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Fターム[5F043EE32]の内容

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【課題】基板を液層に浸漬して液処理した後、その液層を排出することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部の下方に設けられた貯留槽と、前記貯留槽の外周側に該貯留槽を囲むように設けられた環状のカップ部と、を有し、前記貯留槽は、前記基板支持部により支持される前記基板の下面に対向するように設けられた円形の底部と、前記底部の外周部に該底部を囲むように設けられた周壁を含む堰部と、を含み、前記底部と前記堰部との相対的な位置関係を変化させることによって、前記貯留槽に液体を貯留し又は前記貯留槽の液体を排出し、前記カップ部は、前記排出された液体を収容することを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】処理液の補充による処理液の濃度増加を防止すること。
【解決手段】本発明では、薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって処理液の濃度を設定温度における飽和濃度とし、処理液に基板を浸漬させて基板の処理を行う基板処理装置(1)において、基板(10)を処理液で処理する処理槽(2)と、処理槽(2)に貯留した処理液を設定温度に加熱する処理液加熱手段(5)と、処理槽(2)から処理液を排出する処理液排出手段(6)と、処理槽(2)に処理液を補充する処理液補充手段(7)と、設定温度を変更する設定温度変更手段(8)と、処理液排出手段(6)と処理液補充手段(7)を制御する制御手段(9)とを有し、制御手段(9)は、処理液排出手段(6)で所定量の処理液を処理槽(2)から排出し、設定温度変更手段(8)で変更された設定温度における飽和濃度となる濃度の処理液を処理液補充手段(7)から処理槽(2)に補充するよう制御することにした。 (もっと読む)


【課題】各種の生産設備から排出される排水を処理するための効率的な排水処理方法を提供する。
【解決手段】排水処理装置10は、処理対象成分の濃度が低い排水を処理するための低濃度排水処理手段13と、処理対象成分の濃度が高い排水を処理するための高濃度排水処理手段14と、生産設備から低濃度排水処理手段と高濃度排水処理手段とに排水を送る排水路4,11,12と、排水路を通る排水を前記低濃度排水処理手段又は前記高濃度排水処理手段に切り替えて排水させる流路切り替え手段15,16と、生産設備での生産工程のプロセスデータ信号を送信するプロセスデータ信号送信手段17と、プロセスデータ信号を受信して、該プロセスデータ信号に基づいて、排水路を通る排水の処理対象成分の濃度を判断して、該濃度に基づいて、流路切り替え手段に動作信号を送る制御手段とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 基板の表裏両面を均一に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 処理槽11にエッチング液を貯留するエッチング液供給工程と、ガラス基板100を搬送ローラ21により搬送してエッチング液が貯留された処理槽11内に進入させる基板搬入工程と、ガラス基板100の下面からエッチング液を吐出することによりガラス基板100を搬送ローラ21より上方で、かつ、処理槽11に貯留されたエッチング液の液面より下方の位置まで浮上させるエッチング液吐出工程と、エッチング液の吐出を停止してガラス基板100を搬送ローラ21と当接する位置まで下降させる基板下降工程と、処理槽21に貯留されたエッチング液を排出するエッチング液排出工程と、ガラス基板100を搬送ローラ21により搬送して処理槽11より退出させる基板搬出工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】処理室内に複数のノズル支持アームを進出させることができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、処理室20と、基板保持部21に保持された基板Wに対して流体を供給するためのノズル82aと、ノズル82aを支持するノズル支持アーム82と、処理室20に隣接して設けられ、当該処理室20から退避したノズル支持アーム82が待機するためのアーム待機部80と、を備えている。液処理装置10において、ノズル支持アーム82p〜82uは複数設けられており、ノズル支持アーム82p、82r、82tはノズル支持アーム82q、82s、82uと高さレベルが異なるようになっている。 (もっと読む)


【課題】フットプリントを小さくすることができ、排気と排液との分離機構を特別に設ける必要のない液処理装置を提供すること。
【解決手段】排気・排液部6は、主にウエハWから振り切られた処理液を取り入れて排液する環状をなす排液カップ41と、排液カップ41の外側を囲繞するように設けられ、回転カップ3およびその周囲からの主に気体成分を取り入れて排気する排気カップ42とを有し、回転カップ3は環状の庇部材32を含み、排液カップ41は、庇部材32の下側で回転カップ3に形成された排出孔33,34を通してウエハWから振り切られた処理液を取り入れて排液口43から排液し、排気カップ42は、庇部材32の上側で排気カップ42に形成された導入口42bを通して回転カップ3の周囲からの気体成分を取り入れて排気口45から排気し、排液カップ41からの排液と排気カップ42からの排気が独立して行われる。 (もっと読む)


