【課題】基板上に発光素子および電極パッドを備えた半導体発光装置において、光取り出し効率の向上と光取り出し面内における輝度むらの低減を図ることができる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１は、素子搭載面に設けられた凹部１２１と凹部の底面に設けられた電極パッド３２ｎ，３２ｐとを有する基板１０と、基板の素子搭載面に設けられて電極パッドに電気的に接続された少なくとも１つの発光素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆと、電極パッドを覆うように凹部に充填された光反射性樹脂５０と、を有する。光反射性樹脂は、発光素子の表面よりも投光方向前方に頂部を有し且つ頂部から凹部の側壁に至る表面が凹状面を有する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を改善した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、第１電極と、第２電極と、を備える。積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、発光層と、を含む。積層構造体は、第１半導体層側の第１主面と、第２半導体層側の第２主面と、を有する。第１電極は、第２主面の側で第１半導体層と接する第１接触部を有する。第２電極は、第２主面で第２半導体層と接する部分を有する。第１半導体層の第１主面の側の表面は、第１部分と、第２部分と、を有する。第１部分は、積層方向にみたときに、第１接触部における第１半導体層との接触面と重なる部分を有する。第２部分は、積層方向にみたときに、第２半導体層と重なる部分を有する。第２部分は、発光層から放射される発光光のピーク波長よりも長いピッチの凹凸を有する。第１部分は、第２部分の凹凸よりも平坦である。 （もっと読む）

【課題】発光素子パッケージおよびその製造方法が開示される。
【解決手段】本発明の実施形態に係る発光素子パッケージは、少なくとも１つの素子実装領域および複数の電極配置領域を含み、素子実装領域の上部面および下部面上に露出される少なくとも１つの第１放熱ビアを含み、複数の電極配置領域の上部面および下部面上に露出される複数の第２放熱ビアを含む回路基板と、素子実装領域の上部面に接合して第１放熱ビアと接続される少なくとも１つの第１放熱パッドと、第１放熱パッド上に実装された少なくとも１つの発光素子と、電極配置領域の上部面に接合して第２放熱ビアと接続される複数の第１電極パッドと、発光素子と第１電極パッドとを電気的に接続する複数のワイヤーとを備える。 （もっと読む）

【課題】小型化した場合においても発光効率を高めることを可能にした白色発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態の白色発光装置１は、基板２と、基板２上に実装され、紫外乃至紫色発光のＬＥＤチップ３と、ＬＥＤチップ３を覆うように設けられた透明樹脂層４と、透明樹脂層４上に形成され、ＬＥＤチップ３から出射された紫外乃至紫色光を吸収して白色光を発光する蛍光体層５とを具備する。透明樹脂層４は、ＬＥＤチップ３の発光ピーク波長の１／４以下の最大粒子径を有する無機化合物粉末を含有している。 （もっと読む）

【課題】高精度の導光板設計やレンズ設計を不要とし、輝度むらが制御された発光を実現できる発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子１３を搭載した基板１１の、ＬＥＤ素子の周囲に凹凸形状１４を形成すると共にその上を覆う銀反射膜１７を設ける。この銀反射膜の保護と導光板の機能とを兼ねた比較的厚いガラス層１９を、ＬＥＤ素子の上方を除く基板上の領域に形成する。ガラス層１９が形成されていないＬＥＤ素子１３の上方の空間にＬＥＤ素子を封止する樹脂層１５を充填する。樹脂層は、屈折率の異なる複数の樹脂層１５１、１５２からなり、複数の樹脂層のうち、最表面に位置する樹脂層１５２を最も屈折率の高い層とする。 （もっと読む）

【課題】 簡単な方法で発光色の調整や設定が可能で、光散乱の影響を緩和し、明るく、色再現性のよい発光装置を提供する。
【解決手段】 一次光を発光する発光素子と、前記一次光の一部を吸収して二次光を発光する波長変換部を備えた発光装置において、前記波長変換部は少なくとも蛍光体を含む樹脂層からなる第１の波長変換部と第２の波長変換部とを含む複数の樹脂層からなり、前記複数の樹脂層は互いに異なる発光帯域を有し、前記第１の波長変換部は、前記第２の波長変換部より、前記発光素子に近い側に配置され、前記波長変換部は、前記一次光の光路方向の厚みが均一でないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、発光色を厳密に制御することが可能な半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、基板の上に形成された第１導電形の第１の半導体層と、発光層と、第２導電形の第２の半導体層と、を含む積層体と、前記積層体の第１の主面側に形成され前記第１の半導体層に電気的に接続された第１の電極と、前記第２の半導体層と電気的に接続された第２の電極と、を有する構造体を準備する工程と、前記積層体の前記第１の主面側において、前記第１の電極と、前記第２の電極と、前記積層体と、を覆う樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の表面を平坦化する工程と、前記基板を除去する工程と、前記基板が除去された前記積層体の第２の主面の上に、蛍光体を含む層を形成する工程と、前記第１の樹脂層の平坦化された前記表面を基準として、前記積層体を含む前記樹脂層と、前記蛍光体を含む層と、を合わせた厚さが所定の厚さになるように、前記蛍光体を含む層を加工する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 効率よく製造できる光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１’に複数の光学素子７５１を配置する工程と、複数の光学素子７５１を覆う透光樹脂部７６１を形成する工程と、透光樹脂部７６１を樹脂材７７１で覆う工程と、樹脂材７７１を露出させた状態で樹脂材７７１を硬化させる事により、遮光樹脂部を形成する工程と、を備え、透光樹脂部７６１を形成する工程においては、ｘｙ平面視において複数の光学素子７５１のいずれか一つに各々が重なる複数の第１部分７６２を、透光樹脂部７６１に形成し、上記遮光樹脂部を形成する工程においては、樹脂材７７１から各第１部分７６２を突出させた状態で樹脂材７７１を硬化させる。 （もっと読む）

