【課題】基板を液層に浸漬して液処理した後、その液層を排出することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部の下方に設けられた貯留槽と、前記貯留槽の外周側に該貯留槽を囲むように設けられた環状のカップ部と、を有し、前記貯留槽は、前記基板支持部により支持される前記基板の下面に対向するように設けられた円形の底部と、前記底部の外周部に該底部を囲むように設けられた周壁を含む堰部と、を含み、前記底部と前記堰部との相対的な位置関係を変化させることによって、前記貯留槽に液体を貯留し又は前記貯留槽の液体を排出し、前記カップ部は、前記排出された液体を収容することを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面の検査結果に応じて基板を適正に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置における搬入部１１と、第１処理部１２と、第２処理部１３と、搬出部１４とは、昇降用モータ２０の駆動により、それらが水平面に対して平行に向く位置と水平面から傾斜した位置との間を、軸１５を中心に一体となって揺動する。制御部がエッチングすべき膜の膜厚が均一であると判断した場合には、第１処理部１２および第２処理部１３を、搬入部１１および搬出部１４とともに、水平面に対して傾斜させる。制御部がエッチングすべき膜の膜厚が不均一であると判断した場合には、第１処理部１２および第２処理部１３を、搬入部１１および搬出部１４とともに、水平面と平行に向く位置に配置する。 （もっと読む）

【課題】発光効率、発光波長の狭帯域化を図ることができる多孔質シリコン層を形成するため、陽極酸化法で多孔質シリコン層を形成する際、制御性良く微小孔を形成する方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板１０１と、その表面に埋設された多孔質シリコン層１０２と、多孔質シリコン層に接続するように設けられた透明電極１０３と、単結晶シリコン基板の裏面に設けられたオーミック性電極１０４とを有し、多孔質シリコン層を発光層あるいは受光層とする半導体光素子の製造方法であって、超音波振動を印加しながら、単結晶シリコン基板表面を陽極酸化し、発光層あるいは受光層となる前記多孔質シリコン層を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に安価な方法で且つ高い位置精度でエッチングを施す。
【解決手段】表面６０ａにおいて、所定のパターンに対応する箇所に複数の開口部９０が形成され、開口部９０から裏面６０ｂに連通する流通路９１が形成され、流通路９１における開口部９０と反対側の端部には、流通路９１を塞ぐ開閉自在に構成された蓋体が設けられ、且つ流通路９０にエッチング液が充填されたテンプレート６０の表面６０ａを、ウェハＷに密着させる。次いで、蓋体を開操作して流通路内９１の空気抜きを行うことで開口部９０からウェハＷに対してエッチング液を供給し、エッチング液を供給する際に、テンプレート６０の流通路９１の内面に配置された加振機構を振動させることによりエッチング液を振動させる。
加振機構は、平面視においてエッチング液が流通路９１で渦流を形成するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に安価な方法で且つ高い位置精度で処理液を供給する。
【解決手段】処理液供給方法であって、表面６０ａにおいて、所定の位置に対応する箇所に開口部９０が複数形成され、且つ表面６０ａに形成された開口部９０から裏面６０ｂに連通する流通路９１を備えたテンプレート６０を、テンプレート６０の裏面６０ｂを保持して回転させるスピンチャック６２に載置する。次いで、テンプレート６０の表面６０ａに処理液を供給すると共にスピンチャック６２を回転させて流通路９１に処理液を充填する。処理液が充填されたテンプレート６０の表面６０ａにウェハＷを密着させ、次いで、テンプレート６０とウェハＷとの密着を維持したまま、テンプレート６０とウェハＷとを上下反転させる。 （もっと読む）

