【課題】近年電子デバイスの材料として重要性が高まっている銅やＧａＮ等を、加工効率が高く且つ数十μｍ以上の空間波長領域にわたって精度高く加工する。
【解決手段】酸化性処理液３２中に被加工物３８を配し、酸性または塩基性を有する固体触媒４４を被加工物３８の被加工面に接触または極接近させて配して、固体触媒４４と接触または極接近している被加工面の表面原子を酸化性処理液３２中に溶出させて該加工面を加工する。 （もっと読む）

【課題】 基板上の有機材料層に対する影響を抑制または防止しつつ、当該基板上に別の材料層の微細パターンを形成することができる有機材料装置の製造方法を提供すること
【解決手段】 この有機半導体装置は、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、有機材料層４と、電極５，６とを備えている。作製にあたり、有機材料層４上に犠牲層８が形成され、その犠牲層８の上にフォトレジスト９が形成される。その後、所定のパターンで露光され、露光された部分のフォトレジスト９がアルカリ現像液によって溶解させられる。次いで、全面が露光され、電極５，６が形成された後、アルカリ現像液によって、フォトレジスト９と共に電極５，６の不要部分がリフトオフされることにより、電極５，６がパターン化される。 （もっと読む）

【課題】 ガラス等の絶縁膜基板、シリコン基板および化合物半導体基板上にスパッタリング法により成膜したチタンまたはチタンを主成分とする合金からなる層と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる層とを含む金属積層膜を下地の基板等にダメージを与えることなく、さらに、テーパー角度を３０〜９０度に抑制し、積層膜を一括にエッチング可能なエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】 本発明のエッチング液組成物は、ヘキサフルオロケイ酸、ふっ化水素酸の金属塩またはアンモニウム塩、およびヘキサフルオロケイ酸の金属塩またはアンモニウム塩からなる群から選ばれた少なくとも1種のふっ素化合物と酸化剤とを含有する。 （もっと読む）

【課題】
従来のルテニウム用エッチング組成物では、強力な酸化剤が用いられていたため、ルテニウム以外の半導体材料のダメージがあった。
【解決手段】
（ａ）カルボン酸及び／又はアンモニア，（ｂ）過酸化水素，（ｃ）水を含んでなり、その水溶液が酸性であることを特徴とするルテニウムのエッチング用組成物を用いる。
カルボン酸の含有量が、０．０１〜５０重量％、アンモニアの含有量が、０．０１〜２０重量％、過酸化水素の含有量が、０．０１〜３５重量％、水の含有量が、５０〜９９．９８重量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高価なスラリーを消費するＣＭＰを用いることなく、不所望な電極材及びバリアメタル層の部分を除去することによって、低コストで半導体装置における電極を形成する。
【解決手段】異なる工程において、ウェットエッチングを用いて、外側電極材層及び外側バリアメタル層２１ｂをそれぞれ個別に残らず除去する。従って、電極２５を形成するために、外側電極材層及び外側バリアメタル層を同時に除去する工程が存在しない。そのため、ＣＭＰを用いる必要がなく、ウェットエッチングのみを用いて、外側電極材層及び外側バリアメタル層を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とせず、短い処理時間で銅又は銅合金による回路配線を形成でき、且つクロスコンタミネーションの原因となるエッジ・ベベル部に銅膜が残ることのない半導体基板処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸線を中心に回転する回転部材と、回転部材の前記回転軸線を中心とした同一円周方向に沿って配置され該回転部材の回転に伴って公転する保持部材とを有し、保持部材は、該保持部材の軸心を中心に回動するように構成された回転保持装置で保持した半導体基板を洗浄する洗浄ユニットを有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された、クロム、ニッケル、或いはクロム及び／又はニッケルを含む合金よりなる下地膜と、この下地膜の一部を被覆するように形成された、金、パラジウム、或いは金及び／又はパラジウムを含む合金よりなる上層膜との積層膜の、前記下地膜を、硝酸と硝酸セリウムアンモニウムとを含み、硝酸濃度が３５重量％以上の水溶液からなるエッチング液を用いてエッチングするに当たり、エッチング後の水洗工程におけるクロム等下地膜のエッチング加速を防止して、所望のエッチングをより確実に行う。
【解決手段】エッチング工程と水洗工程の間に、金等／クロム等積層膜付き基板を、硝酸濃度３５重量％以上であって硝酸セリウムアンモニウム濃度がエッチング液より低い水溶液で洗浄する酸洗浄工程を設ける。この工程により硝酸セリウムアンモニウムを洗浄除去し、その後、基板に付着した硝酸液のみを水洗除去する。 （もっと読む）

