｃ）に表したように、本具体例では、半導体積層体１０の第１主面１０ｂに、光学層６０の一部となる透光部６２を形成する。すなわち、半導体積層体１０の第１主面１０ｂに、例えば、液状の透明樹脂層を印刷等によって塗布し、所定の形状を有する型をこの透明樹脂層に押し付け、透明樹脂層を所定の形状に変形させた後に、型を離型し、必要に応じて加熱及び紫外線照射の少なくともいずれかの処理を施して硬化させ、透光部６２を形成する。この方法を採用することにより、所望の形状を有する型を用いることで任意の形状を有する透光部６２を容易に形成することができる。
【０１０１】
次に、図４（ｄ）に表したように、透光部６２を覆うように蛍光体層６１となる蛍光体膜６１ｆを形成する。蛍光体膜６１ｆは、例えば、蛍光体の粒子と、シリコーン樹脂と、が混合された樹脂材料を、透光部６２を覆うように、スピンコートまたは印刷により塗布し、その後、樹脂材料を加熱硬化して形成される。この樹脂材料には、例えば、１５０℃で１時間の加熱により硬化する材料が用いられる。
【０１０２】
そして、図４（ｅ）に表したように、封止部５０となる樹脂層５０ｆ、及び、蛍光体層６１となる蛍光体膜６１ｆを切断し、複数の半導体積層体１０のそれぞれを分離する。これにより、複数の半導体発光装置１１０が一括して製造できる。なお、上記の切断には、例えばダイサによるダイシング法を採用することができる。
【０１０３】
上記の製造方法においては、ウェーハレベルで一括して、電極、封止部及び光学層を形成することができ、生産性が高い。また、ウェーハレベルでの検査も可能となる。これにより生産性高く半導体発光装置を製造できる。また、リードフレーム、導電性基板及びボンディングワイヤなどのような部材を必要としないため、小型化が容易にできる。また、低コスト化も可能になる。
【０１０４】
なお、図４（ｂ）に関して説明した、半導体積層体１０から基板１０ｓを分離する工程において、絶縁層２０となる膜に高い温度が加わる場合があることがある。すなわち、基板１０ｓの半導体積層体１０とは反対側の面から、基板１０ｓを介して、半導体積層体１０にレーザ光を照射する際に、絶縁層２０となる膜が加熱されることがある。このときの加熱による絶縁層２０となる膜の劣化を抑制するために、絶縁層２０となる膜には、耐熱性の高い材料を用いることが望ましい。
【０１０５】
例えば、絶縁層２０には、封止部５０に用いられる樹脂よりも耐熱性が高い樹脂を用いることが、より望ましい。すなわち、絶縁層２０の熱分解温度は、封止部５０の熱分解温度よりも高いことが、より望ましい。例えば、絶縁層２０には、熱分解温度が３８０℃程度以上のポリイミドを用いることができ、封止部５０には、例えば、熱分解温度が２８０℃以上３００℃以下程度のエポキシ樹脂を用いることができる。なお、熱分解温度は、例えば、加熱によって重量が一定の割合（例えば５パーセント）で減少するときの温度を採用することができる。
【０１０６】
また、絶縁層２０となる膜がフィラーを含んだ場合においては、絶縁層２０となる膜に加わる高温によってフィラーに起因した不良が発生することがある。この不良を抑制するため、絶縁層２０に含まれるフィラーの含有率は、封止部５０に含まれるフィラーの含有率よりも低く設定されることが望ましい。例えば、絶縁層２０には、実質的にフィラーを含まないポリイミドを用いることができる。
【０１０７】
図５（ａ）〜図５（ｃ）、及び、図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
すなわち、これらの図は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面に相当する断面図である。
【０１０８】
図５（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１０ａにおいては、透光部６２が凸レンズの形状を有している。
【０１０９】
さらに、透光部６２の厚さが一定であっても良い。すなわち、透光部６２は、レンズ作用を有する他、半導体積層体１０の温度上昇を抑制する作用を有することもできる。すなわち、蛍光体層６１においては、波長変換の際に一部のエネルギーが吸収され発熱するが、透光部６２を蛍光体層６１と半導体積層体１０との間に設けることで、蛍光体層６１を半導体積層体１０から離すことができ、半導体積層体１０の温度の上昇を抑制できる。
このように、透光部６２の形状は任意である。
【０１１０】
図５（ｂ）に表したように、別の半導体発光装置１１０ｂにおいては、光学層６０には、蛍光体層６１が設けられているが、透光部６２が設けられていない。このように、透光部６２は、必要に応じて設けられる。
【０１１１】
図５（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１０ｃにおいては、光学層６０は、蛍光体を含む蛍光体層６１と、蛍光体層６１の半導体積層体１０とは反対側に設けられた硬質膜６３と、を有する。硬質膜６３は、蛍光体層６１の硬度よりも高い硬度を有する。硬質膜６３は透光性を有する。硬質膜６３には、例えば硬度の高いシリコーン樹脂を用いることができる。硬質膜６３の形成には、例えば、スピンコート法または印刷法を採用できる。また、硬質膜６３には、例えば窒化シリコンや酸化シリコンなどを用いることができる。この場合には、硬質膜６３は、例えばスパッタなどの方法によって形成される。ただし、硬質膜６３の材料及び形成方法は任意である。
【０１１２】
硬質膜６３を設けることで、半導体発光装置１１０ｃの発光面（光学層６０の側の面）において高い硬度が得られるため、例えば、半導体発光装置１１０ｃのハンドリングが容易になる。
【０１１３】
例えば、蛍光体層６１に用いられるシリコーン樹脂の硬度が低い場合において、光学層６０の最表面（半導体積層体１０から最も離れた面）に蛍光体層６１が露出していると、例えば、半導体発光装置をコレットでピックアップする際に、蛍光体層６１がコレットに密着し適切な実装が行われ難い場合がある。このとき、蛍光体層６１よりも硬度が高い硬質膜６３を蛍光体層６１の上に設けることで、良好な実装がより実施し易くなる。
【０１１４】
図６（ａ）、図６（ｂ）及び図６（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１０ｄ、１１０ｅ及び１１０ｆにおいては、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂが設けられていない。この場合にも、第１柱部３１ａと、第２半導体層１２と、の間に絶縁層２０が設けられ、絶縁層２０を介して、第１柱部３１ａの一部は、第２半導体層１２の一部１２ｐに対向している。これにより、第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅの面積は、第１電極１４の面積よりも大きくできる。半導体発光装置１１０ｄ、１１０ｅ及び１１０ｆによっても電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置が提供できる。
