【課題】 基板上に配列された複数の発光素子上を封止する蛍光剤含有樹脂体に含有されている蛍光剤の励起が部分的に強くなるのを抑えることによって、色度や明度にムラを生じさせることなく、全体を均一に発光させることのできるＬＥＤ照明装置を提供することである。
【解決手段】 複数の発光素子１３と、この複数の発光素子１３が実装される基板１２と、前記複数の発光素子１３を封止する蛍光剤含有樹脂体１４と、この蛍光剤含有樹脂体１４の内部に設けられ、前記発光素子１３ごとの発光領域１５に仕切る透明な樹脂壁１７とを備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製する工程を含む、半導体発光デバイスをパッケージする方法を提供すること。
【解決手段】半導体発光デバイスをパッケージングする方法は半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製するステップを含む。該基板は中に半導体発光デバイスを搭載するように構成された空洞を含んでもよい。該半導体発光デバイスは該基板上に搭載されて基板の接続部分に電気的に接続される。該基板は該半導体発光デバイス上に、該基板に接着された光素子を形成するために液体注入モールドされる。液体注入モールドのステップに先行して空洞の中の電気的に接続された半導体発光デバイス上に軟樹脂を塗布するステップがある。半導体発光デバイスの基板リボンも提供される。 （もっと読む）

【課題】サイアロン系蛍光体を用いた高効率な発光装置を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光を発する発光素子と、発光素子上に配置された蛍光体層を備え、蛍光体層が下記一般式（１）で表わされる組成を有し、かつ、平均粒径が１２μｍ以上の蛍光体を含む発光装置である。
（Ｍ_１−ｘ１Ｅｕ_ｘ１）_３−ｙＳｉ_１３−ｚＡｌ_３＋ｚＯ_２＋ｕＮ_２１−ｗ （１）
（上記一般式（１）中、ＭはＩＡ族元素、ＩＩＡ族元素、ＩＩＩＡ族元素、Ａｌを除くＩＩＩＢ族元素、希土類元素、およびＩＶＢ族元素から選択される元素である。ｘ１、ｙ、ｚ、ｕ、ｗは、次の関係を満たす。０＜ｘ１＜１、−０．１＜ｙ≦０．３、−３＜ｚ≦１、−３＜ｕ−ｗ≦１.５） （もっと読む）

【課題】 パッケージに外力が加わった際の封止樹脂の剥離等の問題を防止できる信頼性の高い電子部品パッケージ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板に電子部品が接続され、前記基板上に形成された撥液パターンによって電子部品および前記電子部品と前記基板との間の接続部を封止する第１封止樹脂が形状制御され、前記第１封止樹脂の表面および前記第１封止樹脂形成部周辺の前記基板表面に密着する第２封止樹脂によって封止された電子部品パッケージであって、前記、撥液パターンは前記第１封止樹脂と前記基板との間にのみ存在する構造とする。
これによって、第２封止樹脂と基板との間に撥液パターンが存在することがなくなり、第２封止樹脂の基板への密着力が低下することがなくなる。これにより、より信頼性の高い電子部品パッケージとなる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップから放射される光を高い効率で外部に出射することができるＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】本発明のＬＥＤ素子は、基板(10)と、この基板(10)の表面上に配置されたＬＥＤチップ(15)と、前記基板(10)の表面上に、少なくとも前記ＬＥＤチップ(15)の周辺領域を覆うよう形成された樹脂層(20)と、この樹脂層(20)上に積層され、前記ＬＥＤチップ(15)を覆うよう略半球状に形成された透明性樹脂よりなるレンズ層(25)とを具えてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新しい発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る発光素子は、基板と、前記基板の上に配置された発光ダイオードと、前記発光ダイオードを囲むガイドリングと、前記発光ダイオードを覆うように、前記ガイドリング内に形成された第１のモールディング部材と、前記第１のモールディング部材の上の第２のモールディング部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光部のバラツキに容易に対応することができ、且つ経時的な汚れ等の付着の問題がなく、色むらや輝度むらの抑制された発光装置を提供する。
【解決手段】光源３と、光源の上に配置された透光性部材５とを備え、前記光源と反対側の透光性部材の面を光出射面とする発光装置であって、透光性部材は、その内部に、複数のマイクロクラックからなる光散乱部が偏在して設けられている。マイクロクラックは、発光装置の組み立て前後の任意の時に、透光性部材内部にレーザを焦光することにより、形成する。 （もっと読む）

