【課題】簡単な工程で確実に不要層を除去できる不要層のエッチング除去方法及び装置を提供する。
【解決手段】除去すべき不要層を有する基板の上にエッチング溶液をスプレー塗布し、スプレー塗布したエッチング溶液を所定時間この基板上に保持しておき、次いで、同一組成のエッチング溶液を基板の上にスプレー塗布する。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨（ＣＭＰ）に代わる新たな銅層エッチング方法を提供する。
【解決手段】１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ使用環境下において１価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が０．５ｇ／Ｌ以上の銅錯化剤、若しくは、１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ２価の銅イオンとの錯化定数が１×１０²⁰以下の値を示す銅錯化剤、例えばアセトニトリルを１ｗｔ％以上と、水を１ｗｔ％以上とを含むエッチング処理液は、特に銅を溶解する効果があるため、かかる水溶液を強制攪拌させながら銅層表面に接触させることにより余分な銅層を除去することができる。 （もっと読む）

第２物質（２）に対して第１物質（４）を選択的にエッチングするための方法および装置を提供する。第１物質（４）をエッチングするが、第２物質（２）をエッチングしない１以上の化学種を生成可能な溶液の浴槽（１１）と、キャビテーション気泡を生成するために、浴槽中に１００ｋＨｚ〜３ＭＨｚの周波数で超音波を発生するためのシステム（１２）とを備える。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本明細書に記載の様々な実施形態は、処理歩留まりを改善するために、ベベルエッジ上の望ましくない堆積物を除去するための改良されたメカニズムを提供する。実施形態は、ベベルエッジの銅を、銅に比べて高いエッチング選択比で流体によって湿式エッチングできる銅化合物に変換するために、銅メッキ基板のベベルエッジを処理する装置および方法を提供する。一実施形態において、銅に対して高い選択比で銅化合物の湿式エッチングを行うと、湿式エッチング処理チャンバ内で基板ベベルエッジの不揮発性の銅を除去することが可能になる。ベベルエッジでのプラズマ処理は、正確な空間制御で、基板のエッジ面から約２ｍｍ以下（例えば、約１ｍｍ、約０．５ｍｍ、または、約０．２５ｍｍ）の範囲まで、ベベルエッジの銅を除去することを可能にする。さらに、ベベルエッジの銅を除去する上述の装置および方法では、デバイス領域に銅エッチング流体が飛び散って銅薄膜の欠陥および薄化を引き起こす問題が起こらない。したがって、デバイスの歩留まりを大幅に改善することができる。 （もっと読む）

【課題】設計図面通りに精度よく再現された大型の高精度のディスプレイ用マスクが得られるエッチング性とエッチング精度が優れたエッチング液およびディスプレイ用マスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムを含有するエッチング剤と、界面活性剤とを水中に含有してなり、上記の界面活性剤が直鎖のフッ化炭素基を有するペルフルオロアルキルスルホン酸塩７０〜８０質量％と分岐鎖のフッ化炭素基を有するペルフルオロアルキルスルホン酸塩２０〜３０質量％との混合物であることを特徴とするディスプレイ用マスクエッチング液、および該エッチング液を使用してディスプレイ用マスク基板をエッチングすることを特徴とするディスプレイ用マスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属系薄膜のエッチングに使用されるエッチング液はいずれも強酸や強アルカリ、あるいは金属塩化物溶液等の人体に有害な液体であり、劇物や毒物であって、取り扱いや処理に特に気をつけなければならない材料であった。
【解決手段】非導電性基材２上に金属系薄膜導電層３と表面抵抗率が２×１０⁸Ω／□以下の値である非金属導電性膜４が、この順または逆順に直接積層されて設けられてなることを特徴とする、中性電解液でエッチング可能な積層体である。 （もっと読む）

【課題】低発泡性で、かつ消泡性に優れたエッチング剤組成物を提供する。
【解決手段】第二セリウムと、次式Ｉで示されるビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミド及びその塩を含むフッ素界面活性剤と、水と、を含み、