【０１１５】
なお、図６（ａ）に例示した半導体発光装置１１０ｄにおいては、透光部６２は、凸レンズの形状を有しているが、半導体発光装置１１０のように、透光部６２の形状を凹レンズの形状としても良い。また、透光部６２の厚さは一定としても良い。
【０１１６】
なお、図６（ｂ）に例示した半導体発光装置１１０ｅは、透光部６２が省略される例であり、図６（ｃ）に例示した半導体発光装置１１０ｆは、図５（ｃ）に関して説明した硬質膜６３が設けられる例である。
【０１１７】
（第２の実施の形態）
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第２の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
すなわち、図７（ｂ）は模式的平面図であり、図７（ａ）は、図７（ｂ）のＢ−Ｂ’線断面図である。
【０１１８】
図７（ａ）及び図７（ｂ）に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１２０においては、第１導電部３０ａの半導体積層体１０とは反対側の第１端面３１ａｅと、第２導電部３０ｂの半導体積層体１０とは反対側の第２端面３１ｂｅと、は非対称である。これ以外は、半導体発光装置１１０と同様とすることができるので説明を省略する。
【０１１９】
本具体例では、第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅの第２導電部３０ｂ側の２つの角部に、Ｘ軸方向に対して傾斜した斜めの辺が設けられている。一方、第２導電部３０ｂの第２端面３１ｂｅの第１導電部３０ａとは反対側の２つの角部に、Ｘ軸方向に対して傾斜した斜めの辺が設けられている。すなわち、第１端面３１ａｅの形状と、第２端面３１ｂｅの形状と、は互いに、並進の関係を有するが、非対称の関係を有する。すなわち、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとは、Ｙ軸方向に平行な軸に関して線対称でない。
【０１２０】
このような構成により、半導体発光装置１２０がＺ軸方向に関して回転された場合においても、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとが互いに判別できる。
【０１２１】
半導体発光装置１２０によれば、電極の接続性を高く維持し、小型化に適し、さらに、小型化したときに特に問題となり易い、電極の判別が容易な半導体発光装置が提供できる。
【０１２２】
図８（ａ）〜図８（ｃ）及び図９（ａ）〜図９（ｃ）は、第２の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的平面図である。
これらの図は、Ｚ軸方向に沿って半導体発光装置をみたときの、第１端面３１ａｅ及び第２端面３１ｂｅの形状を例示している。
【０１２３】
図８（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１２０ａにおいては、第１端面３１ａｅの大きさは、第２端面３１ｂｅの大きさよりも小さい。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。
【０１２４】
なお、このように、第１端面３１ａｅの大きさを第２端面３１ｂｅの大きさとは異ならせる場合には、ｐ形半導体層に接続される電極の端面を、ｎ形半導体層に接続される電極の端面のよりも大きくすることが望ましい。ｐ形半導体層の方がｎ形半導体層よりも高温になり易いため、この構成を採用することで、高温になり易いｐ形半導体層の熱をより放熱し易くできる。
【０１２５】
図８（ｂ）に表したように、別の半導体発光装置１２０ｂにおいては、第１端面３１ａｅは４つの端面を含む。すなわち、第１端面３１ａｅは、第１〜第４サブ端面３１ａｅ１〜３１ａｅ４を含む。一方、第２端面３１ｂｅは１つである。このように、第１端面３１ａｅに含まれる面の数と、第２端面３１ｂｅに含まれる面の数とを異ならせることができる。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。なお、本具体例においては、第１〜第４サブ端面３１ａｅ１〜３１ａｅ４を含む第１端面３１ａｅの全体の形状は、第２端面３１ｂｅの形状と、線対称または点対称の関係を有しているが、第１端面３１ａｅに含まれる面の数と、第２端面３１ｂｅに含まれる面の数とが異なることで、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとは非対称とされる。
【０１２６】
図８（ｃ）に表したように、別の半導体発光装置１２０ｃにおいては、第１端面３１ａｅは１つである。一方、第２端面３１ｂｅは、第５及び第６サブ端面３１ｂｅ１及び３１ｂｅ２の２つの面を含む。このように、この場合も、第１端面３１ａｅに含まれる面の数と、第２端面３１ｂｅに含まれる面の数とが異なる。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。なお、本具体例においては、第１端面３１ａｅの形状は、第５及び第６サブ端面３１ｂｅ１及び３１ｂｅ２を含む第２端面３１ｂｅの全体の形状と、非対称である。なお、本具体例においては、第２半導体層１２に接続され、第５及び第６サブ端面３１ｂｅ１及び３１ｂｅ２を含む第２端面３１ｂｅの全体の面積は、第１半導体層１１に接続される第１端面３１ａｅの面積よりも大きく設定されている。
【０１２７】
図９（ａ）に表したように、別の半導体発光装置１２０ｄにおいては、第１端面３１ａｅは円形であり、第２端面３１ｂｅは長方形である。このように、第１端面３１ａｅのパターン形状と、第２端面３１ｂｅのパターン形状と、が異なる。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。
【０１２８】
