【課題】光出力を高めつつ、信頼性が改善された発光素子を提供する。
【解決手段】放出光を放出可能な発光層と、第１電極と、前記発光層と前記第１電極との間に設けられた第１の層と、前記第１の層と前記第１電極との間に設けられた第２の層と、前記第１の層と前記発光層との間に設けられたクラッド層と、を備えた発光素子が提供される。第１の層は、第１導電形の第１の不純物濃度を有し、前記第１電極から注入されたキャリアを前記発光層の面内方向に拡散可能とする。第２の層は、前記第１の不純物濃度よりも高い第１導電形の第２の不純物濃度を有し、第１の面が前記第１の層と接触し、前記第１の面とは反対側の第２の面が前記第１電極の形成領域と非形成領域とを有し、平均ピッチが前記放出光の波長以下とされた網状または複数の島状の凸部が前記非形成領域に設けられている。前記クラッド層は、第１導電形を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体層中の特定領域に電流が集中することを抑制した発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、支持層と、支持層の上方に形成され、第１の導電型を有し、支持層よりも抵抗率が低い下側半導体層と、下側半導体層の上に形成された発光層と、発光層の上に形成され、第１の導電型と反対の第２の導電型を有する上側半導体層と、上側半導体層上に形成された上側電極とを含む第１の領域と；支持層と、支持層の上方に形成された下側半導体層と、下側半導体層上に形成された下側電極の第１の部分とを含む第２の領域と；支持層と、支持層上に形成された下側電極の第２の部分とを含む第３の領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を実装する際に用いられる接合部材が、密着層に拡散されるのを軽減することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体素子は、半導体層と、前記半導体層上に設けられ、第１上面と、前記第１上面よりも突出する第２上面と、を有する電極と、前記電極の第１上面に設けられ、上面が前記電極の第２上面よりも前記半導体層側にある密着層と、密着層の上面から半導体層まで被覆する絶縁層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体膜内部における電流拡散を阻害することなく半導体膜内部を伝搬する光の自己吸収を抑制することができる半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】支持体上の反射電極と、反射電極上の第１クラッド層と、第１クラッド層上の発光層と、発光層の上に設けられ、凹部及び凸部からなるテラス構造を有し、凸部の頂面及び凹部の底面に凹凸形状の光取り出し構造が形成された第２クラッド層と、凸部の頂面上の表面電極と、を有し、第２クラッド層は、発光層上に、第１電流拡散層、第１電流拡散層上に設けられ凹部の底面の光取り出し構造を備える第１光取り出し層、第１光取り出し層上に設けられた第２電流拡散層、及び第２電流拡散層上に設けられ凸部の頂面の光取り出し構造を備える第２光取り出し層を含む積層構造を有し、第１光取り出し層及び第２光取出し層は、第１電流拡散層及び第２電流拡散層よりも小なる光吸収率と、第１電流拡散層及び第２電流拡散層よりも大なる抵抗値と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子は静電気で破壊しやすいため保護素子とともに回路基板に実装されることがある。また放熱性や生産性、実装面積効率を考えるとＬＥＤ素子及び保護素子を回路基板にフリップチップ実装することが好ましい。ところが保護素子を回路基板上にフリップチップ実装すると、保護素子の周辺が暗くなってしまうので保護素子を省きたい。
【解決手段】回路基板１２上にフリップチップ実装されるＬＥＤ素子１３は、カソードであるｎ側バンプ２３とアノードであるｐ側バンプ２４を備え、このｎ側バンプ２３とｐ側バンプ２４の間にバリスタ２６が充填されている。この結果バリスタ２６によりＬＥＤ素子１３の静電気対策がとられるため回路基板１２に保護素子が不要になった。 （もっと読む）

