【課題】放射角による発光強度や波長のばらつきを抑制しつつ、光取出効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】基板（１）上に発光層（４）を含む化合物半導体層を有する発光素子（１０）において、前記化合物半導体層の光取出面となる主表面を含む部分に、誘電率の異なる二種類以上の物質が前記主表面（６ａ）内に二次元格子状に周期的に交互に並んだフォトニック結晶構造における、前記誘電率の二次元格子状の周期性をランダムに変動させて非回転対称性の誘電率分布とした誘電率変化構造（１１）を備えた発光素子（１０）である。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させることができる。
【解決手段】半導体基板上に絶縁層１１と、絶縁層１１上に第１の半導体層１２と、第１の半導体層１２上に、第１の半導体層１２よりも大きなバンドギャップである第２の半導体層１３と、第２の半導体層１３上に、第２の半導体層１３面に垂直に、正孔１６および電子１５をそれぞれ注入する一対のＰ型およびＮ型の導電層１４ｂ，１４ａとを有し、Ｐ型およびＮ型の導電層１４ｂ，１４ａの下部領域の第１および第２の半導体層１２，１３がＰ型およびＮ型の導電層１４ｂ，１４ａと同じ導電型である半導体光学素子１０が形成される。 （もっと読む）

【課題】高効率で寿命の長い有機・無機ハイブリッド型の発光デバイスを提供すること。
【解決手段】基板１上の透明電極２の上に多数の発光性半導体粒子７が分散して設けられている有機材料から成る正孔輸送層３を積層し、正孔輸送層３上には電子輸送層５及び陰極６を設け、透明電極２と陰極６との間に電圧を印加することにより有機半導体材料による電流注入機能により輸送される正孔及び又は電子により発光性半導体粒子７を発光させるようにした。これにより、発光デバイスの発光効率を高めると共に長寿命化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】電気出力の増加によって放熱の問題を生じさせることなく光放射の点において改善された光放射装置を提供する。
【解決手段】光を放射する少なくとも２つの半導体チップ（１２，１４，１６）と１つの基板（６６）とからなり、少なくとも１つの第１の半導体チップ（１２）が前記基板（６６）上に設置され、その第１の半導体チップ（１２）上に少なくとも１つの別の半導体チップ（１４）が設置されている光放射装置において、上下に積み重ねられた各半導体チップ（１２，１４；１４，１６）を互いにずれるように回転させて、いずれも下側の半導体チップが実質的に三角形状の露出した放射面を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子からの光は全方向に進む。そのため、照明方向以外に進む光は有効に利用できない。半導体発光素子の側面に傾斜面をつけ、そこに反射層を形成する手段は提案されているものの、エッチングなどの方法で傾斜面をつけるため、加工に時間がかかり、傾斜面の制御が困難といった課題があった。
【解決手段】発光層を形成した厚めの基板に反射用の傾斜面を機械的加工で形成し反射層を施す。その後、補強材を充填してから射光面側から、反射膜が表面に現れるまで基板を研削する。 （もっと読む）

【課題】白色光の色の偏りを抑制可能な半導体白色発光素子及び半導体白色発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体白色発光素子２は、青色発光層１５と、黄色変換層１８とを備えている。青色発光層１５は、青色光を発光するためのものである。黄色変換層１８は、半導体（ＡｌＧａＩｎＰ層）からなり、青色発光層１５により発光された青色光を黄色光に変換するためのものであって、ｐ型コンタクト層１７上に貼り付けられている。また、青色発光層１５及び黄色変換層１８は別々の基板１１、２５に形成された後、熱圧着によって貼り付けられている。 （もっと読む）

【課題】下部のシリコン基板に対し、上方に出射される光が多い、すなわち光の取り出し効率が従来例に比較して高く、製造コストを低減することができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、基板と、該基板と異なる材料の化合物半導体の材料にて、基板の一方の主面に形成された活性層を含む活性層形成部と、該活性層形成部の上面から活性層を貫通する複数の孔と、該孔の位置に対応して活性層と基板との間に設けられ、平面視において前記孔に比較して面積が大きい空洞部とを有し、活性層形成部の下部に空洞部が延伸して形成され、平面視において、空洞部の領域と重なる、延伸した活性層形成部の下部が露出されている。 （もっと読む）