【課題】安価な方法で基板の表面処理を適切に行いつつ、基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】テンプレート１２の表面１２ａには、ウェハＷの表面Ｗａにおける表面改質が行われるべき位置に開口部１５が複数形成されている。テンプレート１２は、開口部１５に連通する表面改質液の流通路１６を備えている。このテンプレート１２とウェハＷを密着させた後、この状態のまま、表面改質液供給口１７から流通路１６を介して開口部１５からウェハＷの所定の位置の表面Ｗａに対して表面改質液を供給することで、ウェハＷの表面Ｗａを改質する。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で、ウェーハの表面全体において良好な平坦度が得られるようにした、枚葉式エッチング装置及び方法を提供する。
【解決手段】回転しているウェーハ２の表面にノズル２１からエッチング液を供給してウェーハ２の表面を１枚ずつエッチングする枚葉式エッチング装置において、ノズル２１をウェーハ２の回転中心Ｏ_１を通る揺動軌跡Ｌでウェーハ２の表面に沿って揺動させるノズル揺動装置２４を備えるとともに、ノズル２１が揺動方向に対して直交する方向に延びたスリット形状の吐出口２１ａを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板からの被覆物の除去処理を短時間化できる上、バリ発生のない高品質なパターン生成を行うことができるようにする。
【解決手段】フォトレジストに対して溶解性がない純水２００中にシリコン基板１００を浸漬させた状態で、ホーン型超音波発生器２０から純水２００を介してシリコン基板１００に対して強力な超音波を照射することにより、金属膜の殆ど全てとフォトレジストの一部とを金属疲労の原理により、バリの発生もなく短時間で除去することができようにするとともに、金属膜を除去した後、フォトレジストに対して溶解性のあるＩＰＡを用いることによって、残ったフォトレジストを完全に除去する。 （もっと読む）

本発明は、エッチングすべき少なくとも１つの材料（４）を含む構造体（１）をエッチングするための方法であって、エッチングすべき前記材料（４）と反応できる少なくとも１つの化学種を選択するステップと、前記材料とは反応しないが、前記化学種を放出できる少なくとも１つの可溶性化合物を選択するステップと、前記化合物を含む溶液（１１）を製造するステップと、エッチングすべき前記材料の表面が前記溶液内およびガス（Ｇ）の付加的バブル内に存在するような位置に前記構造体（１）を置くステップと、可溶性化合物または沈殿物を生成しながら前記化学種を発生し、これら化学種がエッチングすべき前記材料と反応するように、前記付加的バブルの存在下で反応性キャビテーションバブルを発生できる少なくとも１つの周波数で高周波超音波を溶液内で発生させるステップとを備える、構造体をエッチングするための方法に関する。
（もっと読む）

【課題】基板の化学的変化を低減することができるスピン乾燥部を備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】上部から第１の気体（例えばクリーンエアー）が導入されるスピン乾燥部４を備え、スピン乾燥部４が、基板７を保持する回転台９と、回転台９によって保持された基板９の中央及びその周辺部に第２の気体（例えば窒素ガス）を吹き付けるガス噴射部６と、回転台９を垂直軸周りに回転させる回転駆動部（例えばスピンドルモータ１０）と、前記回転駆動部の回転軸に取り付けられる同軸ファン１４とを有し、同軸ファン１４が回転すると、垂直方向下方に向かう気流が形成される基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】処理対象物の表面の損傷を抑制して表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射部１０の窓１４から出力された電子ビームは、薄膜２７を通過して配管２４内の処理溶液８０に照射され、その処理溶液８０を活性化する。その活性化された処理溶液８０は、溶液タンク２３に注がれ、その溶液タンク２３の中に入れられた処理対象物９０の表面処理に使われる。処理溶液８０が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液８０に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液８０の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液８０が処理対象物９０の表面に供給される場合にも、その処理対象物９０の表面処理の効率化を図ることができる。 （もっと読む）

半導体ウエハーや基板のような処理対象物を洗浄、食刻など湿式処理する湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレルを開示する。本発明による対象物の湿式処理装置は、処理対象物が収容されて処理される処理槽と、前記処理槽の内部に回転可能に設けられ、表面には対象物を前記処理槽の底面と垂直方向に立てて支持する複数のスロットが形成された棒状の対象物支持棒と、前記対象物支持棒に連結されて前記対象物支持棒を回転させることで前記対象物を回転させる回転手段と、を備え、前記対象物支持棒には、前記対象物に処理流体を噴射する処理流体噴射口、及び前記処理流体噴射口に処理流体を供給する処理流体流路が形成されている。本発明によれば、処理槽内のデッドゾーンを除去して処理流体の均一且つ円滑な流れが可能になり、処理効率及び処理均一度が向上する。 （もっと読む）

