【課題】光取り出し効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、一方主面２Ａに向かって光を発する光半導体層２と、一方主面２Ａとなす内角ｔ１が９０度未満の傾斜面４を有するとともに、光半導体層２の一方主面２Ａ上に列をなして配置された複数の光透過性の突起３と、を含み、複数の突起３を平面視したとき、それぞれの傾斜面４が、複数の突起３が配置された列の一方方向に向けて配置され、複数の突起３を列方向Ｇｅと垂直な方向から断面視したとき、その断面外郭線が一方主面２Ａの法線Ｈｂに対して非線対称形状である。 （もっと読む）

【課題】高輝度な半導体発光装置および画像表示装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体薄膜発光素子が、実装基板101上に反射メタル層103を介して集積された第１半導体薄膜発光素子102と、第１半導体薄膜発光素子から放射される第１発光波長の光に対し透明な材料から構成され、かつ、第１半導体薄膜発光素子の素子構造を平坦とし、さらに電気的に絶縁性を有する第１透明絶縁平坦化膜113を介して第１半導体薄膜発光素子上に集積された第２半導体薄膜発光素子114とを備え、第２半導体薄膜発光素子は、内部の第１半導体薄膜発光素子側に、第１発光波長の光を透過し、かつ第２半導体薄膜発光素子から発光される第２発光波長の光のみを反射する半導体多層膜からなる第１半導体多層膜反射層116が形成され、第１半導体多層膜反射層を含む第２半導体薄膜発光素子は、第１発光波長の光に対し透明な材料から構成されている. （もっと読む）

【課題】高輝度な半導体発光装置および画像表示装置を提供する。
【解決手段】
複数の半導体薄膜発光素子が、実装基板101上に反射メタル層103を介して集積された第１半導体薄膜発光素子102と、第１半導体薄膜発光素子から放射される第１発光波長の光に対し透明な材料から構成され、かつ、第１半導体薄膜発光素子の素子構造を平坦とし、さらに電気的に絶縁性を有する第１透明絶縁平坦化膜113と、第１透明絶縁平坦化膜上に第１半導体薄膜発光素子から放射される第１発光波長の光に対し透明な材料から構成され、かつ、電気的に絶縁性を有する第１誘電体多層膜反射層116を介して集積された第２半導体薄膜発光素子114とを備え、第１誘電体多層膜反射層は、第１の発光波長の光を透過し、第２半導体薄膜発光素子から発光される第２発光波長の光のみを反射し、第２半導体薄膜発光素子は、第１発光波長の光に対し透明な材料から構成されている。 （もっと読む）

【課題】発光波長が２００ｎｍ〜３００ｎｍの紫外光の発光効率の向上を図れ、且つ、信頼性の向上を図れる紫外半導体発光素子を提供する。
【解決手段】２００ｎｍ〜３００ｎｍの紫外域に発光波長を有する紫外半導体発光素子であって、ｎ形窒化物半導体層３とｐ形窒化物半導体層５との間に発光層４を有する。ｎ形窒化物半導体層３およびｐ形窒化物半導体層５それぞれに接触する一対の電極のうちの一方の電極であるｐ電極６が、発光波長の紫外光に対する光吸収係数が５×１０^４ｃｍ^−１以下である金属材料により形成された透明金属層６１を有する透明電極からなる。紫外光の発光波長において透明な絶縁材料により形成され透明電極であるｐ電極６を保護する保護層９を備える。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易であり、量産性が改善された発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光装置の製造方法では、基板と、基板に隣接する第１の面と、第１の面とは反対側の第２の面と、発光層とをそれぞれ有する複数の積層体と、第２の面に形成されたｐ側電極及びｎ側電極と、ｐ側電極及びｎ側電極の上に形成され、ｐ側電極に通じる第１の開口と、ｎ側電極に通じる第２の開口とを有する絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、第１の開口を通じてｐ側電極と接続されたｐ側金属配線層と、ｐ側金属配線層に対して離間して絶縁膜上に設けられ、第２の開口を通じてｎ側電極と接続されたｎ側金属配線層と、を含むウェーハ状態の積層構造における第１の面側に蛍光体を含有する層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ラテラル構造およびフリップチップ構造の問題を解決し、さらに発光層で発生した紫外光のうち、裏面に向かう光を効率的に反射して表面からの発光量を増大させることができるバーチカル型III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のバーチカル型III族窒化物半導体発光素子１００は、ｐ側電極層１１１と、導電性サポート部１０９と、接続層１０８と、反射電極層１０７と、ｐ型半導体積層体１０５、発光層１０４およびｎ型半導体積層体１０３からなるIII族窒化物半導体積層体と、ｎ側電極層１１０とを順に具え、前記反射電極層１０７は、前記ｐ型半導体積層体１０５に直接接合するロジウム、ロジウム含有合金、ルテニウム、ルテニウム含有合金のいずれかからなり、発光波長が２００〜４９５ｎｍの範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】厚みを薄くすることができるとともに効率的に製造することが可能な金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の金属層と、第２の金属層と、第３の金属層と、を備え、第１の金属層は第２の金属層の一方の表面上に設置され、第３の金属層は第２の金属層の他方の表面上に設置されており、第１の金属層は、タングステンを含み、第２の金属層は、銅を含み、第３の金属層は、タングステンを含む金属積層構造体を製造する方法であって、第２の金属層の一方の表面上に第１の金属層を溶融塩浴めっきにより形成する工程と、第２の金属層の他方の表面上に第３の金属層を溶融塩浴めっきにより形成する工程と、を含み、溶融塩浴めっきに用いられる溶融塩浴は、フッ化カリウムと、酸化ホウ素と、酸化タングステンとを含む混合物を溶融して作製されたものである、金属積層構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高性能の窒化ガリウム（ＧａＮ）系発光素子のための薄膜電極およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型ＧａＮ半導体層上に順次に積層された第１電極層および第２電極層を含むｐ型ＧａＮ半導体のオーム接触用薄膜電極の、前記第１電極層は、ｐ型熱電酸化物を形成できるＮｉ、ＣｕもしくはＣｏ系の合金または固溶体を含むか、またはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうち選択された少なくとも何れか一つの成分がドーピングされたＮｉ酸化物を含みうる。前記第２電極層は、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｓｃ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｎａ、Ｓｂ、Ｌｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｎｉ、ＣｕおよびＣｏよりなる群のうち選択された少なくとも何れか一つを含みうる。 （もっと読む）