【課題】シリコンウエハエッチング排水に酸を添加して析出したシリカ(SiO)を固液分離する方法において、凝集剤の必要添加量の低減、発生汚泥の減溶化、汚泥含水率の低減と脱水性の向上、処理水質の安定化を図る。
【解決手段】酸を、固液分離汚泥の一部と混合してシリコンウエハエッチング排水に添加する。汚泥に酸を添加混合して汚泥表面を酸で改質することにより、シリカ(SiO)が汚泥表面で析出するようになり、この結果、汚泥に取り込まれる水の量を最小限に抑えることができる。このため、含水率が低く、また、脱水性に優れた汚泥が得られ、凝集剤の必要添加量が低減されることにより汚泥発生量も低減され、汚泥の固液分離性が向上することにより、処理水質も安定する。 (もっと読む)


【課題】アルカリエッチング排液からのシリカの除去およびアルカリ水溶液の回収を安価な手法によって達成する。
【解決手段】シリカが溶解したアルカリエッチング排液からシリカを除去してアルカリ水溶液を回収するアルカリエッチング排液の処理方法において、シリカが溶解したアルカリエッチング排液に対して水酸化カルシウム、酸化カルシウム、両性金属、両性金属の水酸化物または両性金属の酸化物を添加することにより、アルカリエッチング排液に溶解しているシリカを不溶性ケイ酸塩として析出させ、不溶性ケイ酸塩とアルカリ水溶液とを固液分離することにより、アルカリ水溶液を回収する。 (もっと読む)


【課題】基板の一方の面の被加工膜をエッチングして剥離するときに、薬液が基板の他方の面に飛散することを防止する。
【解決手段】基板8を支持する基板ホルダー3を洗浄槽内に回転可能に設け、基板上に形成された被加工膜18の上に薬液を吐出するノズル5を基板ホルダーの上方で横方向に移動可能に設け、ノズルを基板の上方で横方向に移動させると共に、ノズルから基板上に薬液を吐出させる制御装置を備え、基板から跳ねた液滴状の薬液を検知する液滴センサ10を備え、制御装置は、液滴センサから出力された検知信号に応じてノズルの横方向への移動を停止させるように制御した。 (もっと読む)


【課題】被処理体近傍の処理液雰囲気を効率よく排出すること。
【解決手段】液処理装置は被処理体Wを処理する。液処理装置は、外容器1と、外容器1内に配置され、被処理体Wを支持する支持部30aと、支持部30aによって支持された被処理体Wを回転させる回転駆動機構60と、被処理体Wに処理液を供給する処理液供給機構と、被処理体Wの周縁外方に配置され、支持部30aとともに回転可能な回転カップ11と、を備えている。回転カップ11の上方には、回転カップ11とともに回転する回転排気カップ10が設けられている。排出機構は、回転カップ11と回転排気カップ10によって案内された処理液雰囲気を排出する。 (もっと読む)


【課題】シリコン等の基板上に回路等のパターンを生成する場合において、構成の簡略化及び処理コストの低減化を実現し、シリコン基板から剥離したフォトレジスト及び金属膜などの汚れがシリコン基板上に再付着するのを防止し得るウエット処理方法及びウエット処理装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板Sからフォトレジスト及び金属膜を除去する不燃性液体Lを収容可能なスピンステージ2にシリコン基板Sをセットすると共に、スピンステージ2に不燃性液体Lを入れてシリコン基板Sを不燃性液体L中に没入させた後、ホーン型超音波発生器3の超音波ホーン3Cを不燃性液体L中においてシリコン基板Sの表面に適宜間隔をもって対峙させて、シリコン基板Sの表面に向けて超音波を照射するのに続いて、スピンステージ2をその中心回りに回転させて、シリコン基板Sから除去されたフォトレジスト及び金属膜を不燃性液体Lとともにスピンステージ2の外側に排出させる。 (もっと読む)


【課題】吸引管を有する真空エッチング装置において、吹き付けられたエッチング液が基板の走行方向に流れるため、基板のたてとよこのエッチングに差が生じる欠点を改良し、均一なエッチング特性を得ることのできるエッチング装置を提供する。
【解決手段】吸引管4の開口部7を部分的な開口とし、ノズルから基板上に吹き付けられたエッチング液がバイアス状の流れ10を形成する構造とした。これによってエッチング液は基板上を斜めの異なる方向にクロスして流れる流れ10となり、よこ方向の回路間の残銅を少なくし、エッチングのたて/よこ比の改良が達成できる。 (もっと読む)


【課題】処理液案内部材の内方に処理液雰囲気を保持することができ、処理液案内部材外への処理液雰囲気の流出を抑制または防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】内構成部材19は、スピンチャック1の周囲を取り囲むように設けられ、第1案内部25、廃棄溝26、内側回収溝27および外側回収溝52を一体的に有している。中構成部材20は、内構成部材19の外側においてスピンチャック1の周囲を取り囲むように設けられ、第2案内部48を有している。外構成部材21は、中構成部材20の第2案内部48の外側においてスピンチャック1の周囲を取り囲むように設けられている。外構成部材21には、スカート部80が備えられている。スカート部80の垂下部81の下端部は、液体貯留部70に貯留された液体中に浸漬されていて、液封構造を形成している。 (もっと読む)


