【課題】容易なプロセスで作製することができ、かつ、曲線光導波路の光導波ロスを低減する構造を有する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】段差１０１ｂを有する基板１０１と、基板上に積層された、ｎ型クラッド層１０２、活性層１０４およびｐ型クラッド層１０７を有する積層構造体とを備え、積層構造体は、曲線の光導波路である曲線光導波路１１を含む光導波路部１０を有し、曲線光導波路１１の近傍であって曲線光導波路１１の曲線の外側領域は、段差１０１ｂの上方に形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体発光装置は、基板１の上に形成され、発光層４を含む複数の半導体層からなる積層構造体を備えている。積層構造体は、その上部に設けられたリッジ構造を含む光導波路１４を有し、光導波路１４は、積層構造体の前端面１２から後端面１３まで延伸するように設けられ、積層構造体の前端面１２の法線に対して傾斜して該前端面１２から延伸している直線導波路部１４ａと、積層構造体の後端面１３に垂直に到達する曲線導波路部１４ｂとを含み、曲線導波路部１４ｂは、光導波路１４の中心よりも積層構造体の後端面１３側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層構造体、第１電極、第２電極、高抵抗層及び透明導電層を備えた半導体発光素子が提供される。積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、それらの間の発光層と、を含む。第１電極は第１半導体層の第２半導体層とは反対側に設けられる。第２電極は第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられ反射性を有す。高抵抗層は、第２半導体層と第２電極との間で第２半導体層に接し、第１半導体層から第２半導体層への方向に沿ってみたときに第１電極と重なる部分を有し、第２半導体層よりも抵抗が高い。透明導電層は、第２半導体層と第２電極との間で第２半導体層に接し、透過性を有し、第２半導体層よりも屈折率が低く、高抵抗層よりも抵抗が低い。 （もっと読む）

【課題】構造を複雑化することなく光取り出し効率に優れた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、透明層１上に縦横に列設される複数の発光部２と、これ
ら発光部２とは反対側の透明層１上に配置される複数のコンタクト部３とを備えている。
複数の発光部２のそれぞれは、光を発光する活性層５と、この活性層５から発光された光
の一部を反射するテーパ状に加工されたテーパ部７と、テーパ部７の底面に設けられる平
坦部８とを有する。コンタクト部３を発光部２からの光の通過を妨げない場所に配置する
ため、発光効率の向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ中の電流密度の不均一性により引き起こされる光の輝度（強度）を改善した発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、基板と、前記基板上の発光領域及び非発光領域に形成されたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上の前記発光領域に形成された活性層と、前記活性層上の前記発光領域に形成されたｐ型半導体層と、を有する多層構造と、を備える。前記発光装置は、前記発光領域に形成され、ｐ型半導体層に電気的に結合されたｐ電極と、前記非発光領域に形成され、ｎ型半導体層に電気的に結合されたｎ電極と、も備える。更に、前記発光装置は、前記非発光領域の第１の部分中の前記ｎ電極と前記ｎ型半導体層との間に形成され、少なくとも１つのオーム性接触を画定する絶縁体も備えて、前記非発光領域の前記第１の部分中の前記ｎ電極が、前記少なくとも１つのオーム性接触を介して、前記ｎ型半導体層に電気的に結合されるようにする。 （もっと読む）

