【課題】金属酸化物材料、とりわけ、二価金属の酸化物または三価金属の酸化物、更には酸化亜鉛系材料のエッチング時にエッチングされた面を平坦にでき、エッチング残渣を抑制し、かつ、電極材料の腐食がない好適なエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、蓚酸の部分中和物または完全中和物を含有する。蓚酸は分子内にカルボキシル基を２つ含有する二価の酸であるが、その一部が中和反応により一部または全部が置換されている。このような部分中和または完全中和を行った蓚酸を金属酸化物材料のエッチング液組成物として用いることにより、エッチングされた面が平坦になり、かつ、蓚酸による金属酸化物材料のエッチング時に発生するエッチング残渣の発生を抑制することが可能となる。更に、エッチング液のｐＨ上昇に伴って、金属酸化物材料とともにエッチング液に接触する金属材料の腐食を抑制する効果がある。 （もっと読む）

本発明は、無応力電気化学銅研磨（ＳＦＰ）の処理、ＳＦＰ処理の間に形成された酸化タンタル又は酸化チタンの除去、及び、ＸｅＦ_２ガス相エッチングバリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮ処理、からなる半導体処理の方法及び装置に関する。第１に、板状の銅フィルムの少なくとも一部がＳＦＰにて研磨される。第２に、ＳＦＰ処理の間に形成されたバリア金属酸化物がエッチング液によりエッチングされる。最後に、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮがＸｅＦ_２ガス相エッチングにより除去される。そのため装置は３つのサブ系からなり、それらは無応力銅電解研磨系、バリア層酸化物フィルム除去系、及び、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮガス相エッチング系である。
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【課題】半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、第１ウエハの上部に第２ウエハを結合させる段階と、第２ウエハの背面にハードマスク層を形成する段階と、ハードマスク層の上部に、ビアホール領域を露出させる感光膜パターンを形成する段階と、感光膜パターンをエッチングマスクとしてハードマスク層をエッチングすることでハードマスクパターンを形成する段階と、ハードマスクパターンをエッチングマスクとして第１及び第２ウエハを一定深さまでエッチングすることでビアホールを形成する段階と、を含む。これによると、両ウエハを非常に効果的に接合させることができ、高いアスペクト比を持つビアホールに残留する残渣をきれいに除去でき、素子特性をより向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ｈｉｇｈ−ｋ膜を含む絶縁膜及びメタルゲートを有するＭＩＳＦＥＴにおいて、フォトレジストパターンをマスクとして、ｈｉｇｈ−ｋ膜上のＴｉＮ膜にパターン転写するためのドライエッチングをする際、ｈｉｇｈ−ｋ膜およびｈｉｇｈ−ｋ膜上のＴｉＮ膜がプラズマによるダメージを受けるのを防ぐ。
【解決手段】ＳｉＮ膜５および第２のＴｉＮ膜６を加工マスクとして使い、ウェットエッチングによりパターン転写をすることで、ｈｉｇｈ−ｋ膜３およびｈｉｇｈ−ｋ膜３上のゲート電極である第１のＴｉＮ膜４が、プラズマに晒されることによるダメージを受けることを防ぎ、パターン転写の精密性を保持することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体多層積層体において、配線に用いられる銅によって形成された層や、高誘電率材料や低誘電率材料によって形成された絶縁膜の層を侵食することなく、当該半導体多層積層体に形成されている窒化チタン被膜を除去することが可能な窒化チタン除去液等を提供すること。
【解決手段】１０〜４０質量％の過酸化水素と、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドとを含有し、２５℃におけるｐＨが６．０〜８．２である窒化チタン除去液を使用する。 （もっと読む）

【課題】 チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層の両層を所望のエッチング速度で安定的にエッチングできる方法を提供する。
【解決手段】 珪フッ化水素酸、珪フッ化水素酸塩及び水を含有するエッチング液によりチタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層を同時にエッチングする方法であって、エッチングの進行に伴い、エッチングされたチタン及びアルミニウムの量に対して当量以上の珪フッ化水素酸を補充することを特徴とするエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】吸引管を有する真空エッチング装置において、吹き付けられたエッチング液が基板の走行方向に流れるため、基板のたてとよこのエッチングに差が生じる欠点を改良し、均一なエッチング特性を得ることのできるエッチング装置を提供する。
【解決手段】吸引管４の開口部７を部分的な開口とし、ノズルから基板上に吹き付けられたエッチング液がバイアス状の流れ１０を形成する構造とした。これによってエッチング液は基板上を斜めの異なる方向にクロスして流れる流れ１０となり、よこ方向の回路間の残銅を少なくし、エッチングのたて／よこ比の改良が達成できる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰのスループットを上昇させることや、メンテナンスコストの上昇を抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】層間絶縁膜にコンタクトホール３２を形成する工程と、キャップＳｉＯ_２膜１６にバリアメタル層２１およびタングステン層２２を堆積する工程と、バリアメタル層２１およびタングステン層２２の残膜値ＲＴが所定値以上となるように、タングステン層２２の上層部をウェットエッチングにより除去する工程と、キャップＳｉＯ_２膜１６の表面に残存するタングステン層２２をタングステンＣＭＰにより除去する工程とを備える。ＣＭＰに先立ってウェットエッチングを行うことにより、ＣＭＰでの必要研磨量を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】２００μｍ以下の薄いウエハの一方の主面にＡｌ系合金電極膜を形成する工程を有する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において、ウエハに反りが生じても他方の主面側に影響を及ぼさずに一方の主面側の電極膜のパターニング後の残渣除去ができる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ウエハ２０の一方の主面側に所要の半導体領域２１、２２の形成後、該半導体領域２１、２２に対応させて、厚さ２００μｍ以下のウエハ２０にＡｌを主成分とし少なくともＳｉを含むＡｌ系合金電極膜２５を形成する際に、該電極膜２５のパターニング後に、Ｓｉを含む残渣除去を少なくともフッ硝酸と希フッ酸をこの順に２段階による枚葉式スピンエッチン方式で除去する半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 ＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド）等の金属酸化物を用いた透明導電膜のエッチングには、従来より、塩酸の割合が多い塩化第二鉄系や、王水系が使用されているが、酸性臭気によって作業環境が悪化し、更には周辺の計測機器や建造物などが腐食するという問題があった。
【解決手段】 エッチング液として、濃度が、４Ａ＋Ｂ≧５０かつ２Ａ＋Ｂ≦５３であって−Ａ＋０．３９Ｂ≧−７．５かつＢ≦４０（ただし、Ａは塩酸の濃度（質量％）、Ｂは塩化第二鉄の濃度（質量％））の塩酸と塩化第二鉄の水溶液を用いることにより、塩化水素の臭気が抑えられるばかりでなく、透明導電膜のアンダーカットも小さく、エッチング装置の腐食も抑えることができた。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ液晶表示装置用として、優れたプロファイルが形成できるゲート配線材料薄エッチング組成物を提供する。
【解決手段】エッチング組成物は、同一組成物を使用して、薄膜トランジスタ液晶表示装置の画素電極を構成する非晶質ＩＴＯ及びＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜を単一工程によって、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象なしにエッチングして、優れたテーパーを得ることができると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルが形成できる効果がある。 （もっと読む）