【課題】光出力を維持しつつ逆耐圧Vrのウエハ面内ばらつきを抑え、高い歩留りを確保することができるAlGaInP系半導体発光装置を提供する
【解決手段】
AlGaInPからなる活性層と、活性層を挟むように設けられ活性層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有するｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層と、を含む半導体膜を有する。ｎ型クラッド層は、AlGaInPからなる第１のｎ型クラッド層とAlInPからなる第２のｎ型クラッド層とを含み、第２のｎ型クラッド層の層厚は４０〜２００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】半導体層の側面からの出射光を効率的に利用することができる、例えばＬＥＤの輝度向上を実現しうる光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子は、支持基板１８の上方に半導体層１１が形成され、半導体層１１の側面に絶縁層１４が形成され、半導体層１１の側方に絶縁層１４を介して保護層１７が形成されてなる。保護層１７は、（Ａ）一般式：（Ｒ¹）_PＳｉ（Ｘ）_4-P［式中、Ｒ¹は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、及びその縮合物から選択される一つ以上の化合物を含有する組成物の硬化物である。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系半導体領域の表面がｃ面から傾斜している場合に、該半導体層上に設けられる電極と該半導体領域との接触抵抗を小さく抑えることが可能なIII族窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物系半導体素子は、III族窒化物結晶からなる非極性表面１３ａを有する半導体領域１３と、半導体領域１３の非極性表面１３ａに設けられた金属電極１７とを備え、非極性表面１３ａは半極性及び無極性のいずれかであり、半導体領域１３にはｐ型ドーパントが添加されており、半導体領域１３のIII族窒化物結晶と金属電極１７との間に、金属電極１７の金属と半導体領域１３のIII族窒化物とが相互拡散して成る遷移層１９を有する。 （もっと読む）

【課題】小型かつ低コストで、量産性に優れた、高出力の偏光制御発光素子を提供する。
【解決手段】偏光制御発光素子は、面内の方向によって熱膨張率が異なるサブマウント１と、成長主面が極性面である発光層３２を含む半導体積層膜３と、半導体積層膜３をサブマウント１上に接合する、少なくとも半田層２１を含む金属多層接着層２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】六方晶系III族窒化物からなる支持基体の非極性主面上に設けられた発光層等を有するIII族窒化物発光ダイオードにおいて、側面における欠けやチッピングといった形状不良を低減する。
【解決手段】発光ダイオード１１は、六方晶系III族窒化物半導体からなる支持基体１７及び半導体領域１９を含む発光構造体１３を備える。半導体領域１９は、第１半導体層２１と、第２半導体層２３と、発光層２５とを有する。支持基体１７の六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸は、ｍ軸の方向に法線軸に対して有限な角度ＡＬＰＨＡで傾斜している。発光構造体１３は、六方晶系III族窒化物半導体のｍ軸及び法線軸によって規定されるｍ−ｎ面に交差する一対の割断面２７，２９と、ｍ−ｎ面又は｛１１−２０｝面からなる一対の劈開面１３ａ，１３ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】 凹凸を有する基板上に形成する膜の表面が平坦になるまでの成長時間を短縮することが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 コランダム構造のｃ面基板の表面に複数の凸部が形成されている。この表面に、Ｇａ及びＮを含むＩＩＩ−Ｖ族半導体からなり、基板表面よりも平坦な下地膜が配置されている。下地膜の上に、Ｇａ及びＮを含む発光構造が配置されている。下地膜のａ軸方向とのなす角度が１５°未満の方向を第１方向とし、それと直交する方向を第２方向とする。凸部は、第１方向及び第２方向に規則的に配列している。凸部の各々は、ｍ軸方向とのなす角度が１５°未満の第１の辺と、ａ軸方向とのなす角度が１５°未満の第２の辺とを有する。第１方向に隣り合う２つの凸部の相互に対向する第１の辺は平行であり、第２方向に隣り合う２つの凸部の相互に対向する第２の辺は平行である。対向する第２の辺のｍ軸方向の間隔は、対向する第１の辺のａ軸方向の間隔よりも広い。 （もっと読む）