【課題】熱の再利用ができ、配管の破損が生じても問題が生じることがなく、その上、装置のコストアップを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】二重容器27における熱交換により、排出される燐酸と供給される燐酸との間で熱の再利用ができる。また、熱交換が燐酸同士であるので、二重容器27の内容器29が破損したとしても問題が生じない。その上、別体の予備温調ユニットを設けることなく、供給する燐酸に加温することができるので、装置のコストアップを抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】基板の表面のデバイス形成領域に処理液による悪影響を与えることなく、基板の周縁部から汚染を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ブラシ11に関連して、処理液を吸引するための吸引ノズル70が設けられている。吸引ノズル70の先端部は、第1接触面32と第2接触面33との境界部分34に対向する先端面72と、第1接触面32および第2接触面33と当接する当接面73とを有している。先端面72には、吸引口74が形成されている。吸引ノズル70に接続された吸引管76は、処理室2の外部へ延びており、その先端は、真空発生装置60に接続されている。真空発生装置60が駆動されると、ブラシ11の内部に含まれる処理液は吸引口74に吸引され、ブラシ11の内部に吸引口74に向かう処理液の流れが形成される。 (もっと読む)


【課題】ウエーハの上面に形成された絶縁膜やメタル膜の多層配線のエッジ部分を同時に効率よくエッチングし、成分や配合の異なるエッチング液を再利用できるようにしたウエーハエッジのエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】ウエーハ1の周囲に複数のエッチングユニット6を配置する。このエッチングユニット6内に設けられたエッチングローラー10には、各エッチングユニット6ごとにエッチングしようとする絶縁膜やメタル膜に最適のエッチング液が供給される。ウエーハの上下にはリングブロー20,21が設けられ、ホットエアーをウエーハの半径方向の環状に噴き出し、エッチング液のガスをエッチングユニット内に吹き戻すと共にウエーハを加温している。エッチングユニットの中心軸8部分の排気口から上記エッチング液はエッチング液ごとに回収され、再利用することができる。 (もっと読む)


【課題】別の処理ユニットからのケミカル雰囲気の進入を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を保持する基板保持部42、及び基板に処理液を供給する供給ノズル61と、この供給ノズル61を待機位置から基板保持部42の上方に旋回させるシャフト63とを有する処理液供給部41を備えた複数の基板処理部22と、基板処理部22の各々を互いに独立して収容する複数のチャンバ43と、待機位置の各々に設けられ、供給ノズル61から吐出される処理液を受ける排液ポート82と、排液ポート82の各々が接続され、複数の基板処理部22で共有される主排液配管81と、排液ポート82と主排液配管81との間の各々に設けられ、主排液配管81からの気体の進入を防ぐ進入防止弁85と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】基板の上方におけるミスト発生を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部2と、基板保持部2を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板保持部2の外側に、この基板保持部2に保持された基板を囲繞するように設けられ、基板保持部2とともに回転し、回転する基板から振り切られた処理液を受ける壁部32を有する回転カップ4と、回転カップ4の外側に、この回転カッ4プ及び基板保持部2を囲繞するように設けられ、回転する基板から振り切られた処理液を収容する環状の液収容部56と、この環状の液収容部56よりも内側に設けられた内側環状空間99bとを備えた排気及び排液カップ201と、排気及び排液カップ201の内側環状空間99bに接続された排気機構200と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内の底部と上部との雰囲気を遮蔽することにより、処理中に生じたパーティクルによって基板が汚染されることを防止して、基板を清浄に処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置において基板Wに対する処理が行われるが、処理槽1の外側壁75とチャンバ27の内側壁との間にある空間には、遮蔽部材79が設けられているので、処理槽1から溢れ、チャンバ27の底部に処理液が落下することで飛散したパーティクルは、チャンバ27底部から上部へ向かうことなくチャンバ27底部に抑え込まれる。したがって、処理中に生じたパーティクルによって基板Wが汚染されることを防止することができ、基板Wを清浄に処理することができる。 (もっと読む)


【課題】酸素濃度の低減処理を効率的に行うことにより、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部67は、基板Wに対して処理液による処理を行わせた後、窒素ガスを供給させるとともに、排気ポンプ28bを操作して排気を行わせてチャンバ27内の酸素濃度を低減させ、所定時間が経過した時点で排気及び不活性ガスの供給を停止させ、溶剤ノズル33から溶剤蒸気を供給させてチャンバ27内を溶剤雰囲気にさせた後に乾燥処理を行わせる。窒素ガスでの酸素の追い出しだけでなく、排気ポンプ28bでの気体の排出を併用するので、チャンバ27内の酸素濃度を急速に低減させることができる。したがって、基板Wを乾燥位置へ引き上げるまでの時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。 (もっと読む)


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