【課題】改善されたオーミックコンタクト構造およびｐ型窒化物材料にオーミックコンタクト構造を形成する。
【解決手段】ｎ型ＳｉＣ基板１０上に、活性領域１２として、ｎ−ＧａＮベースの層１４およびｐ−ＧａＮベースの層１６と、ｐ−ＧａＮ層１６に堆積されかつ電気的に結合されたｐ電極１８と、ｐ電極１８上にボンディングパッド２０が形成され、ｐ電極１８はオーミックコンタクトを形成し、約２５Å未満の平均厚さおよび約１０^−３Ωｃｍ^２未満の固有接触抵抗率を有する。 （もっと読む）

【課題】 表面がｍ面から１°以上５°以下の角度で傾斜した基板上で結晶成長させたＧａＮ系半導体素子におけるコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】 本発明の窒化物系半導体素子は、表面１２がｍ面から１°以上５°以下の角度で傾斜したｐ型半導体領域を有する半導体積層構造２０と、ｐ型半導体領域上に設けられた電極３０とを備える。ｐ型半導体領域は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ≧０，ｙ≧０，ｚ≧０）層２６から形成されている。電極３０は、Ｚｎ層３２を含み、Ｚｎ層３２は、半導体積層構造２０におけるｐ型半導体領域の表面に接触している。 （もっと読む）

【課題】光吸収率を増加することなくチップ全体に電流を広げることができる電極構造を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、光取り出し面としての第１の面と、第１の面に対向する第２の面とを有し、発光層６３を有するIII−Ｖ族化合物半導体からなる積層構造１０と、支持基板３と第２の面との間に設けられ発光層６３の発光光を第１の面側に反射する反射金属膜４と、第１の面の一部に複数設けられて積層構造１０と導電する第１電極７０と、第１の面に設けられ第１電極７０と導電する透明導電膜７１と、透明導電膜７１の上に設けられる電極パッド９とを有する。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体と、前記構造体の前記第２半導体層の側に設けられ、金属部と、前記金属部を貫通する複数の開口部と、を有する第１電極層と、前記第２半導体層と、前記第１電極層と、の間に設けられた中間層と、前記第１半導体層と導通する第２電極層と、を備える。前記複数の開口部のそれぞれの円相当直径は、１０ナノメートル（ｎｍ）以上、５マイクロメートル（μｍ）以下である。前記中間層の厚さは、１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高輝度化の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられ、第２半導体層と接する金属部と、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿って金属部を貫通し前記方向に沿って見たときの形状の円相当直径が１０ナノメートル以上５マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する。第２電極層は、第１半導体層と導通する。第２半導体層は、金属部に接する凸部と、開口部の底部において凸部よりも前記方向に沿って後退した凹部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子からの光の一部をカットすることなく、輝度分布の最大部をカットオフラインに配光することが可能な光源を用いた車両用灯具を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子２１は、ｎ型半導体層２１ｂと、前記ｎ型半導体層２１ｂ表面のうち一方の長辺を含む細幅領域に形成された長辺方向に延びるｎ電極２１ｃと、前記ｎ型半導体層２１ｂ表面に形成された活性層２１ｄ、前記活性層２１ｄ表面に形成されたｐ型半導体層２１ｅと、前記ｐ型半導体層２１ｅ表面に形成された透明電極２１ｆと、前記透明電極２１ｆ表面に形成された反射電極としてのｐ電極２１ｇと、を備えたフリップチップ型のＬＥＤ素子２１であり、前記投影光学系は、白色光源の複数の光源像を車両前方に投影し、前記ｎ電極２１ｃに対応する像部分により形成されるカットオフラインを含むヘッドランプ用配光パターンを形成するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、構造体と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。第１電極層は、金属部と、複数の第１開口部と、第２開口部と、を有する。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられる。金属部の厚さは１０ナノメートル以上、２００ナノメートル以下である。複数の第１開口部は、円相当直径が１０ナノメートル以上、１マイクロメートル以下である。第２開口部は、円相当直径が１マイクロメートルを超え、３０マイクロメートル以下である。