【課題】非極性面を主面とするIII 族窒化物半導体の結晶性を悪化させることなく光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】サファイア基板１０表面に、ｘ軸方向（サファイアｃ軸方向）に平行な第１の溝１００ａが所定の間隔で周期的に配列された第１のストライプ形状１００を形成する。次に、第１のストライプ形状１００の凹凸に沿ってサファイア基板１０表面の全面に、絶縁膜１７を形成する。次に、ｘ軸方向に直交するｙ軸方向に平行で底面が平坦な第２の溝１０１ａが所定の間隔で周期的に配列された第２のストライプ形状１０１を形成する。このサファイア基板１０を用いて、第２の溝１０１ａの側面１０１ａａから、ＭＯＣＶＤ法によってＧａＮ結晶を成長させて、サファイア基板１０上にｍ面ＧａＮからなる基底層１８を形成し、基底層１８上にＬＥＤ素子構造を形成して発光素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】高輝度の発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、支持基板２０と、支持基板２０の側から第１導電型の第１導電型層と、光を発する活性層１５と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２導電型層とを有する発光部１０と、支持基板２０と発光部１０との間に設けられ、光を発光部１０の側に反射する反射部４０と、反射部４０と発光部１０との間に設けられ、光を透過し、電気絶縁性を有する絶縁層５０と、絶縁層５０と発光部１０との間の一部に設けられる界面電極６０と、第２導電型層の活性層１５の反対側の表面に設けられ、界面電極６０の直上とは異なる領域に設けられる第１電極７２と、第１電極７２が設けられる側に第１電極７２とは別に設けられ、第１電極７２が接触している第２導電型層とは異なる発光部１０の部分、又は界面電極６０に電気的に接続する第２電極７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】非極性面又は半極性面を結晶成長面とする基板上に半導体層が形成された半導体発光素子であって、半導体層は、第１の側面と第２の側面とを有し、第２の側面の平均勾配は、第１の側面の平均勾配よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】補助電極を有する半導体発光素子において、光取り出し効率の低下を抑える。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３とに挟まれた発光層１２を有する半導体積層構造を有し、ｐ型半導体層１３側から光を取り出す半導体発光素子であって、ｐ型半導体層１３側にｎ型半導体層１１に接続されるように形成され、台座電極３０ａおよび台座電極３０ａから面内方向に延在する線状の補助電極３０ｂを含むｎ電極３０と、ｐ型半導体層１３側にｐ型半導体層１３に接続されるように形成され、台座電極２０ａおよび台座電極２０ａから面内方向に延在する線状の補助電極２０ｂを含むｐ電極２０と、を有し、補助電極３０ｂと補助電極２０ｂの少なくとも一部が、絶縁層４０を介して発光層１２の厚さ方向に重なる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜のエッチングを行うことなく素子分割溝（ストリート）を形成することができ、更に結晶成長の制御性を改善し、高歩留りを確保することができる半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体膜の結晶成長を行うための成長用基板に凹部を形成する。成長用基板の凹部内に気相成長法により半導体膜を成長させ、凹部内に発光素子を形成する。半導体膜の表面に支持体を形成した後、成長用基板を除去する。 （もっと読む）

【課題】 光取出し効率を向上させることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子１は、上面２ａ’を持つ複数の突起２ａを主面２Ａに有する単結晶基板２と、単結晶基板２上に形成された、複数の半導体層３ａ〜３ｃから成る光半導体層３とを備え、突起２ａは、上面２ａ’の一部に凹部４を有しており、光半導体層３は、最下層に位置する半導体層３ａが突起２ａの上面２ａ’に接しているとともに凹部４を埋めている。これにより、光半導体層３で発生した光が、凹部４内に入射した場合に、光半導体層３と単結晶基板２との界面で光半導体層３側に反射されにくくすることができ、光取出し効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率で８５０ｎｍ以上、特に９００ｎｍ以上の発光ピーク波長の赤外光を発光する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、前記発光部は、組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層と組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）からなるバリア層との積層構造を有する活性層と、組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ２Ｉｎ_１−Ｙ２Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ２≦１）からなる第１のガイド及び第２のガイドと、該第１のガイド及び第２のガイドのそれぞれを介して該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ４Ｇａ_１−Ｘ４）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ４≦１，０＜Ｙ≦１）からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好なエッチングの制御性を提供できる化合物半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板上１０１にＧａを構成原子として含むコンタクト層１０５を形成し、コンタクト層１０５上にＧａを構成原子として含まないエッチングモニタ層１０６を形成し、エッチングモニタ層上にＧａを構成原子として含むカバー層１０７を形成する半導体層形成工程と、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、カバー層１０７及びエッチングモニタ層１０６を連続してエッチングするエッチング工程と、を含み、エッチング工程では、Ｇａの発光プラズマの波長成分の有無を観察することにより、ドライエッチングを停止するタイミングを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高出力であり、高効率で動作電圧が低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、少なくとも支持基板１０、及び発光層５を含む半導体層１４と、金属反射層９と、誘電体層１５と、界面電極８と、絶縁性保護膜２４と、透明導電膜２１と、金属分配電極１２と、第一電極１３と、第二電極１７とを有している。界面電極８の深さ方向における直上の領域において、半導体層１４はエッチングによって除去され、界面電極８と接する半導体層１４の第二主表面の半導体層を残し、界面電極８上には発光層５が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】基板のＣ面上に凸部を有し、しかも高温環境下での出力低下が少ないランプの得られる半導体発光素子、これを備えたランプを提供する。
【解決手段】Ｃ面１１からなる主面上に複数の凸部１２が形成されてなる単結晶基板１０１と、単結晶基板１０１の主面を覆うように形成され、凸部１２上の膜厚ｔ_２は、前記Ｃ面１１上の膜厚ｔ_１よりも小さく、Ｃ面１１上の膜厚ｔ_１に対する凸部１２上の膜厚ｔ_２が６０％以上であり、Ｃ面１１上において単結晶相であるとともに凸部１２上において多結晶相であるＡｌＮからなる中間層１０２と、中間層１０２上に積層されたＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体層２０とを具備してなる半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイの逆バイアス状態のモレ電流を低減する。
【解決手段】垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイ１０Ａは、ｐ型閉じ込め層１２Ａと、光を放射するように構成されたｐ型閉じ込め層上の活性層１４Ａと、活性層を保護するように構成された少なくとも１つのエッチング停止層２２Ａを有するｎ型閉じ込め構造１６Ａとを含む。垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイを製造する方法は、キャリア基板２４Ａを提供するステップと、少なくとも１つのエッチング停止層を有するｎ型閉じ込め構造をキャリア基板に形成するステップと、ｎ型閉じ込め構造に活性層を形成するステップと、活性層にｐ型閉じ込め層を形成するステップと、キャリア基板を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】順電圧（Ｖｆ）が低減された半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、半導体層と、前記半導体層上に設けられた電極と、を有する半導体素子であって、前記電極は、最表面に第１金属層、前記第１金属層よりも前記半導体層側に第２金属層が少なくとも積層されて構成されており、前記第２金属層は、前記第１金属層に含まれる金属材料よりも電気導電率の高い金属材料であるＣｕが含まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い光出力を保ちつつ、信頼性が改善された発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、発光層と、クラッド層と、電流拡散層と、第２の層と、電極と、を有する。クラッド層は、第１の導電形を有する。電流拡散層は、島状または網状の凸部および前記凸部に隣接して設けられた底部を含む表面を有する加工層と、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられた第１の層と、を含む。電流拡散層は、第１の導電形の不純物濃度を有する。