【課題】電流密度分布の分散化を図り、発光分布の均質化を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光部と、を有する積層構造体と、積層構造体の第１半導体層の第１主面において、第２半導体層及び発光部が選択的に除去され、第１主面の側において第１半導体層が露出した面に設けられた第１電極と、第１主面の側において、第２半導体層の一部に設けられた第２電極と、を備える。第１電極は、パッド部と、パッド部から延出する延出部と、を有し、延出部の延出方向に対して直交する方向に沿った幅は、延出部における延出方向に沿った中央の位置よりパッド部側の位置から先端にかけて漸減する。第２電極におけるパッド部に最も近い端部の位置は、延出部における前記中央の位置よりもパッドから遠い。 （もっと読む）

【課題】透明基板の片面に配設された複数の単結晶薄膜半導体発光素子からの光を両面から出射させることができる表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板１１０の片面に複数の単結晶薄膜半導体発光素子１１１を配設した表示装置１０であって、複数の単結晶薄膜半導体発光素子は、母材基板１０１から剥離された単結晶薄膜半導体層から構成され、単結晶薄膜半導体発光素子は、発光層（活性層）１１３とこの発光層(活性層)を挟んだ２層の非発光層１１２、１１４とを備え、前記単結晶薄膜半導体発光素子１１１の表面に、非光透過層１２２、１２４と、他の発光層１２３を有する他の単結晶薄膜半導体層からなる他の単結晶薄膜半導体発光素子１２１とを積層した。 （もっと読む）

【課題】放熱性や発光特性が良く、しかも高い生産性・歩留まりを実現できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１００は、配線層３１と配線層３１上の半導体発光素子１０を有し、半導体発光素子１０は、半導体発光層６と、透明導電層８と、金属反射層９と、透明絶縁膜１１と、透明絶縁膜１１の配線層３１側に離間領域１８，１９を介して設けられ、配線層３１と電気的に接続される第１電極部２１及び第２電極部２２とを有し、第１電極部２１は、第１コンタク卜部１４により透明導電層８を介して第１半導体層５と電気的に接続され、第２電極部１５は、透明絶縁膜１１を貫通し且つ透明導電層８、第１半導体層５、及び活性層４に対して絶縁されつつ貫通して設けられる第２コンタクト部１５により第２半導体層３と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】光吸収率を増加することなくチップ全体に電流を広げることができる電極構造を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、光取り出し面としての第１の面と、第１の面に対向する第２の面とを有し、発光層６３を有するIII−Ｖ族化合物半導体からなる積層構造１０と、支持基板３と第２の面との間に設けられ発光層６３の発光光を第１の面側に反射する反射金属膜４と、第１の面の一部に複数設けられて積層構造１０と導電する第１電極７０と、第１の面に設けられ第１電極７０と導電する透明導電膜７１と、透明導電膜７１の上に設けられる電極パッド９とを有する。 （もっと読む）

【課題】改善されたオーミックコンタクト構造およびｐ型窒化物材料にオーミックコンタクト構造を形成する。
【解決手段】ｎ型ＳｉＣ基板１０上に、活性領域１２として、ｎ−ＧａＮベースの層１４およびｐ−ＧａＮベースの層１６と、ｐ−ＧａＮ層１６に堆積されかつ電気的に結合されたｐ電極１８と、ｐ電極１８上にボンディングパッド２０が形成され、ｐ電極１８はオーミックコンタクトを形成し、約２５Å未満の平均厚さおよび約１０^−３Ωｃｍ^２未満の固有接触抵抗率を有する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な方法で製造することができ、歩留り低下、信頼性低下、駆動電圧の上昇および光り取り出し効率の低下といった従来の問題を解消し得る半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間に設けられた活性層と、を含む半導体発光装置において、ｐ型半導体層の表面に設けられた金属酸化物透明導電体からなる第１の透明電極と、ｐ型半導体層の表面に設けられ、第１の透明電極に電気的に接続された金属酸化物透明導電体からなる第２の透明電極と、第２の透明電極の表面に設けられた金属からなるｐ側パッド電極と、を含む。第２の透明電極は、第１の透明電極よりもｐ型半導体層に対する接触抵抗が高い。 （もっと読む）

