【課題】選択的にエッチングできるエッチング液を用いて、半透過半反射型電極基板の製造工程を簡略化し、煩雑な繰り返し作業を回避することによって時間的なロスを発生しない工程とし、半透過半反射型電極基板を効率的に提供することである。
【解決手段】少なくとも酸化インジウムからなる金属酸化物層１２と、少なくともＡｌまたはＡｇからなる無機化合物層１４と、をこの順で積層した半透過半反射型電極基板を製造する方法であって、前記無機化合物層１４を燐酸、硝酸、酢酸からなるエッチング液λでエッチングする工程と、前記金属酸化物層１２を蓚酸を含むエッチング液σでエッチングする工程によって半透過半反射型電極基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】 銀又は銀合金をエッチングする際に銀残渣を発生させず、しかもエッチング液を繰り返して使用してもエッチング速度が変化しないエッチング液及びそれを用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】 銀又は銀合金のエッチングにおいて、組成物全体に対し、銅イオンを０．０１〜１０重量％、硝酸を０．０１〜１０重量％、燐酸を１０〜６９重量％、カルボン酸を３０〜５０重量％含有し、残部は水である銀又は銀合金エッチング用組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】 研磨工程由来の有機残渣除去性能及び金属残渣除去性能が高く、かつ銅配線の腐食抑制性能に優れた銅配線半導体用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 特定の環状アミン（Ａ）、水酸基を２〜５個含むポリフェノール系還元剤（Ｂ）、４級アンモニウム化合物（Ｃ）、アスコルビン酸および水を必須成分とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】
金とニッケルとが共存する材料の１液でのエッチングを可能にし、さらに金およびニッケルのエッチングレートを制御できるエッチング方法およびエッチング液を提供する。
【解決手段】
ヨウ素系エッチング液において、無機酸または常温で固体の有機酸、および／または有機溶剤を加えて、各成分の配合比を調節したエッチング液とし、金および／またはニッケルをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】銅配線を形成する際に、銅配線層と、Ｍｏ、Ｍｏ合金、酸化銅または酸化銅合金からなる密着層やキャップメタルとを一括エッチングし、サイドエッチおよびアンダーカットの発生なく良好なテーパー形状にエッチングすることのできるエッチング用組成物を提供する。
【解決の手段】（Ａ）アンモニア、アミノ基をもつ化合物および窒素原子を含む環状構造をもつ化合物からなる群から選択された少なくとも１種と、（Ｂ）過酸化水素を、（Ｃ）水性媒体中に含有し、ｐＨが８.５を超える、銅または銅合金からなる配線層とＭｏ、Ｍｏ合金、酸化銅または酸化銅合金からなる金属層との一括エッチング用組成物。 （もっと読む）

本発明は、
Ａ）約０．０２５重量％〜約０．８重量％の活性酸素を提供する高濃度モノ過硫酸カリウム；
Ｂ）組成物の約０．０１重量％〜約３０重量％のＢ１）有機酸、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩、もしくは有機酸のホモポリマー、またはＢ２）ホスホニウム、テトラゾリウム、もしくはベンゾリウムのハロゲンもしくは硝酸塩、またはＢ３）成分Ｂ１）とＢ２）との混合物；および
Ｃ）組成物の約０重量％〜約９７．４９重量％の水
を含んでなるエッチャント組成物；ならびに前記組成物を使用する基材のエッチング方法を提供する。
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【課題】王水等の薬液によるシリサイド膜表面における腐食発生を抑制し、良好なＰｔ含有シリサイド膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含む半導体層を有する基板上または基板上に形成されたシリコンを含む導電膜上に、貴金属を含む金属膜を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）の後、基板に対して熱処理を行って前記貴金属とシリコンとを反応させ、基板上または導電膜上に前記貴金属を含むシリサイド膜を形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、第１の薬液を用いて、シリサイド膜のうち未反応の貴金属１１の下に位置する部分上に酸化膜１２を形成する工程（ｃ）と、第２の薬液を用いて未反応の貴金属を溶解する工程（ｄ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】燐酸を主成分とすることなくモリブデン層とアルミニウム層とを一括的にエッチングすることができるエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法は、モリブデン又はモリブデンを主成分とする合金からなるモリブデン層（２ｂ，３ａ，３ｃ，４ａ，４ｃ）と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなるアルミニウム層（２ａ，３ｂ，４ｂ）と、を含む金属積層膜を一括でエッチングするためのエッチング液であって、ｐＨが４以上１２以下であり、アルミニウムと錯体を形成できる化合物と酸化物とを含有するエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 電界効果トランジスタのためのゲート・スタックを形成する方法を提供すること。
