【課題】銀（Ａｇ）配線用エッチング液を提供すること。また、エッチング液を利用する銀（Ａｇ）配線形成方法を提供すること。さらに、エッチング液を利用する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明により、エッチング液、これを用いた配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。エッチング液は下記化学式１で表示される物質、酢酸アンモニウム及び超純水を含む。
（化学式１）
Ｍ（ＯＨ）_ＸＬ_Ｙ
（ただし、前記式でＭはＺｎ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｂａ、Ｆｅ、Ｔｉ、ＳｉまたはＢであり、Ｘは２または３であり、ＬはＨ_２Ｏ、ＮＨ_３、ＣＮ、ＣＯＲ、ＮＨ_２Ｒであり、Ｙは０、１、２または３であり、Ｒはアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】 アルミニウム又はアルミニウム合金にダメージを与えることなく、金属チタンを選択的にエッチングできるエッチング用組成物を提供する。
【解決手段】 炭酸及び／又は炭酸塩、並びに過酸化水素及び水を含んでなる金属チタンエッチング用組成物を用いる。炭酸塩は炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、カルバミン酸アンモニウムから成る群よりより選ばれる少なくとも一種を用いることが好ましい。炭酸及び／又は炭酸塩の含量が０．０１〜４０重量％、過酸化水素の含量が１０ｐｐｍ〜３５重量％、水の含量が２５〜９９．９重量％が好ましい。 （もっと読む）

【課題】電気研磨および／または電気めっきプロセスにおいて、ウェーハを移動させるロボットアセンブリにおいて、エンドエフェクタ真空カップ内の粒子を取除き、真空通路に酸などが入るのを防止する装置および方法を提供する。
【解決手段】エンドエフェクタ３０６は、真空弁３２２を介して真空源と、窒素弁３２０を介して加圧窒素源と連結されている。真空弁３２２がオンされると、ウェーハをエンドエフェクタ３０６に押し付けて保持するように、真空カップ３０２内の圧力を低下させる。真空弁３２２がオフされ、かつ、窒素弁３２０がオンされると、エンドエフェクタ３０６は、真空カップ３０２内の圧力が増大されウェーハを開放する。ウェーハが保持されていない時、または移動されていない時は窒素弁３２０をオン状態のままにして、真空カップ３０２内において周囲環境圧力に近いか、またはこの周囲環境圧力よりも高い圧力を維持する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ 残膜に対し化学溶液（加工液）中でレーザー照射することにより、銅を除去加工し、非接触で平坦化加工を行うことを目的としている。
【解決手段】 本発明は、金属材料を化学溶液中に置き、この金属表面に化学溶液中で不動態膜を形成し、そこにレーザー光を選択的に照射することにより、不動態膜をレーザーアブレーションにより除去し、不動態膜が除去された部分のみ化学溶液によるエッチング作用で材料除去を行う。これによって、半導体ウェーハ上に形成された銅膜を選択的に除去加工することができる。半導体ウェーハを加工液中に浸け、銅を除去すべき箇所に、集束レーザー光を選択的に照射し、銅膜を選択的に除去加工する。 （もっと読む）

【課題】湿式エッチングで異方性エッチングと同様のアスペクト比を有するようにする。
【解決手段】加工物をエッチングする方法が記載される。１つの実施形態において、加工物は、希酸と非イオン性界面活性剤を含む組成物を有するエッチャント溶液内に配置される。エッチャント溶液内に電界が生成され、加工物の表面に異方性エッチング・パターンを形成させる。 （もっと読む）

金属用研磨液は、酸化剤、酸化金属溶解剤、金属防食剤及び水を含有し、前記金属防食剤がアミノ−トリアゾール骨格を有する化合物及びイミダゾール骨格を有する化合物の少なくとも一方である。前記研磨液を用いることにより、半導体デバイスの配線形成工程において、エッチング速度を低く保ちつつ、研磨速度を充分上昇させ、金属表面の腐食とディッシングの発生を抑制し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターン形成を可能とする。 （もっと読む）