第１電極層は、第２半導体層と導通し、第２電極層は、第１半導体層と導通する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗かつ信頼性の高いコンタクト電極構造を有する窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、ｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層上に形成され、膜厚が３ｎｍ以下で多結晶質のニッケル酸化物層と、ニッケル酸化物層上に形成される金属層と、を有する半導体素子である。ニッケル酸化物層の結晶粒径が、ニッケル酸化物層の膜厚よりも大きいことが望ましい。ｐ型窒化物半導体層がｐ型ガリウムナイトライド（ＧａＮ）であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】改善されたオーミックコンタクト構造およびｐ型窒化物材料にオーミックコンタクト構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体ベースの発光デバイス（ＬＥＤ）１は、ｐ型窒化物層１６と、ｐ型窒化物層の上の金属オーミックコンタクト１８を含むことができる。該金属オーミックコンタクトは、約２５Å未満の平均厚さ、および約１０^−３Ωｃｍ^２未満の固有接触抵抗率を有することができる。 （もっと読む）

【課題】十分な発光量を確保しつつ小型化が図れ、且つ良好な生産性・歩留りを実現できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１００は、基板３０と、基板３０上に配設される金属配線層３１と、金属配線層３１上に設けられる半導体発光素子１０と、を有し、半導体発光素子１０は、１辺が１００μｍ以上２５０μｍ以下であり、基板３０側から順に、第１半導体層５、活性層４、第２半導体層３を備えた半導体発光層６と、半導体発光層６の基板３０側に設けられる透明絶縁膜７と、透明絶縁膜７の基板３０側に離間領域１８，１９を介して設けられ、金属配線層３１と電気的に接続される第１電極部１６及び第２電極部１７と、を有し、第１電極部１６は、透明絶縁膜７を貫通して設けられる第１コンタク卜部１２により第１半導体層５と電気的に接続され、第２電極部１７は、透明絶縁膜７、第１半導体層５、及び活性層４を貫通して設けられる第２コンタクト部１１により第２半導体層３と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】発光特性および生産性に優れた半導体発光素子の実装方法を提供する。
【解決手段】本発明は、正電極６の上面が負電極５の上面より高い位置にあるＬＥＤチップ１を、セラミック基板９に実装する実装方法であって、負電極５上および正電極６上にレジスト１６を積層して、レジスト１６に開口部１６ａ・１６ｂを形成する開口部形成工程と、開口部１６ａ・１６ｂ内にそれぞれ、バンプ１１・１２を形成するバンプ形成工程と、レジスト１６を除去するレジスト除去工程と、バンプ１１・１２をセラミック基板９にボンディングするボンディング工程と、を有し、さらに、開口部１６ａの断面積は、開口部１６ｂの断面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】高効率に近紫外光を発光する半導体発光素子、ウェーハ及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１層と第２層と発光部と第１積層構造体と第２積層構造体とを備えた半導体発光素子が提供される。第１層は、ｎ形ＧａＮ及びｎ形ＡｌＧａＮの少なくともいずれかを含む。第２層は、ｐ形ＡｌＧａＮを含む。発光部は、第１層と第２層との間に設けられ、障壁層と井戸層とを含む。第１積層構造体は、第１層と発光部との間に設けられる。第１積層構造体は、ＡｌＧａＩｎＮを含む複数の第３層と、複数の第３層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第４層と、を含む。第２積層構造体は、第１層と第１積層構造体との間に設けられる。第２積層構造体は、ＧａＮを含む複数の第５層と、複数の第５層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第６層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】透明導電体にＩＴＯＮ層を用いた低駆動電圧、高発光効率、かつ発光強度分布が均一化された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されるｎ型半導体層と、ｎ型半導体層上に形成される活性層と、活性層上に形成され最上部がｐ型ＧａＮ層であるｐ型半導体層と、ｐ型ＧａＮ層上に形成されるＩＴＯＮ（酸窒化インジウムスズ）層と、ＩＴＯＮ層上に形成されるＩＴＯ（酸化インジウムスズ）層と、ＩＴＯ層上の一部に形成される第１の金属電極と、ｎ型半導体層に接続して形成される第２の金属電極を有することを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレーションに関する評価が好適に実施されるＬＥＤの信頼性評価方法および評価用チップ、を提供する。
