【課題】高効率な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、第１の絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、第２の絶縁層とを備えた。第１の電極は半導体層の第２の主面に設けられた。第２の電極は半導体層における発光層と第１の主面との間の部分の側面に設けられた。第１の配線層は、第２の主面に対する反対側の第１の絶縁層上及び第１の開口内に設けられ、第１の電極と接続された。第２の配線層は、第２の主面に対する反対側の第１の絶縁層上及び第２の開口内に設けられ、側面に設けられた第２の電極と接続された。 （もっと読む）

【課題】発光素子の電気的特性及び光学的特性を向上させること。
【解決手段】実施例による発光素子は、基板と、前記基板上に第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含み、前記第１導電型半導体層の一部領域が露出される発光構造物と、前記露出される第１導電型半導体層の一部領域上の第１電極と、前記第２導電型半導体層上の第２電極と、を含む。前記発光構造物の側面は、基準面に対して傾斜した第１傾斜側面を有し、前記第１傾斜側面は、第１方向の長さが第２方向の長さよりも大きい凹凸構造を有する凸凹パターンを有する。ここで、前記基準面は、前記基板から前記発光構造物に向かう方向と垂直な面であり、前記第１方向は、前記第１傾斜側面の傾斜方向であり、前記第２方向は、前記第１傾斜側面の横方向である。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れた発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光装置は、発光チップと、金属材料からなる外部端子と、前記外部端子を介して前記発光チップが実装された配線板とを備える。前記発光チップは、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、樹脂層と、を有する。前記配線板は、前記外部端子を介して前記第１の金属ピラー及び前記第２の金属ピラーと接合された配線と、前記配線の下で前記配線に接して設けられた放熱材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】外部に保護素子を設けることなく静電気や過電圧から保護することができる半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置、信号灯器及び道路情報装置を提供する。
【解決手段】発光素子１００は、矩形状の基板１の一方の対角線上の角部近傍それぞれに、ｎ型半導体層（ＬＥＤ構造）２０、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３を積層した半導体層で構成されるＬＥＤ構造を分離して形成してある。また、基板１の他方の対角線上の角部近傍それぞれに、平面視が円状のボンディング電極７１、７１を形成してある。また、基板１の対向する辺縁近傍にｎ型半導体層２２、２１で構成される抵抗素子を形成してある。 （もっと読む）

【課題】発光層がストライプ状の凹凸形状に沿って形成されたIII 族窒化物半導体発光素子において、発光層を均一な厚さに形成すること。
【解決手段】まず、基板１０１の一方の表面に、ノコギリ歯状ストライプの凹凸形状を形成する（図２（ａ））。次に、基板１０１のノコギリ歯状ストライプの凹凸形状が形成された側の表面上に、減圧ＭＯＣＶＤ法によって、その凹凸形状に沿って、ｎ型層１０２、発光層１０３、ｐ型層１０４を順に積層させる。これにより、各層が凹凸形状に沿ってうねったノコギリ歯状ストライプの形状となるよう形成する（図２（ｂ））。ここで、ガス流方向は、凹凸形状のストライプ方向に平行な方向とした。これにより、発光層１０３の面内膜厚分布、組成分布を均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】光散乱を強化した発光素子を提供する。
【解決手段】基板、基板の上に重なるテクスチャ加工層、テクスチャ加工層の上に重なる少なくとも１つのＩＩＩ族窒化物層、及び、実質的に平面の発光領域を含む発光素子。
散乱層を組み込んだ素子は、幾つかの異なる方法によって形成することができる。第１の方法では、エピタキシアル層が堆積され、次にエッチングしてテクスチャ加工層を形成する。第２の方法では、フォトマスクを堆積させ、フォトマスクに開口部を生成するためにパターン化する。次に、フォトマスクに形成した開口内にテクスチャ加工層が選択的に堆積される。第３の方法では、テクスチャ加工層は、三次元の成長に有利な条件下で堆積され、次に任意選択的に焼き鈍しされる。 （もっと読む）