【課題】
大電流を流す場合に順方向電圧を低く抑えることのできる窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
ｎ側半導体層、活性層及びｐ側半導体層を順に有する窒化物半導体発光素子において、
前記ｎ側半導体層と前記活性層の間にｎ側半導体層側から順に、Ｉｎ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１Ｎ（0＜Ｘ１≦１）からなる第１層とＩｎ_ｙ1Ｇａ_1−ｙ1Ｎ（0≦Ｙ１＜１、Ｘ1＞Ｙ１）からなる第２層とを含む第1超格子構造と、Ｉｎ_ｘ２Ｇａ_１−ｘ２Ｎ（Ｘ１＝Ｘ２）からなる第１層とＩｎ_ｙ２Ｇａ_１−ｙ２Ｎ（Ｙ１＝Ｙ２）からなる第２層とを含む第２超格子構造とを有し、
前記第１超格子構造の第１層の膜厚と第２超格子構造の第１層の膜厚は同じであり、第１超格子構造の第２層の膜厚は前記第２超格子構造の第２層の膜厚よりも小さい窒化物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造の凹部の径、深さが均一であり、凹部が均一に分散した発光素子を簡便に製造することができる発光素子の製造方法、及びこの凹凸構造が光取り出し部に有することにより、光取り出し効率を維持しつつ、均一に発光する発光素子の提供。
【解決手段】発光素子の光取り出し部となる表面上に、有機溶媒に疎水性ポリマーを溶解したポリマー溶液を塗布しポリマー溶液塗布膜を形成するポリマー溶液塗布膜形成工程と、前記発光素子を相対湿度が５０％〜９９％の水滴形成雰囲気中に置き、ポリマー溶液塗布膜の表面に水滴を形成させる水滴形成工程と、前記有機溶媒及び前記水滴を蒸発させ、前記ポリマー溶液塗布膜に複数の凹部を形成し凹部形成膜を形成させる凹部形成工程と、前記凹部形成膜をマスクとして前記光取り出し部のエッチングを行うエッチング工程と、を含む発光素子の製造方法及びこれによって複数の凹部が形成された発光素子である。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に発光層が形成されたＬＥＤデバイスチップの製造方法であって、発光層の側面から発せられる光を遮断されにくくして輝度の向上を図る。
【解決手段】ＧａＮ（ｎ層３１＋ｐ層３２）から成る発光層３を、サファイア基板２に形成された分割予定ライン２１に沿ってエッチング処理して除去し、サファイア基板２の裏面側からレーザービームＬＢを照射してエッチング処理で除去しきれなかったｎ層３１の裾野の部分３１１に改質層３１２を形成する。次いで改質層３１２に外力を加え、改質層３１２を起点としてｎ層３１の裾野の部分３１１を分割、分離する。最後に、エッチング処理によって分割予定ライン２１に沿って露出したサファイア基板２の表面に切削加工を施し、多数のＬＥＤデバイスチップ１Ａを得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細パターンの形成工程に関する。
【解決手段】微細パターンの形成方法は、ｃ面六方晶系半導体結晶を設ける段階から始まる。上記半導体結晶上に所定のパターンを有するマスクを形成する。次いで、上記マスクを用いて上記半導体結晶をドライエッチングすることで上記半導体結晶上に１次微細パターンを形成し、上記１次微細パターンが形成された半導体結晶をウェットエッチングすることで上記１次微細パターンが水平方向に延びた２次微細パターンを形成する。ここで、上記ウェットエッチング工程から得られた２次微細パターンの底面と側壁は夫々固有の結晶面を有することができる。本微細パターンの形成工程は、半導体発光素子に非常に有益に採用されることができる。特に微細パターンが求められるフォトニック結晶構造または表面プラズモン共鳴原理を用いた構造に有益に採用されることができる。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤色光及び／又は赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することである。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層及びバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第１のクラッド層と第２のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板とを備え、前記第１及び第２のクラッド層を組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなり、前記井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、ＬＥＤを構成するIII−Ｖ族半導体結晶と線熱膨張率の差が小さく、かつ熱伝導性に優れ、高出力ＬＥＤ用として好適なＬＥＤ発光素子用基板を提供することであり、更に、ＬＥＤ発光素子製造時に使用される酸及びアルカリ溶液に対する、耐薬品性に優れた、高出力ＬＥＤ用として好適なＬＥＤ発光素子用基板を提供することである。
【解決手段】炭化珪素、窒化アルミニウム、窒化珪素、ダイヤモンド及び黒鉛の中から選ばれる１種類以上からなり、気孔率が１０〜５０体積％、３点曲げ強度が５０ＭＰａ以上である多孔体に、溶湯鍛造法にて含浸圧力３０ＭＰａ以上でアルミニウム合金を含浸し、板厚０．０５〜０．５ｍｍで、表面粗さ（Ｒａ）０．０１〜０．５μｍに、切断及び／又は研削加工した後、表面にＤＬＣ膜を厚みが０．１〜１０μｍとなるように形成して、ＬＥＤ発光素子用の金属基複合材料基板を提供することができた。 （もっと読む）

【課題】 分割端面の平滑性に優れ歩留まりの優れた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーを窒化物半導体素子に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記窒化物半導体の一部を除去して、前記半導体ウエハーの厚みが部分的に薄い分離部を形成する工程と、前記分離部内にレーザーを照射して、前記基板の内部にブレイク・ラインを形成する工程と、前記ブレイク・ラインに沿って前記半導体ウエハーを分離する工程と、を有する窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】微細なリッジ構造におけるエバネッセント光の干渉現象を利用し、光の外部への取出し効率を改善した半導体発光ダイオードを提供する。
【解決手段】第１導電型の障壁層と、発光層となる活性層と、第２導電型の障壁層とを少なくとも備える半導体発光ダイオードにおいて、前記半導体発光ダイオードの光取出し側の表面は、一つの平坦面と少なくとも二つの傾斜面によって構成されるリッジ構造を備え、前記リッジ構造の平坦面の横幅Ｗが２λ（λ：発光波長）以下で、かつ前記活性層の中心Ｃ（リッジ構造の中心線と活性層との交点）からの光が前記傾斜面において全反射が起こる最短の地点（傾斜面の法線方向からθ_Ｃ＝ｓｉｎ^−１（１／ｎ）[ｎ：半導体層の屈折率]の角度をなす活性層の中心Ｃから傾斜面に向かう線（平坦面に近い側）と傾斜面との交点）から平坦面までの距離Ｌがλ（λ：発光波長）以下である。 （もっと読む）