【課題】絶縁層や窒化チタン層を有する半導体多層積層体においても、これらの層を浸食することなく、形成されているチタン被膜を除去することが可能なチタン除去液、及びそのチタン除去液を用いたチタン被膜の除去方法を提供する。
【解決手段】本発明のチタン除去液は、フッ酸、及び水溶性有機溶剤を含有し、水溶性有機溶剤が多価アルコールを含む。このチタン除去液は、全量に対して１．０質量％以下の過酸化水素を含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】タングステン又はタングステン合金を含む層や窒化チタン層を有する半導体多層積層体においても、これらの層を浸食することなく、形成されているチタン被膜を除去することが可能なチタン除去液、及びそのチタン除去液を用いたチタン被膜の除去方法を提供する。
【解決手段】本発明のチタン除去液は、フッ酸、防食剤、及び水溶性有機溶剤を含有する。防食剤としては、環内に窒素原子を２個有する含窒素５員環化合物が用いられる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ液晶表示装置用の金属配線形成のためのエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の電極用金属層のエッチングに使われるエッチング液組成物に係り、全体エッチング液組成物重量に対して、リン酸４５〜７０重量％、硝酸１．５〜６重量％、酢酸１０〜３０重量％、Ｍｏエッチング調整剤０．０１〜３重量％、スルホン酸化合物０．１〜１．９９９重量％及び組成物総重量を１００重量％にする量の水を含むエッチング液組成物。 （もっと読む）

【課題】ニッケル以外の金属、特に銅の浸食を抑制できるニッケルのエッチング液を提供する。
【解決手段】硝酸又は硫酸と、過酸化水素と、水とを含むニッケルのエッチング液において、下記式（I）及び下記式（ＩＩＩ）から選択される繰り返し単位を有する重合体を含む組成とする。


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【課題】白金族の膜を加工性良く安価にエッチングできるエッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】過マンガン酸塩を含む、ｐＨが１２．６〜１５．８の溶液で、白金族の膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層をエッチングするのに好適なエッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】 珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液。及び、珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液により、チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体を一括エッチングする方法。チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層を珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有することを特徴とするエッチング液により同時にエッチングする方法。 （もっと読む）

【課題】製造工程中にシリサイド膜にダメージが生じるのが抑制され、良好な性能を有するシリサイド膜を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１１上に合金膜１３を形成する工程（ａ）と、基板１１を熱処理することでシリサイド膜１４を形成する工程（ｂ）と、基板１１に第１の溶液１５を供給して、合金膜１３のうち未反応で基板１１上に残存する部分に含まれるＮｉを溶解させる工程（ｃ）と、基板１１に、第２の溶液１８を供給して、シリサイド膜１４上に保護膜１９を形成する工程（ｄ）と、基板１１に塩酸を含む第３の溶液１６を供給して、基板１１上に残留する金属１７を溶解させる工程（ｅ）とを備えている。工程（ｃ）では、シリサイド膜に含まれるＮｉと第２の溶液１８とが反応することで、錯体からなる保護膜１９が形成される。 （もっと読む）

【課題】銀又は銀合金をエッチングする際に銀残渣を発生させず、しかもエッチング液を繰り返して使用してもエッチング速度が変化しないエッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】銀又は銀合金のエッチング方法において、銅イオン、硝酸、燐酸、カルボン酸、アンモニア及び／又はアミンを含を含み、カルボン酸が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ヘキサン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸、シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フタル酸、マレイン酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、サリチル酸、グリシン、アラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、エチレンジアミン四酢酸、及びニトリロ三酢酸からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物である、銀又は銀合金のエッチング用組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で確実に不要層を除去できる不要層のエッチング除去方法及び装置を提供する。
【解決手段】除去すべき不要層を有する基板の上にエッチング溶液をスプレー塗布し、スプレー塗布したエッチング溶液を所定時間この基板上に保持しておき、次いで、同一組成のエッチング溶液を基板の上にスプレー塗布する。 （もっと読む）