【課題】基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層を積層し、上面に凹凸構造を有する半導体発光素子において、発光効率を高くする。
【解決手段】サファイア基板２上に、バッファ層３を形成し、１０００℃の成膜温度でｎ型窒化ガリウム化合物半導体層４、発光層５およびｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６を成膜した後、８００℃に温度を下げて、四角錐状の凸部７を結晶核成長させ、その凸部７をマスクとして、ｐ層６をエッチングして凹凸８を形成する。したがって、光取出し効率を向上するための凹凸８が矩形波状ではないので、発光層５からｐ層６に略垂直に入射する光に対する光取出し効率を向上することができる。また、前記凹凸８は、ｐ層６をそのまま成長させたものであるので、界面が少なく、一層光取出し効率を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 電極が同一面側に形成された発光素子において、電流分布の均一化により、発光面での輝度むらの少ない発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光素子は、第１導電型層１２、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層１３及び第２導電型層１４を含むとともにこの順でこれらの層が積層されている半導体層を有し、第２導電型層１４上に形成された第２導電型電極１６と、第２導電型層１４の一部を第１導電型層１２まで除去してなる第１導電型層１２の露出部に形成された第１導電型電極１５とが設けられており、半導体層は、第１導電型層１２の露出部に、第１導電型電極１５の発光層１３側の縁に沿って溝１７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を高くすることの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】活性層１２と、活性層１２より大きなバンドギャップを有し、活性層１２の両側に配置された第１クラッド層１１および第２クラッド層１３とを含んで構成された化合物半導体層を備える。化合物半導体層は、積層方向に垂直な軸をｘ、積層方向に平行な軸をｙとすると、ｙ軸上に焦点を有する放物線を、ｙ軸を回転軸として３６０°回転させて得られる曲面Ｓを有し、活性層１２は、曲面Ｓの焦点およびその近傍に発光領域１２−１を有し、発光領域１２−１は、曲面Ｓの焦点に設けられた点光源とみなされる。これにより、発光領域１２−１で発生した光は、曲面Ｓで反射され、化合物半導体層の表面からほぼ垂直に出射される。また、発光領域１２−１で発生した光は、再度活性層１２Ａに入射することはほとんどないので、活性層１２での光の吸収は実質的にない。 （もっと読む）

【課題】 光の取り出し効率を高くすることができ、かつ所望の放射特性を実現することを可能にする発光ダイオードチップ及び発光ダイオードパッケージを提供する。
【解決手段】 光透過性結晶から成る光透過性基板１１と、活性層１２を含む半導体発光層とが積層されて成り、光透過性基板１１の活性層１２とは反対側の表面が活性層１２の膜面とは非平行である発光ダイオードチップ１０を構成する。また、この発光ダイオードチップ１０が透明な保護材で覆われた発光ダイオードパッケージを構成する。 （もっと読む）

２つの半導体材料（１、２）の配置によって形成された誘導発光するための少なくとも１つのｐｎ接合（３）を有する光源が、特別大きな光量の生成に関して、半導体材料（１、２）の少なくとも一方が粒子の形態で存在するように構成されていること。
さらに、このような光源を製造するための製造方法が明示される。

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【課題】 発光輝度を高めた窒化ガリウム系発光ダイオードの提供。
【解決手段】 最底層がサファイヤ材質の基板で、基板の上のバッファ層の材質が窒化アルミニウムガリウムインジウムで、ｎ型窒化ガリウム層がバッファ層の上に形成され、ｎ型窒化ガリウム層の上の活性発光層の材質が窒化インジウムガリウムとされ、活性発光層の上のｐ型クラッド層の材質がマグネシウムドープ窒化アルミニウムインジウムとされ、ｐ型クラッド層の上のｐ型コンタクト層の材質が窒化ガリウムとされ、ｐ型コンタクト層の上のバリアバッファ層の材質が窒化マグネシウム或いは窒化マグネシウム／窒化インジウム或いは窒化マグネシウム／窒化インジウムガリウムとされ、バリアバッファ層の上の透明電極の材質がＩＴＯとされ、ｎ型窒化ガリウム層の上のｎ型電極層の材質がＴｉ／Ａｌ或いはＣｒ／Ａｕとされる。 （もっと読む）

【課題】 疑似点灯が抑制され光学特性に優れた発光装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、光源と、該光源からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光物質を含有する光変換部材とを備える発光装置において、上記光源は、複数の半導体発光素子１０４からなり、それらの半導体発光素子１０４のうち少なくとも一部が光変換部材１０１により被覆されており、上記光変換部材１０１が被覆する半導体発光素子１０４ａと、該半導体発光素子１０４ａに隣接する半導体発光素子１０４ｂとの間に遮光部材１０２が介されていることを特徴とする。 （もっと読む）

複数の半導体デバイスを有する電子的な基板を得るための方法および装置が、説明される。ナノワイヤ薄膜が、基板上に形成される。ナノワイヤ薄膜は、動作電流レベルを達成するのに十分なナノワイヤの密度を有するように形成される。複数の半導体領域が、ナノワイヤ薄膜に画定される。コンタクトが、半導体デバイス領域において形成され、それによって、電気的な接続を複数の半導体デバイスに提供する。さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。
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コア軸をもつ長尺のコア（１１）と、少なくとも１つの電気的に変調可能な光学特性を持ち、前記コアの少なくとも一部を覆う物質（１３）とを有するフィラメント又はファイバ（１０）である。更にコア軸に実質的に平行な方向又はコア軸のまわりで実質的に円周上に延びる方向に延在する電界を生成する電気刺激手段（１２）であって、この電界は、前記材料の光学特性の変化を電気的に誘起し、これによって、フィラメント又はファイバの視覚的外観を変化させる、電気刺激手段を有するフィラメント又はファイバである。
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