【課題】硬化性、透過率及び加熱クラック耐性に優れ、かつ泡の発生（泡不良）がない硬化物の製造方法、半導体発光デバイスの製造方法、硬化物製造用キット、及び半導体発光デバイス封止物の製造用キットの提供。
【解決手段】シラノール基及びアルコキシシリル基の少なくともいずれかを有するポリオルガノシロキサンと、アルキルシリケートとを少なくとも含むＡ液と、０．２５ｍｏｌ／ｋｇ以上のジルコニウム錯体化合物及びアルミニウム錯体化合物の少なくともいずれかと、溶媒とを少なくとも含むＢ液とを混合することを特徴とする硬化物の製造方法、半導体発光デバイスの製造方法、硬化物製造用キット、及び半導体発光デバイス封止物の製造用キット。 （もっと読む）

【課題】反射構造を形成するための光散乱材含有樹脂と波長変換部材としての蛍光体含有樹脂とを有する発光装置において、光散乱材含有樹脂の充填量の変動に伴う発光効率の低下や色度ばらつきの発生を回避することができる発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
発光装置は、基板と、基板の上面に設けられて基板の上面と交差する方向に突出した素子搭載凸部と、素子搭載凸部の上面に搭載された発光素子と、素子搭載凸部の上面において発光素子を被覆する蛍光体含有樹脂部と、基板の上面および素子搭載凸部の側面を覆う光散乱材含有樹脂部と、を有する。素子搭載凸部は、上面を含む上部が基板に接続される下部に対して張り出しているオーバハング部を有し、蛍光体含有樹脂部と光散乱材含有樹脂部とは、オーバハング部を介して互いに隔てられている。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子の周囲だけに蛍光体層を備えるＬＥＤ装置の製造方法において、機械加工で蛍光体層の形状を精度良くしながら、ウェハーからの取り個数や蛍光体層のバインダを制限せず加工を容易にする。
【解決手段】複数の回路基板が連結した集合基板２１を準備する工程（ａ）と、集合基板２１にＬＥＤ素子２０をフリップチップ実装する工程（ｂ）と、集合基板２１に蛍光体層１１を形成する工程（ｃ）と、蛍光体層１１を研磨する工程（ｄ）と、ＬＥＤ素子２０の側面から所定の距離まで蛍光体層１１を研削除去する工程と、ＬＥＤ装置１０を個片化する個片化工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】他の要素からアクティブ素子を保護し、ＬＥＤ小立方体の光学的出力を増大させ、比較的短い波長（例えば、５２５ｎｍ）のハイフラックスＬＥＤ群とともに用いても光学的な品質が低下しない、カプセル化層を提供する。
【解決手段】発光素子１０は、アクティブ領域１３に印加された電圧に反応して光を発するよう設定されたアクティブ領域１３を含み、第１のカプセル化層１６は、少なくとも部分的にアクティブ領域１３をカプセル化し、基材とナノ粒子群を含み、第１のカプセル化層１６の少なくとも一つの物理的性質を変化させる。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードモジュールのさらなる低コスト化、薄型化を実現する。
【解決手段】発光ダイオードモジュール１０は、ＬＥＤ素子２１と、ＬＥＤ素子２１の駆動回路を構成する配線パターン３ａ、３ｂ、第１凹部１１が形成され、さらにＬＥＤ素子２１が実装される第２凹部１２が第１凹部１１の底面に形成され、配線パターン３ａ、３ｂの一部が第１凹部１１の底面まで延設された回路基板１と、配線パターン３ａ、３ｂの第１凹部１１の底面に延設された部分とＬＥＤ素子２１とを電気的に接続する電線２２と、第２凹部１２に充填され、ＬＥＤ素子２１が発する光を波長変換する蛍光材３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】銀の鍍金に頼らず、電気的接続を損なわず、発光素子の極近傍に高光反射率の部材を配して高寿命化を図り、さらに、効率よく発光素子からの光を励起し、光取り出し効率の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】表面に凹部１１ｃを有する基体絶縁部１１ａ及び一部が基体絶縁部１１ａに埋め込まれ、かつ少なくとも凹部１１ｃ裏面で露出する基体導電部１１ｂからなる基体１１と、半導体発光素子１２と、凹部１１ｃ内に配置された反射部材１３と、反射部材１３上に配置された蛍光体層１４と、半導体発光素子１２を被覆する封止部材１５とを備えており、凹部１１ｃは、その中央に、前記半導体発光素子と同等又はそれより小さい上面を有する凸部１１ｄを有し、凸部１１ｄ上に半導体発光素子１２が載置されており、反射部材１３は、凹部１１ｃ内表面及び凸部１１ｄ側面を被覆する発光装置。 （もっと読む）

【課題】 案内表示板等を構成する面発光体について、ベアチップの基板への実装から面発光体への印刷まで、連続的に一連化させることができる面発光体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 樹脂基板１上の前記配線パターン２０に青色ベアップ３Ｂを接合させ、且つ、前記ベアチップ３Ｂの電極のメッキ層とをボンディングさせた後、以上の工程により製造された樹脂基板１に対し、加熱手段Ｈを用いて加温すると共に、この樹脂基板１に滴下するコーティング材８も加温し、加温されたコーティング材８を注入手段ＰＯを用いて樹脂基板１の幅に対応させて数条に分岐させて滴下する。 （もっと読む）

