【課題】スクラッチの発生を抑制して酸化シリコン膜を平坦化する化学的平坦化方法及び化学的平坦化装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、化学的平坦化方法は、飽和濃度で溶解した酸化シリコンを含む珪フッ化水素酸水溶液を含む処理液を用意する工程を含む。前記方法は、凹凸を有する酸化シリコン膜を前記処理液に接触させた状態で前記処理液の平衡状態を変化させて、前記凹凸の凸部の溶解を生じさせて、前記凹凸の高さを減少させる工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】処理槽の内部における下から上への流れを撹乱せず、貯留された処理液を他の処理液に効率よく置換させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】処理ユニット１０は、内槽１５の側壁５０７に形成された断面Ｖ字形の溝部１６の、下側テーパー面１６３に向けて処理液を吐出して内槽１５の内部に比較的低速の液流を形成する第三吐出ノズル２２１を備える。第三吐出ノズル２２１から吐出され内槽１５の下側テーパー面１６３に衝突した流れのうち、上方向に向かう流れを板状部材１８で阻止することにより、内槽１５内の下から上への流れを撹乱することなく、効率良く処理液を置換することができる。 （もっと読む）

【課題】処理槽の被処理体が処理される処理領域内に流入する処理液の流量をより均一化することにより、処理槽内での液相処理をより均一に行うことができる処理装置等を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は、被処理体を第１開口から収容し、側面に第２開口を有する処理槽と、前記第２開口から前記処理槽内に延び、複数の第１の孔を有する配管と、前記被処理体が配置される領域と前記配管との間に位置し、第２の孔を有し、中央部分となる第１の部分と、前記第１の部分を囲む第２の部分とを有する板と、前記板と処理槽の底面との間の処理槽の側面を覆い、前記第２の部分の一部とオーバーラップする前記壁部と、を含み、前記第１の孔は、前記底面に向かうように配置され、前記配管から前記処理液が供給される場合に、前記第２の部分の前記壁部とオーバーラップしない部分には、前記第１の部分よりも高い第２の圧力がかかる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板エッチング装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板エッチング装置１００は、エッチング液１１５を収容する容器１１０と、容器内に配置され、ガラス基板１２５が水平に安着する第１プレート１２０と、ガラス基板と向き合うように容器内に配置され、第１プレート上または第１プレート下でエッチング液を流動させる流動部１３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】 使用時に発塵が抑制された積層体、電子回路部品用積層体、特に、ハードディスクドライブ用ワイヤレスサスペンション用の積層体の製造方法、及び該積層体の製造に用いる絶縁体の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１無機物層−絶縁層−第２無機物層、又は、無機物層−絶縁層からなる層構成の積層体をウエットエッチングすることによりパターニングし、該パターニングされることにより該第１無機物層、第２無機物層及び無機物層の少なくとも一部が除去されて露出した絶縁層に対して１００℃以上で熱処理する積層体の製造方法である。該絶縁層は、単層構造又は２層以上の積層構造の、絶縁ユニット層からなる絶縁体であり、該絶縁ユニット層の材料は、ポリイミドである。 （もっと読む）

