【課題】銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝又はコンタクト孔に配線金属を堆積して前記配線溝又はコンタクト孔に充填する工程と、前記配線金属を研磨して前記絶縁膜を露出する工程と、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記配線溝又はコンタクト孔に埋め込まれた前記配線金属表面をリセスエッチングする工程を有している。前記研磨工程、前記洗浄工程及び前記リセスエッチング工程の少なくとも２工程で用いる薬液の主たる成分が同一である。 （もっと読む）

【課題】低抵抗値のアルミニウム系導電性薄膜、あるいは該アルミニウム系導電性薄膜やモリブデン系導電性薄膜を備えた積層導電性薄膜を、効率よくエッチングして、良好な順テーパ形状の側面が形成されるようにする。
【解決手段】アルミニウム系導電性薄膜１２と、モリブデン系導電性薄膜１１，１３を備えた積層導電性薄膜１５を、(ａ)リン酸と、(ｂ)硝酸塩と、(ｃ)有機酸と、(ｄ)水とを含有するエッチング液、またはさらに硝酸を含有するエッチング液と接触させる。
硝酸塩としては、硝酸のアンモニウム塩、アミン塩、第４級アンモニウム塩、アルカリ金属塩などを用いる。
また、有機酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、トリメリット酸、ヒドロキシ酢酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸などを用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板上にチタン膜/銅膜またはチタン合金膜/銅膜が形成された２重積層膜や、チタン膜／銅膜／チタン膜またはチタン合金膜／銅膜／チタン合金膜が形成された３重積層膜などの多重積層膜をパターニングする際、エッチング処理される基板の枚数増加に伴うエッチング性能の低下を最少にして、積層膜のパターンプロファイルが均一で、収率を増大させ、製造費用が節減できるエッチング液、及びそのエッチング液を用いた薄膜トランジスタを含む電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、エッチング液及び薄膜トランジスタを含む電子素子の製造方法に関し、前記エッチング液は、フッ素イオン供給源、過酸化水素、硫酸塩、リン酸塩、アゾール系化合物、及び溶媒を含む。 （もっと読む）

【課題】 装置を汚染せず低コストで、強アルカリを使用することなくルテニウムをエッチングできるエッチング用組成物、及びそれを用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ等の基板上のルテニウムや、半導体製造装置に付着したルテニウムを、塩素及び水を含むルテニウムのエッチング用組成物でエッチングする。 （もっと読む）

【課題】スラリーを使用する化学機械的研磨工程に、過硫酸塩を含む溶液を供給する方法であって、過硫酸塩の有効成分量を迅速に計測管理する薬液供給方法及び装置を提供する。
【解決手段】粉末または固形物の過硫酸塩を溶媒に溶解して所望濃度の過硫酸溶液として、スラリーを使用する化学機械的研磨工程に供給する薬液供給装置であって、溶解後に導電率を測定することによって過硫酸塩の成分分濃度を求め、その後ｐＨの変化を計測することによって過硫酸塩の分解率を捉えることにより、分解後の有効過硫酸塩成分の濃度を計算して、酸化力の低下を管理する薬液供給方法及び装置を構成したことにある。 （もっと読む）

【課題】積層膜をウェットエッチングする場合のサイドエッチング量を制御し、膜端を均一化する。
【解決手段】提供される積層膜のエッチング方法は、基板３１上に順次成膜された、互いに膜質の異なるＡｌ膜（Ａｌ合金膜）３２とＭｏ膜（Ｍｏ合金膜）３３とを少なくとも含む積層膜を、複数種類のウェットエッチング手法を組み合わせて、一括エッチングするウェットエッチング方法であって、複数種類のウェットエッチング手法には、Ａｌ膜（Ａｌ合金膜）３２のサイドエッチングをＭｏ膜（Ｍｏ合金膜）３３のサイドエッチングよりも促進させるスプレーエッチングと、Ｍｏ膜（Ｍｏ合金膜）３３のサイドエッチングをＡｌ膜（Ａｌ合金膜）３２のサイドエッチングよりも促進させるパドルエッチングとが、少なくとも含まれている。 （もっと読む）