図９（ｂ）に表したように、別の半導体発光装置１２０ｅにおいては、第１端面３１ａｅは６角形であり、第２端面３１ｂｅは四角形である。このように、第１端面３１ａｅのパターン形状と、第２端面３１ｂｅのパターン形状と、が異なる。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。さらに、本具体例では、第１端面３１ａｅは、異方性を有する多角形のパターン形状を有している。パターン形状が異方性を有することから、そのパターン形状から電流の流れる方向を直感的に把握することも可能になり、これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとがより判別し易くできる。
【０１２９】
図９（ｃ）に表したように、別の半導体発光装置１２０ｆにおいては、第１端面３１ａｅの半導体発光装置の外形に対する配置と、第２端面３１ｂｅの半導体発光装置の外形に対する配置と、が非対称である。すなわち、本具体例では、第１端面３１ａｅの辺と外形の１つの辺との間の距離が、第２端面３１ｂｅの辺と外形の１つの辺との間の距離よりも短く設定されている。このように、第１端面３１ａｅの配置（例えば半導体発光装置の外形に対する配置）と、第２端面３１ｂｅの配置（例えば半導体発光装置の外形に対する配置）と、を非対称にすることで、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。
【０１３０】
このように、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが非対称であることは、例えば、第１端面３１ａｅの大きさが、第２端面３１ｂｅの大きさとは異なる場合を含む。また、例えば、第１端面３１ａｅの数が、第２端面３１ｂｅの数とは異なる場合を含む。また、例えば、第１端面３１ａｅのパターン形状が、第２端面３１ｂｅのパターン形状とは異なる場合を含む。また、例えば、第１端面３１ａｅの配置が、第２端面３１ｂｅの配置と非対称である場合を含む。
【０１３１】
なお、上記の第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが非対称である構成は、既に説明した実施形態のいずれかに係る半導体発光装置においても適用でき、同様の効果を発揮することができる。
【０１３２】
（第３の実施の形態）
図１０は、第３の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
すなわち、同図は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面に相当する断面図である。
【０１３３】
図１０に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１３０においては、第１導電部３０ａは、第１導電部３０ａの半導体積層体１０とは反対側の第１端面３１ａｅに設けられた第１表面層７１ａをさらに有し、第２導電部３０ｂは、第２導電部３０ｂの半導体積層体１０とは反対側の第２端面３１ｂｅに設けられた第２表面層７１ｂをさらに有する。これ以外は、半導体発光装置１１０と同様とすることができるので説明を省略する。
【０１３４】
第１表面層７１ａは、例えば第１柱部３１ａに用いられる材料の濡れ性よりも高い濡れ性を有する。第２表面層７１ｂは、例えば第２柱部３１ｂに用いられる材料の濡れ性よりも高い濡れ性を有する。第１表面層７１ａ及び第２表面層７１ｂは、酸化防止層の機能を有することができる。
【０１３５】
第１表面層７１ａ及び第２表面層７１ｂには、例えば、水溶性プリフラックス、無電解Ｎｉ／Ａｊｕメッキ、及び、ＡｕＳｎメッキなどの少なくともいずれかの処理が行われた層を用いることができる。これにより、第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅ、及び、第２導電部３０ｂの第２端面３１ｂｅにおけるはんだとの濡れ性が向上できる。これにより、半導体発光装置１３０の実装性が向上する。
【０１３６】
図１１は、第３の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
すなわち、同図は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面に相当する断面図である。
【０１３７】
図１１に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１３１においては、第１導電部３０ａの半導体積層体１０とは反対側の第１端面３１ａｅに設けられた第１接続部材７２ａと、第２導電部３０ｂの半導体積層体１０とは反対側の第２端面３１ｂｅに設けられた第２接続部材７２ｂと、をさらに備える。これ以外は、半導体発光装置１１０と同様とすることができるので説明を省略する。
【０１３８】
なお、本具体例では、第１導電部３０ａが第１表面層７１ａを有し、第２導電部３０ｂが第２表面層７１ｂを有しているが、第１表面層７１ａ及び第２表面層７１ｂは必要に応じて設けられ、場合によっては省略しても良い。
【０１３９】
第１接続部材７２ａ及び第２接続部材７２ｂには、はんだを用いることができる。半導体発光装置１３１においては、第１接続部材７２ａ及び第２接続部材７２ｂをさらに設けることで、半導体発光装置１３１の実装性がさらに向上する。
【０１４０】
上記の第１表面層７１ａ及び第２表面層７１ｂ、並びに、第１接続部材７２ａ及び第２接続部材７２ｂは、既に説明した実施形態のいずれかに係る半導体発光装置においても設けることができ、同様の効果を発揮することができる。
【０１４１】
（第４の実施の形態）
図１２は、第４の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
すなわち、同図は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面に相当する断面図である。
【０１４２】
図１２に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１４０においては、第１導電部３０ａの第１柱部３１ａは、第１柱部３１ａの側面に設けられた第１粗面化部３１ａｓを有している。そして、第２導電部３０ｂの第２柱部３１ｂは、第２柱部３１ｂの側面に設けられた第２粗面化部３１ｂｓを有している。これ以外は、半導体発光装置１１０と同様とすることができるので説明を省略する。
【０１４３】
第１粗面化部３１ａｓ及び第２粗面化部３１ｂｓは、例えば、図３（ｄ）に関して説明した工程において、第１レジスト層３７及び第２レジスト層３８を除去した後、第１柱部３１ａの側面及び第２柱部３１ｂの側面を、ソフトエッチングすることで形成できる。このソフトエッチングには、例えば、過酸化水素―硫酸系のソフトエッチング液を用いることができる。
【０１４４】