【課題】 より信頼性の高いＬＥＤモジュールを提供する。
【解決手段】 本発明のＬＥＤモジュールＡ１は、基板１と、基板１に支持されるＬＥＤチップ３と、基板１に設置され、ＬＥＤチップ３が搭載される搭載部２１２を有する金属配線２と、ＬＥＤチップ３および金属配線２を覆う封止樹脂４と、搭載部２１２を露出させるように金属配線２を覆う被覆部材６とを備えており、封止樹脂４は被覆部材６を覆っている。 （もっと読む）

【課題】実装されたＬＥＤチップの接続信頼性が高いＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】ＬＥＤパッケージ１は、パッド部１１と接続エリア１２とを有するリードフレーム１０と、平面視においてパッド部および接続エリアを囲み、ＬＥＤ素子が実装されるキャビティＣを形成するリフレクター部２２を有し、リードフレームに取り付けられた樹脂部２０と、パッド部に搭載され、ワイヤー４を介して接続エリアと電気的に接続されたＬＥＤ素子３と、キャビティ内に配置され、ＬＥＤ素子、ワイヤー、およびＬＥＤ素子と接続エリアとの接続部位を封止する第一封止樹脂層４１と、キャビティ内において第一封止樹脂層の少なくとも一部を覆うように配置される第二封止樹脂層４２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低い製造コストで、放射する光の色度座標や相関色温度のばらつきを少なくする。
【解決手段】ＬＥＤチップ１０（光源）は、所定の波長を主波長とする光を発する。第一封止樹脂４０及び第二封止樹脂５０（波長変換部）は、ＬＥＤチップ１０の光源の主波長の光を吸収して、吸収した光のエネルギーにより蛍光を発する蛍光体を含有する。第一封止樹脂４０（第一の波長変換部）は、ＬＥＤチップ１０を覆っている。第二封止樹脂５０（第二の波長変換部）は、第一封止樹脂４０で覆われたＬＥＤチップ１０を覆っている。封止樹脂の単位体積に入射するＬＥＤチップ１０の主波長の光に対する、蛍光体が発する蛍光のエネルギー量の比率は、第一封止樹脂４０よりも第二封止樹脂５０のほうが小さい。 （もっと読む）

【課題】発光装置において、複数の光源からの混色光の色度ばらつきを抑制することができ、しかも発光効率が良いものとする。
【解決手段】発光装置１は、白色光を出射するＬＥＤユニット２０を有する白色発光部２Ｗと、ＬＥＤユニット２０からの光を赤色光に変換する赤色蛍光体を含む赤色被覆部材３Ｒを有する赤色発光部２Ｒと、ＬＥＤユニット２０からの光を緑色光に変換する緑色蛍光体を含む緑色被覆部材３Ｇを有する緑色発光部２Ｇと、白色発光部２Ｗ、赤色発光部２Ｒ及び緑色発光部２Ｇを点灯駆動させる駆動ドライバ４と、を備える。この構成によれば、赤色発光部２Ｒ及び緑色発光部２Ｇの出射光の色度ばらつきを抑制することができ、それらと白色発光部２Ｗの出射光との混色光において、色度ばらつきを抑制することができる。また、白色発光部２Ｗは、ＬＥＤ２０をそのまま用いることができるので、光の損失が少なく、発光効率を良くすることができる。 （もっと読む）

【課題】外部からＬＥＤ発光部を覗き見たとしても、内部の蛍光体含有部（１２）の着色が観視しにくくすることで、ＬＥＤ発光装置（１）およびそれを搭載した携帯電話機（１００）の美観を損なわないようにする。
【解決手段】ＬＥＤ発光部（１０）の前面にレンズ（２０）を設ける。レンズ（２０）のＬＥＤ発光部（１０）と対向する入光面（２１）に多数のコーナーキューブプリズム（３０）を設ける。レンズ（２０）の出射面（２５）からレンズ（２０）を通してＬＥＤ発光部（１０）を観たときには、コーナーキューブプリズム（３０）により反射し、蛍光体含有部（１２）が観察され難くなる。一方、ＬＥＤ発光部（１０）から照射した光は、コーナーキューブプリズム（３０）から入射し、出射面（２５）から出射して照明する。 （もっと読む）