【課題】発光素子の光取り出し効率を改善することができる基板、及び発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板１は、入射又は出射する光の進行方向を変化させる凹凸を有する面を備える基板１であって、凹凸が、１次元若しくは２次元の一定方向に沿って周期的に面に設けられ、凹凸の頂上及び底部が、平坦な部分を有さない。 （もっと読む）

【課題】改善した熱特性及び電気特性を有する垂直型発光ダイオード（ＬＥＤ）を提供する。
【解決手段】垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイは、金属ベース（基部）１２と、金属ベース上のミラー１４と、ミラー上のｐ型半導体層１６と、光を放出するように構成された、ｐ型半導体層上の多重量子井戸（ＭＱＷ）層１８と、多重量子井戸（ＭＱＷ）層上のｎ型半導体層２０と、を含む。垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイは、ｎ型半導体層上の電極２２と、電極と電気的接触状態にある、ｎ型半導体層上の電極フレーム２４と、電極フレーム内に含有された、選択された光学特性を有する有機又は無機物質とをさらに含む。電極フレームは、ｎ型半導体層の外周部内に包含された４面額縁外周部を有し、高電流容量を提供するとともにｎ型半導体層の外周から中心へと電流を伝播させるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体層接合基板の製造方法は、第１基板２の上面２Ａに、第１基板２と異なる熱膨張係数を有する第１半導体層３を成長させる準備工程と、第１半導体層３の上面３Ａに、第１基板２よりも第１半導体層３に近い熱膨張係数を有する第２基板４を接合した後、第１基板２を除去して第２基板４および第１半導体層３が接合された接合体６を形成する接合体形成工程と、第１基板２が除去された側の第１半導体層３の露出面７に、第１半導体層３と同じ組成系の第２半導体層５をさらに成長させる成長工程とを有している。そのため、第１半導体層３上に第２半導体層５を成長させる際に、第２基板４と第１半導体層３の界面において、第１半導体層３に発生するクラックを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の発光効率を向上させることができる基板、及び発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板１は、入射又は出射する光の進行方向を変化させる凹凸を有する面を備える基板１であって、凹凸が、１次元若しくは２次元の一定方向に沿って周期的に面に設けられる第１の凹凸１０と、第１の凹凸１０の配置とは異なる配置で面に設けられる第２の凹凸１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】転位およびクラックの発生、並びに、基板の反りを抑制することが可能な結晶成長方法を提供する。
【解決手段】このＩＩＩ族窒化物半導体の結晶成長方法は、シリコン基板１００を加熱する工程と、加熱されたシリコン基板１００に対して、少なくともＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を含むガスを先出し供給することにより、基板表面に凹状構造１０５を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体層中の特定領域に電流が集中することを抑制した発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、支持層と、支持層の上方に形成され、第１の導電型を有し、支持層よりも抵抗率が低い下側半導体層と、下側半導体層の上に形成された発光層と、発光層の上に形成され、第１の導電型と反対の第２の導電型を有する上側半導体層と、上側半導体層上に形成された上側電極とを含む第１の領域と；支持層と、支持層の上方に形成された下側半導体層と、下側半導体層上に形成された下側電極の第１の部分とを含む第２の領域と；支持層と、支持層上に形成された下側電極の第２の部分とを含む第３の領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】垂直に位置がずれた活性領域を備えた三次元のLED構造を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップは、基板１０と、基板１０の上に形成されたメサ２５と、メサ２５により露出した基板１０の上面に形成された第１のＬＥＤ構造１と、メサ２５の上面に形成された第２のＬＥＤ構造２とを有する。ＬＥＤ構造１、２は、それぞれｎ型層３０１、３０２、活性領域４０１、４０２及びｐ型層５０１、５０２を含む。基板１０は、一体領域１０２、分離領域１９２及び傾斜領域１２２を備え、ＬＥＤ構造１、２は、分離領域１９２においては互いに分離しているが、一体領域１０２においては、各層が１つに結合している。 （もっと読む）