【課題】 電流分散性能を改善した高効率発光ダイオード及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の発光ダイオードは、支持基板と、支持基板上に位置し、ｐ型化合物半導体層、活性層、及びｎ型化合物半導体層を有する半導体積層構造体と、支持基板と半導体積層構造体との間に配置され、半導体積層構造体にオーミックコンタクトする反射金属層と、半導体積層構造体上に配置される第１の電極パッドと、第１の電極パッドから延長し、ｎ型化合物半導体層に接触する接触領域を有する電極延長部と、支持基板と半導体積層構造体との間に配置され、電極延長部の接触領域下のｐ型化合物半導体層の表面領域を覆う下部絶縁層と、第１の電極パッドと半導体積層構造体との間に介在された上部絶縁層と、備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新たな構造を有し、発光効率が向上した発光素子、発光素子製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供するためのものである。
【解決手段】本発明による発光素子は、透明電極層の上に形成され、第１屈折率を有する第１薄膜層と、第１屈折率と相異する第２屈折率を有する第２薄膜層が少なくとも１回反復的に積層された多重薄膜ミラーを含む。第２導電型半導体層の厚さ（ｄ）は、２・Φ１＋Φ２＝Ｎ・２π±Δ、（０≦Δ≦π／２）から導出され、ここで、Φ１は垂直方向の光が上記第２導電型半導体層を通過する時に発生する位相変化であって、Φ１＝２πｎｄ／λ（ｎは光の屈折率、λは光の波長、ｄは第２導電型半導体層の厚さ）であり、Φ２は光が透明電極層または多重薄膜ミラーのうち、いずれか１つにより反射される時に発生する位相変化であり、Ｎは自然数である。 （もっと読む）

【課題】出射光の偏光比が高い半導体発光素子及びそれを用いた偏光表示装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子２００は、基板２０１上に形成され、少なくとも２種類以上の偏光を有する光を発生する光ガイド領域を含む積層構造体２０２と、積層構造体２０２の主面に設けられ、光を光ガイド領域内において所定の方向に導波させるストライプ形状の導波路とを備え、積層構造体２０２は、光の導波方向と垂直な積層構造体２０２の端面の一部において、少なくとも光ガイド領域の一部を含んで凹形状に形成されたスリット部２１７を備える。 （もっと読む）

【課題】発光効率効率が向上した発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供すること。
【解決手段】本発明の発光素子は、第１電極層と、前記第１電極層上に形成されて、主ピーク波長領域が４３０ｎｍ〜４７０ｎｍである青色系の光を発光し、光抽出構造を含む発光構造物と、前記光抽出構造上にプラズモン振動数が前記青色系の光の波長と異なる金属材質から形成される第１層を備える第２電極層とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新たな構造を有し、信頼性が向上した発光素子を提供するためのものである。
【解決手段】本発明によれば、発光素子は、伝導性を有する支持部材を含む電極と、電極の上面の周縁領域に金属物質を含むチャンネル層と、電極及びチャンネル層の上に形成され、第１半導体層、活性層、及び第２半導体層を含む発光構造物と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ｐクラッド層の結晶性に起因する不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を積層する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において前記第一ｎ型半導体層上に、前記第一ｎ型半導体層の再成長層と、第二ｎ型半導体層と、障壁層およびＧａ_１−ｘＩｎ_ｘＮ（０＜ｘ＜０．２）なる組成の井戸層からなる発光層と、Ａｌ_１−ｙＧａ_ｙＮ（０．１＜ｙ＜０．５）なる組成のｐクラッド層およびｐコンタクト層からなるｐ型半導体層と、を順次積層する第二工程とを具備し、前記第二工程において前記再成長層を基板温度７００℃〜１２００℃で形成し、前記ｐクラッド層を基板温度８００℃〜１２００℃で形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】スイッチ機能を含む発光素子及び発光素子パッケージを提供する。
【解決手段】発光素子１００は、第１電極１６０と、該第１電極上に発光構造物１４５と、該発光構造物上に第２電極１７０と、及び発光構造物を制御するために発光構造物上に制御スイッチ１２０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】各ＬＥＤチップから出力された光に他のＬＥＤチップの影が生じにくい発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１の各ＬＥＤチップ２は、それぞれ結晶成長用基板２４の主表面側に積層構造膜からなる発光層２２をエピタキシャル成長法により成長させてなるＬＥＤ基材を用いて形成される。各ＬＥＤ基材は、発光層２２における一対の電極２１が形成された面を実装基板３に対向させる向きで、実装基板３の第１の面３０上にフリップチップ実装されて構成される。各ＬＥＤ基材は、発光層２２を実装基板３の第１の面３０に固着した後で結晶成長用基板２４が除去され、発光層２２および電極２１からなるＬＥＤチップ２のみが実装基板３上に残るように実装基板３に実装される。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の発光分布を向上させる。