【課題】高い電流を印加した場合における出力を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体層１０と、半導体層１０の一部を切り欠くことにより露出されたｎ型半導体層の露出面１２ａ上に設けられたｎ型電極１８と、半導体層１０上に設けられた透明導電膜と、透明導電膜上に設けられたｐ型電極１７とを備え、半導体層１０と透明導電膜との間に、平面視で少なくとも一部がｐ型電極１７と重なり合う光反射層３９が備えられ、ｐ型電極１７が、パッド部Ｐと、パッド部Ｐから線状に延在する平面視環状の線状部Ｌとからなり、ｎ型電極１８が、平面視でパッド部Ｐの中心１７ａと半導体層１０の中心１０ａとを通る直線Ｌ１上における線状部Ｌに囲まれた内側の領域に配置され、ｎ型電極１８の中心１８ａとパッド部Ｐの中心１７ａとの間の距離Ｄ３が、パッド部Ｐの中心１７ａと半導体層１０の中心１０ａとの距離Ｄ４以上である半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】活性層への注入電流の密度を均一化でき、その上、光取り出し効率を向上させることもできる半導体発光装置およびそれを備えた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体発光装置１は、サファイア基板１１と、このサファイア基板１１下に設けられたｎ型半導体層１２と、このｎ型半導体層１２下に設けられ、光を発する活性層１３と、この活性層１３下に設けられたｐ型半導体層１４と、このｐ型半導体層１４下に設けられ、上記光を透過する透明導電膜１５と、この透明導電膜１５下に設けられ、島状の第１開口１６ａ複数有する層間絶縁膜１６と、この層間絶縁膜１６下に設けられて、第１開口１６ａに重なる島状の第２開口１７ａを複数有し、上記光を反射する反射膜１７と、この反射膜１７上に設けられると共に、一部が第１開口１６ａおよび第２開口１７ａ内に入って透明導電膜１５に接続された接続電極１８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で発光素子の高密度化を図る発光素子アレイ及びこれを備えるプリントヘッドを提供する。
【解決手段】発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、Ｐ型の第１半導体層、Ｎ型の第２半導体層、Ｐ型の第３半導体層、Ｎ型の第４半導体層が形成され、第１半導体層上にアノード電極が形成され、第４半導体層上にカソード電極が形成されて構成される。アノード電極は、２本の共通のアノード配線１１５，１１６としてパターニングされて形成される。各発光素子は、２本のアノード配線１１５，１１６により異なる２つの領域において発光する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディングをすることなくパッケージングが可能な半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に順次に積層された第１電極層、第１絶縁層、第２電極層、第２半導体層、活性層及び第１半導体層と、基板を貫通して、第１電極層と電気的に接続する第１コンタクトと、基板、第１電極層及び第１絶縁層を貫通して、第２電極層と電気的に接続する第２コンタクトと、を備え、第２電極層、第２半導体層及び活性層を貫通するコンタクトホールが形成され、第１電極層は、コンタクトホールを介して、第１半導体層と電気的に連結される半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子を提供する。
【解決手段】光電素子であって、基板と、基板に位置し、それぞれ第一半導体層、第二半導体層及びその間に形成された活性領域を有し、相互電気的に接続されている複数の半導体ユニットと、それぞれ第一半導体層に位置する複数の第一電極と、この複数の半導体ユニットに形成されて複数の半導体ユニットを電気的に直列につなぐ連結部と、それぞれ第二半導体層に位置する複数の第二電極と、を含み、複数の第一電極の中の一つは第一延在部を有し、複数の第二電極の中の一つは第二延在部を有する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子は静電気で破壊しやすいため保護素子とともに回路基板に実装されることがある。また放熱性や生産性、実装面積効率を考えるとＬＥＤ素子及び保護素子を回路基板にフリップチップ実装することが好ましい。ところが保護素子を回路基板上にフリップチップ実装すると、保護素子の周辺が暗くなってしまうので保護素子を省きたい。
【解決手段】回路基板１２上にフリップチップ実装されるＬＥＤ素子１３は、ｎ型半導体層２１に接続するｎ側バンプ２３とｐ型半導体層２２に接続するｐ側バンプ２４を備えている。このときｎ側バンプ２３から延出したアンダーバンプメタル層２３ａと、ｐ側バンプ２４から延出したアンダーバンプメタル層２４ａとが対向する領域にバリスタ２６が存在する。この結果バリスタ２６によりＬＥＤ素子１３の静電気対策がとられるため回路基板１２に保護素子が不要になった。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜発光素子上から基板上まで、又は、半導体薄膜発光素子上から基板上の駆動用素子上までの配線を、容易かつ選択的にエッチングできる半導体発光素子装置、この半導体発光素子装置を備えた画像露光装置、この画像露光装置を備えた電子写真式の画像形成装置、及び前記半導体発光素子装置を備えた画像表示装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子装置は、電極配線１１２，１１３を備えた集積基板１０１と、集積基板１０１上に備えられた半導体薄膜発光素子１０２と、半導体薄膜発光素子１０２上に備えられ、半導体薄膜発光素子１０２に電気的に接続された電極パッド１０８，１０９と、電極パッド１０８，１０９と電極配線１１２，１１３とを電気的に接続するリムーバブル接続配線１１１ａ，１１１ｂとを有し、リムーバブル接続配線１１１ａ，１１１ｂは、ケミカルエッチングによって選択的にエッチング可能な材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】 配光特性を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子１は、複数の半導体層が積層されてなる光半導体層11と、光半導体層11に電圧を印加し、光半導体層11を発光させる一対の電極12とを備え、一対の電極12は、光半導体層11で発光した光を反射する一方電極（第２電極）14を有しており、一方電極14は光半導体層11上に設けられた、光半導体層11を構成する最上層の半導体層よりも屈折率が小さい第１透明電極層14ａと、第１透明電極層14ａ上に設けられた、第１透明電極層14ａよりも屈折率が大きい第２透明電極層14ｂと、第２透明電極層14ｂ上に設けられた、第２透明電極層14ｂを透過した光を光半導体層11の方向へ反射させる反射性電極層14ｃとを具備している。光半導体層11で発光した光を光半導体層11の厚み方向と垂直な方向へ良好に拡散させることができ、発光素子１の配光特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板の代わりにプラスチック基板１００を用いた表示装置１において、プラスチック基板１００の熱伝導率が低く、放熱性が悪いために、安定した特性を得ることが難しく、信頼性に欠けるという課題を解決すること。
【解決手段】 プラスチック基板１００上に熱伝導層３１０を設け、その上側に薄膜ＬＥＤ１０２の下側コンタクト層１１３を接合する。かつ放熱用メタルフレーム３０３の内側に複数の薄膜ＬＥＤ１０２を設け、各薄膜ＬＥＤ１０２の熱伝導層３１０と該放熱用メタルフレーム３０３とを接続する。 （もっと読む）

