【目的】 ＣｏＷＰ形成に伴う配線間リーク電流の増大或いはショートを抑制する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】 絶縁膜の開口部に形成されたＣｕ膜をエッチングするエッチング工程（Ｓ１２０）と、前記エッチングされたＣｕ膜上に触媒となるＰｄ膜を形成する置換めっき工程（Ｓ１２２）と、前記Ｐｄ膜がめっきされた後、前記絶縁膜表面を研磨する研磨工程（Ｓ１２４）と、前記Ｐｄ膜を触媒として、前記Ｃｕ膜上にＣｕの拡散を防止するＣｏＷＰ膜を形成する無電解めっき工程（Ｓ１２８）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、ビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミド酸またはトリス（ペルフルオロアルカンスルホニル）メチド酸組成物を使用して、銅配線を研磨および／または浄化する方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、透明基板（１）上の導電性層（２）を化学エッチングする装置に関し、該装置は、該基板（１）を支持する支持手段（４）と溶液（５）を吹き付ける手段とを備えている。本発明の特徴は、上記吹き付け手段（５）が上記基板上方に配置された複数のノズル（５０）から成り、該ノズルは、エッチング対象である上記層上に少なくとも２種類の溶液（７、８）を、別々に、または相互に、またはノズル部での混合液として、同時に吹き付けことである。
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【課題】 プラズマプロセスによるチャージアップに起因するスルーホール不良の発生を防止することができる多層配線構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 多層配線構造を有する半導体装置を製造する方法であって、半導体基板を準備するステップと、半導体基板の上方に第１配線層をプラズマを用いる方法で形成するステップと、第１配線層を含む全面に第１導電層を成膜して全ての第１配線層を電気的に短絡するステップと、プラズマを用いない方法で第１導電層を除去するステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

本発明の電解研磨電解質は酸溶液および少なくとも１個のヒドロキシル基を有するアルコール添加剤を含有し、その際アルコール添加剤の接触角が電解研磨下の金属層上の酸溶液にお接触角より小さい。アルコール添加剤はメタノール、エタノールおよびグリセリンから選択され、酸溶液が燐酸を含有する。グリセリンと燐酸の体積比は１：５０〜１：２００であり、有利に１：１００である。メタノールと燐酸の体積比は１：１００〜１：１５０であり、エタノールと燐酸の体積比は１：１００〜１：１５０である。酸溶液は更に酢酸およびクエン酸からなる群から選択される有機酸を含有する。酢酸の濃度は１００００〜１２０００ｐｐｍであり、クエン酸の濃度は５００〜１０００ｐｐｍである。
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【課題】電子部品の基板などの上に積層された酸化インジウム系透明導電膜をエッチングする際に、他の膜との選択比（ＩＺＯ膜またはＩＴＯ膜以外の他の膜質に対する影響を示す指標で、［ＩＺＯ膜またはＩＴＯ膜のエッチング量］：［その他の膜質のエッチング量］の比率）及びエッチング工程の再現性を向上させ、煙霧（fume）の発生が無く、温度に対する液の安定性の高いエッチング液組成物を提供する。また、ＩＺＯ膜及びＩＴＯ膜のエッチング方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウム系透明導電膜のエッチング液組成物は、主酸化剤として硫酸、補助酸化剤としてＨ_３ＰＯ_４、ＨＮＯ_３、ＣＨ_３ＣＯＯＨ、ＨＣｌＯ_４、Ｈ_２Ｏ_２、及びペルオキシ一硫酸カリウム、重硫酸カリウム及び硫酸カリウムを含む塩より選択された化合物、エッチング抑制剤としてＮＨ_４^＋を含有する化合物、及び水を含む。 （もっと読む）

【課題】 銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝又はコンタクト孔に配線金属を堆積して前記配線溝又はコンタクト孔に充填する工程と、前記配線金属を研磨して前記絶縁膜を露出する工程と、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記配線溝又はコンタクト孔に埋め込まれた前記配線金属表面をリセスエッチングする工程を有している。前記研磨工程、前記洗浄工程及び前記リセスエッチング工程の少なくとも２工程で用いる薬液の主たる成分が同一である。 （もっと読む）

【課題】 エッチング溶液及びこれを利用した磁気記憶素子の形成方法を提供する。
【解決手段】 エッチング溶液は純水及び有機酸を含む。有機酸はカルボキシル基と水酸基とを有する。有機酸は前記純水に対して０．０５質量％乃至５０質量％含まれる。 （もっと読む）

