【課題】実質的な輝度および光取り出し効率を向上させた半導体発光装置、およびこの半導体発光装置に適用される発光チップ搭載用配線基板を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１は、半導体発光素子チップ２が載置された絶縁性基板１０を備え、半導体発光素子チップ２が配置されたチップ配置領域Ａｃと、チップ配置領域Ａｃを囲む外周領域Ａｆとを絶縁性基板１０の表面１０ｓに備え、外周領域Ａｆに積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜２１を備える。 （もっと読む）

【課題】発光特性を考慮しつつ、コストの低減を図ること。
【解決手段】発光装置は、パッケージフレーム１、リード端子２および発光素子３を含んでいる。発光装置は、封入部材４および接合部材５をさらに含んでいる。パッケージフレーム１は、第１開口部１１１を含む側面と、内部空間を介して第１開口部１１１につながっている第２開口部１１２を含む上面とを有している。リード端子２は、第１開口部１１１から内部空間に挿入されている。発光素子３は、リード端子２に電気的に接続されている。封入部材４は、発光素子３を覆っているとともに、第２開口部１１２から内部空間の中に入り込んでいる。接合部材５は、封入部材４より小さい光透過率を有しており、第１開口部１１１を覆っているとともに、パッケージフレーム１の側面にリード端子２を接合している。 （もっと読む）

【課題】小型化を図ることができるとともに、各発光部での発光色のばらつきを抑制でき、しかも、発光効率及び放熱性を低下させないで半導体発光素子を埋めた封止樹脂を保護できる照明装置を提供する。
【解決手段】照明装置は装置本体と光源モジュール１１を具備する。装置本体はベース壁部３ａ及び開放部を有する。モジュール１１は、モジュール基板１４、複数の青色ＬＥＤ１７、基板１４の表側面に固定されたスペーサ２５、透光性封止樹脂３１、透明正面ガラス（正面部材）２７、蛍光体２９を備える。ＬＥＤ１７を基板１４の表側面略全域に点在させて実装する。スペーサ２５はＬＥＤが収納された複数の光通孔２５ａを有し、光通孔内のＬＥＤ１７を封止樹脂３１で埋設する。ガラス２７をスペーサ２５の表面に被着し、ガラスの裏面に光通孔２５ａを閉じるように点在して蛍光体２９を印刷で設ける。ガラス２７を装置本体の開放部に対向させてベース壁部３ａにモジュール１１を固定する。 （もっと読む）