【課題】グループ内の低次元構造体の数、グループのアスペクト比を、より正確にコントロールすることができる。
【解決手段】低次元構造体(１)の第１のグループ(３ａ)と低次元構造体(１)の第２のグループ(３ｂ)とを第１の基板に形成する工程を含む低次元構造体のカプセル化方法。低次元構造体(１)の第１のグループ(３ａ)と低次元構造体(１)の第２のグループ(３ｂ)とはマトリックス(５)に別々にカプセル化される。カプセル化後、低次元構造体(１)の第１のグループ(３ａ)と低次元構造体(１)の第２のグループ(３ｂ)とを分離してもよい。各グループは、その後、例えば第２の基板(７)に移動するなどの処理が行われる。グループ内の低次元構造体の数、グループのアスペクト比は、低次元構造体が形成される際に決定され、パターニング法を使って決定されていた従来の方法に比べて、より正確にコントロールすることができる。 （もっと読む）

【課題】電流ブロック層を用いることなく高輝度が得られる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光層２を含む半導体結晶３に積層された金属酸化物からなる電流拡散層４の主面に、上記発光層２に電流を供給するための金属からなる主面電極５と、上記発光層２からの光を反射する金属からなる主面反射層６とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ラージチップにおいても、反射による光の損失を抑制することで、光取り出し効率を向上させることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】基板１１上に、ｎ層１２１、発光層１２２、およびｐ層１２３が半導体層１２として積載された素子本体１５と、ｐ層１２３のほぼ全面に形成された反射電極１４２とを備え、半導体層１２が積層された面とは反対側となる基板の面を主発光面Ｐ₁とした発光素子１０において、基板１１の中心Ｏ₁から側面Ｓ₁までの距離をＬ₁とし、素子本体１５の厚みをＨ₁とし、主発光面Ｐ₁での臨界角をθ₁としたときに、距離Ｌ₁≧３００μｍ、かつ厚みＨ₁＞Ｌ₁／２×１／ｔａｎθ₁の関係を満足するものである。 （もっと読む）

【課題】輝度低下を抑えながら演色性を向上させることができ、さらに、対称性を有する配光特性を得ることができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体装置１Ａにおいて、基材２と、その基材２に設けられ、光を放射する第１発光素子３と、第１発光素子３上に設けられ、第１発光素子３から放射された光と異なる波長を有する光を放射する第２発光素子４と、第１発光素子３及び第２発光素子４を封止し、第１発光素子３又は第２発光素子４から放射された光の波長を変換する蛍光体５ａを含有する透光封止部材５とを備える。 （もっと読む）

少なくとも１つの発光活性層構造、および、(1) 屈折率勾配を持つ少なくとも１つの第１の１の領域を持つ第１の要素、(2) 少なくともその一部が、前記活性層のある側の屈折率より低い屈折率を持つ、第１の要素、(3) それらにおいては、第２の要素の一方の側が活性層のある側上に位置し、かつ、第１の要素が第２の要素の他の側上に位置し、かつ、それらにおいては、第１の要素の少なくとも一部が、第２の要素の少なくとも一部の屈折率より低い屈折率を持つ：のなかから、選択された少なくとも１つの構造よりなる固体発光装置が与えられる。また、このような装置を製造する方法が、与えられる。
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サブマウント（１２）の表面に搭載された発光ダイオード(ＬＥＤ)（１４）であって、該表面は、ＬＥＤの周りに第１のメニスカス形成特徴物（２０）を有することを特徴とするＬＥＤを備えた発光体パッケージ（１０、３０）を提供する。マトリックス封止体（２２）は、該表面上に含まれ、該ＬＥＤ（１４）を被覆している。該表面近傍の、マトリックス封止体（２２）の外端部は、メニスカス形成特徴物（２０）で規定され、該封止体（２２）は、ほぼドーム型を形成して該ＬＥＤ（１４）を覆う。第１のメニスカス保持特徴物（２０）を有する表面を持つ母体（１２）を提供することによる、ＬＥＤパッケージ（１０、３０）の製造方法が提供される。ＬＥＤ（１４）は、該ＬＥＤ（１４）の周りにメニスカス保持特徴物（２０）を有する表面に搭載される。液体のマトリックス封止体（２２）が、該ＬＥＤ（１４）と該表面との上に導入され、第１のメニスカス保持特徴物（２０）が、該ＬＥＤ（１４）上で、液体のマトリックス封止体（２２）をドーム型に保持する。次いで、マトリックス封止体（２２）は硬化される。
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【課題】材料・面方位によらずいかなる場合にも粗面化手法を用いることができ、特性の不具合が発生するのを防止できる高輝度な発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、ｐ型ＧａＰ基板１２と、このｐ型ＧａＰ基板１２上に積層されたｐ型ＧａＰコンタクト層１３、ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５、ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１６及びｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１７とを備えている。ｐ型ＧａＰ基板１２の側面の全部がダイシングブレードで粗面状に加工されている。 （もっと読む）