また、第１粗面化部３１ａｓ及び第２粗面化部３１ｂｓは、例えば、図３（ｃ）に関して説明した工程において、第２レジスト層３８の側面を粗面化し、第２レジスト層３８の粗面化された側面の凹凸を、柱部導電膜３１ｆに転写することで形成できる。
【０１４５】
第１柱部３１ａの側面に第１粗面化部３１ａｓを設け、第２柱部３１ｂの側面に第２粗面化部３１ｂｓを設けることで、第１柱部３１ａと封止部５０との密着性、及び、第２柱部３１ｂと封止部５０との密着性が向上し、信頼性が向上できる。
【０１４６】
第１粗面化部３１ａｓ及び第２粗面化部３１ｂｓは、既に説明した実施形態のいずれかに係る半導体発光装置においても設けることができ、同様の効果を発揮することができる。
【０１４７】
（第５の実施の形態）
図１３は、第５の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
すなわち、同図は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面に相当する断面図である。
【０１４８】
図１３に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１５０においては、半導体積層体１０が設けられていない領域において、封止部５０が２層構造を有している。
【０１４９】
すなわち、封止部５０は、光学層６０の側の第１封止層５１と、第１封止層５１よりも光学層６０から遠い第２封止層５２と、を有する部分を有する。第１封止層５１には、第２封止層５２に用いられる材料とは異なる材料が用いられる。
【０１５０】
例えば、第１封止層５１は、第２封止層５２の耐熱性よりも高い耐熱性を有することができる。すなわち、第１封止層５１の熱分解温度は、第２封止層５２の熱分解温度よりも高い。例えば、第１封止層５１には、熱分解温度が３８０℃程度以上のポリイミドを用いることができ、第２封止層５２には、例えば、熱分解温度が２８０℃以上３００℃以下程度のエポキシ樹脂を用いることができる。
【０１５１】
また、第１封止層５１に含まれるフィラーの含有率は、第２封止層５２に含まれるフィラーの含有率よりも低く設定されることができる。例えば、第１封止層５１には、実質的にフィラーを含まないポリイミドを用いることができる。一方、第２封止層５２には、フィラーを含むエポキシ樹脂を用いることができる。
【０１５２】
第１封止層５１には、例えば、絶縁層２０に用いられる材料と同じ材料を用いることができ、第１封止層５１と、絶縁層２０と、は一括して形成することができる。
【０１５３】
既に説明したように、半導体積層体１０から基板１０ｓを分離する工程において、半導体積層体１０どうしの間の領域において、封止部５０の内の半導体積層体１０に近い部分に高温が加わる場合がある。すなわち、基板１０ｓの半導体積層体１０とは反対側の面から、基板１０ｓを介して、半導体積層体１０にレーザ光を照射する際に、半導体積層体１０どうしの間の領域において、封止部５０が加熱され、封止部５０の半導体積層体１０に近い部分が特に高温になる。このとき、封止部５０を２層構造とし、第１封止層５１の耐熱性を第２封止層５２よりも高くすることで、この加熱による封止部５０の特性の劣化が抑制できる。
【０１５４】
また、第１封止層５１に含まれるフィラーの含有率を、第２封止層５２に含まれるフィラーの含有率よりも低く設定することで、封止部５０に加わる高温によってフィラーに起因した不良が発生することを抑制できる。
【０１５５】
なお、第１封止層５１及び第２封止層５２の積層構成は、既に説明した実施形態のいずれかに係る半導体発光装置においても設けることができ、同様の効果を発揮することができる。
【０１５６】
（第６の実施の形態）
図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、第６の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
すなわち、図１４（ｂ）は模式的平面図であり、図１４（ａ）は、図１４（ｂ）のＣ−Ｃ’線断面図である。
【０１５７】
図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１６０は、Ｘ−Ｙ平面内（第２主面１０ａから第１主面１０ｂに向かう方向であるＺ軸方向に対して垂直な平面内）において、半導体積層体の少なくとも１つの辺に対向して設けられた周辺積層部１０ｐをさらに備える。
【０１５８】
周辺積層部１０ｐは、半導体積層体１０に用いられる材料からなる。周辺積層部１０ｐは、封止部５０と光学層６０とに覆われる。
【０１５９】
本具体例では、周辺積層部１０ｐは、Ｘ−Ｙ平面内において、半導体積層体１０の４つの辺に対向して設けられる。すなわち、周辺積層部１０ｐは、Ｘ−Ｙ平面内において、半導体積層体１０を取り囲んでいる。本具体例においては、周辺積層部１０ｐのパターン形状は環状である。
【０１６０】
周辺積層部１０ｐを設けることで、例えば図４（ｅ）に関して説明した、例えばダイシングによる複数の半導体積層体１０のそれぞれの分離の際に、半導体積層体１０に加わる応力を低減できる。すなわち、ダイシングの際の衝撃が周辺積層部１０ｐによって吸収され、衝撃が半導体積層体１０に加わることが抑制できる。これにより、半導体積層体１０に含まれる半導体層に欠陥が発生することが抑制され、高い発光効率を維持できる。
【０１６１】
本具体例は、周辺積層部１０ｐがＸ−Ｙ平面内において半導体積層体１０を取り囲む例であるが、実施形態はこれに限らず、周辺積層部１０ｐのパターン形状は任意である。例えば、周辺積層部１０ｐは、半導体積層体１０の４つの辺のそれぞれに対向する分断された４つの帯状のパターン形状を有していても良い。また、周辺積層部１０ｐは、半導体積層体１０の全ての辺に対向して設けられる必要はなく、周辺積層部１０ｐは、半導体積層体１０の少なくとも１つの辺に対向して設けられれば良い。また、周辺積層部１０ｐは、半導体積層体１０の少なくとも１つの辺の全ての長さに沿って設けられなくても良く、周辺積層部１０ｐは、半導体積層体１０の少なくとも１つの辺の少なくとも一部に対向して設けられれば良い。
【０１６２】
なお、このような周辺積層部１０ｐは、既に説明した実施形態のいずれかに係る半導体発光装置に設けられることができ、同様の効果を発揮することができる。
【０１６３】
（第７の実施の形態）
図１５は、第７の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