【課題】光吸収率を増加することなくチップ全体に電流を広げることができる電極構造を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、光取り出し面としての第１の面と、第１の面に対向する第２の面とを有し、発光層６３を有するIII−Ｖ族化合物半導体からなる積層構造１０と、支持基板３と第２の面との間に設けられ発光層６３の発光光を第１の面側に反射する反射金属膜４と、第１の面の一部に複数設けられて積層構造１０と導電する第１電極７０と、第１の面に設けられ第１電極７０と導電する透明導電膜７１と、透明導電膜７１の上に設けられる電極パッド９とを有する。 （もっと読む）

【課題】正負一対の電極が半導体層を挟んで形成された半導体発光素子において、電極間の電流密度を均一にし、素子全体の発光分布を改善する。
【解決手段】半導体層２と、半導体層２の上面に互いに対向するようにかつ互い違いとなるように並列して配置された複数の第１電極３と、半導体層２の下面に配置された第２電極４と、を備える半導体発光素子１０であって、第１電極３は、外部と接続するための外部接続部３ａと、半導体層２の上面における中央領域の方向に延伸した第１延伸部３ｂと、第１延伸部３ｂとは反対方向であって、半導体層２の周縁内側まで延伸した第２延伸部３ｃと、を備え、半導体層２の上面で対向する第１電極３の第１延伸部３ｂのそれぞれは、中央領域において、その先端側が隣り合う方向で対向するように配置される。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体層の半極性主面とパラジウム電極との接触抵抗が増加することを抑制可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１００の製造方法は、半導体基板１０の表面上に活性層１４と、半極性主面を有するｐ型半導体層１８とを順に配置して積層体２０を形成する積層体形成工程と、パラジウム電極３８をｐ型半導体層１８の半極性主面に接合するように形成して基板生産物を形成する表面電極形成工程と、ｐ型半導体層１８及びパラジウム電極３８を処理する処理工程と、を備え、処理工程において、ｐ型半導体層１８及びパラジウム電極３８は、下記式（１）で表される条件を満たすように温度Ｔ（Ｋ）の状態で時間ｔ（分）保持される。


（式中、α_１は１６８７０であり、α_２は３０．３５〜３０．５５である） （もっと読む）

【課題】光の高出力化及び取出効率並びに低動作電圧化を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１は、活性層を有する半導体積層体１４の一方の表面に設けられる複数の分配電極１２と、半導体積層体１４の一方の表面側に設けられ、複数の分配電極１２を覆う透明導電膜２１と、半導体積層体１４の他方の表面側に設けられる導電反射層９と半導体積層体１４との間に位置する誘電体層１５と、誘電体層１５の内部で導電反射層９と半導体積層体１４とを電気的に接続し、平面視にて複数の分配電極１２に重ならない位置に設けられる界面電極８と、透明導電膜２１を介して複数の分配電極１２に電気的に接続し、平面視にて分配電極１２及び界面電極８に重ならない位置に設けられる表面電極１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】輝度の均一性及び発光効率を拡大するための発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、基板３２、該基板上に配置されたn型ドープ層３４、該n型ドープ層と該基板との間に配置された複数の陰極４０１，４０２、n型ドープ層上に配置された活性層３６、該活性層上に配置されたp型ドープ層３８、及び該p型ドープ層上に配置された複数の陽極４２１，４２２を含む。陰極は、n型ドープ層に電気接続され、該陰極のパターンは、お互いから分離されている。陽極は、p型ドープ層に電気接続され、該陽極のパターンは、お互いから分離されている。各陰極及び対応する陽極はループを形成し、各ループは独立したループである。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造方法により発光波長を多様化させ、特に高精細な画像表示装置に用いて好適な半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、所定の光を放出させる第１の半導体発光層１７と、前記第１の半導体発光層１７とは異なる結晶系からなる半導体層から構成され前記第１の半導体発光層からの光によって励起されて光を放出する第２の半導体発光層１１を有し、前記第１の半導体発光層１７を有する半導体構造部に前記第２の半導体発光層１１が貼り合わされることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第１電極層と、発光層と、第２導電形の第１部分を含む第２半導体層と、第１半導体層に接続された第２電極層と、を備える。第１電極層は、金属部と、第１半導体層から第１電極層に向かう方向に沿って金属部を貫通し、前記方向に沿ってみたときの形状の円相当直径が１０ナノメートル以上、５０マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する。発光層は、第１半導体層と第１電極層との間に設けられる。第２半導体層の第１部分は、発光層と第１電極層との間に設けられ、不純物濃度が１×１０^１９／立方センチメートル以上、１×１０^２１／立方センチメートル以下である。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、構造体と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。第１電極層は、金属部と、複数の第１開口部と、第２開口部と、を有する。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられる。金属部の厚さは１０ナノメートル以上、２００ナノメートル以下である。複数の第１開口部は、円相当直径が１０ナノメートル以上、１マイクロメートル以下である。第２開口部は、円相当直径が１マイクロメートルを超え、３０マイクロメートル以下である。第１電極層は、第２半導体層と導通し、第２電極層は、第１半導体層と導通する。 （もっと読む）