【課題】発光特性に優れた発光素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁膜１６に形成された第１の凹部又は開口部１６ａと、第１の凹部又は開口部１６ａの周囲に位置する絶縁膜１６上、並びに第１の凹部又は開口部１６ａ内に位置し、第１の凹部又は開口部１６ａと共に第２の凹部１７ａを形成する第１の電極１７と、第１の電極１７上に形成され、第２の凹部１７ａと共に第３の凹部１８ａを形成する第１導電型の半導体層１８と、第１導電型の半導体層１８上に形成され、第３の凹部１８ａと共に第４の凹部１９ａを形成する発光層１９と、発光層１９上に形成され、第４の凹部１９ａと共に第５の凹部２０ａを形成する第２導電型の半導体層２０と、第５の凹部２０ａの底面及び側面を構成する第２導電型の半導体層２０上に形成された第２の電極２１とを具備する。 （もっと読む）

第１主表面と、第１主表面に対向した第２主表面とを有する、高熱伝導性の基板を含むディンプル基板およびその製造方法。活性エピタキシャル層が、基板の第１主表面の上に形成される。ディンプルが、第２主表面から基板中を第１主表面に向かって延びるように形成される。低抵抗材料からなる電気コンタクトが、第２主表面の上とディンプルの中に形成される。低抵抗で低損失のバックコンタクトがこのように、基板を効果的なヒートシンクとして維持しながら形成される。
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【課題】窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ウェハ上に形成されたｎ−クラッド層と、ｎ−クラッド層の上面から所定深さまでＨＣｌとＮＨ_３との混合ガス雰囲気で表面処理して形成された多孔性層と、多孔性層上に順次に形成された活性層及びｐ−クラッド層と、を備える窒化物系発光素子である。 （もっと読む）

【課題】本発明は光取り出し面に２つの電極を有する発光ダイオードにおいて、光の取り出し効率が高く、高輝度の発光ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】組成式（Ａｌ_XＧａ_1-X）_YＩｎ_1-YＰ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）から成る発光層を含む発光部を有し、該発光部を含む化合物半導体層を透明基板と接合された発光ダイオードである。発光ダイオードの主たる光取り出し面に第1の電極と、第１の電極と極性の異なる第２の電極とを有する。第２の電極は発光層を挟んで第１の電極とは反対側の化合物半導体層上に形成されている。透明基板の側面は、発光層に近い側では発光層の発光面に対して略垂直である第１の側面と、発光層に遠い側では発光面に対して傾斜している第２の側面を有している。 （もっと読む）

【課題】発光波長の異なる発光ダイオードを同じ駆動電源で、且つ外部回路的に電圧抵抗を付加すること無く使用できるようにする。
【解決手段】緑色発光ダイオードと同時に使用される赤色発光ダイオードが、次の構成を有し、これら赤色および緑色の発光ダイオードを備えた発光装置。
結晶基板上に半導体のｐ型層とｎ型層を形成して、そのｐ型層側とｎ型層側に金属電極を形成した発光ダイオードにおいて、ｐ型層中またはｎ型層中またはｐ型層とｎ型層の界面、またはｐ型層と金属電極界面、またはｎ型層と金属電極界面に、高抵抗層又はヘテロ障壁を挿入して、発光ダイオードの駆動電圧を高める。 （もっと読む）

【課題】ナノコラムを複数有して成る半導体発光素子において、蛍光体を用いることなく複数の波長域で同時に発光させるとともに、高い発光効率を実現する。
【解決手段】基板１上にナノコラム１０を成長させるにあたって、通常よりも低い温度によって、非晶質で四角錘状のＧａＮ２ａを成長させる（ａ）。そして、通常の成長温度まで上昇させる際に、通常よりも長い時間を掛けることで、ＧａＮ２ａを多結晶化し、高さのばらつきの大きい核形成層２を形成する（ｂ）。その上に、通常通りの手法でナノコラム１０を形成する。これによって、発光層５（特に量子井戸）の膜厚や組成もばらつき、各ナノコラム１０に異なる波長を割当てることができ、蛍光体を用いることなく複数の波長域で同時に発光させることができる。また、前記構造上に一様に電極７，８を形成する（ｆ）ことで、同時に均一に電流を注入でき、高い発光効率を実現することができる。 （もっと読む）