【課題】受光素子や発光素子から構成される半導体装置において透明部材の凹状の反りを防止し、それにより、光学特性上の問題が防止された、安価で且つ品質レベルの高い半導体装置を提供する。
【解決手段】受光領域又は発光領域上に透明部材１が取り付けられており且つ複数のボンディングパッド１４を有する半導体素子２が基板３上にダイボンドされている。透明部材１の側面及び半導体素子２は樹脂４によって被覆されている。半導体素子２の上面のうち樹脂４によって被覆されている部分の第１の面積は、半導体素子２の下面及び基板３の下面のうち樹脂４によって被覆されている部分の第２の面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】光の漏れが低減され、リードと封止樹脂との密着強度が高められた発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子と、一方の端部に凹部が設けられた第１のリードであって、前記凹部は、前記発光素子が接着された第１の底面と、貫通孔及び切り欠きの少なくともいずれかと、前記発光素子からの放出光が前記貫通孔及び前記切り欠きの前記いずれかから漏れることを抑制可能な遮光部と、を有する第１のリードと、前記第１のリードと対向した第２のリードと、前記貫通孔及び前記切り欠きの前記いずれかを充填するとともに前記発光素子を覆い、且つ前記第１のリードの少なくとも一部と前記第２のリードの少なくとも一部とを埋め込み、透光性樹脂からなる成型体と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明の光学素子ヘッドの製造方法によれば、少ない手間、コストで、基板と光学素子アレイとを接合剤によって比較的強固に結合させるとともに、接合剤が光学素子アレイの上面に到達することが抑制される光学素子ヘッドを製造することができる。
【解決手段】本発明に係る光学素子ヘッドの製造方法では、基板の上面に、熱重合性を有する基剤および特定の波長範囲の光を受けて前記基剤の重合反応を進行させる光重合開始剤を含んでなる接合剤を塗布し、該接合剤を介して、複数の光学素子アレイを特定方向に間隙を介して配列する工程と、前記間隙内の前記接合剤に前記光学素子アレイの上面側から前記特定波長範囲の光を照射する工程と、前記接合剤に光を照射した後に、前記接合剤を熱重合する工程と、を有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】
光の外部取り出し効率を改善するため、半導体発光素子と封止樹脂界面での反射率の低減及び全反射の臨界角を広くし、信頼性の高い構造を得る。
【解決手段】
透光性封止材料による封止構造が２重構造であり、且つ、半導体発光素子の屈折率Ｎ1と、半導体発光素子の素子側面に接する第１の透光性封止材料の屈折率Ｎ2と、更にその外側と発光素子を封止する第２の透光性封止材料の屈折率Ｎ3との間に、Ｎ1＞Ｎ2＞Ｎ3＞１の関係を有し、且つ、第１の封止樹脂には屈折率の高い光拡散材が混合されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】高い光束を維持しつつ、ワイヤ断線の発生を抑えた、品質および信頼性の高い半導体発光装置を提供することを目的とする。さらに、このような半導体発光装置の歩留まりの高い製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】封止材に混合する光反射性フィラーの濃度を、所定以上の光束を維持可能で、かつ、ワイヤ断線の発生の可能性の低い範囲のものとする。また、その範囲において、複数の濃度の封止材を用意し、光反射性フィラーの濃度により色度がシフトすることを利用して、製造時に半導体発光素子の色度に応じた濃度の封止材を用い、色度のばらつきを製造時に抑える。 （もっと読む）

【課題】均一な光を高い出力で発する発光装置を提供する。
【解決手段】容器（１）と、前記容器の底部に配置された発光チップ（２）と、前記発光チップの上面に８０μｍ以上２４０μｍ以下の厚さで設けられた蛍光体層（３）とを具備する発光装置である。粒径２０μｍ以上４５μｍ以下の蛍光体粒子が、４０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下分散された樹脂からなり、前記蛍光体粒子の形状を反映した凹凸を表面に有し、前記蛍光体粒子は、イットリウム・アルミニウムガーネット酸化物蛍光体、アルカリ土類金属シリケート系蛍光体、窒化物蛍光体、アルカリ土類シリコンナイトライド系蛍光体、希土類オキシカルコゲナイト系蛍光体、アルカリ土類シリコンオキシナイトライド系蛍光体、およびアルカリ土類マグネシウムシリケート系蛍光体からなる群から選択される少なくとも一種を含む。 （もっと読む）

【課題】低コスト性および高信頼性を維持しつつ、光デバイスの利用性を拡大しうる実装体を提供する。
【解決手段】実装体Ａは、母基板１の上方に、光デバイス１０をフリップチップ状態で搭載したものである。母基板１の上面には、第１，第１配線パッド５，６が設けられ、母基板１には開口１ａが形成されている。光デバイス１０の主面側には、ｐ電極１５，ｎ電極１６が設けられている。光デバイス１０と母基板１との間に、光透過性樹脂内に鎖状金属粒子３１を分散させたＡＣＦ３０が介在している。ＡＣＦ３０中の鎖状金属粒子３１により、ｐ型電極１５，ｎ型電極１６と、第１，第２配線パッド５，６とがそれぞれ電気的に接続されている。鎖状金属粒子を分散させたＡＣＦ３０は、チップボンディング機能、電気的接続機能に加え、光の通路としても機能する。 （もっと読む）