【課題】高出力で信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】基体と、前記基体に設けられた導電部材と、前記導電部材の少なくとも一部に設けられた銀含有金属と、前記基体上に載置された発光素子と、前記発光素子および前記銀含有金属の表面において、一部を被覆する絶縁部材と、前記絶縁部材が形成されていない部位を被覆するように設けられる絶縁性のフィラーと、を備える発光装置。 （もっと読む）

【課題】電極パッド付近で電流密集が発生するのを防止できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置する第１の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層と前記第２の導電型半導体層との間に介在する活性層と、前記第１の導電型半導体層に電気的に接続される第１の電極パッドと、前記第２の導電型半導体層上に位置する第２の電極パッドと、前記第２の導電型半導体層と前記第２の電極パッドとの間に介在し、前記第２の電極パッドを前記第２の導電型半導体層から電気的に絶縁させる絶縁層と、前記第２の電極パッドに接続され、前記第２の導電型半導体層に電気的に接続される少なくとも一つの上部延長部と、を含むことを特徴とする発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】発光面積の全体のうち、発光に用いられる有効面積を増加させることができ、全体的な発光効率を向上させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、基板と、基板上に形成された第１導電型窒化物半導体層１２０と、第１導電型窒化物半導体層１２０上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２導電型窒化物半導体層と、第２導電型窒化物半導体層上に形成された透明電極１５０と、透明電極１５０上に形成された第２導電型電極パッド１７０ａと、第２導電型電極パッド１７０ａから一方向に延びて線状に形成された第２導電型電極１７０と、第１導電型窒化物半導体層上に第２導電型電極パッド１７０ａと同一の辺に隣接して形成された第１導電型電極パッド１６０ａと、第１導電型電極パッド１６０ａから一方向に延びて線状に形成された第１導電型電極１６０とを含む。 （もっと読む）

【課題】発光強度の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 発光層を挟んで第１導電型層、第２導電型層が設けられた積層構造を有し、前記第２導電層が、前記第１導電型層の露出部を形成する溝構造により、大小２部分に分断されており、当該分断された大きい方の第２導電型層上に第２導電型の電極パッドを有し、当該分断された小さい方の第２導電型層上に第１導電型の電極パッドを有し、当該第１導電型の電極パッドは、当該第１導電型の電極パッドを起点とし、前記露出した第１導電型へ互いに独立してコンタクトする２本以上の導電配線により、前記第１導電型層の露出部に設けられた互いに独立した２箇所以上と、それぞれ電気的にコンタクトしている発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】発光層から放出された光の取り出し効率を向上させる半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光素子は、発光層を含み、発光層から放出される光が取り出される第１の主面と、第１の主面の反対側に設けられた第２の主面とを有する半導体積層体と、半導体積層体の第２の主面に接して設けられたコンタクト層と、第２の主面の反対側の面でコンタクト層に接して設けられた透明電極層と、導電性及び反射性を有し、コンタクト層の反対側の面で透明電極層に接して設けられた反射層とを備えている。コンタクト層と透明電極層との界面には起伏が形成されず、透明電極層は反射層と接する面に起伏を有し、反射層は起伏を被覆する粗面を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は従来の蛍光体を代替できる蛍光体物質を含み、高性能の白色発光素子を実現できる発光素子、発光素子パッケージおよび照明システムを提供すること。
【達成手段】本発明は発光素子、発光素子パッケージおよび照明システムに関する。
本発明の発光素子は第1導電型半導体層、第2導電型半導体層および前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層の間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上に第1非晶質層、および前記第1非晶質層上にナノ粒子形態のナノ構造物と、を含む。 （もっと読む）