【課題】
素子生産量と光抽出効率を向上させることができる垂直型発光素子の製造方法およびその垂直型発光素子に用いる基板モジュールを提供すること。
【解決手段】
垂直型発光素子の製造方法において、基板１０とＬＥＤ構造のインターフェースが分離するまたは剥離するところに隙間１３’を形成することで、基板１０を該基板１０に形成されたＬＥＤ構造から容易に分離または剥離できるようにする。基板１０とエピタキシャル層２０からなる基板モジュールは制御可能な方式で基板１０とエピタキシャル層２０との間のインターフェースに複数の隙間１３’を形成している。そして、該エピタキシャル層２０にＬＥＤ構造を形成させ、ＬＥＤ構造をスーパーストレート７０に付着させ、基板１０をエピタキシャル層２０から分離し、かつ、基板１０の所在部に導電層と接触電極を形成させて、垂直型発光素子を形成させる。 （もっと読む）

【課題】発光面での発光強度の均一化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、発光体と、第１電極層と、第２電極層と、パッド電極と、補助電極部と、を備える。発光体は、一方側に第１導電形の第１半導体層が設けられ、他方側に第２導電形の第２半導体層が設けられ、第１半導体層と第２半導体層との間に発光層が設けられる。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられ、金属層と、第１半導体層から第２半導体層に向かう第１方向に沿って前記金属層を貫通する複数の開口部と、を有する。第２電極層は、第１半導体層と導通する。パッド電極は、第１電極層と導通する。補助電極部は、第１電極層と導通し、第１方向と直交する第２方向に延在する。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率で８５０ｎｍ以上、特に９００ｎｍ以上の発光ピーク波長の赤外光を発光する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、前記発光部は、組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層と組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）からなるバリア層との積層構造を有する活性層と、組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ２Ｉｎ_１−Ｙ２Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ２≦１）からなる第１のガイド及び第２のガイドと、該第１のガイド及び第２のガイドのそれぞれを介して該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ４Ｇａ_１−Ｘ４）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ４≦１，０＜Ｙ≦１）からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】列状に配列された複数の発光素子において、列方向の長さと列方向と直交する方向の長さとが異なる発光領域を有する発光素子から光を効率よく取り出す。
【解決手段】発光部１０２を構成する発光サイリスタ列のそれぞれの発光サイリスタＬの発光領域３１１は、点灯信号線７５の２つの主部７５ａおよび２つの副部７５ｃで取り囲まれている。接続部７５ｄは、発光サイリスタ列の列方向に延びるように設けられ、２つの副部７５ｃの一方と発光領域３１１上に設けられたｎ型オーミック電極３２１とを接続している。そして、副部７５ｃは、隣接する発光サイリスタＬの発光領域３１１の間の分離溝の中に設けられている。 （もっと読む）

【課題】高出力であり、高効率で動作電圧が低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、少なくとも支持基板１０、及び発光層５を含む半導体層１４と、金属反射層９と、誘電体層１５と、界面電極８と、絶縁性保護膜２４と、透明導電膜２１と、金属分配電極１２と、第一電極１３と、第二電極１７とを有している。界面電極８の深さ方向における直上の領域において、半導体層１４はエッチングによって除去され、界面電極８と接する半導体層１４の第二主表面の半導体層を残し、界面電極８上には発光層５が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】発光効率が向上し、安全性及び信頼性の向上した発光素子を提供すること。
【解決手段】実施例の発光素子は、第１半導体層、第２半導体層、及び前記第１及び第２半導体層の間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下面に接触する絶縁層と、前記発光構造物の下に配置され、前記絶縁層が配置されるパターンが形成された保護層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板面積に対する発光面積の比率が高く、且つ反射層の耐湿性を向上した半導体発光装置を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層２１、活性層２２及びｐ型半導体層２３がこの順で積層された積層体２０と、ｐ型半導体層２３上に配置された透明電極３０と、透明電極３０上に配置された電極絶縁膜４０と、電極絶縁膜４０上に配置され、電極絶縁膜４０、透明電極３０、ｐ型半導体層２３及び活性層２２を貫通して設けられたｎ側開口部４１でｎ型半導体層２１に接するｎ側電極５１と、電極絶縁膜４０上にｎ側電極５１と離間して配置され、電極絶縁膜４０に設けられたストライプ状のｐ側開口部４３で透明電極３０に接するｐ側電極５３と、電極絶縁膜４０内部に、又は透明電極３０と電極絶縁膜４０との間に、積層体２０の上面に対向して配置され、活性層２２から出射された光を反射する反射層７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】光の取り出し効率が高くかつ放熱性のよい発光装置を提供することにある。