約３．４％〜約６．８％の活性酸素含有率を有する一過硫酸カリウムの溶液を含む組成物およびアルカリ性材料による中和を含む前記組成物の調製のための方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜のエッチングにおいて残渣の発生がなく、適度なエッチングレートを有し、亜鉛の溶解に対してエッチング性能が安定しているエッチング液組成物及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】クエン酸、アコニット酸、１，２，３−プロパントリカルボン酸及びそのアンモニウム塩からなる群から選択される１種又は２種以上の化合物を含む水溶液または、酢酸、プロピオン酸、酪酸、コハク酸、クエン酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、マロン酸、マレイン酸、グルタル酸、アコニット酸、１，２，３−プロパントリカルボン酸及びそのアンモニウム塩からなる1種または２種以上の化合物とポリスルホン酸化合物を含む水溶液からなる事を特徴とするエッチング液組成物でエッチングする。 （もっと読む）

【課題】同一の組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料のＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜を単一工程で下部膜のＡｌＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象がなく湿式エッチングして優れたテーパを収得することができ、同時にソース／ドレイン配線材料のＭｏ単一膜とＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜でも優れたプロファイルを形成することができる薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物を提供する。
【解決手段】本発明は薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物に関するものであって、特にａ）燐酸；ｂ）硝酸；ｃ）酢酸；ｄ）リチウム系化合物；ｅ）燐酸塩系化合物；およびｆ）水を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の異方性エッチングにより形成されるマイクロミラーを有する半導体装置の製造方法において、簡易な製造プロセスにより高品質のマイクロミラー形成を実現する。
【解決手段】半導体基板１０１の異方性エッチングを行う際のエッチングマスクとして、シリコン酸化膜等の膜よりも異方性エッチング液に対するエッチング耐性の優れる常温形成のＴｉＮ膜１０２を用いる。異方性エッチングマスクのパターン精度が向上するため、マイクロミラー形成の精度も向上し、より平坦性の高いマイクロミラーが形成可能となる。ＴｉＮ膜１０２は、異方性エッチング後の除去を容易に行うことが可能なため、異方性エッチング後にひさし状に残るエッチングマスク除去のための工程を追加する必要がなく、製造工程の増加を招くことなく高品位のマイクロミラー形成が実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】 半導体又は絶縁体層上に直接、薄膜を電気化学処理プロセスで形成する方法、及び該プロセスを実施する装置を提供すること。
【解決手段】 １２５ｍｍ又はそれより大きい半導体ウェハであって、少なくとも一部が電解質溶液と接触し、第１電極として機能する半導体ウェハを、導電性表面と電気接触する状態で準備するステップと、電解質溶液の中に第２電極を準備するステップであって、第１及び第２電極が電源装置の両端に接続されるステップと、電流が第１及び第２電極にわたって印加されるときに、光源を用いて半導体ウェハの表面を照射するステップと、を含む電気化学プロセスである。本発明はまた、光源と電気化学プロセスを実施する電気化学構成要素とを含む装置も対象とする。 （もっと読む）

本発明は、最初に開口部をパッシベーション層の中に形成し、次いで、これらの開口部を導電性材料で充填することによって、温度に敏感なパッシベーション層の１つまたは複数の層を含むソーラーウェーハの接触を行なう方法に関する。このようにして、１つまたは複数のパッシベーション層を含むソーラーウェーハの接触を行なうための従来方法で必要とされる相対的な高温度を回避できるようになり、したがって、接触期間中およびその後において、新しく開発された温度に敏感なパッシベーション層の優れたパッシベーション特性を維持できるようになる。
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メタルハードマスク用エッチング溶液。当該エッチング溶液は、希釈HF（フッ化水素）とシリコン含有先駆体の混合物を有する。当該エッチング溶液はまた、サーファクタント剤、カルボン酸、及び銅の腐食抑制剤をも有する。当該エッチング溶液は、メタルハードマスク材料（たとえばチタン）を選択的にエッチングしながら、タングステン、銅、酸化物誘電体材料、及び炭素ドープされた酸化物のエッチングを抑制する。 （もっと読む）