【課題】 エッチング処理した後のルテニウムのエッチング用組成物を除害処理し、安全に廃棄できる方法を提供する。
【解決手段】 エッチング処理後のルテニウムのエッチング用組成物を活性炭に接触させる。エッチング用組成物としては、塩素及び水を含有するものが望ましい。 （もっと読む）

【課題】液の分解や基板の腐食が無く、低コストであって、かつタングステン系金属のエッチングレートの大きいエッチング液およびエッチングによるタングステン系金属の除去方法を提供する。
【解決手段】硝酸と、クエン酸等の多価カルボン酸及びその塩からなる群より選ばれる少なくとも１種のカルボン酸類を含有する水溶液からなるエッチング液にタングステン系金属を浸漬等することのより、タングステン系金属を溶解除去する。タングステン系金属としてはタングステン金属、チタンタングステン合金、タングステンシリサイド、窒化タングステン、モリブデンタングステンなどである。 （もっと読む）

【課題】インジウム、錫、亜鉛の量を適正化することにより、リン酸系エッチング液に不溶であり、かつ、蓚酸系エッチング液に可溶な非晶質酸化物半導体薄膜や、その製造方法などの提供を目的とする。
【解決手段】画像表示装置１は、ガラス基板１０、光制御素子としての液晶４０、この液晶４０を駆動するためのボトムゲート型薄膜トランジスタ１、画素電極３０及び対向電極５０を備えており、ボトムゲート型薄膜トランジスタ１の非晶質酸化物半導体薄膜２は、キャリア密度が１０^＋１８ｃｍ^−３未満であり、さらに、リン酸系エッチング液に対して不溶であり、かつ、蓚酸系エッチング液に対して可溶である。 （もっと読む）

【課題】積層構造の金属膜を湿式エッチングする際に、テーパ角度が極端な低角度とならないようにして、断線が生じ難いパターンが得られるエッチング液組成物及びこのエッチング液組成物を使用した基板上に所定のパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金膜の表面にモリブデン膜が積層された積層構造の金属膜をエッチングして所定のパターンを形成するためのエッチング液組成物であって、リン酸濃度４０〜７０質量％、硝酸濃度０．５〜１０質量％、酢酸濃度５０〜１５質量％、残部が水からなる。
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【課題】薬液の消費量を最小限に抑えつつ基板の表面周縁部および裏面から不要物を良好にエッチング除去することができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】スピンベース１５から所定距離だけ上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持する。基板Ｗの上方に対向部材５が対向位置に配置された状態で、複数のガス吐出口５０２およびガス供給路５７から基板表面Ｗｆと対向部材５の下面５０１との間の空間ＳＰに窒素ガスが供給され、基板Ｗが支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に押圧される。第１ノズル３を供給位置Ｐ３１に位置決めして第１ノズル３から塩酸を回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに供給するとともに、第２ノズル４を供給位置Ｐ４１に位置決めして第２ノズル４から硝酸を基板Ｗの表面周縁部ＴＲに供給することにより、基板表面Ｗｆで塩酸と硝酸が反応してエッチング液が生成される。 （もっと読む）