【目的】 層間絶縁膜が剥離または破壊される事態が起こりにくい半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】 基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、前記絶縁膜上に導電性材料を堆積させる堆積工程（Ｓ１１４〜Ｓ１１８）と、堆積した前記導電性材料を所定の深さまでウェットエッチングするウェットエッチング工程（Ｓ１２０）と、ウェットエッチングされた前記導電性材料を研磨する研磨工程（Ｓ１２２）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は層構造（２）からなる階段状プロファイルを形成する方法に関する。第二の構造形成ステップの間に、第一の残りの層構造部分（２１１）の下側に位置している、第二の層構造部分（２２）の領域を、取り除き、第一の残りの層構造部分（２１１）の第一の突出部（Ａ）を形成し、第三の構造形成ステップの間に、第一の残りの層構造部分（２１１）の第一の突出部（Ａ）を取り除く。
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【課題】 加工特性に悪影響を与えることなく、常に再現性の良い加工を行うことができるようにする。
【解決手段】 被加工物Ｗに近接自在な加工電極７０と、被加工物に給電する給電電極７２と、被加工物と加工電極及び／または給電電極との間に配置され被加工物と接触自在な接触部材７４と、加工電極と給電電極との間に電圧を印加する電源４６と、被加工物と加工電極及び／または給電電極とを相対運動させる駆動部５６，６０と、被加工物と加工電極及び／または給電電極との間に流体を供給する流体供給部７６と、接触部材と被加工物との接触状態を検出する検出器８４と、検出器からの信号を基に接触部材と被加工物との接触量を制御する制御部８６を有する。 （もっと読む）

本発明は、金属ワークピースを研磨および／または平坦化するための膜式電解研磨用装置を提供するものである。ワークピースを低導電率流体で濡らす。濡れたワークピースを電荷選択性イオン伝導膜の第１の側面と接触させ、第２の側面は電極と接触した導電性電解質溶液に接する。電極とワークピースとの間の電流の流れによって、ワークピースから金属を電解研磨する。また、本発明は、十分またはある程度は周囲を囲まれた容積部分と、周囲を囲まれた容積部分をある程度または原則的に満たす導電性電解質と、電解質と接した電極と、前記膜の内側の面が電解質溶液またはゲルと接触し、外側の面がワークピースと接触させるのに利用可能なように、周囲を囲まれた容積部分、キャビティまたは容器の一表面と密着する電荷選択性イオン伝導膜と、を含む膜式電解研磨に利用できるよう構成された半電池を提供するものである。
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【課題】基板表面から導電性材料を除去するための研磨組成物及びその方法を提供する。
【解決手段】一態様において、硫酸又はその誘導体と、リン酸又はその誘導体と、有機塩を含む第１キレート剤と、ｐＨを約２〜約１０にするためのｐＨ調整剤と、溶媒とを含む、基板表面から少なくとも導電材料を除去するための組成物が提供される。組成物はさらに第２キレート剤を含んでいてもよい。この組成物は一段階又は二段階方式の電気化学的機械的平坦化処理において使用することができる。記載の研磨組成物及び方法は、平坦化に伴う欠陥の発生を減しつつ、基板表面からのタングステン等の材料の有効除去速度を改善する。

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【課題】動的な液体メニスカスを用いたストレスフリーのエッチング処理
【解決手段】パターン形成された半導体基板上の不均一性を平坦化および制御するためのシステムおよび方法は、パターン形成された半導体基板を受け取る工程を備える。パターン形成された半導体基板はパターン内の複数の特徴を導電性配線材料で満たされ、導電性配線材料は過剰部分を有する。過剰部分のバルクは除去され、過剰部分の残りの部分は不均一性を有する。不均一性はマッピングされ、不均一性を補正するために、最適の液体が決定され、動的液体メニスカスエッチング処理レシピが作成される。そして、不均一性を補正して、過剰部分の残りの部分をほぼ平坦化するために、動的液体メニスカスエッチング処理レシピを使用した動的液体メニスカスエッチング処理が実施される。 （もっと読む）

本発明は、被加工物の不良品化を招くと考えられるピットの発生を効果的に防止することができるようにした電解加工装置及び電解加工方法を提供する。この電解加工装置は、被加工物を加工する加工電極（２１０）と、被加工物に給電する給電電極（２１２）と、加工電極（２１０）と給電電極（２１２）との間に電圧を印加する電源（２３２）と、加工電極（２１０）及び給電電極（２１２）を内部に収納した耐圧容器（２００）と、耐圧容器（２１０）内に高圧液体を供給する高圧液体供給系（２０４）を有する。
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