【課題】高温環境下における配線層内でのボイドの発生を抑制して配線層の導通不良を抑制し、半導体装置の信頼性を向上しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜３４に、配線溝３８を形成する工程と、配線溝３８内に、Ｃｕを主材料とする配線層４４を形成する工程と、配線溝３８内に埋め込まれた配線層４４の表面に、アンモニア及び水素が溶解された純水を含ませた布２を摩擦させる布摩擦処理を行う工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングを抑制して所望の幅を有する金属パターンが得られる金属パターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に金属からなる下層２と該下層２上の前記下層２とは異なる金属からなる上層３とで構成される金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記上層３上に所定形状のパターンを有するレジスト膜４を形成するレジスト膜形成工程と、このレジスト膜４をマスクとして前記金属膜をエッチングすることにより当該金属膜をパターニングするパターニング工程とを有し、且つこのパターニング工程が、前記上層３をエッチングする第１エッチング工程と、第１エッチング工程後にノニオン系界面活性剤を含む前処理液に前記レジスト膜４及び前記上層３を浸漬する浸漬工程と、浸漬工程後に前記下層２をエッチングする第２エッチング工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】通常のレジスト材料を用いて、フォトマスクを使用することなくレジストパターンを形成し、パターニングを行うパターニング基板製造方法を提供する。
【解決手段】表面を所望のパターンに加工すべき基板１０上、１１に、基板の表面とは異なる表面エネルギーを有する薄膜１２を所定の形状に形成し、基板の全面に樹脂材料を塗布することにより、薄膜１２が形成されていない部分に樹脂材料膜１３を形成し、樹脂材料膜１３をマスクとして、基板１０，１１をエッチングした後、樹脂材料膜１３を除去する。これにより、樹脂材料を塗布するのみで所定のパターンに形成できるため、これをマスクとしてエッチングを行うことによりパターニングできる。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウムからなる少なくとも１つの層、銅からなる少なくとも１つの層、および少なくとも１つのアルミニウム層と少なくとも１つの銅層との間に配置されている、ニッケルバナジウム、ニッケルおよびその合金から選択された少なくとも１つの第３の層を有する層系をエッチングするためのエッチング溶液に関し、この場合この溶液は、燐酸と、硝酸と、脱イオン水と、ハロゲンイオンを放出することができる少なくとも１つの塩とを含有するか、またはこれらの成分からなる。特許保護が請求されたエッチング溶液は、半導体の工業的方法により完成される構造要素を製造する際に使用されるＵＢＭ層系を１工程で構造化するための方法に基づくものである。
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【課題】本発明の目的は、積層構造体を有する基板及び積層構造体を有する基板の製造方法において、銀又は銀を主成分とする銀合金からなる金属膜と保護膜とを同一のエッチング液によって一括してウェットエッチングすることを可能とすることである。
【解決手段】積層構造体を有する基板１０は、基板２０の表面に、少なくとも金属膜３１と保護膜３２をこの順に形成した積層構造体を有する基板１０において、金属膜３１は、銀又は銀を主成分とする銀合金からなり、保護膜３２は、厚さが８Å以上３２Å以下であり、かつ、金属膜３１及び保護膜３２は、同一のエッチング液によって一括してウェットエッチングできることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 モリブデン系金属とアルミニウム系金属を主成分とした金属積層膜を一括エッチング可能で各膜のサイドエッチング量を抑制し、テーパー角度を２０〜７０度に制御可能な優れたエッチング液を提供すること。
【解決手段】 絶縁膜基板上に形成されたアルミニウム系金属およびモリブデン系金属の積層膜をエッチングするエッチング液であって、硫酸、硫酸アンモニウム、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸水素アンモニウム、硫酸水素ナトリウム、硫酸水素カリウム、硫酸カルシウム、硫酸セリウムアンモニウム、硫酸第二鉄、硫酸銅、硫酸マグネシウム、硫酸鉛、硫酸ヒドロキシルアンモニウム、アミド硫酸、アミド硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、エチレンジアミン硫酸塩、アニリン硫酸塩およびアデニン硫酸塩からなる群から選択されるスルホン酸化合物、燐酸および硝酸を含有する、エッチング液。 （もっと読む）