【課題】非極性面や半極性面を主面とする発光素子の偏光特性や配光特性を改善する。
【解決手段】偏光光を放射する窒化物半導体発光素子４０２と、窒化物半導体発光素子４０２の光取り出し面を覆っており、樹脂と、樹脂内に分散された非蛍光体粒子とを含む光取り出し制御層４０４とを備え、光取り出し制御層４０４は、非蛍光体粒子を０．０１ｖｏｌ％以上１０ｖｏｌ％以下の割合で含み、非蛍光体粒子の直径は、３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】波長600〜680nmの領域において高輝度な蛍光体が得られる。
【解決手段】式(１)：Ca_pSr_qM_m-A_a-B_b-O_t-N_n：Z_r〔Mはマグネシウム、バリウム、ベリリウム及び亜鉛から選ばれ、Aはアルミニウム、ガリウム、インジウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガドリニウム及びルテチウムから選ばれ、Bは珪素、ゲルマニウム、錫、チタン、ジルコニウム及びハフニウムから選ばれ、Zはユーロピウム及びセリウムから選ばれ、0＜p＜1、0＜q＜1、0≦m＜1、0≦t≦0.3、0.00001≦r≦0.1、a＝1、0.8≦b≦1.2、2.7≦n≦3.1〕で表される蛍光体であって、該蛍光体の正規化ストロンチウム溶出含量が１〜20ppmの範囲にある蛍光体。 （もっと読む）

【課題】発光素子と蛍光体を用い、高い演色性を実現する発光装置を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、波長３８０ｎｍ〜４７０ｎｍの光を発する発光素子と、この発光素子上に配置され、樹脂中に分散されたＣＡＳＮ系の第１の赤色蛍光体と、この発光素子上に配置され、樹脂中に分散されたサイアロン系の第２の赤色蛍光体と、この発光素子上に配置され、樹脂中に分散されたサイアロン系の緑色蛍光体と、を備える。 （もっと読む）

【課題】蛍光体間の再吸収を抑制し優れた発光効率を実現する発光装置の提供。
【解決手段】基板１２に実装される発光素子１４と、この発光素子上に形成される径ｒの半円状であり、下式（１）の赤色蛍光体を含有する赤色蛍光体層２０と、（Ｍ_１−ｘ１Ｅｕ_ｘ１）_ａＳｉ_ｂＡｌＯ_ｃＮ_ｄ（１）（式中、ＭはＩＡ族元素、ＩＩＡ族元素、ＩＩＩＡ族元素、Ａｌを除くＩＩＩＢ族元素、希土類元素、およびＩＶＢ族元素から選択される元素である。ｘ１、ａ、ｂ、ｃ、ｄは、０＜ｘ１＜１、０．５５＜a＜０．９５、２．０＜ｂ＜３．９、０＜c＜０．６、４＜ｄ＜５．７）、赤色蛍光体層上に形成され、径ｄの半円状である透明樹脂の中間透明層２２と、この中間透明層上に形成され、半円状で緑色蛍光体を含有する緑色蛍光体層２４とを有し、径ｒと径ｄとの関係が、下式（２）を充足する発光装置１０。２．０ｒ（μｍ）≦ｄ≦（ｒ＋１０００）（μｍ）（２） （もっと読む）

【課題】波長変換素子を有する半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、別々に作成された波長変換素子を用いて準備される。例えば燐光体及びガラスの波長変換素子は、シート状に生成され、これが個々の波長変換素子に分離されて発光装置に結合される。波長変換素子は、それらの波長変換特性に応じて分類して保管することができる。波長変換素子は、一次及び二次光の望ましい混合をもたらすために半導体発光装置と選択的に適合させることができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子チップの色度の調整を容易に行うことを可能とする。
【解決手段】２つ以上の発光素子チップ１２のうち、少なくとも１つの発光素子チップ１２ａを覆う部位とその他の発光素子チップ１２ｂを覆う部位とで、蛍光体層１４の厚み異なるように形成されている。２つ以上の発光素子チップ１２が独立して駆動されて、各発光素子チップ１２からの出射光の強度に差が生じることで、各発光素子チップ１２からの出射光Ｌａ、Ｌｂ自体の色と、出射光Ｌａ、Ｌｂを蛍光体層１４が受けて得られる色との混色の、発光装置の色度に与える影響度合いを変化させ、発光装置１０としての色度を変える。すなわち、発光装置１０は、その色度を、各発光素子チップ１２に流す電流を変化させることにより、電気的に調整するものである。 （もっと読む）