本実施形態は、上記の実施形態に係るいずれかの半導体発光装置を製造する方法である。すなわち、本製造方法は、第１導電形の第１半導体層１１と、第２導電形の第２半導体層１２と、第１半導体層１１と第２半導体層１２との間に設けられた発光層１３と、を含み、第１半導体層１１の側の第１主面１０ｂと第２半導体層１２の側の第２主面１０ａとを有し、第２半導体層１２及び発光層１３が選択的に除去されて第２主面１０ａにおいて第１半導体層１１の一部が露出した半導体積層体１０と、第２主面１０ａの側において第１半導体層１１に電気的に接続された第１電極１４と、第２主面１０ａの側において第２半導体層１２に電気的に接続された第２電極１５と、を含む発光部１０ｄと、第１電極１４に電気的に接続された第１導電部３０ａであって、第２半導体層１２と離間しつつ第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆い第２主面１０ａの上に立設された第１柱部３１ａを含む第１導電部３０ａと、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐと、第１柱部３１ａと、の間に設けられた絶縁層２０と、第２電極１５に電気的に接続され、第２主面１０ａの上に立設された第２柱部３１ｂを含む第２導電部３０ｂと、第１導電部３０ａの側面及び第２導電部３０ｂの側面を覆う封止部５０と、半導体積層体１０の第１主面１０ｂに設けられた光学層であって、発光層１３から放出された発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部（蛍光体層６１）を含む光学層６０と、を有する半導体発光装置の製造方法である。
【０１６４】
図１５に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０を形成する（ステップＳ１１０）。すなわち、例えば、図２（ｃ）に関して説明した処理を行う。
【０１６５】
なお、既に説明したように、絶縁層２０は、第１電極１４の少なくとも一部を除く領域、及び、第２電極１５の少なくとも一部を除く領域に形成することができる。また、絶縁層２０は、複数の半導体積層体１０どうしの間にも設けることができる。
【０１６６】
そして、図１５に表したように、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０の上に、第１導電部３０ａの少なくとも一部となる導電膜を形成する（ステップＳ１２０）。すなわち、例えば、図２（ｄ）、図２（ｅ）及び図３（ａ）に関して説明した処理を行う。
【０１６７】
すなわち、ステップＳ１２０は、例えば、シード層３３を形成する工程、第１接続部３２ａに対応する領域、及び、第２接続部３２ｂに対応する領域以外の領域に、第１レジスト層３７を形成する工程、並びに、第１レジスト層３７が設けられていない領域に、第１接続部３２ａの第２層、及び、第２接続部３２ｂの第４層、となる接続部導電膜３２ｆを形成する工程を含むことができる。
【０１６８】
なお、既に説明したように、第１導電部３０ａの少なくとも一部となる導電膜は、第２導電部３０ｂの少なくとも一部となることもできる。さらに、この導電膜は、絶縁層２０に覆われていない第１電極１４の少なくとも一部と、絶縁層２０に覆われていない第２電極１５の少なくとも一部と、を覆うように、形成されることができる。
【０１６９】
これにより、電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置を製造することができる。
【０１７０】
そして、既に説明したように、上記の絶縁層２０の形成（ステップＳ１１０）と、上記の導電膜の形成（ステップＳ１２０）と、は、複数の半導体積層体１０が設けられた基板１０ｓにおいて、複数の半導体積層体１０について一括して実施されることができる。これにより、電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置を高い生産性で製造することができる。
【０１７１】
なお、本実施形態に係る製造方法は、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０の上に形成された、第１導電部３０ａの少なくとも一部となる導電膜（第１接続部３２ａ）の上に、第１柱部３１ａを形成する工程をさらに備えることができる。すなわち、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に関して説明した処理をさらに実施することができる。
【０１７２】
また、図６（ａ）〜図６（ｃ）に関して説明した半導体発光装置１１０ｄ、１１０ｅ及び１１０ｆのように、接続部導電膜３２ｆが省略される場合には、ステップＳ１２０における第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０の上に、第１導電部３０ａの少なくとも一部となる導電膜を形成する工程は、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部１２ｐを覆う絶縁層２０の上に、第１柱部３１ａを形成する工程となる。この方法においても、電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置を製造することができる。
【０１７３】
赤色の蛍光体として例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる赤色の蛍光体は、これに限定されない。
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ＋顔料、
Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、
Ｚｎ３（ＰＯ４）２：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）ＢＯ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）２Ｏ３、
ＹＶＯ４：Ｅｕ、
Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、
ＬａＳｉ３Ｎ５：Ｅｕ２＋、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｃｅ２＋、
Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＣａ）ＡｌＳｉＮ３：ＥｕＸ＋、
Ｓｒｘ（ＳｉｙＡｌ３）ｚ（ＯｘＮ）：ＥｕＸ＋ 。
【０１７４】
緑色の蛍光体として例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる緑色の蛍光体は、これに限定されない。
