【課題】 配光特性を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子１は、複数の半導体層が積層されてなる光半導体層11と、光半導体層11に電圧を印加し、光半導体層11を発光させる一対の電極12とを備え、一対の電極12は、光半導体層11で発光した光を反射する一方電極（第２電極）14を有しており、一方電極14は光半導体層11上に設けられた、光半導体層11を構成する最上層の半導体層よりも屈折率が小さい第１透明電極層14ａと、第１透明電極層14ａ上に設けられた、第１透明電極層14ａよりも屈折率が大きい第２透明電極層14ｂと、第２透明電極層14ｂ上に設けられた、第２透明電極層14ｂを透過した光を光半導体層11の方向へ反射させる反射性電極層14ｃとを具備している。光半導体層11で発光した光を光半導体層11の厚み方向と垂直な方向へ良好に拡散させることができ、発光素子１の配光特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜発光素子上から基板上まで、又は、半導体薄膜発光素子上から基板上の駆動用素子上までの配線を、容易かつ選択的にエッチングできる半導体発光素子装置、この半導体発光素子装置を備えた画像露光装置、この画像露光装置を備えた電子写真式の画像形成装置、及び前記半導体発光素子装置を備えた画像表示装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子装置は、電極配線１１２，１１３を備えた集積基板１０１と、集積基板１０１上に備えられた半導体薄膜発光素子１０２と、半導体薄膜発光素子１０２上に備えられ、半導体薄膜発光素子１０２に電気的に接続された電極パッド１０８，１０９と、電極パッド１０８，１０９と電極配線１１２，１１３とを電気的に接続するリムーバブル接続配線１１１ａ，１１１ｂとを有し、リムーバブル接続配線１１１ａ，１１１ｂは、ケミカルエッチングによって選択的にエッチング可能な材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メッキ金属層により所定の厚さに形成された電極を有する半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板（１２）にフリップチップ実装する半導体発光素子（１５）は、発光層（３５）を含む半導体層（３２及び３３）と、半導体層を回路基板と接続するためのＮ側バンプ電極（２１）と、半導体層を回路基板と接続するためのＰ側バンプ電極（２２）を有し、Ｎ側バンプ電極及びＰ側バンプ電極のそれぞれがアンダーバンプメタル層（２１ｃ及び２２ｃ）及びメッキ金属層（２１ｂ及び２２ｂ）を含み、アンダーバンプメタル層が半導体層側に配置された高反射性金属層（２１ｆ及び２２ｆ）及び半導体層と反対側に配置された金属層（２１ｅ及び２２ｅ）を含み、メッキ金属層の厚さが３μｍ以上、３０μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極構造改善を通じて電流密度分布を均一にして高輝度を具現できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板、基板上に順次形成されたｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層、ｐ型半導体層の一側エッジ上に形成されたｐ型電極パッドと、ｐ型電極パッドに連結されたｐ型補助電極と、を含むｐ型電極、ｐ型電極パッドの反対側でｎ型半導体層の他側エッジ上に形成されたｎ型電極パッドと、ｎ型電極パッドに連結されたｎ型補助電極と、を含むｎ型電極を含み、ｎ型補助電極は、ｐ型電極パッドが形成された一側エッジに向かい、ｐ型補助電極は、ｎ型電極パッドが形成された他側エッジに向かって互いに平行に載置されて、ｐ型電極がｎ型電極を取り囲む半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンが形成でき、製造工程の迅速化を図ることが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本実施形態のパターン形成方法は、下地１０の上に第１の膜１１を選択的に形成する工程と、前記第１の膜１１および前記第１の膜に覆われていない前記下地１０の上に、第２の膜１３を形成する工程と、前記第２の膜１３の平均結晶粒径を前記第２の膜１３の膜厚以上に調整する工程と、前記第１の膜１１のエッチャントを前記第２の膜１３の表面に晒し、前記第１の膜１１の上に形成された前記第２の膜１３を前記下地上から選択的に除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】小型半導体発光装置を用いた放熱性が高い光源装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置１１０と、実装基板２５０と、第１接続材２３０ａと、第２接続材２３０ｂと、を備えた光源装置が提供される。半導体発光装置は、発光部１０ｄと、第１導電部３０ａと、第２導電部３０ｂと、封止部５０と、光学層６０と、を含む。実装基板は、基体２０１と、第１基板電極２１０ａ及び第２基板電極２１０ｂと、を含む。接続材は、導電部と基板電極とを電気的に接続する。第１、第２導電部は、発光部の電極に電気的に接続され、第２主面の上に立設された第１、第２柱部を含む。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は波長変換部を含み半導体積層体の第２主面とは反対側に設けられる。第２基板電極の面積は、第２柱部の断面積の１００倍以上である。 （もっと読む）