【解決手段】第１の半導体層と、第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられた発光層と、を含む半導体多層構造体と、前記半導体多層構造体の第１の主面側に延出され、前記第１の半導体層と接続された第１の電極と、前記半導体多層構造体の前記第１の主面において、前記第２の半導体層の上に設けられた第２の電極と、前記第２の電極の上に選択的に設けられた第３の電極と、を備え、前記第２の電極は、前記第１の主面に対して垂直な方向からみて、前記第１の電極と前記第３の電極との間に設けられ、前記第１の電極と前記第３の電極とを結ぶ経路に向けて延在する切り欠きが形成された第１の領域と、前記第１の電極の周囲に設けられ、切り欠きが形成されない第２の領域と、前記第３の電極の周囲に設けられ、切り欠きが形成されない第３の領域と、を有することを特徴とする半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】安価なIII 族窒化物半導体発光素子を実現すること。
【解決手段】発光素子１００は、セラミック基板１０１上にｐ電極１０３、ｐ型層１０４、活性層１０５、ｎ型層１０６を有している。ｐ型層１０４のｐ電極１０３側の表面に、第１の溝１０８が形成され、ｎ型層１０６に達する深さである。第１の溝１０８の底面に接し、第１の溝１０８の側面には接しないよう補助電極１０９が形成されている。また、ｎ型層１０６表面であって、補助電極１０９の一部と対向する領域に、その補助電極１０９に達する深さの第２の溝１１１が形成され、第２の溝１１１の底面に露出した補助電極１０９上にｎパッド電極１０７が形成されている。また、ｎ型層１０６表面であって、補助電極１０９と対向しない領域に、ｐ電極１０３に達する深さの第３の溝１１５が形成され、第３の溝１１５底面に露出したｐ電極１０３上にｐパッド電極１１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、蛍光体に関し、より詳細には、高い発光特性及び優れた熱的・化学的安定性を有する複合結晶蛍光体とこれを利用した発光装置、面光源装置、ディスプレイ装置及び照明装置に関する。
【解決手段】本発明の一観点によると、少なくともＭ元素と、Ａｌ元素と、ケイ素、酸素及び窒素とを含有する無機組成物であり、当該無機組成物は少なくとも２種の結晶相を有する粒子を有し、当該少なくとも２種の結晶相はＭ_２ＳｉＯ_４結晶と同一の第１の結晶相と、β−サイアロン（Ｓｉａｌｏｎ）結晶である第２の結晶相とを含む複合結晶蛍光体を提供する。ここで、ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａからなる群から選択された少なくとも１種の元素であることができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を高めた半導体発光素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、基板と、該基板上に形成されたＩＩＩ族化合物半導体からなる発光層を含む半導体層と、該半導体層上の前記基板と接する側とは反対側の表面に配置された導電性薄膜と、該導電性薄膜の厚み方向に貫通して形成される電流阻止部と、該電流阻止部上に形成された第１の電極と、基板の半導体層と接する側とは反対側の表面上、または半導体層の露出面上に形成された第２の電極とを有し、導電性薄膜は、発光層が発光する光に対して透過性を有し、電流阻止部は、導電性薄膜と同一の材料からなり、かつ前記導電性薄膜よりも電気抵抗が高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い信頼性を有するオーミック電極を備えた化合物半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体層と、この窒化物半導体層上に設けられたオーミック電極と、を備え、前記オーミック電極は、前記窒化物半導体層との間で金属窒化物を形成する金属を含む第１電極層と、前記第１電極層上に設けられた、アルミニウム（Ａｌ）を含む第２電極層と、前記第２電極層の外面を被覆し、かつタングステン（Ｗ）を含む第３電極層と、前記第３電極層の外面を被覆し、かつ金（Ａｕ）を含む第４電極層と、を有することを特徴とする化合物半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ用のＬＥＤ素子はｐ型半導体層を削ってｎ型半導体層を露出させるため、しばしばｐ側バンプとｎ側バンプの間に段差を持つ。この段差はＬＥＤ素子の接続信頼性を劣化させることがある。
【解決手段】複数の回路基板領域を含む大判基板８０に電極パターンを形成してから、ｎ側バンプ２３が接続する領域に段差と略等しい厚さを有する補正膜１７を形成する。続いてＬＥＤ素子１３を大判基板８０に配置して接合する。最後に大判基板８０を個片化し半導体発光装置１０を得る。接合工程前の大判基板８０処理段階で補正膜１７を形成する工程を追加したので簡単に高い接続信頼性が得られた。 （もっと読む）

