【課題】液処理と乾燥処理を異なる高さ位置で行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、前記基板保持部を上昇及び下降させる基板保持部昇降部材と、前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板を囲う液受けカップと、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板と前記液受けカップの上方に位置し、前記基板を乾燥するときに、前記基板を囲い、かつ前記液受けカップの上方に位置する乾燥カップとを備えることを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】太陽電池製造のテクスチャエッチング工程において、従来に比してテクスチャ形成不良を抑えることができるエッチング装置を得ること。
【解決手段】シリコン基板１００をエッチング液１３中に浸漬してエッチングするエッチング装置であって、エッチング液１３を貯留し、シリコン基板１００をエッチングするエッチング槽１１と、エッチング液１３中に溶出した疎水性有機物を収集する疎水性有機物収集部１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理液の補充による処理液の濃度増加を防止すること。
【解決手段】本発明では、薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって処理液の濃度を設定温度における飽和濃度とし、処理液に基板を浸漬させて基板の処理を行う基板処理装置(1)において、基板(10)を処理液で処理する処理槽(2)と、処理槽(2)に貯留した処理液を設定温度に加熱する処理液加熱手段(5)と、処理槽(2)から処理液を排出する処理液排出手段(6)と、処理槽(2)に処理液を補充する処理液補充手段(7)と、設定温度を変更する設定温度変更手段(8)と、処理液排出手段(6)と処理液補充手段(7)を制御する制御手段(9)とを有し、制御手段(9)は、処理液排出手段(6)で所定量の処理液を処理槽(2)から排出し、設定温度変更手段(8)で変更された設定温度における飽和濃度となる濃度の処理液を処理液補充手段(7)から処理槽(2)に補充するよう制御することにした。 （もっと読む）

【課題】基板処理機構部に対して外付け接続するだけで、処理液から金属イオンを除去して、金属イオンの除去後に処理液の濃度を調整して基板処理機構部に循環して送ることができ、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板処理機構部２に接続されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌを回収する貯留槽３と、貯留槽３内に配置されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌから金属イオンを除去する処理液再生部５と、処理液再生部５により金属イオンを除去した処理液Ｌの濃度を補正する濃度補正貯留部５１，５２と、濃度が補正された処理液Ｌを、濃度補正貯留部５１，５２から基板処理機構部２に送る送液部７１を備える。 （もっと読む）