【課題】発光面内での電流密度及び輝度のばらつきを低減した半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、第１の絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、前記第２の金属ピラーと、第２の絶縁層と、を備えた。前記半導体層は、第１の主面と、その反対側に形成された第２の主面と、発光層とを含む。前記第１の電極は、前記第２の主面における前記発光層を有する領域に設けられた。前記第２の電極は、前記第２の主面に設けられ、平面視で前記第１の電極に挟まれている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオードに関する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板と、第一半導体層と、第二半導体層と、活性層と、第一電極と、第二電極と、三次元ナノ構造体アレイと、を含む。前記第一半導体層、前記活性層、及び前記第二半導体層は、前記基板から離れる方向に順次的に前記基板に積層されている。前記第一電極は、前記第一半導体層に電気的に接続され、前記第二電極は、前記第二半導体層に電気的に接続される。前記三次元ナノ構造体アレイは、前記第二半導体層の前記活性層と隣接する表面とは反対の表面に配置される。前記三次元ナノ構造体アレイは複数のナノ構造体を含み、前記ナノ構造体は梯形三次元ナノ構造体である。 （もっと読む）

【課題】ｐクラッド層上の窓電極からの光取り出し効率を向上させることと、窓電極とｐ型ＧａＮとの間の接触抵抗の低減させることは相矛盾する。
【解決手段】基板上に窒化物半導体で構成されたn型クラッド層と活性層とｐ型クラッド層が順に積層され、p型クラッド層上にエピタキシャル成長させた単結晶n型ＺｎＯ透明電極膜と、n型クラッド層と単結晶n型ＺｎＯ透明電極膜それぞれの一部に、電圧を印加するための金属電極部を備える発光ダイオードであって、p型クラッド層と単結晶n型ＺｎＯ透明電極膜の界面に、Ｇａを含む単結晶ＩＴＯ透明電極膜が形成されており、単結晶ＩＴＯ透明電極膜に含まれるＧａ元素がＩｎ元素に対して８〜５０ａｔｏｍ％置換され、単結晶ＩＴＯ透明電極膜の膜厚が１．１ｍｍ以上５５ｎｍ以下であり、単結晶ｎ型ＺｎＯロッドの正面視断面において底部の幅が上部の幅より狭い段差形状である。 （もっと読む）

【課題】低コストで大量生産が可能であり、半導体発光素子と同程度に小型化することも可能な光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、前記第２主面上に形成された第１電極及び第２電極とを有する発光層と、前記第１主面上に設けられ、透光性を有する透光層と、前記第１電極上に設けられた第１金属ポストと、前記第２電極上に設けられた第２金属ポストと、前記第２主面上に設けられ、前記第１金属ポストの端部及び前記第２金属ポストの端部を露出させて前記第１金属ポスト及び前記第２金属ポストを封止するとともに、前記発光層の側面を覆う封止層と、を備えたことを特徴とする光半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１０ｄと第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂと封止部５０と光学層６０とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１主面１０ｂと第１主面とは反対の側の第２主面１０ａとを有する半導体積層体と、第２主面１０ａに設けられた第１、第２電極と、を含む。第１、第２導電部は、それぞれ第１、第２電極に電気的に接続され、第２主面に立設された第１、第２柱部を含む。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第１主面に設けられ、発光部からの発光光の波長を変換する波長変換部を含む。第１導電部の半導体積層体とは反対側の第１端面３１ａｅと第２導電部の半導体積層体とは反対側の第２端面３１ｂｅとは非対称である。 （もっと読む）

【課題】電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１０ｄと第１導電部３０ａと絶縁層２０と第２導電部３０ｂと封止部５０と光学層６０とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１半導体層、発光層及び第２半導体層を含む半導体積層体１０と、第２主面１０ａの側で第１、第２半導体層に接続された第１、第２電極１４、１５と、を含む。第１導電部は、第１電極に接続され、第２半導体層と離間しつつ第２半導体層の一部１２ｐを覆う第１柱部３１ａを含む。絶縁層２０は第２半導体層と第１柱部との間に設けられる。第２導電部は第２電極に接続され第２主面の上に立設される。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第１主面１０ｂに設けられ、波長変換部を含む。 （もっと読む）