【課題】処理槽内の洗浄液に浸漬された基板に対し超音波を照射して基板を洗浄する場合に、装置の構造を複雑化させることなく、基板の洗浄面全域に効果的に超音波を照射して洗浄効果の均一性を高めることができる方法を提供する。
【解決手段】吐出管２０から供給された洗浄液が処理槽１０内の洗浄液中に拡散していくときの流動分布の推移状況と、処理槽１０の底部側から照射された超音波が処理槽内の洗浄液中を伝播していくときの合成波面の進行状況とが相互に適合するように、基板Ｗの配列方向と直交する方向に並設された複数の超音波振動子群２２からそれぞれ位相をずらして超音波を照射する。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板のデバイス面を確実に洗浄処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】上面に基板が保持されるテーブル４と、テーブルに保持された基板にその板面と直交する上下方向に超音波振動を付与する振動子３と、テーブルに保持され振動子によって超音波振動する基板の上面に処理液を供給するノズル体を具備する。 （もっと読む）

【課題】超音波振動が付与された処理液により所期の処理を基板に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】メモリ２１には、超音波振動子１８の駆動電流値と、超音波ノズル４とウエハＷとの間の距離と、超音波ノズル４から供給される処理液流量と、ウエハＷ上における処理液中の超音波音圧値との対応関係を表す駆動電流値−距離−流量−音圧値対応テーブルが記憶されている。ＣＰＵ２０は、駆動電流値−距離−流量−音圧値対応テーブルを参照することにより、音圧値入力キー２４により設定された超音波音圧値に対応する駆動電流値を求める。ＣＰＵ２０は、その算出された駆動電流値で超音波振動子１８を駆動するように超音波発振器１７を制御する。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子の形状が平板形状でありながらも、所望の方向に振動を伝播させることができる圧電振動子及びその製造方法を提供し、さらに該圧電振動子を使用することにより、装置設計が圧電振動子に制限されず且つ洗浄性能がより向上できる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板保持手段１１と、圧電振動子１５の振動を洗浄液１４に伝播させて基板Ｗを超音波洗浄する洗浄手段１２と、圧電振動子１５に高周波電圧を印加する超音波発振器１３を有する超音波洗浄装置１０において、圧電振動子１５は、振動電極１６ａ、１６ｂの形成された平板形状の圧電振動子であり、該平板形状の圧電振動子１５は、その分極軸Ｐが厚み方向Ｔに対して所望の角度に傾斜したものであることを特徴とする超音波洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板のデバイス面を確実に洗浄処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって洗浄処理する処理装置であって、
処理液が貯留される処理槽１と、基板１６のデバイス面１６ａを下に向けて保持して上下方向に駆動され下降方向に駆動されたときに上記デバイス面を処理槽の処理液に浸漬させる保持機構１７と、処理槽に貯留された処理液に超音波振動を付与する超音波発振器１５を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板上の微細パターンを損傷させることなく、効率の高い基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】単数枚または複数枚の基板を１バッチとし、１バッチの基板をウェットエッチング液に浸漬する工程と、超音波洗浄する工程と、乾燥する工程とを備えるバッチ式ディップ処理方式による基板の洗浄方法であって、超音波洗浄工程は、大気圧下における溶存ガスの飽和度が６０％〜１００％である洗浄水を用い、超音波の周波数が５００ｋＨｚ以上、超音波の出力が０．０２Ｗ／ｃｍ²〜０．５Ｗ／ｃｍ²である。 （もっと読む）

【課題】液の分解や基板の腐食が無く、低コストであって、かつタングステン系金属のエッチングレートの大きいエッチング液およびエッチングによるタングステン系金属の除去方法を提供する。
【解決手段】硝酸と、クエン酸等の多価カルボン酸及びその塩からなる群より選ばれる少なくとも１種のカルボン酸類を含有する水溶液からなるエッチング液にタングステン系金属を浸漬等することのより、タングステン系金属を溶解除去する。タングステン系金属としてはタングステン金属、チタンタングステン合金、タングステンシリサイド、窒化タングステン、モリブデンタングステンなどである。 （もっと読む）

【課題】基板表面に処理液を物理的に作用させることによって基板に対する処理を実行するにあたり、どのような処理液を用いた場合であっても、基板にダメージを与えることなく処理を実行することを可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、複数の基板を、処理液中に浸漬させることにより基板Ｗに対する超音波洗浄処理を実行する処理部１を備える。制御部５は、処理液供給部２から処理部１に対して処理液の供給を開始するに先だって、当該供給される処理液が基板にダメージを与えにくい適正処理液であるか否かを、当該処理液の分子密度の値と分子密度閾値との比較によって判断する。処理液が適正処理液でないと判断された場合には、処理液調整部３において処理液に窒素ガスを溶解させる。 （もっと読む）