【課題】一方の濃度を一定に保つことで他方の濃度が一定範囲で変化しても所定のエッチングレートを維持することができることに着目し、一方の酸のみを添加することにより、エッチングレートを一定に維持することが可能なシリコンウェーハのウェットエッチング方法及びウェットエッチング装置を提供すること。
【解決手段】所定のエッチング量を得るためのフッ酸の濃度を第１のフッ酸濃度とし、所定のエッチング量を得るための硝酸の濃度を第１の硝酸濃度としたとき、硝酸の濃度を第１の硝酸濃度よりも高く、フッ酸の濃度を第１のフッ酸濃度とした薬液をエッチングに使用するエッチングステップと、エッチングステップで使用した薬液に、第１のフッ酸濃度よりも高い濃度のフッ酸を添加する添加ステップとを有し、添加ステップの後の薬液を再びエッチングに使用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】陰イオン吸着作用を有する吸着材に吸着した塩化物イオンを、アルカリ性水溶液を用いることなく効果的に除去することができるキレート材再生方法及びキレート材再生機能を備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、エッチング液Ｌが貯留された貯留槽１１、エッチング処理を行う基板処理機構１２、エッチング液再生装置１０などを備えており、エッチング液再生装置１０は、金属成分を吸着する吸着塔３２，３３と、貯留槽１１と吸着塔３２，３３との間でエッチング液Ｌを循環させる除去処理用循環機構３４と、吸着塔３２，３３に溶離液、洗浄液及び置換液をそれぞれ供給する溶離液供給機構４５、洗浄液供給機構５５及び置換液供給機構７０と、除去処理用循環機構３４、溶離液供給機構４５、置換液供給機構７０などの作動を制御する制御装置２８ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に使用された処理液のうち、回収すべき処理液と排出すべき処理液とが混ざり合うことを確実に抑えられる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗの現像処理に使用される現像液を吐出するノズル３０と、ノズル３０から吐出された現像液が流下する基板処理槽１０と、基板処理槽１０の内部に廃液口４３１が設けられた配管４３と、配管４３と並列的に設けられ、現像液の回収と再利用とのために基板処理槽１０の内部において回収口４２１が設けられた配管４２と、基板処理槽１０の所定部位に設けられ、揺動軸４４２を中心に揺動することによって、基板処理槽１０内に流下した現像液の流出先を配管４２と配管４３との間で選択的に切り替える揺動部材４４５を有する現像液流路切替部４４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明はエッチング処理装置で循環使用、あるいは、エッチング処理後、珪素除去装置で珪素成分を除去した燐酸溶液中の珪素濃度を弗化水素酸で分解し、発生した四弗化珪素（ＳｉＦ₄）を赤外吸収測定器で簡易に迅速かつ精度よく測定し、安定した珪素濃度管理が可能とする測定装置及び測定方法を提供すること。
【解決手段】稼働中の半導体基板処理装置においてエッチング液として循環使用されている燐酸溶液中の珪素濃度の測定方法であって、前記半導体基板処理装置から１００〜１８０℃に加熱された一定量の燐酸溶液を抜き出し、これを急速に５〜５０℃に冷却し、しかる後、急速に５〜５０℃に冷却された該一定量の燐酸溶液に弗化水素酸を添加して両者間の反応により四弗化珪素を生じさせ、更に、生成した四弗化珪素をキャリアガスにより気化させ、気化した四弗化珪素ガスの濃度を赤外吸収測定器により測定することを特徴とする燐酸溶液中の珪素濃度の測定装置及び測定方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、半導体基板の表面に溶液を投下し、触媒として作用する転写部の表面を溶液が投下された半導体基板の表面に接触するべく水平移動する。
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【課題】簡易な装置構成にて確実にリン酸水溶液を再生することができるリン酸再生方法、リン酸再生装置、および、そのリン酸再生装置を用いた基板処理システムを提供する。
【解決手段】浸漬処理装置２の浸漬処理槽２０に加熱したリン酸水溶液を貯留し、そこにシリコン窒化膜が形成された基板Ｗを浸漬してエッチング処理を行う。繰り返しエッチング処理に使用されてシリコン濃度が上昇したリン酸水溶液は、浸漬処理装置２からリン酸再生装置５の貯留タンク５０に移送されて貯留される。貯留タンク５０内にて使用後のリン酸水溶液の徐冷を行うことによって、ケイ素酸化物を含む不純物が析出し、その不純物は比較的サイズの大きな粒子に成長する。不純物が析出したリン酸水溶液がフィルター５１を通過することによって、不純物がフィルター５１に付着して除去され、リン酸水溶液の再生処理がなされる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子や回路基板など電子回路部に用いられる部材をエッチング加工にて製造するためのエッチング加工処理において、非リターン液の発生をできるだけ抑え、且つ、安定的なエッチング加工を行うことができるエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】 処理する際の前記基材の搬送方向、前記エッチング処理を処理槽内において行うエッチング処理部の後、前記洗浄処理を行なう洗浄処理部の前、前記処理槽の外において、エアを上側から基材およびコンベアに吹きつけて、エアの力により基材およびコンベアに残留しているエッチング液を、下側に落下させるエッチング液落下処理部と、落下させたエッチング液を受ける落下液受け部と、該受け部に落下させたエッチング液をリターン液として回収利用する回収経路とを有し、前記落下液受け部で受けたエッチング液をリターン液として回収利用するものである。 （もっと読む）

