【課題】縦型光半導体素子において、半導体膜内における電流拡散が更に促進され、更に発光色の色ムラ解消に寄与するべく光半導体素子側面からの光放出の抑えた光半導体素子を提供する。
【解決手段】
第一の導電型を有する第一半導体層と、第二の導電型を有する第二半導体層と、第一半導体層と第二半導体層との間に設けられた活性層と、を含む半導体膜と、第一半導体層に接続された第一電極と、第二半導体層に接続され且つ第一電極に対向する第二電極と、を含む。第一電極は、給電配線が接続し得るパッド部と、パッド部に電気的に接続され且つ半導体膜の周縁部において第一半導体層の内部に埋設された周縁埋設部と、を有する。周縁埋設部は、活性層の形成領域または第一電極の形成領域の少なくとも一方の外側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体層に接するコンタクト電極の信頼性を高めた半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、絶縁膜と、ｐ側コンタクト電極と、ｎ側コンタクト電極と、ｐ側金属保護膜と、ｎ側金属保護膜とを備えている。半導体層は、発光層と、第１の面と、第１の面の反対側に形成された第２の面とを有する。ｐ側コンタクト電極は、絶縁膜に形成された第１の開口の内側で、第２の面における発光部に接して設けられている。ｎ側コンタクト電極は、第２の開口の内側で、第２の面における非発光部に接して設けられている。ｐ側金属保護膜は、ｐ側コンタクト電極の表面及び側面を覆っている。ｎ側金属保護膜は、ｎ側コンタクト電極の表面及び側面を覆っている。 （もっと読む）

【課題】 均一な発光を得つつ発光出力を向上させることが可能な発光素子を提供することを課題とする
【解決手段】 一実施形態に係る発光素子は、第１半導体と、第１半導体上に設けられた第２半導体と、第１半導体上に設けられた第１電極と、第２半導体上に設けられた第２電極と、を有し、第１電極及び第２電極が設けられた側で光取り出しが可能となっている。第２半導体は第１半導体が露出するように開口した開口部を有し、第１電極は外部と接続するための第１接続部と第１接続部から延伸する第１延伸部とを有し、第１接続部は第２半導体上に絶縁部を介して設けられ、第１延伸部は開口部から露出した第１半導体と接続されている。 （もっと読む）

【課題】窓電極層からの光抽出効率の向上およびｐ型ＧａＮに接する窓電極層の接触抵抗の低減を同時に達成する。
【解決手段】単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜１１はＩｎだけでなくＧａをも含有し、単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜（１１）は、０．０８以上０．５以下のＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）のモル比を有し、単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜１１は、１．１ｎｍ以上５５ｎｍ以下の厚みを有する。この発光ダイオードは、単結晶ｎ型ＺｎＯ透明電極膜１２上に形成された複数の単結晶ＺｎＯロッド１３をさらに具備する。単結晶ＺｎＯロッドの各先端部は、複数の針の形状を有するように分岐している。単結晶ＺｎＯロッドの各下部は、下方向の突起を有する。 （もっと読む）

【課題】外部端子の極性を識別可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、ｐ側金属ピラーと、ｎ側金属ピラーと、絶縁材とを備えている。ｐ側金属ピラーは、ｐ側電極と接続された面とは異なる面で絶縁材から露出されたｐ側外部端子を有する。ｎ側金属ピラーは、ｎ側電極と接続された面とは異なる面で絶縁材から露出されたｎ側外部端子を有する。ｐ側外部端子とｎ側外部端子とは、面積及び平面形状の少なくともいずれかが互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光機能層の一方の面に２つの電極を形成した構成の発光素子において、長手方向で均一な発光強度を得る。
【解決手段】ｐ型ＧａＮ層２３の表面には、左端部側から右端部側に向かって延伸する形態で、ｐ型ＧａＮ層２３の右端部（Ｔの位置）付近まで透明電極３１が形成されている。更に、この構造全体を覆う形態で絶縁層３２が形成されている。この左端部の領域にはｐ側電極３３が接続されている。ｎ側電極３４は、ｐ型ＧａＮ層２３とＭＱＷ層２２とが部分的に除去された領域の左側の領域、すなわち、図１（ａ）における半導体発光機能層２０の右端部（図１（ａ）におけるＴの位置）を越えて、これよりも左側の発光機能層２０の上面も覆っている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子からの光取り出し効率を向上させるとともに、半導体発光素子に設けられた電極におけるクラックの発生を抑制する。
【解決手段】半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１４０上に積層される発光層１５０およびｐ型半導体層１６０と、ｐ型半導体層１６０の上に積層される透明導電層１７０と、透明導電層１７０の上および露出するｎ型半導体層１４０上に、テーパ状の貫通孔が複数形成された状態で積層される透明絶縁層１８０と、透明絶縁層１８０を介して透明導電層１７０の上に形成され、透明絶縁層に設けられた各貫通孔を介して透明導電層１７０に接続されるｐ電極２００と、透明絶縁層１８０を介してｎ型半導体層１４０の上に形成され、透明絶縁層１８０に設けられた各貫通孔を介してｎ型半導体層１４０に接続されるｎ電極３００とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光むらが低減された半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１は、ｎ型半導体層２１、発光層２２及びｐ型半導体層２３が積層された半導体層２０と、ｎ型半導体層２１に接続されたｎ側電極３０と、ｐ型半導体層２３上にｐ側透光性電極４４を有し、ｐ側透光性電極４４に接続されたｐ側電極４０と、を備えた半導体発光素子であって、半導体発光素子１を上面から見て、ｐ側電極４０は、ｎ側電極３２を囲むように形成されたｐ側延伸部４６、４７、４８とｐ側パッド電極４２とを有し、ｎ側電極３０は、ｎ側パッド電極３２とｎ側延伸部３６とを有し、ｎ側延伸部３６はｐ側パッド電極４２方向に向かって延びるｎ側第１延伸部３６とｐ側パッド電極４２方向と異なる方向に延びるｎ側第２延伸部３７とを備える。 （もっと読む）

