【課題】ＬＥＤのサイズを変えることなく発光サイズを小さくすることができ、また発光サイズを任意に切り替えることが可能となるＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子であって、
基板上に、キャリヤ制御層、下部電流閉じ込め層、活性層、上部電流閉じ込め層がこの順で積層された積層構造を備え、
ｐ型電極が前記上部電流閉じ込め層上に設けられ、
前記基板の面内方向において、２つのｎ型電極が前記ｐ型電極を挟むようにして前記キャリヤ制御層に配設され、
前記ｐ型電極と前記２つのｎ型電極のいずれか一方のｎ型電極間に通電することにより、ＬＥＤ発光面の通電したｎ型電極側を発光させる一方、
前記ｐ型電極と前記２つのｎ型電極間に同時に通電することにより、ＬＥＤ発光面の全面を発光させるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】蛍光体により波長変換された光を効率よく取り出すことで、光取り出し効率を向上させることが可能な発光素子及び発光装置を提供する。
【解決手段】同一面側に一対の電極２３を有する発光素子と、電極２３が形成されている側の発光素子上に形成された波長変換層１２と、波長変換層１２上に形成された光反射層２０と、を有し、一対の電極２３の一部が、光反射層２０から露出されていることを特徴とする発光素子。 （もっと読む）

【課題】発光動作時における効率低下や光出力の低下を回避しつつ静電破壊耐量の向上を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】支持基板と半導体膜との間に設けられ半導体膜と接する面で光反射面を形成する光反射層を含み、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極は、半導体膜との間でオーミック接触を形成する第１の電極片と、第１の電極片に電気的に接続された第２の電極片と、を含む。光反射層は、反射電極を含み、反射電極は半導体膜との間でオーミック接触を形成する第３の電極片と、第３の電極片に電気的に接続され且つ第２の電極片と対向するように配置された第４の電極片とを含む。第１の電極片と第３の電極片は、半導体膜の主面と平行な面に投影したときに互いに重ならないように配置される。第２の電極片と第４の電極片は、半導体膜との間でショットキー接触を形成して半導体膜の順方向電流を妨げる障壁を形成する。 （もっと読む）

【課題】メタル電極に設けられた延伸部の表面を覆う絶縁膜の剥離が抑制された半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体からなる活性層に積層されたｎ型またはｐ型の半導体層と、該半導体層の上に配置され接続部および延伸部を有するメタル電極と、該メタル電極の該延伸部の上面および側面を少なくとも覆う絶縁膜と、を備え、該延伸部はメタル多層膜で形成され、該メタル多層膜は少なくとも２層の第１メタル層と、該第１メタル層と交互に積層された第２メタル層とを含み、かつ、その最上層は該第２メタル層のひとつであり、該メタル多層膜に含まれる該最上層の第２メタル層以外の第２メタル層の各々の端面が該延伸部の側面に露出して該絶縁膜と接しており、該第２メタル層を構成する第２メタル材料は該第１メタル層を構成する第１メタル材料よりも導電率は低いが該第１メタル材料よりも該絶縁膜との密着強度に優れている。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装に適した互いに段差の無い第１の接続電極および第２の接続電極を備えた光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１０は、第１の導電型の半導体からなる第１の半導体層１２と、第２の導電型の半導体からなり、第１の半導体層の上面の一部に形成された第２の半導体層１３と、第１の半導体層１２の上面における他の一部に形成された第１の電極１４ａと、第２の半導体層１３の上面に形成され、第１の電極の上面よりも高い位置にある上面を有する第２の電極１４ｂと、第１の電極の上面に形成された第１の接続電極５２と、第２の電極の上面に形成された第２の接続電極５１と、第１の半導体層１２の表面と第２の半導体層１３の表面とを覆う絶縁性の保護膜１５であって、第１の半導体層１２の表面の一部を露出させる開口部２１を有する保護膜１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させることを目的とする。
【解決手段】ｎ型半導体層と、通電により発光波長λの光を出射する発光層と、ｐ型半導体層１６０と、発光層から出射される光に対する透過性および導電性を備えるとともに第１屈折率ｎ１を有する透明導電層１７０と、発光層から出射される光に対する透過性および絶縁性を備えるとともに第１屈折率ｎ１よりも低い第２屈折率ｎ２を有する透明絶縁層１８０と、発光層から出射される光に対する反射性を備えるｐ金属反射層２０２とが積層された半導体発光素子１において、透明導電層１７０の第１膜厚ｔ１は、（λ／４ｎ１）×（Ａ−０．５）≦ｔ１≦（λ／４ｎ１）×（Ａ＋０．５）の関係を有し、透明絶縁層１８０の第２膜厚ｔ２は、（λ／４ｎ２）×（Ｂ−０．５）≦ｔ２≦（λ／４ｎ２）×（Ｂ＋０．５）の関係を有する。ただし、Ａは正の偶数、Ｂは正の奇数である。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】接合層１８０，２２０を介して支持構造体２０と接合される発光構造体１０は、接合層１８０，２２０の上に配置され、金属材料からなる反射層を備える第１反射部と、第１反射部の上に配置される発光層１４２を備える半導体積層部１０ｓと、第１導電型クラッド層の光取り出し面となる面側の一部に配置される電極と、を有し、半導体積層部１０ｓは、電極と第１導電型クラッド層との間に、屈折率の異なる２以上の半導体層を積層した第２反射部を備える。 （もっと読む）