（式中、Ｒｆ_１、Ｒｆ_２は、独立して３個以上７個以下の炭素原子を含むペルフルオロアルキル基であり、Ｍは、カリウム（Ｋ）または無機もしくは有機のカチオンを示す。）
ビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミド及びその塩が、エッチング剤組成物の全重量基準で０．０１重量％以上０．０２重量％未満含まれるエッチング剤組成物。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ又はＣｕ合金とＭｏ又はＭｏ合金を含んだ積層金属層のエッチングにおいて、従来技術では困難であったサイドエッチが入らずに好ましいテーパー角のエッチング断面形状を得ることが可能なエッチング組成物を提供する。
【解決手段】必須成分として、水溶液がアルカリ性のリン酸塩及び水溶液がアルカリ性のカルボン酸塩からなる群から選択された少なくとも一種の塩と過酸化水素と水を含有してなる、Ｃｕ又はＣｕ合金の１層又は複数層とＭｏ又はＭｏ合金の１層又は複数層とからなる多層積層金属層のＣｕ又はＣｕ合金及びＭｏ又はＭｏ合金を一度にエッチングするためのエッチング組成物。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部から銅膜を良好に洗浄できる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】銅膜が形成されているウエハＷの表面の周縁部に、第２洗浄液供給ノズル３３１からエッチング液が供給される。 （もっと読む）

【課題】表面がＴｉＮ膜であるバリアメタルが露出した部分の耐湿性を向上すると共に、パッシベーション膜を一層としても、クラックに起因する不良を無くし、また、アルミニウム合金中のＳｉノジュールの成長に起因する不良増加を抑えることのできる積層金属電極配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に所要の配線パターンで形成される金属電極配線膜として、下地のバリアメタル膜とその上に積層されるアルミニウムまたはアルミニウム合金膜２を有し、さらに、前記アルミニウムまたはアルミニウム合金膜２上に被覆される有機系パッシベーション膜７を備える半導体装置において、前記バリアメタル膜が、チタン膜３、１０で挟まれた窒化チタン膜４からなる三層の積層膜を有する半導体装置とする。 （もっと読む）

本発明は、金属Ｃｕ／Ｍｏをエッチングするのに適したエッチング剤組成物であって、該組成物の全質量に対して、１〜２５質量％の過酸化水素；該組成物の全質量に対して、０．１〜１５質量％のアミノ酸；該組成物の全質量に対して、０．１〜１５質量％のｐＨ安定剤；該組成物の全質量に対して、０．０１〜２質量％のフッ素含有酸；該組成物の全質量に対して、０．０１〜３質量％の酸性ｐＨ調整剤と、水性媒体とを含む組成物を提供する。本発明は、また、本発明のエッチング剤組成物を用いて金属Ｃｕ／Ｍｏをエッチングする方法を提供する。
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【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤ用金属配線形成のためのエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】組成物全体の質量に対してリン酸５５〜７５質量％、硝酸０.７５〜１.９９質量％、酢酸１０〜２０質量％、Ｍｏエッチング調整剤０.０５〜０.５質量％、含ホウ素化合物０.０２〜３質量％、及び残量の水を含むエッチング液組成物。ゲート及びソース／ドレイン配線材料であるＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ三重膜を単一工程でウェットエッチングして、アンダーカット及び突出現象なしに優秀なテーパ状のエッチングプロファイルを収得でき、ドライエッチング工程を排除することによって、工程を円滑にして生産性を向上させ、生産コストを低減できる。また、過塩素酸のような環境有害物質、エッチング液の寿命を短縮させる不安定な成分、または基板のガラスを腐蝕させるフッ素系化合物が不要となる。 （もっと読む）

【課題】 チタン含有層のエッチング速度が速く、シリコン基板やガラス基板等の含シリコン基板及びチタンより酸化電位が高い金属含有層に対するチタン含有層のエッチング速度が大きく、且つ、チタンより酸化電位が高い金属−チタン間の電蝕によるエッチングも抑制され、サイドエッチングが小さいエッチング液、及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】 珪フッ化水素酸、水及びエーテル結合を有するアルコールを含有するチタン含有層用エッチング液。珪フッ化水素酸、水及びエーテル結合を有するアルコールを含有するエッチング液により、チタン含有層とチタン含有層以外の層を有する積層体中のチタン含有層をエッチングする方法。 （もっと読む）