【課題】各種の生産設備から排出される排水を処理するための効率的な排水処理方法を提供する。
【解決手段】排水処理装置１０は、処理対象成分の濃度が低い排水を処理するための低濃度排水処理手段１３と、処理対象成分の濃度が高い排水を処理するための高濃度排水処理手段１４と、生産設備から低濃度排水処理手段と高濃度排水処理手段とに排水を送る排水路４，１１，１２と、排水路を通る排水を前記低濃度排水処理手段又は前記高濃度排水処理手段に切り替えて排水させる流路切り替え手段１５，１６と、生産設備での生産工程のプロセスデータ信号を送信するプロセスデータ信号送信手段１７と、プロセスデータ信号を受信して、該プロセスデータ信号に基づいて、排水路を通る排水の処理対象成分の濃度を判断して、該濃度に基づいて、流路切り替え手段に動作信号を送る制御手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】アルカリ溶液を用いたテクスチャエッチング工程によってエッチング液中の陽イオン濃度を低下させることで、シリコン基板面内に均一なテクスチャを形成し、表面の汚染も無い基板を用いることで、高い発電効率を有する太陽電池を高い歩留まりで製造することができる。
【解決手段】テクスチャエッチング装置（エッチング装置）１００は、ｐ型又はｎ型のドーパントを含むシリコン基板８をエッチング液９中に浸漬してエッチングするエッチング装置であり、エッチング液９を貯留するエッチング槽１と、エッチング液９中に溶出した陽イオンを吸着して収集する第一および第二の陽イオン除去装置４Ａ，４Ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板処理に伴うパーティクルの再付着を抑制するとともに、基板処理の均一性を向上する。
【解決手段】処理槽内の液面レベルを、処理槽内に保持される基板よりも下の液面レベルに制御し、その処理液を、第１循環手段に備えられた第1吐出部から基板に向けて処理槽内で空中吐出する。そのため、基板は処理槽内に貯留された処理液と接触することがなく、基板処理に使用した後の処理液中に含まれるパーティクルが基板に再付着することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】エッチング液と基板との反応で発生した反応生成物によるエッチング処理への影響を抑制できるウェットエッチング装置を得ること。
【解決手段】ウェットエッチング装置は、エッチング液を収容するエッチング槽を備え、前記エッチング槽は、基板がエッチング液中に浸漬され前記基板のエッチング処理が行われるエッチング部と、前記エッチング槽における前記エッチング部より底面側に配された沈殿部と、前記エッチング部と前記沈殿部とを隔てるとともに、前記エッチング部と前記沈殿部とを連通する複数の開口部を有する隔離板とを備えている。 （もっと読む）

【課題】シリコンをエッチング処理したアルカリエッチング液をエッチング槽から引き抜き、膜分離手段で膜分離処理してエッチング槽に循環するアルカリエッチング液の処理において、シリカ除去効率の向上、不純物の蓄積を防止して低シリカ濃度の透過水をエッチング槽に返送する。
【解決手段】２以上のＮＦ膜モジュールを２段目以降のＮＦ膜モジュールにそれぞれ前段のＮＦ膜モジュールの濃縮水を供給するように直列に連結し、１段目のＮＦ膜モジュール１Ａ，１Ｂの透過水をエッチング槽１０に循環し、２段目以降のＮＦ膜モジュール２〜４の透過水を１段目のＮＦ膜モジュール１Ａ，１Ｂの供給水側に循環する。従来の濃縮水循環に起因する系内のシリカ濃度の上昇によるシリカ除去性能の低下、不純物の蓄積の問題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】基板から飛散した処理液が基板へ再付着することを防止できる基板液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板液処理装置１０は、基板保持台１２に保持されて回転する基板Ｗから飛散した処理液を案内する案内回転カップ２１と、案内回転カップ２１により案内された処理液を下方へ案内する案内カップ３１と、を備えている。案内カップ３１は、案内カップ本体３２の内周端部３２ａから下方に延びる下方延長部３３と、この内周端部３２ａから下方延長部３３より内周側に延び、案内回転カップ２１および下方延長部３３と共に案内回転カップ２１が回転することにより旋回する気体を下方へ案内する気体案内空間３５を形成する内周側延長部３４とを有している。 （もっと読む）

【課題】基板を均一にエッチングするために有利な技術を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、第１面および第２面を有する基板の前記第１面をフッ化水素および硝酸を含むエッチング液によってエッチングするように構成され、前記基板の前記第２面を保持するチャックと、前記チャックを回転させることによって前記基板を回転させる回転機構と、フッ化水素および硝酸を含むエッチング液を前記回転機構によって回転させられている前記基板の前記第１面の中央部分に供給する第１供給部と、前記回転機構によって回転させられている前記基板の前記第１面の前記中央部分より外側の外側部分に補充液を供給する第２供給部とを含む。前記補充液は、フッ化水素および硝酸のうちの一方の酸を含み他方の酸を含まない。 （もっと読む）

【課題】半導体基板（太陽電池セル）から離脱した気泡が再度付着して不均一なエッチングや形状欠陥が生じないようにするエッチング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】太陽電池セル２を浸漬させるエッチング液４を貯留するエッチング槽５と、このエッチング槽５内の上層のエッチング液４を回収するとともに、この回収したエッチング液４をエッチング槽５の底部から噴出させて、エッチング液４をエッチング槽５内で循環させる循環水路系２０Ａと、エッチング槽５内の太陽電池セル２とエッチング液４の液面との間に沈められ、太陽電池セル２から発生してエッチング槽５内を浮上する気泡７を捕獲して収集する気泡捕獲収集器１Ａとを含んで構成されている。 （もっと読む）