【解決手段】 方法は、第１及び第２の型の電界効果トランジスタに対して指定された半導体基板の領域を覆う第１の窒化チタン（ＴｉＮ）層の上に直接、金属含有層を形成することと、金属含有層の上に第２のＴｉＮ層のキャッピング層を形成することと、第１の型の電界効果トランジスタに対して指定された領域を覆う第１のＴｉＮ層の第１の部分のみを覆うように、第２のＴｉＮ層及び金属含有層をパターン形成してすることと、第１のＴｉＮ層の第１の部分をパターン形成された金属含有層の厚さの少なくとも一部で覆うことによりエッチングから保護する一方で、パターン形成によって露出された第１のＴｉＮ層の第２の部分をエッチング除去することと、第２の型の電界効果トランジスタに対して指定された半導体基板の領域を覆う第３のＴｉＮ層を形成することとを含む。 （もっと読む）

【課題】過酸化水素水を含むエッチング液により銅を含む金属層を有する基板をエッチング処理する場合に、エッチング液中の過酸化水素の異常分解が原因となってエッチング液の漏洩や飛散が起こり装置が破損することを防止できる装置を提供する。
【解決手段】密閉された下部タンク２０内からエッチング液供給配管２４を通して処理チャンバ１０ａ、１０ｂ内部のノズル１２、１４へ過酸化水素水を含むエッチング液を供給し、処理チャンバの内底部に溜まるエッチング液を下部タンク内に回収する装置であって、下部タンク内のエッチング液２２の温度を測定する温度センサ６４と、下部タンク内へ純水を供給するための純水供給配管５０と、温度センサによって測定されたエッチング液の温度が設定温度を超えたときに下部タンク内へ純水を供給するように制御する制御回路と、下部タンクの内部空間と処理チャンバの内部空間とを連通させる通気配管６２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メタルマスクを用いて、簡易な方法により半導体基板に先細状ビア孔を形成するエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板上に金属導電層を形成する工程と、該金属導電層上に第１の開口を有する第１メッキ層を形成する工程と、該第１メッキ層の側壁に該第1の開口より幅の狭い第２の開口を有する第２メッキ層を形成する工程と、該第２メッキ層をマスクとして第1のドライエッチングを行い該半導体基板をエッチングする工程と、該第1のドライエッチングの後に該第1メッキ層を残す選択的ウェットエッチングを行い該第２メッキ層をエッチングする工程と、該第２メッキ層をエッチングした後に該第1メッキ層をマスクとして第２のドライエッチングを行い該半導体基板をさらにエッチングする工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線のエッチング特性を良好に維持することができるエッチング液組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、リン酸４０乃至６５重量％、硝酸２乃至５重量％、酢酸２乃至２０重量％、リン酸塩を含む化合物０．１乃至２重量％、アミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物０．１乃至２重量％、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする水を含むエッチング液組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】金属層にノッチ形状が形成されず、多結晶シリコン層から金属層へのシリコンの拡散を防止したＭＩＰＳゲート構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ＭＩＰＳゲート構造を有する半導体装置の製造方法において、ＭＩＰＳゲートの作製工程は、半導体基板上に、ゲート絶縁膜、メタル層、および多結晶シリコン層を順次堆積する工程と、多結晶シリコン層の上に形成したエッチングマスクを用いて、多結晶シリコン層をエッチングする工程と、メタル層を選択的にエッチングして、下方に向かって側壁がテーパ状に張り出したメタル層を残す工程と、多結晶シリコン層の側壁を含む平面から外方に突出したメッキ層のテーパ部を酸化して、酸化テーパ部とする酸化工程と、酸化テーパ部をエッチングで除去する除去工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】銅、銅／モリブデンまたは銅／モリブデン合金の食刻組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量を基準に、１２〜３５重量％の過酸化水素、０．