【課題】転位欠陥密度の低いＧａＮ系半導体結晶がＰＳＳ上に成長た構造が得られるエピタキシャル成長用基板を提供すること。
【解決手段】エピタキシャル成長用基板は、光拡散可能かつＧａＮ系半導体結晶がエピタキシャル成長可能な凹凸面を有するｃ面サファイア基板と、該凹凸面上に部分的に形成された成長マスクとを含み、該凹凸面は該成長マスクに覆われた第１凹凸面とサファイアが露出した第２凹凸面とを有する。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶構造を備えた発光ダイオードの製造方法の提供。
【解決手段】キャリア２０と、ＩＩＩ−窒化物材料からなる活性層構造１８と、ＩＩＩ−窒化物材料からなるフォトニック結晶構造１９とを備え、活性層構造１８は、ｎ型ドープ層８およびｐ型ドープ層９および適切には量子井戸構造を持つ第１活性層を備える。フォトニック結晶構造１９は、周期的に分布した溝、または周期的に分布し、１つ又はそれ以上の溝によって間隔があいた柱を備える。フォトニック結晶構造１９は、内部において溝の直径が徐々に増加している過成長層６と、溝の直径がほぼ一定である方向性フォトニック結晶層４，５とを含む。ダイオード１００は、方向性フォトニック結晶構造１９が、基板の第１表面の選択したエリアを露出する３次元パターンに設けられるような方法で形成する。 （もっと読む）

【課題】小型のサイドエミッタ型の発光素子及び発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、基板１０と、基板１０の上に設けられ、活性層１５を有する化合物半導体層１１と、化合物半導体層１１の上に設けられ、化合物半導体層１１の表面から放射される活性層１４からの光を基板１０に水平な方向に向けて反射する反射部２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＥ／ＴＭ偏光比を高くして光の利用効率を向上できる半導体発光素子を実現し、該半導体発光素子をバックライト光源に用いた、偏光板が不要となる液晶表示装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体発光素子は、基板１０１の上に形成された活性層１０４及び該活性層１０４の上に形成されたリッジ導波路１０７ａを含み、前端面及び後端面の少なくとも一方から光を放射する半導体積層体を有している。リッジ導波路１０７ａは、前端面及び後端面との間に少なくとも１つの非接続部となる溝部１１３を有し、該溝部１１３によって隔たれた複数の導波路部１０７ａ１、１０７ａ２及び１０７ａ３から形成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面上にニトリド半導体素子の層構造を製造する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、シリコン表面を有する基板を提供する工程、アルミニウム含有のニトリド核形成層を基板のシリコン表面上に堆積させ、場合によりアルミニウム含有のニトリドバッファ層をニトリド核形成層上に堆積させ、マスキング層をニトリド核形成層又は存在する場合には第一のニトリドバッファ層上に堆積させ、かつガリウム含有の第一のニトリド半導体層をマスキング層上に堆積させる工程から成る。
【効果】完成した層構造中の引張応力は、公知の解決法と比べて減少する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光抽出効率が向上した発光素子、発光素子製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供するためのものである。
【解決手段】本発明による発光素子は、電極層と、上記電極層の上に電流密度調節パターンと、上記電極層及び上記電流密度調節パターンの上に配置された発光構造物とを含み、上記発光構造物の上部領域に柱パターンまたは孔パターンの共振器構造が提供される。 （もっと読む）

【課題】出射光の偏光比が高い半導体発光素子及びそれを用いた偏光表示装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子２００は、基板２０１上に形成され、少なくとも２種類以上の偏光を有する光を発生する光ガイド領域を含む積層構造体２０２と、積層構造体２０２の主面に設けられ、光を光ガイド領域内において所定の方向に導波させるストライプ形状の導波路とを備え、積層構造体２０２は、光の導波方向と垂直な積層構造体２０２の端面の一部において、少なくとも光ガイド領域の一部を含んで凹形状に形成されたスリット部２１７を備える。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、基板10と、基板10の上面10Ａの一部に設けられる光半導体層11と、基板10の上面10Ａであって、光半導体層11から光半導体層11で発光される光の波長以下の間隔を空けて配置された、フォトニック結晶構造12を構成する複数の光学構造体13とを備え、複数の光学構造体13の上面の高さ位置が、光半導体層11の上面の高さ位置と同じ、または光半導体層11の上面の高さ位置よりも高いことを特徴とする。光半導体層11の周りにフォトニック結晶構造12が形成されていることによって、光半導体層11の側面に絶縁膜を設けなくても、光半導体層11の発する光をフォトニック結晶構造12で反射させることができ、光取り出し効率を長期にわたって良好に維持することができる。 （もっと読む）