【課題】１００μｍ程度の微小な電子素子の接続、固定方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上に形成された親水性の金属電極１０３上に電子素子１００を配置した後に、撥水性領域１０２と電子素子１００に囲まれた親水性の金属電極１０３上に、グリセリンなどの第２液体１１３を塗布により配置し、加熱によって電子素子１００と親水性の金属電極１０３との接合を行う。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子をパッケージの凹部の底面に固定する接着剤が導電性ワイヤの接続部へ流動することを阻止する。
【解決手段】 本発明は、半導体素子１と、その半導体素子１を配置する凹部を有し、正負一対のリード電極を備えたパッケージと、上記半導体素子の電極と上記パッケージの凹部の底面に露出されたリード電極とを接続する導電性ワイヤと、上記半導体素子を上記凹部の底面に固定する接着剤と、を具備する半導体装置であって、上記パッケージは、上記半導体素子が配置される搭載部４と、上記リード電極における導電性ワイヤの接続部５との間に、上記凹部の底面から突出された壁部６を有しており、上記壁部６は、上記凹部の底面を延長され、上記凹部の側壁面に接続する端部６ａを有しており、その端部６ａの凹部の底面からの高さは、上記導電性ワイヤ１０の下に設けられた壁部６の高さよりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容易に製作でき、発光装置の外部への光の取り出し効率が高い発光装置を実現する。
【解決手段】本発明の発光装置７０は、絶縁性の基部１０と、上記基部１０の一方の側に載置された発光素子１と、基部１０に発光素子１と同じ側に載置され発光素子１を保護する保護素子２とを備え、保護素子２は、光を反射するフィラー含有樹脂５によって覆われ、フィラー含有樹脂５は、硬化前に軟性を有するシリコーン樹脂に、発光素子１が発する光の波長より大きい粒径の、光反射性あるいは光散乱性を有するフィラー５ａを含有させたものである。これにより、発光素子１から出射された光はフィラー含有樹脂５によって反射され、保護素子２に吸収されることなく発光装置７０の外部へ放出されるので、発光装置７０は高効率で外部へ光を取り出すことができる。また、所望の形状および配置に容易に形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 光ファイバを被覆する紫外線硬化型樹脂を十分に硬化可能な紫外線照射装置及び光ファイバの被覆形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子３５は、矢印Ｋ１〜Ｋ４で示されるように、光ファイバＦに近づいたり、離れたりするように移動し、集光レンズ３４を介して集光される紫外線ＵＶの集光位置が移動する。この集光位置は、被覆樹脂上とすることもできるし、被覆樹脂の位置からは外すこともできる。光ファイバの高速線引時には、外層Ｃ２の表面又は内層Ｃ１の表面上に集光位置を合わせるが、光ファイバの低速線引時には、外層Ｃ２の表面又は内層Ｃ１の表面上から集光位置をずらす。換言すれば、線速に応じて、半導体発光素子３５の光ファイバＦからの距離が変わり、低速時には照射強度が小さくなり、高速時には照射強度が高くなる。 （もっと読む）

【課題】基板と光学素子アレイチップとを接続する接着材が光学素子アレイチップの上面に到達することを抑制した光学素子ヘッドを提供する。
【解決手段】特定方向に沿って配列された複数の光学素子３と、これらの光学素子３を制御する信号を入出力するために、光学素子３の配列の一方の側に並置して配列された複数のパッド４と、を上面の側に有する光学素子アレイチップ２と、上面に、複数の光学素子アレイチップ２が特定方向に沿って配置された基板１と、光学素子アレイチップ２の下面と基板１の上面との間に配され、光学素子アレイチップ２を上面から透視したときに、複数のパッド４が配列された側に偏って存在している接着材５と、を具備する光学素子ヘッドとする。 （もっと読む）