【解決すべき課題】 酢酸を含有せず、刺激臭がなく、性能変化の少ない、半導体装置ならびにフラットパネルディスプレイ装置等の電子装置の製造工程において使用可能な各種金属薄膜および金属酸化物薄膜のエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】 りん酸、硝酸、メトキシ酢酸および水を含有するエッチング液組成物。 （もっと読む）

【課題】プラズマ酸化および酸化材料の除去
【解決手段】導電層をエッチングする方法は、導電層の少なくとも一部を転換し、導電層の転換部分を実質的に除去し、残存表面を露出させるために、導電層をエッチングすることを含む。残存表面は、約１０ｎｍ未満の平均表面粗さを有する。導電層をエッチングするための方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】電極同士の間隔を狭めてもバンプ・ピッチを超微細に維持し続ける。
【解決手段】本発明に係るバンプの形成方法は、保護膜５の開口部から露出した電極４上にピラーバンプ１０を形成する技術であって、前記開口部より狭い第２の開口部１９を有するレジスト１５のパターンを形成するパターン形成工程（図２（ａ）〜図２（ｃ）参照）と、前記パターン形成工程後に、第２の開口部１９に対し、ピラーバンプ１０を構成する金属でめっき処理を施してピラーバンプ１０を形成するめっき工程（図２（ｄ）参照）とを、備えている。 （もっと読む）

【解決課題】配線が良好なプロファイルが得られるエッチング液組成物及び、これを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、６０乃至７５重量％のリン酸、０．５乃至１５重量％の硝酸、２乃至１５重量％の酢酸及び０．１乃至１５重量％の硝酸アルミニウムを含有するエッチング液組成物及び前記エッチング液組成物を利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜とからなる多層膜のエッチング処理において、基板表面のエッチング液の流動性が異なっても均一に良好な順テーパー形状を与えることのできる優れたエッチング液を提供することを課題とする。
【解決手段】 リン酸、硝酸（好ましくは濃度１〜１０質量％）及び硫酸（好ましくは濃度１〜２０質量％）を含有する水溶液（好ましくは水分量２０質量％以下）からなるエッチング液組成物を調製し、Ｍｏを主成分とする第１の導電性薄膜とＡｌを主成分とする第２の導電性薄膜からなる２層膜、または、Ｍｏを主成分とする第１の導電性薄膜とＡｌを主成分とする第２の導電性薄膜とＭｏを主成分とする第３の導電性薄膜からなる３層膜のエッチングに用いる。
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【課題】 タングステン膜及びシリコン酸化膜の積層膜に対して、エッチレートを制御して微細加工処理をすることが可能な微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、タングステン膜及びシリコン酸化膜を含む積層膜の微細加工に用いる微細加工処理剤であって、フッ化水素と、硝酸と、フッ化アンモニウム及び塩化アンモニウムの少なくとも何れか一方とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板上の電子部材や各種積層膜等を腐食させることなく、タングステン膜に対するエッチレートを安定化させ、かつ選択的にエッチングできる微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、タングステン膜及びシリコン酸化膜が積層された基板を微細加工する微細加工処理剤であって、（１）フッ化水素と、（２）硝酸と、（３）ケトン、エーテル、エポキシド、アルデヒド、アミド、アミン、ニトリル、スルホキシド、ヘテロ環化合物、有機酸、フェノール、チオール、及びスルフィドからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物とを含み、前記タングステン膜に対する２５℃でのエッチレートが５〜５０００ｎｍ／分の範囲内であり、且つ、前記タングステン膜に対する２５℃でのエッチレートが、前記シリコン酸化膜に対する２５℃でのエッチレートの２倍以上であることを特徴とする。