【課題】低減された順方向電圧のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層におけるｐ型ドーパントの濃度がｎ型不純物の濃度より大きくなるように、ｐ型クラッド層はｐ型ドーパント及びｎ型不純物を含む。ｐ型クラッド層のバンドギャップより大きい励起光を用いた測定によるフォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトルは、バンド端発光及びドナーアクセプタ対発光のピークを有する。このＰＬスペクトルにおけるバンド端発光ピーク値のエネルギＥ（ＢＡＮＤ）と該ＰＬスペクトルにおけるドナーアクセプタ対発光ピーク値のエネルギＥ（ＤＡＰ）との差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の順方向駆動電圧（Ｖｆ）と相関を有する。このエネルギ差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））が０．４２ｅＶ以下であるとき、III族窒化物半導体発光素子の順方向電圧印加に係る駆動電圧が低減される。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、ｐコンタクト層とＩＴＯ電極とのコンタクト抵抗を低減すること。
【解決手段】III 族窒化物半導体発光素子は、ｐコンタクト層１５上にＡｌＧａＮからなるドット状構造体１６を有し、ｐコンタクト層１５上およびドット状構造体１６上にＩＴＯ電極１７が形成されている。ドット状構造体１６は、ｐコンタクト層１５表面にドット状のＡｌＧａＮが点在した構造である。ドット状構造体１６のＡｌが酸素と結合するため、ｐコンタクト層１５とＩＴＯ電極１７との界面に酸素が増加する。その結果、ｐコンタクト層１５とＩＴＯ電極１７とのコンタクト抵抗が低減される。 （もっと読む）

【課題】発光動作時における効率低下や光出力の低下を回避しつつ静電破壊耐量の向上を図る。
【解決手段】支持基板３０と、発光層１２を含む半導体膜１０と、光取り出し面側の表面に設けられた表面電極と、支持基板と半導体膜との間に設けられた光反射層２０、から形成され、表面電極は、半導体膜とオーミック接触する第１の電極片４３と、第１の電極片に電気的に接続され且つ半導体膜とショットキー接触する第２の電極片４１と、を含み、光反射層に形成される反射電極は、第１の電極片と互いに重ならないように配置され半導体膜とオーミック接触する第３の電極片２１Ｄと、第３の電極片に電気的に接続され半導体膜とオーミック接触し且つ第２の電極片と対向するように配置された第４の電極片とを含み、第１の電極片と第４の電極片との間の半導体膜の主面方向における最短距離は、第１の電極片と第３の電極片との間の同方向における最短距離よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】固定時に負圧で生じる変形を発生させないでフリップチップＬＥＤの測定を行う。
【解決手段】フリップチップＬＥＤ用試験装置３は、透明な基板３０、スペーサ部材３２、柔軟で透明な支持台３４、及び真空発生機３６を含む。スペーサ部材は透明な基板の第一表面３００上に形成される。柔軟で透明な基板の支持台は、閉空間Ｓ１が柔軟で透明な支持台、スペーサ部材、及び透明な基板の第一表面により形成されるように、スペーサ部材へ取り外し可能に組み込まれる。真空発生機は閉空間から空気を吸い出すため、閉空間へ接続され、次に透明な基板の一部は第一表面に張り付き、フリップチップＬＥＤを配置するための試験領域３４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】光取出し面における電流密度分布の偏りを小さくする。
【解決手段】第１主面及び第２主面を有する半導体部１０と、第１主面上に配置された第１電極２０と、第２主面上に配置された第２電極と、を備え、第１電極は第１接続部２１と、第２接続部２２と、を備え、第１接続部から延伸する第１延伸部２３と第３延伸部２５と、第２接続部から延伸する第２延伸部２４と第４延伸部２６と、を備え、第１延伸部、第２延伸部、第３延伸部及び第４延伸部が部分的に互いに平行となる平行領域を有し、第３延伸部の第１接続部から平行領域までの距離は第１延伸部の第１接続部から平行領域までの距離よりも長く、第４延伸部の第２接続部から平行領域までの距離は第２延伸部の第２接続部から平行領域までの距離よりも長く、平行領域において第３延伸部と第４延伸部との距離は第１延伸部と第３延伸部との距離及び第２延伸部と第４延伸部との距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】発光素子の実装面側において、電極間からの光の漏れを防止し、光取り出し効率を向上させることが可能な発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】同一面側に一対の電極１６、１７を有する発光素子の該電極上に金属部材１８、１９を形成する工程と、電極１６、１７が形成されている側の発光素子上に無機部材からなる光反射層２０を形成する工程と、光反射層２０と金属部材１８、１９とを略同一面とする工程と、を有する発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン及びゲルマニウム発光素子として作成可能な、注入キャリアを発光領域に閉じ込めるための素子構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】電極と発光領域の間にキャリアにとって狭い通路、すなわち１次元的または２次元的量子閉じ込め領域を作成する。量子閉じ込めにより、その部分ではバンドギャップが開くため、電子にとっても正孔にとってもエネルギー障壁となり、通常のＩＩＩ−Ｖ族半導体レーザーのダブルへテロ構造と同様の効果が得られる。素子の形状を制御するだけで、通常のシリコンプロセスで使用する元素以外は使わないため、安価に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】活性領域で生じる熱を素子外部に効率的に逃すうえで好ましい構成を備えた窒化物系ＬＥＤを提供する。
【解決手段】
窒化物系発光ダイオード素子は、ｐ型層と、前記ｐ型層に積層されたｎ型層と、前記ｐ型層と前記ｎ型層とに挟まれた発光層と、を含む窒化物半導体積層体と、前記ｐ型層の表面上に設けられたｐ側電極と、前記ｎ型層に接続されたｎ側電極と、を備える。前記ｐ側電極は、前記ｐ型層との接触面を有するオーミック接触層と、前記ｐ型層とで前記オーミック接触層を挟むように設けられた熱伝導性メタル層とを有しており、前記窒化物半導体積層体の積層方向に直交する平面である素子平面に対する前記熱伝導性メタル層の投影面積が、前記素子平面に対する前記接触面の投影面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層構造体と、透明電極と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、を備えた半導体発光素子を提供する。積層構造体は、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間の発光部と、を含む。透明電極は、積層構造体のｐ形半導体層の側の第１主面においてｐ形半導体層に接続される。透明電極はｐ側電極の上に設けられる。ｎ側電極は、第１主面においてｎ形半導体層に接続される。透明電極は、おいてｎ側電極とｐ側電極との間に設けられ透明電極を貫通する孔を有する。ｐ側電極からｎ側電極に向かう第２軸に対して垂直な第３軸に沿った孔の幅は、ｎ側電極及びｐ側電極の第３軸に沿った幅よりも大きい。孔のｎ側電極側の端とｎ側電極との間の第２軸に沿った距離は、孔のｐ側電極側の端とｐ側電極との間の第２軸に沿う距離以下である。 （もっと読む）