【課題】 発光ムラを抑制し、より均一に発光することが可能な発光素子を提供することを課題とする。
【解決手段】 一実施形態に係る発光装置は、第１主面及び第２主面を有する半導体部と、第１主面側に設けられた第１電極と、第２主面側に設けられた第２電極と、を備える。第１電極は、第１主面の中心部を取り囲むように配置された３以上の外部接続部と、外部接続部から第１主面の中心部に向かって延伸する第１延伸部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ｎ電極とｐ電極が半導体膜の同一面側に設けられた半導体発光素子において、半導体膜内における横方向および積層方向における電流拡散を促進させ電流密度の均一化を図るとともに蛍光体を用いた光の混色のコントロールを容易にすることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
半導体発光素子は、第一の導電型を有する第一半導体層と、第二の導電型を有する第二半導体層と、第一半導体層と第二半導体層との間に設けられた活性層と、を含む半導体膜と、第一半導体層の内部に埋設され且つ半導体膜の外縁に沿って環状に伸長する埋設部を有する第一電極と、第二半導体層の表面に設けられた第二電極と、第一半導体層内に設けられ且つ第一半導体層の導電率よりも高い導電率を有する電流誘導部と、を含む。活性層は、第一電極の環状パターンの内側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】透明電極層内における多重反射を抑えることにより、反射損失および膜内光吸収を低減し、高輝度化を図ることができる発光素子、これを含む発光素子ユニットおよび発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】発光素子１は、基板２と、ｎ型窒化物半導体層３と、発光層４と、ｐ型窒化物半導体層５と、透明電極層６と、反射電極層７とを含んでおり、透明電極層６の厚さＴが下記式（１）で表される。
【数１】


（式（１）中、λは発光層４の発光波長を示し、ｎは透明電極層６の屈折率を示す。） （もっと読む）

【課題】半導体発光素子のＦＣ（フリップチップ）実装技術における光の取り出し効率を改良する。
【解決手段】第１の導電型を有する第１の（ｎ型）半導体層１４０、発光層１５０及び第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第２の（ｐ型）半導体層１６０が積層された積層半導体層１００と、積層半導体層１００のｎ型半導体層１４０の表面に形成された第１の電極１８０と、積層半導体層１００のｐ型半導体層１６０の表面に形成された第２の電極１７０と、を備え、第２の電極１７０は、積層半導体層１００のｐ型半導体層１６０上に、ｐ型半導体層１６０側と反対側の膜面が凹凸形状を有するように形成された、又はｐ型半導体層１６０を覆わない不連続な部分を設けるように形成された、光に対して透過性且つ導電性の透明導電層１７１と、透明導電層１７１上に設けられ光に対して反射性を有する金属反射層１７２と、を有することを特徴とする半導体発光素子１０。 （もっと読む）

【課題】出力を向上できるとともに、静電耐圧を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ１ｂは、主表面１１ａと、この主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌＧａＡｓ層１１を含む、ＡｌＧａＡｓ基板１０と、ＡｌＧａＡｓ層１１の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層２３を含むエピタキシャル層２０とを備えている。ＡｌＧａＡｓ層の不純物濃度は、１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】ｐ形ＧａＮ層に応用した場合に望ましい光学及び電気特性を呈する透光性接触部を形成する方法の提供。
【解決手段】オプトエレクトロニクス素子（１０）のｐ形ＧａＮ層（２０、３０）の表面上に、金属酸化物からなる透光性接触部を成膜技術によって形成する。透光性接触部は、所望の金属を成膜前又は成膜中に酸化して形成する。金属酸化物は、ＮｉＯ、ＩＩ属金属酸化物、遷移金属酸化物等から選択されて成る。透光性接触部には、更に貴金属が添加され得る。 （もっと読む）