【課題】ＣｕとＭｏの積層金属膜のみならず従来技術では困難であったＣｕとＭｏ合金の積層金属層を一度にエッチングするとともに、従来技術では困難であったサイドエッチが入らずに好ましいテーパー角のエッチング断面形状を得ることが可能なエッチング溶液を提供する。
【解決手段】必須成分として、（ａ）水溶液が中性又は酸性のリン酸塩及び水溶液が中性又は酸性のカルボン酸塩からなる群から選択された少なくとも一種と（ｂ）過酸化水素と（ｃ）水を含有してなる、銅又は銅合金の１層又は複数層とモリブデン又はモリブデン合金の１層又は複数層とからなる多層積層金属層の銅又は銅合金及びモリブデン又はモリブデン合金を一度にエッチングするためのエッチング溶液。 （もっと読む）

【課題】特に半導体装置の製造工程において、Ｐｔ及びＰｄの少なくとも一方を含む残留薄膜を簡易かつ効率的に除去することが可能な方法を提供する。
【解決手段】所定の容器中に、塩酸、硝酸及び水を順次に入れる、又は、硝酸、塩酸及び水を順次に入れて所定濃度の希王水を調整し、この希王水中に、製造過程にある半導体装置を浸漬し、前記半導体装置のＰｔを含む残留薄膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】電解加工の研磨精度並びに研磨レートの向上を図る。
【解決手段】ウェーハWの被加工対象膜と電解加工装置10の電極31との間のギャップGを電解液の静圧或いは動圧を利用して極小に制御する。電解液33は誘電体微粒子を含有したものを用い、電解液をギャップ間へ供給しつつ通電して電解加工を行う。ギャップ中の誘電体微粒子が被加工対象膜に近接、または接触した箇所の電位勾配が急峻となり、その部分に活性化エネルギーが集中して除去加工が進行する。誘電体微粒子は分布確率の一様性に応じて被加工対象膜の全面に均等に作用し、表面が荒れることなく鏡面が形成される。 （もっと読む）

【課題】被エッチング材（金属薄膜）や特に電子線レジストパターンに対する湿潤濡れ性が優れており、安定した高微細精度のエッチング効果を持った、保存安定性のよいフォトマスク用のエッチング液を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表わされる化合物を含有することを特徴とするエッチング液。


（上記式中のＲｆ１およびＲｆ２は、アルキル基のＨの全部をＦで置き換えた炭素数が１〜４の直鎖のフッ化炭素基、または分岐鎖を有するフッ化炭素基であり、Ｘは、カリウム、リチウム、またはナトリウムイオンである。） （もっと読む）

【課題】 ウエット処理時に異種材料接触部で発生する腐食を防ぎ、また、ウエハ上の微小粒子の除去も可能にする半導体プロセスおよびウエット処理装置を提供する。
【解決手段】 ウエハを静電吸着すると共にウエハを回転駆動する下部電極１と、下部電極１に向かって移動可能であると共に注入された薬液を下部電極１に通す上部電極４とを備え、下部電極１と上部電極４との間に電圧を印加しながらウエット処理する。 （もっと読む）

【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、特にタングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体においても、この層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離できる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】フッ酸、過酸化水素、及び水を含有し、更に、フッ酸以外の無機酸を含有する窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液が、フッ酸以外の無機酸を含むので、半導体多層積層体がタングステン又はタングステン合金を含む層を有する場合においても、窒化チタン剥離液がこの層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体量産プロセスにおいて、遷移金属によるウエハの汚染を防止する。
【解決手段】（ａ）ウエハを準備する工程と、（ｂ）ウエハに対して、遷移金属元素を含有する所望の膜を堆積する工程と、（ｃ）前記膜が堆積されたウエハの裏面または主面の外縁部に堆積された前記膜を除去する工程と、（ｄ）前記裏面または前記主面の外縁部における前記膜が除去されたウエハに対して、所望の処理を実行する工程を含み、前記（ｃ）工程における前記除去工程では、さらに、（ｃ１）ウエハの主面とステージとの間に所定の間隔を設け、ウエハの主面とステージとを非接触な状態として、ステージに配置された複数のピンによりウエハの側面を支持する工程と、（ｃ２）ウエハをステージと一体に回転させ、ステージ側からウエハの主面の周辺部に向かって不活性ガスを供給しながら、ウエハの裏面に洗浄液を供給する工程を含む。 （もっと読む）