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋顔料、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，＋顔料、
Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｍｎ）２ＳｉＯ４、
ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ２Ｏ３：Ｍｎ、
ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
３（Ｂａ，Ｍｇ，Ｅｕ，Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３、
Ｌａ２Ｏ３・０．２ＳｉＯ２・０．９Ｐ２Ｏ５：Ｃｅ，Ｔｂ、
ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ、
ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ、
（ＢｒＳｒ）ＳｉＯ４：Ｅｕ、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｙｂ２＋、
β−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＢａ）ＹＳｉ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
（ＣａＳｒ）Ｓｉ２Ｏ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
Ｓｒ（ＳｉＡｌ）（ＯＮ）：Ｃｅ 。
【０１７５】
青色の蛍光体として例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる青色の蛍光体はこれに限定されない。
ＺｎＳ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋顔料、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｃｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
ＺｎＳ：Ｚｎ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｂａ，Ｅｕ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７、
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｅｕ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７、
１０（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｅｕ）・６ＰＯ４・Ｃｌ２、
ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２５：Ｅｕ 。
【０１７６】
黄色の蛍光体として例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄色の蛍光体はこれに限定されない。
Ｌｉ（Ｅｕ，Ｓｍ）Ｗ２Ｏ８、
（Ｙ，Ｇｄ）３，（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、
Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、
（Ｓｒ（Ｃａ，Ｂａ））３ＳｉＯ５：Ｅｕ２＋、
ＳｒＳｉ２ＯＮ２．７：Ｅｕ２＋ 。
【０１７７】
なお、本明細書において「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）なる化学式において組成比ｘ、ｙ及びｚをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むものや、導電形などを制御するために添加される各種のドーパントのいずれかをさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
【０１７８】
以上説明したように、実施形態によれば、電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供することができる。
【０１７９】
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれは良い。
【０１８０】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施の形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光部に含まれる半導体層、発光層、電極、導電層、反射層及びコンタクト電極層、並びに、半導体発光装置に含まれる導電部、柱部、接続部、絶縁層、封止部、封止層、光学層、波長変換部、蛍光体層、蛍光体、透光部及び硬質膜などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１８１】
その他、本発明の実施の形態として上述した半導体発光装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体発光装置及びその製造方法も、本発明の実施の形態の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１８２】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１８３】