【課題】フェイスダウン（ＦＤ）実装に用いられる半導体チップを、より容易に製造できる半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の一例である発光素子２０は、基板１０上に発光素子２０を形成する半導体素子形成工程と、発光素子２０の第１電極１７０上に第１突出電極２１０および第２電極１８０上に第２突出電極２２０を形成する突出電極形成工程と、基板１０の分割予定面内に脆弱領域３２１を形成する脆弱領域形成工程（図７（ａ））と、基板１０上に発光素子２０が形成されたウエハ３０を、脆弱領域３２１を起点として、発光チップ１に分割する分割工程（図７（ｂ）および（ｃ））とを含んで製造される。 （もっと読む）

【課題】レーザー光で切削して半導体素子用ウェハをチップ化するときのデブリの飛散による汚染を防止する。
【解決手段】半導体積層部と、前記半導体積層部の第二の面側に設けられる金属層と、前記金属層の前記半導体積層部とは反対側に設けられる支持基板と、前記半導体積層部の第一の面側に設けられ前記半導体積層部に電気的に接続される第一電極と、前記支持基板の前記金属層とは反対側に設けられ前記半導体積層部に電気的に接続される第二電極と、前記半導体積層部の前記第一の面側および前記半導体積層部における素子加工により露出した前記半導体積層部の表面を被覆する絶縁性保護膜と、を備える半導体素子用ウェハにおいて、前記絶縁性保護膜は、前記半導体素子用ウェハをチップ化するレーザー光が照射される切削領域上には形成されず、前記半導体積層部の表面の一部が露出していることを特徴とする半導体素子用ウェハである。 （もっと読む）

【課題】支持基板と半導体層とを分離するために照射される光について、支持基板と半導体層との間に形成される中間層の光熱変換層で吸収されない光が半導体層に透過するのを防止する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、光熱変換層２１と第１の透明層２３とを含む中間層２０を有する積層支持基板１の作製工程と、積層貼り合わせ基板２の作製工程と、エピ成長用積層支持基板３の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の光熱変換層２１で吸収され第１の透明層２３で全反射されるように光照射することによるデバイス用積層ウエハ５の作製工程と、透明半導体積層ウエハ６を含む半導体デバイス７の作製工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】発光効率の向上を図ることができる発光素子、これを含む発光素子ユニットおよび発光素子ユニットを樹脂パッケージで覆った発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】発光素子１では、第１導電型半導体層３上に、発光層４、第２導電型半導体層５、透明電極層６、反射電極層７および絶縁層８が、この順で積層されていて、絶縁層８上には、第１電極層１０と第２電極層１２とが分離絶縁された状態で積層されている。発光素子１は、平面視において離散して配置されて絶縁層８から連続して反射電極層７、透明電極層６、第２導電型半導体層５および発光層４を貫通し、第１導電型半導体層３に到達する複数の絶縁管層９と、第１電極層１０から連続し、絶縁層８および絶縁管層９を通って第１導電型半導体層３に接続された第１コンタクト１１と、第２電極層１２から連続し、絶縁層８を貫通して反射電極層７に接続された第２コンタクト１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】高電流通電時の電流の集中や光の吸収や多重反射を防ぐ補助電極を形成することにより、光の透過率と発光出力と信頼性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を順次積層する工程と、前記ｐ型半導体層上に、絶縁層と、ｐ型パッド部及び前記ｐ型パッド部から伸びた線状のｐ型補助電極部を有する金属からなるｐ型電極層と、を形成する工程と、前記ｐ型半導体層及び前記ｐ型電極層を覆うように透光性電極を形成する工程と、前記透光性電極上の前記ｐ型電極層の前記ｐ型パッド部に重なる位置に、前記ｐ型ボンディングパッド電極を形成する工程と、を具備してなることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】高輝度の発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光素子は、発光層を含む半導体積層体と、半導体積層体の上で、半導体積層体に直接的に接続された第１上部電極と、半導体積層体の上で、半導体積層体に第１コンタクト層を介して接続され、第１上部電極から延出された、少なくとも１つの第２上部電極と、半導体積層体の下に設けられた下部電極と、を備える。発光素子は、半導体積層体と、下部電極と、の間に設けられ、発光層から発せられる光を透過する透明導電層と、透明導電層と、下部電極と、の間に設けられた光反射層と、半導体積層体と、透明導電層と、の間および半導体積層体と、第１上部電極および第２上部電極と、の間の少なくともいずれかに設けられ、発光層の主面に対して垂直な方向からみて少なくとも１つのスリットが選択的に設けられた電流阻止層と、を備える。 （もっと読む）