【解決手段】棒状のｎ型ＧaＮからなる半導体コア１１と、上記半導体コア１１の一部を覆うように形成されたｐ型ＧaＮからなる半導体層１２とを有すると共に、半導体コア１１の一部の外周面が露出した棒状構造発光素子１０と、棒状構造発光素子１０の長手方向が実装面に平行になるように棒状構造発光素子１０が実装された絶縁性基板１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体紫外線発光素子において、ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体層からなるｎ型クラッド層とｎ電極間の寄生抵抗を、ｎ型クラッド層のＡｌＮモル分率に関係なく低抵抗化し、順方向電圧の低電圧化を図る。
【解決手段】 ｎ型クラッド層６上のｎ型クラッド層６の表面と平行な面内の第１領域に、バンドギャップエネルギが３．４ｅＶ以上のＡｌＧａＮ系半導体層を有する活性層７と、活性層７より上層に位置するｐ型ＡｌＧａＮ系半導体層からなるｐ型クラッド層９が形成され、ｎ型クラッド層６上の第１領域以外の第２領域内の少なくとも一部に、ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体層からなるｎ型コンタクト層１１が形成され、ｎ型コンタクト層１１のＡｌＮモル分率が０％以上６０％以下の範囲内にあって、且つ、ｎ型クラッド層６のＡｌＮモル分率より小さく、ｎ型コンタクト層６とオーミック接触するｎ電極１３がｎ型コンタクト層１１上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、製造の容易な発光デバイス、及び、その製造方法を提供するこを提供すること。
【解決手段】透明結晶基板２は、一面が光出射面２１であり、発光素子１は透明結晶基板２の光出射面２１とは反対側の他面２２に積層されている。透明結晶基板の側に位置するＮ型半導体層３１は、Ｐ型半導体層３２と重ならない部分３３を有している。Ｎ型半導体層３１の第１半導体面電極５１は、重ならない部分３３の表面に設けられており、Ｐ型半導体層３２の第２半導体面電極５２は、第１半導体面電極５１と同じ側の面に設けられている。発光素子１は絶縁層６によって覆われており、絶縁層６には支持基板９が積層されている。絶縁層６を通って第１及び第２半導体面電極５１、５２に接続された第１及び第２縦導体７１、７２が、支持基板９を貫通する第１及び第２貫通電極９４、９５と接続されている。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に隣接して配置され、同じ極性の電圧が印加される電極を上面にそれぞれ備える第１と第２の発光部を有し、前記基板と一体形成された２つのＧａＮ系発光素子とを備える発光装置であって、前記２つのＧａＮ系発光素子それぞれの前記２つの発光部は互いに１つの電極を共有し、前記共有されている電極は前記２つの発光部と共通の半導体層の上に配置され、一方の前記ＧａＮ系発光素子の前記共有されている電極は、他方の前記ＧａＮ系発光素子の前記第１の発光部の電極に接続され、他方の前記ＧａＮ系発光素子の前記共有されている電極は前記一方の前記ＧａＮ系発光素子の前記第２の発光部の電極に接続されていることを特徴とする発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】発光素子において、動作電圧を減少させ、発光素子の効率性を向上させる。
【解決手段】発光素子は、第１導電型半導体層１２２、活性層１２４及び第２導電型半導体層１２６を含む発光構造物と、活性層１２４及び第２導電型半導体層１２６の側面に形成される保護層１１０と、第１導電型半導体層１２２の少なくとも一部上及び発光構造物１２０の側面に形成される第１電極１９０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子における電流拡散効率を向上させる。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、基板上の矩形の窒化物半導体領域内に１以上のｎ型半導体層、活性層、および１以上のｐ型半導体層を含み、ｎ型半導体層はエッチングで形成された部分的露出領域を有し、ｐ型半導体層上に形成された電流拡散層上にはp側電極パッドと一体のｐ側枝電極が形成され、ｎ型半導体層の部分的露出領域上にはｎ側電極パッドと一体のｎ側枝電極が形成され、ｐ側とｎ側の枝電極は矩形の窒化物半導体領域の対向する２辺に沿って互いに平行に延びており、ｐ側とｎ側の電極パッドの中心間距離をＬで表し、ｐ側とｎ側の枝電極間距離をＭで表し、そしてｐ側とｎ側の電極パッドが矩形の窒化物半導体領域の対角位置に形成される場合のそれら電極パッドの中心間距離をＬ_ｍａｘで表すときに、０．３＜Ｍ／Ｌ＜１．