【課題】 外部からの衝撃に対して優れた耐性構造を有し、各化合物半導体層および発光層の亀裂、損傷を抑制ないし防止することが可能な発光ダイオード素子を提供する。
【解決手段】 支持基板と、この支持基板表面に形成された第１導電型用電極と、この電極表面に順次形成された第１導電型化合物半導体層、発光層および第２導電型化合物半導体層と、この第２導電型化合物半導体層表面に形成された第２導電型用電極を備え、支持基板側と発光層を含む化合物半導体層側が第１導電型用電極で貼り合わされた発光ダイオード素子であって、前記第２導電型用電極直下に位置する前記支持基板表面と前記第１導電型用電極の界面に前記第２導電型用電極より広い面積を持つ絶縁層を形成し、かつ前記絶縁層上の前記第１導電型用電極領域に枠状空間を形成して空間内側の電極部と空間外側の電極部とを電気的に分離することを特徴とする発光ダイオード素子。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるピエゾ分極の向きを適切な方向に選択可能な、半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０４では、選択された一又は複数の傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにｐ型及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を成長して形成された基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。工程Ｓ１０５では、バイアス依存性から、基板主面の選択された傾斜角の各々において発光層におけるピエゾ分極の向きの見積もりを行う。工程Ｓ１０６では、基板主面に対応する傾斜角及び基板主面の裏面に対応する傾斜角のいずれかの使用を見積りに基づき判断して、半導体発光素子の作製のための成長基板の面方位を選択する。半導体発光素子のための半導体積層を成長基板の主面上に形成する。 （もっと読む）

【課題】実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。
【解決手段】発光ダイオード又はレーザーダイオードにおいてオーミック接触を形成するための薄膜電極において、ｐ型窒化ガリウム層上に積層され、Ｎｉ−Ｘ固溶体を含有する第１電極層と、前記第１電極層上に積層され、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃ、Ｃｕ、及びＩｒからなる群から選択される少なくとも１種以上の元素を含有する第２電極層と、を含むことを特徴とする、薄膜電極である。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子の光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】発光素子１００は、ｐ型層１０４のｐ電極１０３と接合している側の表面に、第１の溝１０８が形成されている。この溝１０８は、ｐ型層１０４、活性層１０５を貫通し、ｎ型層１０６に達する深さである。溝１０８の底面に接し、溝１０８の側面には接しないよう補助電極１０９が形成されている。また、溝１０８の側面、補助電極１０９の形成されていない溝１０８の底面、補助電極１０９に連続してＳｉＯ₂ からなる絶縁膜１１０が形成されている。また、ｎ型層１０６の活性層１０５側とは反対側の表面であって、補助電極１０９の一部と対向する領域に、その補助電極１０９に達する深さの第２の溝１１１が形成されている。そして、第２の溝１１１の底面に露出した補助電極１０９上にパッド部のみからなるｎ電極１０７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装される際に、反射電極に圧痕の発生を抑えることで、高い信頼性を図ることができる発光素子および発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、発光素子１０をサブマウント素子２０に搭載した複合素子である。発光素子１０は、光透過性を有する基板１１と、基板１１に、ｎ型層１２ａ、活性層１２ｂおよびｐ型層１２ｃを積層した半導体層１２と、半導体層１２に積層され、活性層１２ｂからの光を基板１１方向へ反射する反射電極１３と、反射電極１３に積層され、反射電極１３への実装時の応力を吸収する応力緩和電極１４と、応力緩和電極１４に積層されたｐ側パッド電極１５とを備えている。この応力緩和電極１４の硬度は、ｐ側パッド電極１５の硬度より小さい。例えば、ｐ側パッド電極１５はＡｕ層で形成され、応力緩和電極１４は、少なくともＡｌ層を含むものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子の、光学系による外観認識率を向上させる。
【解決手段】発光部を含む半導体積層部と、半導体積層部の第１の主表面側を光取り出し面とし、半導体積層部の第２の主表面側に形成され、発光部で発生した光を第１の主表面側へと反射させる金属反射層と、半導体積層部と金属反射層との間の一部分に配置され、半導体積層部にオーミックコンタクト接合するオーミックコンタクト接合部と、光取り出し面に形成され、外部からの照射光の反射を防止する反射防止膜と、を備える。 （もっと読む）