５〜５重量％の硫酸塩、０．５〜５重量％のリン酸塩、０．０００１〜０．５重量％のフルオロイオンを提供できるフッ化物、０．１〜５重量％の第１水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のキレート剤、０．１〜５重量％の第２水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のグリコール、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする脱イオン水を含む銅膜、銅／モリブデン膜または銅／モリブデン合金膜の食刻組成物。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクスデバイス構造から少なくとも１種の材料を除去するための改善された組成物及びプロセスを提供する。
【解決手段】
少なくとも１つの材料層を、表面にそれを有する拒絶されたマイクロエレクトロニクスデバイス構造から除去するための、除去組成物及びプロセス。除去組成物は、フッ酸を含む。この組成物は、前記構造を再生し、再加工し、リサイクルし、及び／又は再使用するために、保持される層に損傷を及ぼすことなく、除去される（１種又は複数の）材料の実質的な除去を実現する。 （もっと読む）

【課題】タングステン（Ｗ）を含む構造体の製造方法および構造体の製造装置を提供する。
【解決手段】構造体の製造方法は、タングステン（Ｗ）を含む導電性の材料１０１を準備する工程と、材料１０１にパターンを有するマスク層１０３を形成する工程と、溶融塩２０中でマスク層１０３が形成された材料１０１にアノード電流を流す工程とを備えている。溶融塩２０を構成するカチオンは、溶融塩２０中の標準電極電位がＷよりも卑である。マスク層１０３は、溶融塩２０中の標準電極電位がＷよりも貴な金属または絶縁体である。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＰなどの基板上に形成する電極の電極幅を、意図するものに異ならせることのできる電極形成装置を提供することを課題とする。
【解決手段】電極材料層とレジスト材料が形成された基板を搬送する搬送部と、電極材料層およびレジスト材料を除去するためのエッチング液を基板の上方向から噴霧させるエッチング部とを備える。エッチング部は、基板の進行方向に対して垂直方向に長い形状であり、かつ基板にエッチング液を噴霧させるための複数個のスプレーノズルが設置され、そのスプレーノズルにエッチング液を供給する複数のノズル配管部材を備える。複数のノズル配管部材は、並列に所定の間隔を空けて配置され、基板がエッチング部の下方を進行するにつれて、所定の電極幅分布を持つような電極が形成されるように、特定のノズル配管部材に設置されるスプレーノズルの個数および位置が設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＩＴＯ透明電極（又はＩＺＯ透明電極）とＺＡＯ透明電極を同一液でエッチングできるエッチング液を提供する。
【解決手段】 臭化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物と、フッ化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物とを含有する水溶液を透明電極用のエッチング液として用いる。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物材料、とりわけ、二価金属の酸化物または三価金属の酸化物、更には酸化亜鉛系材料のエッチング時にエッチングされた面を平坦にでき、エッチング残渣を抑制し、かつ、電極材料の腐食がない好適なエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、蓚酸の部分中和物または完全中和物を含有する。蓚酸は分子内にカルボキシル基を２つ含有する二価の酸であるが、その一部が中和反応により一部または全部が置換されている。このような部分中和または完全中和を行った蓚酸を金属酸化物材料のエッチング液組成物として用いることにより、エッチングされた面が平坦になり、かつ、蓚酸による金属酸化物材料のエッチング時に発生するエッチング残渣の発生を抑制することが可能となる。更に、エッチング液のｐＨ上昇に伴って、金属酸化物材料とともにエッチング液に接触する金属材料の腐食を抑制する効果がある。 （もっと読む）

【課題】 ＩＴＯ透明電極（又はＩＺＯ透明電極）とＺＡＯ透明電極を同一液でエッチングできるエッチング液を提供する。
【解決手段】 多価カルボン酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物と、フッ化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物とを含有する水溶液を、透明電極用のエッチング液として用いる。 （もっと読む）