【課題】電極構造改善を通じて電流密度分布を均一にして高輝度を具現できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板、基板上に順次形成されたｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層、ｐ型半導体層の一側エッジ上に形成されたｐ型電極パッドと、ｐ型電極パッドに連結されたｐ型補助電極と、を含むｐ型電極、ｐ型電極パッドの反対側でｎ型半導体層の他側エッジ上に形成されたｎ型電極パッドと、ｎ型電極パッドに連結されたｎ型補助電極と、を含むｎ型電極を含み、ｎ型補助電極は、ｐ型電極パッドが形成された一側エッジに向かい、ｐ型補助電極は、ｎ型電極パッドが形成された他側エッジに向かって互いに平行に載置されて、ｐ型電極がｎ型電極を取り囲む半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】外部発光効率に優れた発光素子アレイ及びこれを備えるプリントヘッドを提供する。
【解決手段】発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、Ｐ型の第１半導体層、Ｎ型の第２半導体層、Ｐ型の第３半導体層、Ｎ型の第４半導体層が形成され、第１半導体層上にアノード電極が形成され、第４半導体層２８上にカソード電極３０が形成されて構成される。アノード電極は、１本の共通のアノード配線１１５としてパターニングされて形成される。アノード配線１１５は、カソード電極が形成されるメサ領域を囲むように形成される。 （もっと読む）

【課題】大発光量、高発光効率、均一面発光を実現し得るコストの安価な発光ダイオード、それを用いた発光装置、照明装置及びディスプレイを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層２１及びｐ型半導体層２３は、支持層１の一面上で積層されている。p側電極４は、支持層１側に位置するｎ型半導体層２１を、支持層１の側から貫通し、先端がｐ型半導体層２３に達している。ｎ側電極は、ｎ型半導体層２１の、支持層１の側に位置する面に形成された薄膜電極３である。 （もっと読む）

【課題】電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１０ｄと第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂと封止部５０と光学層６０とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１主面１０ｂと第１主面とは反対の側の第２主面１０ａとを有する半導体積層体と、第２主面１０ａに設けられた第１、第２電極と、を含む。第１、第２導電部は、それぞれ第１、第２電極に電気的に接続され、第２主面に立設された第１、第２柱部を含む。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第１主面に設けられ、発光部からの発光光の波長を変換する波長変換部を含む。第１導電部の半導体積層体とは反対側の第１端面３１ａｅと第２導電部の半導体積層体とは反対側の第２端面３１ｂｅとは非対称である。 （もっと読む）

【課題】電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１０ｄと第１導電部３０ａと絶縁層２０と第２導電部３０ｂと封止部５０と光学層６０とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１半導体層、発光層及び第２半導体層を含む半導体積層体１０と、第２主面１０ａの側で第１、第２半導体層に接続された第１、第２電極１４、１５と、を含む。第１導電部は、第１電極に接続され、第２半導体層と離間しつつ第２半導体層の一部１２ｐを覆う第１柱部３１ａを含む。絶縁層２０は第２半導体層と第１柱部との間に設けられる。第２導電部は第２電極に接続され第２主面の上に立設される。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第１主面１０ｂに設けられ、波長変換部を含む。 （もっと読む）

【課題】素子の内部を、光取り出し方向とは反対の方向に進行する光を、より効率的に反射させる構造を備えた、光取り出し効率の改善されたＧａＮ系ＬＥＤを提供することを目的とする。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ系半導体層２と、ＧａＮ系半導体からなる発光層３と、ｐ型ＧａＮ系半導体層４とをこの順に含む積層体と、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層４の表面に形成された、前記発光層で発生される光を透過するｎ型半導体からなる半導体電極層Ｐ２ａと、前記半導体電極層の表面に部分的に形成された金属電極Ｐ２ｂと、前記金属電極Ｐ２ｂを挟んで前記半導体電極層Ｐ２ａの表面に形成された、前記半導体電極層Ｐ２ａよりも低屈折率の透明絶縁膜Ｉｎｓと、前記透明絶縁膜Ｉｎｓの表面に形成された金属製の反射膜Ｒと、を有するＧａＮ系発光ダイオード。 （もっと読む）