【課題】高いオーミック性と反射率を併せ有する電極構造を備える、低駆動電圧で駆動し、良好な光取り出し効率を有する半導体発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に設けられたn型半導体層と、前記n型半導体層上に設けられ、自然放出光を発光する活性層と、前記活性層上に設けられたp型半導体層と、前記半導体基板の裏面または前記n型半導体層上に設けられ、前記活性層及び前記p型半導体層と離隔して設けられたn電極と、前記p型半導体層上に設けられたp電極とを具備する半導体発光素子。前記ｐ電極がドット状ＮｉO層と、このドット状ＮｉO層上に形成された反射オーミックＡｇ層を含む。 （もっと読む）

【課題】量産性及び小型化に優れた半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、第１の絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、第２の絶縁層と、を備える。前記半導体層は、第１の主面と、その反対側に形成された第２の主面と、発光層とを含む。前記第１の配線層の一部の端面は、前記第１の絶縁層もしくは前記第２の絶縁層から側方に露出し、前記第２の配線層のすべての端面は、前記第１の絶縁層もしくは前記第２の絶縁層で覆われた。 （もっと読む）

【課題】製造コストを削減でき、より均一に発光できる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１７と、透光部６０と、波長変換部（蛍光体層７０）と、第１導電部３１と、第２導電部３２と、封止部５０と、を備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１主面Ｍ１と第１主面とは反対側の第２主面Ｍ２とを有する半導体積層体１０と、第２主面上に設けられた第１電極１４及び第２電極１５と、を有する。透光部は、第１主面上に設けられる。波長変換部は、透光部の第２主面とは反対側の第３主面Ｍ３と、透光部の側面Ｍ４と、を覆う。第１、第２導電部は、第２主面上に設けられ第１、第２電極にそれぞれ電気的に接続される。封止部は、第１、第２導電部の側面を覆う。 （もっと読む）

【課題】半導体層に加わる応力を緩和し、発光効率の向上が可能な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１０ｄと第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂと第１絶縁層２１と封止部５０と光学層６０とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１主面１０ｂと第２主面１０ａとを有する半導体積層体１０と、第２主面に設けられた第１、第２電極と、を含む。第１、第２導電部は、それぞれ第１、第２電極に接続され、第２主面に立設された第１、第２柱部を含む。第１絶縁層は第１、第２柱部の少なくとも一部と半導体積層体との間に設けられる。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第１主面に設けられ発光部１０ｄから放出された発光光の波長を変換する波長変換部を含む。 （もっと読む）

【課題】上部電極の接触抵抗の増大を抑えながら、フリップチップ実装時の光取り出し効率を改善するとともに、上部電極と反射膜との積層状態のバラツキにより、コンタクト層と上部電極との接触抵抗の変動が生じるという問題を改善した、ＧａＮ系ＬＥＤの提供。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオードのコンタクト層１５の表面に、金属材料からなる上部電極Ｐ１２を部分的に形成するとともに、前記上部電極Ｐ１２が形成されていない部分に、前記上部電極Ｐ１２と接しないように、金属材料からなる反射膜Ｐ１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】色ばらつきを抑えた半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、発光チップと蛍光体層とを備える。前記発光チップは、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、樹脂層と、を有する。前記半導体層は、第１の主面と、その反対側に形成された第２の主面と、発光層とを含む。前記蛍光体層は、前記第１の主面上に設けられ、前記発光チップの平面サイズよりも大きい平面サイズを有する。 （もっと読む）

【課題】外部に保護素子を設けることなく静電気や過電圧から保護することができる半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置、信号灯器及び道路情報装置を提供する。
【解決手段】発光素子１００は、矩形状の基板１の一方の対角線上の角部近傍それぞれに、ｎ型半導体層（ＬＥＤ構造）２０、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３を積層した半導体層で構成されるＬＥＤ構造を分離して形成してある。また、基板１の他方の対角線上の角部近傍それぞれに、平面視が円状のボンディング電極７１、７１を形成してある。また、基板１の対向する辺縁近傍にｎ型半導体層２２、２１で構成される抵抗素子を形成してある。 （もっと読む）

【課題】高効率な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、第１の絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、第２の絶縁層とを備えた。第１の電極は半導体層の第２の主面に設けられた。第２の電極は半導体層における発光層と第１の主面との間の部分の側面に設けられた。第１の配線層は、第２の主面に対する反対側の第１の絶縁層上及び第１の開口内に設けられ、第１の電極と接続された。第２の配線層は、第２の主面に対する反対側の第１の絶縁層上及び第２の開口内に設けられ、側面に設けられた第２の電極と接続された。 （もっと読む）