【課題】光吸収係数の大なる層に光を留めることなく外部放射を促進させることができる発光素子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】下地基板を準備する基板準備工程と、前記下地基板にＧａＮ系半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記ＧａＮ系半導体層から前記下地基板を除去するリフトオフ工程と、前記下地基板を除去して露出させた側の前記ＧａＮ系半導体層を粗面化して凹凸面を形成する粗面化加工工程と、前記粗面化した側の前記ＧａＮ系半導体層に透光性材料層を直接的に貼り付ける透光性材料層形成工程と、を含む発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】発光効率効率が向上した発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供すること。
【解決手段】本発明の発光素子は、第１電極層と、前記第１電極層上に形成されて、主ピーク波長領域が４３０ｎｍ〜４７０ｎｍである青色系の光を発光し、光抽出構造を含む発光構造物と、前記光抽出構造上にプラズモン振動数が前記青色系の光の波長と異なる金属材質から形成される第１層を備える第２電極層とを備える。 （もっと読む）

【課題】高出力化および高効率に有効なフリップチップマウントに適した電極配置を有しつつ、面内での発光の均一性をより向上させる。
【解決手段】発光素子１０は、２以上の第一導電型側電極２８と、第二導電型側電極２７とを有する。第二導電型側電極２７は、１以上の第二導電型側第１電極部２７ａと、第二導電型側第１電極部２７ａよりも外側に位置して第二導電型側第１電極部２７と直接接している２以上の第二導電型側第２電極部２７ｂと、を含む。第一導電型側電極２８および第二導電型側電極２７を平面的な投影図形として見たときに、個々の第一導電型側電極２８は、第二導電型側電極２７と交差しないように、隣接する任意の２つの第二導電型側第２電極部２７ｂの間に位置しており、かつ、第二導電型側第１電極部２７ａに近接した位置から半導体発光素子１０の周辺部まで任意の形状で延びて形成されている。 （もっと読む）

【課題】固体発光素子において、発光媒質内の自己吸収による光のロスを抑制し、速やかに発光媒質から光を射出する。
【解決手段】本発明は格子構造を有する発光素子に関する。本発明によれば、発光素子の光吸収媒質における光の伝播距離を短くすることで、水平方向の光伝導効果を最小限とすることにより、発光層からの光射出の効率を増強することができる。当該格子構造は、光吸収媒質が複数の領域ユニットに分割されるように、光吸収媒質に埋め込まれた側壁及び/又は柱状体を含む。これらの領域ユニットの間は側壁により完全又は部分的に仕切られている。さらに、本発明は、光吸収媒質が複数の領域ユニットに分割されるように、光吸収媒質に埋め込まれた側壁及び/又は柱状体を含む格子構造を有する発光素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードパッケージ、それを含む照明装置及び発光ダイオードパッケージの製造方法が開示される。
【解決手段】本発明の一側面に係ると、パッケージ基板と、パッケージ基板に実装される発光ダイオードチップと、発光ダイオードチップの上部から見た時、発光ダイオードチップにより形成される面を素子上面と定義するとき、素子上面の少なくとも一部を覆うように形成された波長変換層とを含み、波長変換層は素子上面から外れない範囲で形成され、素子上面に平行な平坦面及び平坦面と素子上面の角部を連結する曲面を有することを特徴とする発光ダイオードパッケージが提供される。 （もっと読む）

【課題】発光素子、発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による発光素子は、第１導電型の半導体層、第１導電型の半導体層下の活性層、活性層下の第２導電型の半導体層を含む発光構造層と、発光構造層下の伝導層と、伝導層下の接合層と、接合層下の支持部材と、支持部材下の第１のパッドと、支持部材下に第１のパッドから離隔して配置された第２のパッドと、第１導電型の半導体層と第１のパッドの間に連結された第１の電極と、接合層と第２のパッドの間に連結された第２の電極と、を含む。 （もっと読む）