第２の層は、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられ、前記電流拡散層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する領域、および前記電流拡散層のドーパントとは異なるドーパントを有する領域、のいずれかからなる第１の導電形を有する。電極は、前記加工層の前記表面のうち前記凸部および前記底部が設けられていない領域に設けられる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップにおいて、改善されたビーム放出効率が得られるように、すなわち使用される電気出力単位当たりで改善されたビーム強度が得られるように構成することである。
【解決手段】トレンチは裏側で薄膜層のただ１つの部分領域を定め、該部分領域は実質的に前面コンタクト構造体とは重なっておらず、前記裏側では前記部分領域にだけ電気的裏側コンタクトが形成されており、前記トレンチは薄膜層の主伸長面を基準にして斜めの内壁を、電磁ビームを偏向するために有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上に反射膜を有したIII 族窒化物半導体発光素子の製造において、反射膜の耐熱性を向上させること。
【解決手段】サファイア基板１上にＳｉＯ₂ からなる第１絶縁膜２、反射膜３を順に形成した試料Ａと、サファイア基板１上にＳｉＯ₂ からなる第１絶縁膜２、反射膜３、ＳｉＯ₂ からなる第２絶縁膜４を順に形成した試料Ｂを作製し、試料Ａ、Ｂそれぞれにおいて熱処理前、熱処理後の反射膜３の波長４５０ｎｍにおける反射率を測定した。熱処理は６００℃で３分間行った。図１のように、Ａｌの厚さが１〜３０ÅのＡｌ／Ａｇ／Ａｌ、Ａｌの厚さが２０ÅのＡｇ／Ａｌ、Ａｌの厚さが２０ÅのＡｌ／Ａｇ／Ａｌ／Ａｇ／Ａｌでは、熱処理後も反射率が９５％以上であり、Ａｇと同等のもしくはそれ以上の反射率であった。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高いバッファ層を有する半導体発光素子を形成することができるスパッタ成膜装置、並びに半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタ成膜装置４０を用いて、スパッタ法により基板１１上に薄膜を成膜する工程を含む、半導体発光素子の製造方法であって、前記スパッタ法で成膜される薄膜の材料からなるコーティング原料粒子又は前記材料の構成元素からなるコーティング原料粒子を未溶融状態で、ガスの流れを用いて前記スパッタ成膜装置４０内の成長室４１ａの内壁に吹き付けて、前記成長室４１ａの内壁に前記コーティング原料粒子からなるコーティング膜１００を形成する工程と、前記コーティング膜１００を形成する工程の後に、前記基板１１上に前記薄膜を成膜する工程、を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】 発光むらを少なくした発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、複数の半導体層が積層された光半導体層２と、光半導体層２の上面２Ａに設けられた複数の凸状体３とを有しており、凸状体３は、光半導体層２の上面２Ａと接する底面３Ａから上方に向かうにつれて光半導体層２の上面２Ａと平行な断面積が底面３Ａの面積よりも小さくなる漸小部３’を有し、光半導体層２を構成する最上層の前記半導体層内に、平面透視して、上端５ａが凸状体３と重なる領域に配置されるとともに、下端５ｂが凸状体３と重ならない領域に配置された転位５を有する。そのため、転位５の上端５ａと重なる領域の光が凸状体３に入射して、凸状体３の側面と外部との界面で出射される際に、入射角よりも大きな屈折角で出射されるため、発光素子１の発光むらを改善することができる。 （もっと読む）

【課題】新しい発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る発光素子は、基板と、前記基板の上に配置された発光ダイオードと、前記発光ダイオードを囲むガイドリングと、前記発光ダイオードを覆うように、前記ガイドリング内に形成された第１のモールディング部材と、前記第１のモールディング部材の上の第２のモールディング部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を高めた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、半導体層１１は第１の面と第１の面に対向する第２の面を有し、活性層を含む多層構造である。第１電極１５が、半導体層１１の第１の面に形成されている。複数のＩＴＯピラー１６が、半導体層１１の第２の面に、第２の面の一部が露出するように分散して形成されている。反射電極１７が、ＩＴＯピラー１６と隣接するＩＴＯピラー１６との間を埋め込み、ＩＴＯピラー１６を覆うように半導体層１１の第２の面に形成されている。接合金属層１８が、反射電極１７上に形成されている。支持基板１９が、接合金属層１８を介して半導体層１１に接合されている。ＩＴＯピラー１６と隣接するＩＴＯピラー１６との間に、半導体層１１の第２の面が露出し、その露出した面に反射電極１７が形成されている。 （もっと読む）