【課題】 高い安定性と工程マージンを保障し、銅を含む金属層を均等にテーパエッチングすることができる優れたエッチング液を提供する。
【解決手段】 本発明は液晶表示装置の回路パターンに使用される銅配線をエッチングするエッチング液組成物に関するものである。本発明のエッチング液組成物は過硫酸アンモニウムとアゾール系化合物を含む。本発明のエッチング液組成物は過酸化水素を含有しないので安定性と工程上マージンを確保することができ、優れたテーパエッチングプロファイルを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】貴金属を含む合金を用いて金属シリサイドを形成する工程において、新たな製造設備の導入や運用コストの増加をもたらすことなく、貴金属の残渣を生じることなく、未反応のまま残存している合金を除去しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンが部分的に露出した領域を含む半導体基板上に、Ｎｉ等の金属と貴金属との合金よりなる金属合金膜を形成する工程と、熱処理により、前記露出した領域のシリコンと金属合金膜とを選択的に反応させ、Ｎｉ等の金属及び貴金属を含む金属シリサイド膜を前記露出した領域上に形成する工程と、未反応のまま残存している金属合金膜を、Ｎｉ等の金属よりもイオン化傾向の高い遷移金属を溶解した、過酸化水素を含有する溶液を用いて除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】特に半導体製造プロセスにおける基板表面に形成された銅等の導電性物質の研磨において、低い印加電圧で導電性物質に対するより高い加工速度を確保しつつ、高い平坦化特性を有する加工面を得ること、ディッシングやエロージョン、バリア膜と金属（導電性物質）の界面でのエッチングを生じさせることなく、不要な導電性物質を除去してバリア膜を露出させることができるようにする。
【解決手段】被研磨物表面の導電性物質を研磨する電解研磨に用いる電解液であって、有機酸またはその塩の１種類以上と、スルホン酸基を有する強酸の１種類以上と、腐食抑制剤と、水溶性高分子化合物を含む水溶液であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パワートランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】素子を形成した半導体ウェハ１の主面に、素子と電気的に接続するように堆積した第１導体膜１４および第２導体膜１５に所望のパターンを形成する工程であり、まず、半導体ウェハ１を第１の回転速度で回転させた状態で、半導体ウェハ１の主面に対して薬液１７を供給することにより、第２導体膜１５に対してウェットエッチング処理を施す（工程１００）。エッチング終了後、薬液１７が半導体ウェハ１の主面に残るように、回転速度を第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度に変更し、その状態で半導体ウェハに純水１９を撒水することにより、純水１９が半導体ウェハ１の主面に残されるようにした状態で薬液１７を洗浄する（工程１０１）。続いて、第１導体膜１４に対してドライエッチングを施す（工程１０２）。 （もっと読む）

【課題】電気的に絶縁された状態で導電膜を残留させることなく除去して、導電膜の下層のバリア膜を露出させることができるようにする。
【解決手段】電源の一方の極に接続された第１の電極と電源の他方の電極に接続されて研磨対象物の導電膜に給電する第２の電極との間に電圧を印加し、第１の電極と研磨対象物の導電膜との間に電解液を満たし、該導電膜を研磨パッドの研磨面に押付けながら擦り付けて研磨するに際し、導電膜の下層のバリア膜３０５が基板Ｗの中心部から外周部の順に露出するように導電膜（銅膜３０７（及びシード膜３０６））を研磨する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系薄膜のエッチングレートを調整してパターニング特性を向上させることができる酸化亜鉛系薄膜用エッチャント及び酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とする酸化亜鉛系薄膜をエッチングしてパターニングするための酸化亜鉛系薄膜用エッチャントであって、プロピオン酸、コハク酸及びクエン酸からなる群から選択される少なくとも一種の有機酸を有効成分とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＭＯＳＦＥＴとｎ型ＭＯＳＦＥＴとの間で異なる所望のしきい値を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上にＨｆ、 Ｚｒの少なくとも１つと、Ｓｉ、Ｏ、Ｎを含むゲート絶縁膜を形成し、第１、第２のゲート電極層を形成し、第１のゲート電極層上および第２のゲート電極層上に、第１の金属含有層を形成し、第２の金属含有層を形成し、保護膜を形成し、保護膜を選択的に除去し、残存する保護膜をマスクとして、第１の金属含有層および第２の金属含有層を選択的に除去し、第１の金属含有層および第２の金属含有層が選択的に除去された第２のゲート電極層上に、第３の金属含有層を成膜し、加熱処理により、第１のゲート電極層を合金化するとともに、第２のゲート電極層を合金化し、異なる組成のゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属線または間隔のクリティカルディメンションを実質上変化させることなく、所望量の金属を除去するエッチング工程が必要とされている。
【解決手段】エッチングレジストとエッチング後の金属残渣を単一工程で除去する、光学ディスプレーデバイスの製造方法が提供される。これらの方法はＬＣＤの製造に特に有用である。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では困難だった１５ｃｍ角程度あるいはそれ以上の大面積基板を対象にしても、シリコン基板に均一な凹凸を再現性良く、低コストで形成すること。
【解決手段】有機金属溶液あるいは有機金属の分散液を基板にインクジェット法でドット状に塗布する工程と、上記基板を乾燥する工程と、上記基板の表面にプラズマを照射する工程と、上記基板をエッチング処理する工程とを備えたシリコン基板の粗面化方法である。 （もっと読む）