【課題】キャリア密度に疎密を設けて全体として発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体積層体１１は第１シート抵抗を有する第１半導体層１２、発光層１３、第２半導体層１４乃至１６が順に積層され、第１半導体層１２の一部を露出するように、一端側に形成された切り欠き部１８と、切り欠き部１８から−Ｘ方向に延在し、＋Ｙ方向に分岐または曲折し且つ−Ｙ方向に曲折または分岐した湾入部１９を備える。第１半導体層１２上であって、切り欠き部１８に形成された第１パッド電極２１から湾入部１９に沿って第１細線電極２２が形成されている。半導体積層体１１上に第１シート抵抗より低い第２シート抵抗を有する透明導電膜２０が形成されている。透明導電膜２０上であって、他端側に形成された第２パッド電極２３から±Ｙ方向に延在し、曲折して＋Ｘ方向に延在する第２細線電極２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】同一の発光ピーク波長をもつ２層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板１０２の上面側に、中間電極１０４、下側第１導電型半導体層１０６、第１発光層１０８、第２導電型半導体層１１０、第１発光層１０８と同一の発光波長を有する第２発光層１１２、上側第１導電型半導体層１１４および上側電極１１６を順次具え、支持基板１０２の下面側に設けられる下側電極１１８と、上側第１導電型半導体層１１４および第２発光層１１２を貫通する凹部１２０に設けられ、第２導電型半導体層１１０と電気的に接続する基準電極１２２と、を有し、第１発光層１０８の電流が流れる有効領域１０８ａを規制する絶縁部１２６を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤダイ底面にマザー基板との接続電極を備えるＬＥＤ素子では、ゴミやバリなどに対する実装制限を緩和するため接続電極を突起させることが好ましい。このＬＥＤ素子を簡単に効率よく製造できるようにする。
【解決手段】突起電極１２，１３を備えるＬＥＤダイ１６と粘着シート３１を準備し、この粘着シート３１の粘着層３１ａにＬＥＤダイ１６の底面が接触するように突起電極１２，１３を沈み込ませながら、粘着シート３１上にＬＥＤダイを配列し、粘着シート３１とともにＬＥＤダイ１６を蛍光体層で覆ってから蛍光体層１１を切断し、個片化したＬＥＤ素子１０を得る。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率および輝度が高められた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、III-V族化合物半導体からなる発光層と、反射金属層を有する第１電極と、開口部を有する絶縁層と、第１導電形層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。前記第１導電形層は、前記第１電極の上であり前記発光層の下に設けられ、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するIII-V族化合物半導体からなる。第１導電形層は、第１コンタクト層、組成傾斜層、第１クラッド層を含む。前記第２導電形層は、前記発光層と前記第２電極との間に設けられ、電流拡散層および第２コンタクト層を有する。前記第２電極は、パッド部と、前記パッド部から外方に向かい前記第２コンタクト層の上に延在する細線部、とを有する。上方からみて、前記絶縁膜の前記開口部と、前記第２コンタクト層とは、重ならない。 （もっと読む）