１０…半導体積層体、 １０ａ…第２主面、 １０ｂ…第１主面、 １０ｄ…発光部、 １０ｐ…周辺積層部、 １０ｓ…基板、 １１…第１半導体層、 １２…第２半導体層、 １２ｐ…一部、 １３…発光層、 １４…第１電極、 １５…第２電極、 １８…保護層、 ２０…絶縁層、 ２０ｏ１、２０ｏ２…第１及び第２開口部、 ３０ａ…第１導電部、 ３０ｂ…第２導電部、 ３１ａ…第１柱部、 ３１ａｅ…第１端面、 ３１ａｅ１〜３１ａｅ４…第１〜第４サブ端面、 ３１ａｓ…第１粗面化部、 ３１ｂ…第２柱部、 ３１ｂｅ…第２端面、 ３１ｂｅ１、３１ｂｅ２…第５及び第６サブ端面、 ３１ｂｓ…第２粗面化部、 ３１ｆ…柱部導電膜、 ３２ａ…第１接続部、 ３２ｂ…第２接続部、 ３２ｆ…接続部導電膜、 ３３…シード層、 ３７…第１レジスト層、 ３８…第２レジスト層、 ５０…封止部、 ５０ｆ…樹脂層、 ５１…第１封止層、 ５２…第２封止層、 ６０…光学層、 ６１…蛍光体層（波長変換部）、 ６１ｆ…蛍光体膜、 ６２…透光部、 ６３…硬質膜、 ７１ａ、７１ｂ…第１及び第２表面層、 ７２ａ、７２ｂ…第１及び第２接続部材、 １１０、１１０ａ〜１１０ｆ、１２０、１２０ａ〜１２０ｆ、１３０、１３１、１４０、１５０、１６０…半導体発光装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第１半導体層の側の第１主面と前記第２半導体層の側の第２主面とを有し、前記第２半導体層及び前記発光層が選択的に除去されて前記第２主面において前記第１半導体層の一部が露出した半導体積層体と、
前記第２主面の側において前記第１半導体層に電気的に接続された第１電極と、
前記第２主面の側において前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、
を含む発光部と、
前記第１電極に電気的に接続された第１導電部であって、前記第２半導体層と離間しつつ前記第２半導体層の前記第２主面の側の一部を覆い前記第２主面に立設された第１柱部を含む前記第１導電部と、
前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１柱部と、の間に設けられた絶縁層と、
前記第２電極に電気的に接続された第２導電部であって、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む第２導電部と、
前記第１導電部の側面及び前記第２導電部の側面を覆う封止部と、
前記半導体積層体の前記第１主面に設けられた光学層であって、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む前記光学層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記第１導電部は、
前記絶縁層の少なくとも一部を覆い、前記第１電極と前記第１柱部とを電気的に接続する第１接続部をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記第１導電部の前記半導体積層体とは反対側の第１端面と、前記第２導電部の前記半導体積層体とは反対側の第２端面と、は、非対称であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記第１導電部は、前記第１導電部の前記半導体積層体とは反対側の第１端面に設けられ、前記第１柱部に用いられる材料の濡れ性よりも高い濡れ性を有する第１表面層をさらに有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記第１柱部は、前記第１柱部の側面に設けられた第１粗面化部を有していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記封止部は、前記光学層の側の第１封止層と、前記第１封止層よりも前記光学層から遠い第２封止層と、を含む部分を有し、
前記第１封止層は、前記第２封止層の耐熱性よりも高い耐熱性を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記第２主面から前記第１主面に向かう方向に対して垂直な平面内において、前記半導体積層体の少なくとも１つの辺に対向して設けられ、前記半導体積層体に用いられる材料からなり、前記封止部と前記光学層とに覆われた周辺積層部をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記光学層は、蛍光体を含む蛍光体層と、前記蛍光体層の前記半導体積層体とは反対側に設けられ前記蛍光体層の硬度よりも高い硬度を有する硬質膜と、を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項９】
第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第１半導体層の側の第１主面と前記第２半導体層の側の第２主面とを有し、前記第２半導体層及び前記発光層が選択的に除去されて前記第２主面において前記第１半導体層の一部が露出した半導体積層体と、前記第２主面の側において前記第１半導体層に電気的に接続された第１電極と、前記第２主面の側において前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、を含む発光部と、前記第１電極に電気的に接続された第１導電部であって、前記第２半導体層と離間しつつ前記第２半導体層の前記第２主面の側の一部を覆い前記第２主面の上に立設された第１柱部を含む前記第１導電部と、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１柱部と、の間に設けられた絶縁層と、前記第２電極に電気的に接続された第２導電部であって、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む第２導電部と、前記第１導電部の側面及び前記第２導電部の側面を覆う封止部と、前記半導体積層体の前記第１主面に設けられた光学層であって、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む前記光学層と、を有する半導体発光装置の製造方法であって、
前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部を覆う前記絶縁層を形成し、
前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部を覆う前記絶縁層の上に、前記第１導電部の少なくとも一部となる導電膜を形成することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁層の形成と、前記導電膜の形成と、は、
複数の前記半導体積層体が設けられた基板において、前記複数の半導体積層体について一括して実施されることを特徴とする請求項９記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１】
第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第１半導体層の側の第１主面と前記第２半導体層の側の第２主面とを有し、前記第２半導体層及び前記発光層が選択的に除去されて前記第２主面において前記第１半導体層の一部が露出した半導体積層体と、