１およびＬ＜Ｌ_ｍａｘの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、第１クラッド層１０６と、第１クラッド層１０６の上方に形成された活性層１０８と、活性層１０８の上方に形成された第２クラッド層１１０と、を含み、活性層１０８は、第１側面１０７と、第１側面１０７に平行な第２側面１０９と、を有し、活性層１０８のうちの少なくとも一部は、利得領域１８０を構成し、利得領域１８０は、第１側面１０７側に設けられた第１端面１４０と、第２側面１０９側に設けられた第２端面１４２と、を有し、平面的に見て、第１端面１４０から第２端面１４２まで、第１側面１０７の垂線に対して傾いた方向に向かって延びており、第２端面１０９は、平面的に見て、利得領域１８０の延びている方向に対して直交し、第２端面１０９には、反射部１５０が設けられ、利得領域で生じる光１０の一部は、第２端面１４２に設けられた反射部１５０において反射して、第１端面１４０から出射される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ｐｎｐｎ構造を利用した論理演算回路等を提供する。
【解決手段】（ａ）は第１のＮＯＴ回路３００の断面構造を、（ｂ）は第１のＮＯＴ回路３００の等価回路を示す。第１のＮＯＴ回路３００は、ｐ型の第１半導体層２０１と、ｎ型の第２半導体層２０２と、ｐ型の第３半導体層２０３とが、それぞれエミッタ領域と、ベース領域と、コレクタ領域として働くｐｎｐトランジスタ（Ｑ１）と、ｎ型の第２半導体層２０２と、ｐ型の第３半導体層２０３と、ｎ型の第４半導体層２０４とが、それぞれエミッタ領域と、ベース領域と、コレクタ領域として働くｎｐｎトランジスタ（Ｑ２）とが組み合わされた回路である。なお、ｐｎｐトランジスタ（Ｑ１）とｎｐｎトランジスタ（Ｑ２）とは縦に積層されている。
【選択図】図９
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【課題】光の高出力化及び取出効率並びに低動作電圧化を向上させ、かつ、リーク電流の発生を阻止することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１においては、半導体積層体１４のｎ型コンタクト層３に設けられた平面視ドット状の複数の分配電極１２、ｐ型コンタクト層７と導電反射層９とを接続する円環状の界面電極８、及び、複数の分配電極１２を覆う透明導電膜２１の中央に円形状に設けられた表面電極１７が、積層方向において互いに重ならないように配置されている。また、絶縁性保護膜２５は、少なくとも半導体積層体１４の側面の全面を覆っている。 （もっと読む）

【課題】光の高出力化及び取出効率並びに低動作電圧化を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１は、半導体積層体１４の他方の表面側に積層された導電反射層９、半導体積層体１４の一方の表面に形成された透明導電膜２１、透明導電膜２１の表面に形成された表面電極１７を備える。表面電極１７は、透明導電膜２１の表面に形成される反射用電極層１７ａ、外部配線に接続される接続用電極層１７ｂの積層電極構造になっている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることのできる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、第１半導体層と、第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる発光層とを有する半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０の一方の面上に設けられ、線状表面電極部を有する表面電極５０と、半導体積層構造１０の表面電極５０が設けられる側の反対の面側に設けられ、光を反射する反射層３２と、半導体積層構造１０と反射層３２との間に設けられる誘電体層と、半導体積層構造１０と反射層３２とを電気的に接続し、線状界面電極部を有する界面電極４０とを備え、線状表面電極部と線状界面電極部とがそれぞれ、平面視にて予め定められた方向に沿って延び、半導体積層構造１０が、半導体積層構造１０の反射層３２の反対側の表面に、予め定められた方向とは異なる方向に沿って設けられる溝８０を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光抽出効率が向上した半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、第１の導電型半導体層と、当該第１の導電型半導体層の一面上に形成される活性層と、当該活性層の上に形成され複数のホールを含む第２の導電型半導体層と、当該第２の導電型半導体層の上に形成される透明電極と、を含む半導体発光素子；成長用基板上に第２の導電型半導体層、活性層及び第１の導電型半導体層を形成する段階と、当該第１の導電型半導体層の上に導電性基板を形成する段階と、上記成長用基板を上記第２の導電型半導体層から分離し当該第２の導電型半導体層に複数のホールを形成する段階と、上記第２の導電型半導体層の上に透明電極を形成する段階と、を含む半導体発光素子の製造方法；を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数の接触部を有する発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例による発光素子は、支持基板と、該支持基板の上に位置する反射層と、該反射層の上に位置する透明層と、該透明層の上に位置する発光スタック層と、該透明層と該反射層との間に位置するエッチング阻止層と、該発光スタック層と該透明層との間に位置する複数の接触部とを有する。 （もっと読む）