【課題】チップＬＥＤの生産性、低コストの特徴を生かしたまま、高電力、高光出力のＬＥＤを提供する。
【解決手段】少なくとも1個以上の半導体チップが搭載されたチップＬＥＤにおいて、
前記半導体チップのうち少なくとも1個は発光素子であり、
裏面に裏面金属層を備えている実装基板に表面側から前記裏面側に向けて凹部が形成されていると共に、当該凹部の底面および内壁面に金属層が形成されており、
前記発光素子は前記凹部の底面に形成されている前記金属層にダイボンドされていると共に、前記実装基板の表面に形成されている配線パターンにワイヤボンドされ、
前記凹部の底面に形成されている金属層は前記実装基板の裏面に形成されている裏面金属層と電気的に導通していて、前記裏面金属層が、前記発光素子で発生した熱が放熱される放熱経路を構成することを特徴とするチップＬＥＤ。 （もっと読む）

【課題】機械加工でＬＥＤ素子外形に沿って蛍光体層を備えさせるのに、ウェハーに蛍光体層を形成するとＬＥＤ素子の取り個数減や蛍光体層のバインダ材料制限が課題となる。
【解決手段】複数の回路基板４１が連結した集合基板４２を準備し、集合基板４２にＬＥＤ素子３６をフリップチップ実装する。この集合基板４２の蛍光体層３２を残す領域にプライマー４５を印刷してから集合基板４２に蛍光体ペーストを塗布し蛍光体層３２を形成する。プライマー４５を印刷した領域の以外の領域の蛍光体層３２を除去し、集合基板４２を個片化することで所望のＬＥＤ装置３０が得られる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】基体１０と、基体１０上に設けられた導電部材２０aと、導電部材２０ａ上に載置された発光素子３０と、発光素子３０の上部に透光性部材５０と、を備え、透光性部材５０の表面はレンズ状に形成されており、導電部材２０ａの表面において、透光性部材５０のレンズ状に形成された部分を平面透視したとき、発光素子３０が載置された領域以外の領域が、絶縁性のフィラー４０により被覆されることで光反射層が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子を覆う凸状の樹脂層が形成された発光装置において、色むらを抑制し、均一な発光色を実現する。
【解決手段】基板１１と、前記基板上に搭載されたＬＥＤ素子１２と、前記基板上に形成され、前記ＬＥＤ素子を覆う波長変換材料含有樹脂層１３とを備えた発光装置であって、前記樹脂層１３は、前記ＬＥＤを覆う凸部１３１とそれに続く平坦な薄膜部１３３とを有し、前記凸部周囲の前記薄膜部の上に反射部１４が形成されている。樹脂層１３と反射部１４との間には、光を拡散する拡散部が形成されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】ｎ電極とｐ電極が半導体膜の同一面側に設けられた半導体発光素子において、半導体膜内における横方向および積層方向における電流拡散を促進させ電流密度の均一化を図るとともに蛍光体を用いた光の混色のコントロールを容易にすることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
半導体発光素子は、第一の導電型を有する第一半導体層と、第二の導電型を有する第二半導体層と、第一半導体層と第二半導体層との間に設けられた活性層と、を含む半導体膜と、第一半導体層の内部に埋設され且つ半導体膜の外縁に沿って環状に伸長する埋設部を有する第一電極と、第二半導体層の表面に設けられた第二電極と、第一半導体層内に設けられ且つ第一半導体層の導電率よりも高い導電率を有する電流誘導部と、を含む。活性層は、第一電極の環状パターンの内側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】蛍光体と発光ダイオードチップとの間の距離を均一に維持して発光効率を向上させた発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、基板と、基板の第１表面に配置された発光ダイオードチップと、基板を取り囲む筺体と、筐体上に配置され、発光ダイオードチップと電気的に接続されるリード端子２３５と、発光ダイオードチップ上に配置され、蛍光体２５０を含む第１モールド部２６０と、を備え、リード端子２３５は筺体の外側から表出した階段を有し、筺体の内側壁及び上面には少なくとも１以上の凹溝を有する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップからの放熱を促進し、発光効率を高めることが可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置Ａ１は、複数のＬＥＤチップ５とケース２とを備え、ＬＥＤチップ５のｐ型半導体層に導通するアノード電極および上記ｎ型半導体層に導通するカソード電極がケース２側に形成され、ケース２はセラミックからなる基材３と表面３１に形成された複数のアノードパッドおよびカソードパッドを含む表面層４１、裏面３２に形成されたアノード実装電極４３ａおよびカソード実装電極４３ｂを含む裏面層４３、複数のアノードパッドとアノード実装電極４３ａとを導通させ、かつ基材３の厚さ方向の少なくとも一部を貫通する複数のアノード貫通配線４４、上記複数のカソードパッドとカソード実装電極４３ｂとを導通させ、かつ基材３の厚さ方向の少なくとも一部を貫通する複数のカソード貫通配線４５、を有する配線４と、を有する。 （もっと読む）