【課題】注入電流密度の分布を均一化し、過大注入電流密度を抑制した高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１半導体層と、第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有し、第２半導体層及び発光層が選択的に除去されて第１半導体層の一部が露出した積層構造体と、第１半導体層の一部に接する第１電極と、第２半導体層に接し透光性の第２電極と、第２半導体層の発光層とは反対の側に設けられ、第２電極に電気的に接続され、光に対する透過率が第２電極よりも低いパッド層と、を備え、前記第２電極の導電率は、前記パッド層から前記第１電極に向かう方向に沿って連続的に減少することを特徴とする半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子からの光の一部をカットすることなく、輝度分布の最大部をカットオフラインに配光することが可能な光源を用いた車両用灯具を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子２１は、ｎ型半導体層２１ｂと、前記ｎ型半導体層２１ｂ表面のうち一方の長辺を含む細幅領域に形成された長辺方向に延びるｎ電極２１ｃと、前記ｎ型半導体層２１ｂ表面に形成された活性層２１ｄ、前記活性層２１ｄ表面に形成されたｐ型半導体層２１ｅと、前記ｐ型半導体層２１ｅ表面に形成された透明電極２１ｆと、前記透明電極２１ｆ表面に形成された反射電極としてのｐ電極２１ｇと、を備えたフリップチップ型のＬＥＤ素子２１であり、前記投影光学系は、白色光源の複数の光源像を車両前方に投影し、前記ｎ電極２１ｃに対応する像部分により形成されるカットオフラインを含むヘッドランプ用配光パターンを形成するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の亀裂および炭化が生じる危険を低減し、かつ製作の速度を維持するための、ウェーハレベルの燐光体被覆方法および装置を提供する。
【解決手段】通常基板上に複数のＬＥＤを設けるステップを含む、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを製作する方法。ＬＥＤ上に脚柱を堆積させ、脚柱はそれぞれ、ＬＥＤのうちの１つに電気的に接触する。ＬＥＤを覆って被覆が形成され、この被覆は、脚柱の少なくとも一部を埋設する。次いで、被覆を平坦化して、前記被覆の少なくとも一部を前記ＬＥＤ上に残しながら、埋設された脚柱の少なくとも一部を露出させる。次いで、ワイアボンドなどによって、露出した脚柱に接触できるようにする。本発明は、キャリア基板上にフリップチップ接合されたＬＥＤを有するＬＥＤチップおよび他の半導体装置を製作するために使用される類似の方法を開示する。また、製作されたＬＥＤチップウェーハおよびＬＥＤチップも開示される。 （もっと読む）

【課題】発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置は、キャリアと、前記キャリアの上に形成され、且つ、前記キャリアに面する第一表面と、前記第一表面に相対する第二表面と、前記第一表面と前記第二表面との間に介在する能動層とを有する発光構造と、前記第一表面から延伸して前記能動層を通過し、複数の発光素子を区分する複数の第一トレンチと、前記第二表面から延伸して前記複数の発光素子の各々の前記能動層を通過する複数の第二トレンチと、を含む。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体と、前記構造体の前記第２半導体層の側に設けられ、金属部と、前記金属部を貫通する複数の開口部と、を有する第１電極層と、前記第２半導体層と、前記第１電極層と、の間に設けられた中間層と、前記第１半導体層と導通する第２電極層と、を備える。前記複数の開口部のそれぞれの円相当直径は、１０ナノメートル（ｎｍ）以上、５マイクロメートル（μｍ）以下である。前記中間層の厚さは、１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高輝度化の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられ、第２半導体層と接する金属部と、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿って金属部を貫通し前記方向に沿って見たときの形状の円相当直径が１０ナノメートル以上５マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する。第２電極層は、第１半導体層と導通する。第２半導体層は、金属部に接する凸部と、開口部の底部において凸部よりも前記方向に沿って後退した凹部と、を有する。 （もっと読む）