【課題】 被加工物の被加工面の平坦化加工を高い加工速度を維持して実施する。
【解決手段】 表面加工方法は、処理水中で光触媒活性を有する薄膜を被加工物の被加工面に対向配置し、薄膜に光を照射して薄膜上で酸化力を有する活性種を生成し、活性種と被加工面の原子とを化学反応させ、被加工面を溶出可能な化合物へと変化させて除去することにより、被加工面を平坦化する。表面加工方法は、温度Ｔ（Ｋ）、大気圧下における水への酸素の溶解度をモル分率χで表すと、モル分率χと温度Ｔ（Ｋ）とは、ｌｎχ＝−６６．７４＋｛８７．４８／（Ｔ／１００）｝＋２４．４５・ｌｎ（Ｔ／１００）の関係を有し、温度Ｔ（Ｋ）における処理水中の溶存酸素量Ｄ（ｍｇ／Ｌ）がＤ≧３．５５５×１０^５χとなる条件で化学反応を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】水平搬送方式の基板処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板処理装置を得ること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板１０６の表面処理を行う薬液１０２を収容する薬液槽１０１と、薬液槽１０１内に回転自在に設けられて基板１０６を搬送する複数の搬送ローラー１０３と、搬送ローラーの間に設けられて、薬液槽１０１に収容された薬液１０２を攪拌する攪拌手段１０７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスの光線を非共用表面に屈折させ、且つ光線が所定の方向へ調整させ、所定の位置へ集光させるものを同時に実現することができるパッケージベース及びその成形方法を提供する。
【解決手段】パッケージベースの成形方法であって、１つの表面を含む半導体基板を提供するステップと、前記半導体基板の表面にエッチング窓口が形成される第一マスク層を形成し、前記エッチング窓口の１つの側壁の方向と半導体基板の結晶格子の方向との間の傾斜角度が０〜４５度或いは４５〜９０度になるようにするステップと、前記第一マスク層と前記エッチング窓口を通して前記半導体基板に対して異方性エッチング（selected anisotropic etching）を実施して前記半導体基板の上に前記エッチング窓口の１つの側壁の方向に沿う傾斜面を形成するステップと、前記傾斜面にマイクロ屈折構造を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハの被処理面に対する裏面の汚染が被処理面側へ回り込んでしまうことを抑制し、且つ、ウェハの被処理面に対する処理を清浄な処理液によって十分に且つ均一に行う。
【解決手段】ウェハ１を保持するウェハ保持部３と、内部に貯留している処理液１９によりウェハ１の被処理面１５に対し、剥離処理、洗浄処理又はエッチング処理が行われる処理槽２とを備える。処理槽２の上端２ｂから処理液１９がオーバーフローするように処理液１９を処理槽２へ供給する処理液供給手段（例えば、循環ポンプ７及び供給配管５１からなる）を備える。処理槽の上端２ｂの開口２ｃはウェハ１よりも大径に形成されている。ウェハ保持部３は、ウェハ１の被処理面１５を下向きにして保持し、その被処理面１５を処理槽２に貯留されている処理液１９に浸漬させる。 （もっと読む）

半導体ウエハーや基板のような処理対象物を洗浄、食刻など湿式処理する湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレルを開示する。本発明による対象物の湿式処理装置は、処理対象物が収容されて処理される処理槽と、前記処理槽の内部に回転可能に設けられ、表面には対象物を前記処理槽の底面と垂直方向に立てて支持する複数のスロットが形成された棒状の対象物支持棒と、前記対象物支持棒に連結されて前記対象物支持棒を回転させることで前記対象物を回転させる回転手段と、を備え、前記対象物支持棒には、前記対象物に処理流体を噴射する処理流体噴射口、及び前記処理流体噴射口に処理流体を供給する処理流体流路が形成されている。本発明によれば、処理槽内のデッドゾーンを除去して処理流体の均一且つ円滑な流れが可能になり、処理効率及び処理均一度が向上する。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理における水素の気泡によるエッチングのばらつきを低減させることができる、ウェットエッチング用の治具及びウェットエッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のウェットエッチング用の治具３は、アルカリエッチング液２に浸漬させることでエッチングがなされる基板１１を保持するものである。本発明の治具３は、治具３に保持された基板１１の表面に対して相対的に移動することで基板１１の表面上の気泡１６を除去するワイパー１３を有する。 （もっと読む）

電子デバイスを形成する方法は、基材、ディファレンシャルエッチング層、及び半導体層を含むワークピースのある面上に金属層を形成する工程を含むことができる。ディファレンシャルエッチング層は基材と半導体層の間に位置することができ、半導体層はワークピースのある面に沿って位置することができる。本方法は、基材と半導体層の間からディファレンシャルエッチング層の少なくとも大部分を選択的に除去する工程、及び基材から半導体層と金属層を分離する工程をさらに含むことができる。選択的な除去は、ウェットエッチング、ドライエッチング、又は電気化学的な技術を用いて実施することができる。特定の実施形態では、金属層のメッキ及びディファレンシャルエッチング層の選択的な除去に同じメッキ浴を使用してもよい。
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【課題】上下ノズルの流量比を処理に応じて最適なものとすることにより、液中のパーティクル排出性能を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】、制御部４７は、上ノズル１３と下ノズル１１の流量比を調整するので、内槽３内におけるリフタ９の保持部７付近に適度な大きさの渦を発生させることができる。したがって、渦の大きさを調整して、内槽３内を下方から上方へと向かう処理液の流れを適切に形成させることができるので、特に、洗浄処理において液中のパーティクルの排出能力を向上できる。 （もっと読む）