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【課題】好適な形状の配線を有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】素子と接続される第１の導電層と、その上の第２の導電層とを形成し、第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、マスクを用いたドライエッチングによって第２の導電層を加工し、マスクを残したままウエットエッチングによって第１の導電層を加工する配線の作製方法であって、ドライエッチングにおいて、第２の導電層のエッチングレートは第１の導電層のエッチングレートより大きく、ウエットエッチングにおいて、第２の導電層のエッチングレートは第１の導電層のエッチングレート以上とする。 （もっと読む）

【課題】 タングステン膜及びシリコン酸化膜の積層膜に対して、エッチレートを制御して微細加工処理をすることが可能な微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、フッ化水素及び硝酸を含み、基板上に積層されたタングステン膜及びシリコン酸化膜を微細加工する微細加工処理剤であって、前記タングステン膜に対する２５℃でのエッチレートが０．５〜５０００ｎｍ／分の範囲内であり、且つ、前記シリコン酸化膜に対する２５℃でのエッチレートが、前記タングステン膜に対する２５℃でのエッチレートの０．５〜２倍の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

平坦化方法は、配線材料としての金属膜の表面に初期段差が形成されていても、金属膜の表面を全面に亘って、しかも十分な加工速度で平坦に研磨できる。この平坦化方法は、被加工物上に形成した初期段差を有する金属膜表面を加工して平坦化するにあたり、金属膜表面の初期段差を形成する凹部のみを固体またはペースト状の被覆材料で被覆し、研磨剤を用いない電解加工によって金属膜表面を加工する。
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本発明は、エッチャントすなわちエッチング溶液及び該エッチング溶液用添加剤、これらの処理方法、これらを用いた基板のパターニング方法、本発明に従って処理されたパターニング基板、並びに当該パターニング基板を有する電子素子に関する。基板に係る少なくとも1層の表面コーティングを、エッチングによってパターニングする、本発明に従ったエッチング溶液は、硝酸、亜硝酸塩、化学式C(H)_n(Hal)_m[C(H)_o(Hal)_p]_qCO₂Hで表されるハロゲン化された有機酸、及びバランス水を有する。ここで、Halは臭化物、塩化物、フッ化物又はヨウ化物を表す。nは0,1,2又は3で、mは0,1,2又は3である。ただしm+n=3である。oは0又は1で、pは1又は2である。ただしo+p=2である。qは0又は1であるが、ただしq+m=1,2,3又は4である。
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【課題】半導体量産プロセスにおいて、遷移金属によるウエハの汚染を防止する。
【解決手段】本発明の半導体集積回路装置の量産方法は、ウエハプロセスを流れる第１の工程群に属する各ウエハに対して、ルテニウム含有膜の堆積処理を行う工程と、前記ルテニウム含有膜が堆積された前記各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面の前記ルテニウム含有膜を除去する工程と、前記ルテニウム含有膜が除去された前記各ウエハに対して、前記ウエハプロセスを流れる大量のウエハのうち、前記第１の工程群と比較して、下層工程群に属するウエハ群と共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処理工程を実行する工程とを有している。 （もっと読む）

少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素および少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液について本明細書で説明する。除去化学薬品溶液は、フッ化水素ガスと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物も含む。少なくとも１つの気体状低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法を本明細書で説明する。少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に混合するステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法も説明する。除去化学薬品溶液を生成する追加の方法は、少なくとも１つの気体状無水フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するために少なくとも１つの無水フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。また本明細書で説明するように、除去化学薬品溶液を生成する方法は、フッ化水素ガスを提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するためにフッ化水素ガスを少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】製造工程及び費用を最少化しながらも優れたプロファイルを得ることができる導電体用エッチング液及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】 導電体を６５乃至７５重量％のリン酸、０．５乃至１５重量％の硝酸、２乃至１５重量％の酢酸、０．１乃至８．０重量％のカリウム化合物及び残量の水を含むエッチング液組成物を利用して写真エッチングする段階を含む。 （もっと読む）