【課題】各発光部から出射された光の混合光からなる照射光の光学特性について良好な再現性を確保し、それにより所望する色温度を安定して得ることが可能な半導体発光装置を実現することにある。
【解決手段】ケース３を複数枚の絶縁基板４、５、６による積層構造とし、ケース３を構成する絶縁基板４、５、６の一枚に穿設された貫通孔及び２枚以上の絶縁基板に連穿された貫通孔を利用して深さの異なる複数の凹部１２、１３とし、全ての凹部１２、１３に一種類の半導体発光素子２を実装すると共に、全ての凹部１２、１３に、透光性樹脂に蛍光体を分散した一種類の封止樹脂１９を充填して半導体発光素子２を樹脂封止する構成とした。この構成により、各凹部１２、１３の深さのみを変えることで夫々の凹部１２、１３から出射される光の光学特性を良好な精度で制御することが可能となった。 （もっと読む）

【課題】高い光反射率と熱的安定性及び光学的安定性とを有し、更に接着強度に優れ、十分な可使時間を有した、光反射性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】炭素−炭素二重結合を有しないエポキシ樹脂、エポキシ樹脂１００重量部を基準にして４０〜４００重量部の酸化チタン、８０〜１６０質量部の酸無水物系硬化剤（例えば、水素添加メチルナジック酸）、１〜５質量部のイミダゾール系硬化促進剤及び５〜３０質量部の有機金属化合物を含む、光反射性樹脂組成物を構成する。 （もっと読む）

【課題】表面に波長変換部材を塗布することによって所望の発光色を得る半導体発光素子において、波長変換部材の膜厚の不均一性に起因して生じる色ムラを防止することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】
発光層を含む半導体層と、半導体層を支持する支持基板と、半導体層の表面に形成された蛍光体含有層と、を含む半導体発光装において、半導体層の発光面は少なくとも１つのコーナ部を有し、蛍光体含有層は、半導体層の中央部から外縁部に向けてその膜厚が薄くなっている。少なくとも１つのコーナ部には、光を放射しない非放射部が設けられている。非放射部は、少なくとも１つのコーナ部において発光層から放射される光を遮断する遮光部によって構成することができる。また、非放射部は、少なくとも１つのコーナ部において発光層が除去された非発光部によって構成することができる。また、非放射部は、少なくとも１つのコーナ部において発光層に注入される電流を遮断する電流狭窄部によって構成することができる （もっと読む）

【課題】電極を両側面に有する半導体素子を回路基板上に横倒しした状態実装する半導体装置の製造方法において、製造工程を簡略化する。
【解決手段】導電性基板の一方の側にｐ側電極と該ｐ側電極上に形成される厚さ３〜２０μｍの第１金属層とを備え、前記導電性基板の他方の側にｎ側電極と該ｎ側電極上に形成される厚さ３〜２０μｍの第２金属層とを備える半導体素子、を準備するステップと、第１パッド及び第２パッドを有する所定パターンが形成された実装基板上に、前記第１金属層が前記第１パッド上に位置するとともに、前記第２金属層が前記第２パッド上に位置するように、前記半導体素子を載置するステップと、前記実装基板上に載置した前記半導体素子の前記第１金属層と前記第１パッドとを固相接合し、前記第２金属層と前記第２パッドとを固相接合するステップと、を含む、半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電流を基板面方向に均一に拡散させること。駆動電圧を低減すること。
【解決手段】発光素子１は、ｎ−ＧａＮ基板１０と、ｎ−ＧａＮ基板１０表面上に積層されたIII 族窒化物半導体からなる半導体層１１と、半導体層１１表面１１ａの全面にわたって形成されたｐ電極１２と、ｎ−ＧａＮ基板１０裏面１０ａに形成されたｎ電極１３と、で構成されている。ｐ電極１２とｎ電極１３の発光素子１長辺方向の抵抗は、ともに１Ω以下である。そのため、基板面方向における電流密度分布の偏りが減少し、素子の信頼性が向上する。また、駆動電圧を抑えることができる。 （もっと読む）