【解決手段】化合物半導体層が形成された絶縁性基板上のメイン領域に、ｐ型電極およびｎ型電極と、ｐ型電極およびｎ型電極から線状に延びるｐ側枝電極およびｎ側枝電極とを形成するステップと、絶縁性基板上のＴＥＧ領域に、ｐ側枝電極およびｎ側枝電極と同じ材料から形成されるパッド部４１、パッド部４２および配線部４６を形成するステップと、絶縁性基板を切断することにより、メイン領域からＬＥＤチップを得るとともに、ＴＥＧ領域から評価用チップ５１を得るステップと、パッド部４１およびパッド部４２を通じて配線部４６に通電することによって、ＬＥＤのエレクトロマイグレーションに対する評価を実施するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】高いボンディング性と高い効率とを有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層構造体と第１導電層と第２導電層と第３導電層とを備えた半導体発光素子が提供される。積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含む。第１導電層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対の側に設けられ、発光層から放出される発光光に対して透過性を有する。第２導電層は、第１導電層の第２半導体層とは反対の側の第１主面に接する。第３導電層は、第１主面に接し、発光光に対する第２導電層の反射率よりも高い反射率を有する。第３導電層は、少なくとも一部が第２導電層に覆われず第１主面に対して平行に延在する延在部を含む。 （もっと読む）

【課題】同じ組み合わせのドナー性不純物及びアクセプタ性不純物であっても、光の波長域を変化させたり、波長域を拡げることのできる発光ダイオード素子及びその製造方法並びに単結晶ＳｉＣ材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード素子１において、半導体発光部と、ドナー性不純物及びアクセプタ性不純物が添加された単結晶ＳｉＣからなり、ポーラス状態が連続的に変化するポーラス領域２４を含み、半導体発光部の光により励起されるとドナー・アクセプタ・ペア発光により可視光を発するＳｉＣ部２と、を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を実装する際に用いられる接合部材が、密着層に拡散されるのを軽減することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体素子は、半導体層と、前記半導体層上に設けられ、第１上面と、前記第１上面よりも突出する第２上面と、を有する電極と、前記電極の第１上面に設けられ、上面が前記電極の第２上面よりも前記半導体層側にある密着層と、密着層の上面から半導体層まで被覆する絶縁層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減でき、特性ばらつきを小さくして歩留まりを向上できる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】同一絶縁性基板４００上に複数の発光素子を配置する配置工程と、絶縁性基板４００上に配置された複数の発光素子の一部または全部を一括して配線する配線工程と、配置工程と配線工程の後、絶縁性基板４００を複数の分割基板４３０Ａ,４３０Ｂ,４３０Ｃ,４３０Ｄ,４３０Ｅに分割する基板分割工程とを有する。これによって、分割基板４３０Ａ,４３０Ｂ,４３０Ｃ,４３０Ｄ,４３０Ｅ上に複数の発光素子が配置された発光装置を複数形成する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディングをすることなくパッケージングが可能な半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に順次に積層された第１電極層、第１絶縁層、第２電極層、第２半導体層、活性層及び第１半導体層と、基板を貫通して、第１電極層と電気的に接続する第１コンタクトと、基板、第１電極層及び第１絶縁層を貫通して、第２電極層と電気的に接続する第２コンタクトと、を備え、第２電極層、第２半導体層及び活性層を貫通するコンタクトホールが形成され、第１電極層は、コンタクトホールを介して、第１半導体層と電気的に連結される半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるＩｎ偏析による発光特性の低下が抑制されたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体光素子１１ａでは、基板１３の主面１３ａは、この第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５は、主面１３ａ上に設けられている。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５上には、活性層１７が設けられている。活性層１７は、少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。半導体エピタキシャル層１９は、ＩｎＧａＮからなる。半導体エピタキシャル層１９の膜厚方向は、基準軸Ｃｘに対して傾斜している。この基準軸Ｃｘは、第１のＧａＮ系半導体の［０００１］軸の方向に向いている。 （もっと読む）