シリコン表面（１１６）をエッチングする方法（３００）。方法（３００）には、シリコン表面（１１６）を有する基板（１１２）を容器（１２２）に位置決め（３１０）することを含む。シリコン表面（１１６）を被覆するように、容器（１２２）に一定量のエッチング溶液（１２４）を充填する（３３０、３４０）。エッチング溶液（１２４）には、触媒溶液（１４０）および酸化剤−エッチング剤溶液（１４６）、例えば、フッ化水素酸および過酸化水素の水溶液を含む。触媒溶液（１４０）は、触媒金属の金属含有分子またはイオン種を与える溶液であってよい。シリコン表面（１１６）を、超音波撹拌などを用いて容器（１２２）内のエッチング溶液（１２４）を撹拌することによりエッチング（３５０）を行い、エッチングには、エッチング溶液（１２４）の加熱（３６０）、シリコン表面（１１６）への光（３６５）の照射を含むことができる。エッチング中、酸化剤−エッチング剤溶液（１４６）の存在下において、塩化金酸の希釈溶液などの触媒溶液（１４０）が、エッチングプロセスを加速または促進する金または銀ナノ粒子などの金属粒子を放出することができる。
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【課題】化学機械研磨（ＣＭＰ）に代わる新たな銅層エッチング方法を提供する。
【解決手段】１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ使用環境下において１価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が０．５ｇ／Ｌ以上の銅錯化剤、若しくは、１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ２価の銅イオンとの錯化定数が１×１０²⁰以下の値を示す銅錯化剤、例えばアセトニトリルを１ｗｔ％以上と、水を１ｗｔ％以上とを含むエッチング処理液は、特に銅を溶解する効果があるため、かかる水溶液を強制攪拌させながら銅層表面に接触させることにより余分な銅層を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】基板自体を回転させることなく基板面で薬液を移動させる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、被処理基板４を載置する試料ステージ１と、試料ステージ１の外周に配置される外輪排気ロータ２とを備え、外輪排気ロータ２によって、被処理基板の上面又は下面に存在する液体又は気体に流れを発生させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 作製時における第２導電型の半導体部の削れの発生を低減することで、優れた変換効率を示す光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 球状の第１導電型の結晶半導体粒子に対して、凸部の先端が曲面状に形成された凹凸構造を前記結晶半導体粒子の表面に形成し、次に、前記結晶半導体粒子を導電性基板の一主面に押圧して接合し、次に、前記結晶半導体粒子の上部が露出するように、前記導電性基板の一主面の前記結晶半導体粒子間に絶縁層を形成し、次に、前記結晶半導体粒子の上部及び前記絶縁層上に透光性導電層を形成して光電変換装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板エッチング方法及びその装置を開示する。
【解決手段】 ガラス基板エッチング方法が開示される。まず、エッチング領域と洗浄領域を含むベースに収容されたエッチング液にガラス基板を沈積して、前記ガラス基板をエッチングする。前記ガラス基板を前記ベースの洗浄領域へ移送し、前記エッチング領域と前記洗浄領域を分離する。前記洗浄領域のエッチング液を排出する。前記ガラス基板に洗浄液を加える。従って、ガラス基板エッチング工程の効率を改善し、ガラス基板の品質低下を防止することができる。 （もっと読む）

ディスク状物体のウェット処理用装置が開示されており、該装置は該ディスク状物体を保持、回転するスピンチャックと、該ディスク状物体の第１面の第１周辺領域の方へ向けられた処理液を分配する内側エッジノズルと、を具備しており、該第１面は該スピンチャックに面しており、該第１周辺領域は１ｃｍより大きく、該ディスク状物体の半径（ｒａ）より小さい内側半径（ｒｉ）を有する該第１面の領域として規定され、該内側エッジノズルは、該スピンチャック上に置かれた時の該ディスク状物体と該スピンチャックとの間に静止した仕方で位置付けられ、該内側エッジノズルは、該ディスク状物体の第１面に対し処理液を供給するために、静止した仕方で配置され、該スピンチャックを中央で貫通する中央パイプを通して供給を行っている。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて、エッチング槽内の反応生成物の除去率を向上し得るウェットエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング液１１が貯留されるエッチング槽１と、エッチング槽１１内に配置され、且つ、エッチング液１１を攪拌する攪拌部材２と、攪拌部材２に回転動力を付与する動力部３とを備えたウェットエッチング装置を用いる。攪拌部材２として、磁性体を備えたものを用いることができる。この場合、攪拌部材２を、エッチング槽１１の底面１ａに配置する。駆動部３として、エッチング槽１の底面の下方に複数の電磁石４を備えたものを用いる。そして、複数の電磁石４それぞれの磁力を変化させることによって、攪拌部材２に、それを底面１ａの法線を軸として回転させる回転動力が付与される。 （もっと読む）