前記第２主面の側において前記第１半導体層に電気的に接続された第１電極と、
前記第２主面の側において前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、
を含む発光部と、
前記第１電極に電気的に接続された第１導電部であって、前記第２半導体層と離間しつつ前記第２半導体層の前記第２主面の側の一部を覆い前記第２主面に立設された第１柱部を含む前記第１導電部と、
前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１柱部と、の間に設けられた絶縁層と、
前記第２電極に電気的に接続された第２導電部であって、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む第２導電部と、
前記第１導電部の側面及び前記第２導電部の側面を覆う封止部と、
前記半導体積層体の前記第１主面に設けられた光学層であって、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む前記光学層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記第１導電部は、
前記絶縁層の少なくとも一部を覆い、前記第１電極と前記第１柱部とを電気的に接続する第１接続部をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記第１導電部の前記半導体積層体とは反対側の第１端面と、前記第２導電部の前記半導体積層体とは反対側の第２端面と、は、非対称であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記第１導電部は、前記第１導電部の前記半導体積層体とは反対側の第１端面に設けられ、前記第１柱部に用いられる材料の濡れ性よりも高い濡れ性を有する第１表面層をさらに有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記第１柱部は、前記第１柱部の側面に設けられた第１粗面化部を有していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記封止部は、前記光学層の側の第１封止層と、前記第１封止層よりも前記光学層から遠い第２封止層と、を含む部分を有し、
前記第１封止層は、前記第２封止層の耐熱性よりも高い耐熱性を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記第２主面から前記第１主面に向かう方向に対して垂直な平面内において、前記半導体積層体の少なくとも１つの辺に対向して設けられ、前記半導体積層体に用いられる材料からなり、前記封止部と前記光学層とに覆われた周辺積層部をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記光学層は、蛍光体を含む蛍光体層と、前記蛍光体層の前記半導体積層体とは反対側に設けられ前記蛍光体層の硬度よりも高い硬度を有する硬質膜と、を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項９】
第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第１半導体層の側の第１主面と前記第２半導体層の側の第２主面とを有し、前記第２半導体層及び前記発光層が選択的に除去されて前記第２主面において前記第１半導体層の一部が露出した半導体積層体と、前記第２主面の側において前記第１半導体層に電気的に接続された第１電極と、前記第２主面の側において前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、を含む発光部と、前記第１電極に電気的に接続された第１導電部であって、前記第２半導体層と離間しつつ前記第２半導体層の前記第２主面の側の一部を覆い前記第２主面の上に立設された第１柱部を含む前記第１導電部と、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１柱部と、の間に設けられた絶縁層と、前記第２電極に電気的に接続された第２導電部であって、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む第２導電部と、前記第１導電部の側面及び前記第２導電部の側面を覆う封止部と、前記半導体積層体の前記第１主面に設けられた光学層であって、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む前記光学層と、を有する半導体発光装置の製造方法であって、
前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部を覆う前記絶縁層を形成し、
前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部を覆う前記絶縁層の上に、前記第１導電部の少なくとも一部となる導電膜を形成することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁層の形成と、前記導電膜の形成と、は、
複数の前記半導体積層体が設けられた基板において、前記複数の半導体積層体について一括して実施されることを特徴とする請求項９記載の半導体発光装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１５】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１５】
【図１４】
【公開番号】特開２０１１−２５８６７１（Ｐ２０１１−２５８６７１Ａ）
【公開日】平成２３年１２月２２日（２０１１．１２．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３０５１９（Ｐ２０１０−１３０５１９）
【出願日】平成２２年６月７日（２０１０．６．７）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月２２日（２０１１．１２．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月７日（２０１０．６．７）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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