【課題】アッシング後に発生する部材由来のデポを効果的に除去でき、部材材料に対して安定した低腐食性を有し、低残留性および廃水処理の観点から適し、さらには水での希釈が可能な剥離剤組成物、該組成物を用いる半導体基板または半導体素子の剥離洗浄方法、ならびに該組成物を用いて剥離洗浄する工程を有する半導体基板または半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】分子性酸の共役塩基、分子性塩基の共役酸および水を含有する剥離剤組成物であって、以下（１）、（２）および（３）の特性を有する剥離剤組成物：（１）該共役塩基が２種以上の分子性酸の共役塩基である、（２）該２種以上の分子性酸の標準試験によるアルミナ溶解量が、それぞれ単独の分子性酸のアルミナ溶解量の最大値よりも大きい、（３）水の含有量が剥離剤組成物中50重量％以上である；ならびに該剥離剤組成物を用いて半導体基板または半導体素子を洗浄する工程を有する半導体基板または半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

本発明の電解研磨電解質は酸溶液および少なくとも１個のヒドロキシル基を有するアルコール添加剤を含有し、その際アルコール添加剤の接触角が電解研磨下の金属層上の酸溶液にお接触角より小さい。アルコール添加剤はメタノール、エタノールおよびグリセリンから選択され、酸溶液が燐酸を含有する。グリセリンと燐酸の体積比は１：５０〜１：２００であり、有利に１：１００である。メタノールと燐酸の体積比は１：１００〜１：１５０であり、エタノールと燐酸の体積比は１：１００〜１：１５０である。酸溶液は更に酢酸およびクエン酸からなる群から選択される有機酸を含有する。酢酸の濃度は１００００〜１２０００ｐｐｍであり、クエン酸の濃度は５００〜１０００ｐｐｍである。
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【解決課題】 薄膜トランジスタ基板の製造方法を開示する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、基板100上にトランジスタ薄膜パターン120を形成する段階、保護膜140を形成する段階、フォトレジスト層を形成する段階、画素領域150aを形成する段階、互いに分離された画素電極170及び導電膜160を形成する段階、ストリッピング組成物184を利用してフォトレジストパターン150をストリッピングして、フォトレジスト表面に形成された導電膜160を基板100から分離するストリッピング段階、及び貯蔵タンク186内で分離した導電膜を溶解させる段階を含む。本発明の製造方法によると、薄膜トランジスタ基板の製造時に製造工程の効率を向上させることができ、ストリッピング組成物を再利用することができる。 （もっと読む）

【課題】 単純な構造でかつ被処理膜内のエッチング量の均一性およびエッチングの異方性を向上させたエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】 エッチング液１１が満たされたエッチング槽１２と、エッチング槽１２の底部１２ａに設けられたホットプレート１３と、液面１１ａ付近に設けられた冷却器１４と、被処理面１５ａを下方に向けてエッチング液１１に浸漬された基板１５を保持する基板保持具１６等から構成される。ホットプレートによりエッチング液を第１液温に加熱し、冷却器１４により液面１１ａ付近のエッチング液１１を第１液温よりも低い第２液温に設定することで、エッチング液１１の対流を生ぜしめ、上昇する一様なエッチング液の流れを被処理面１５ａに接触させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性のあるトレンチのプロファイルを確保することができるデュアルダマシン配線の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のデュアルダマシン配線の製造方法は、（ａ）基板上に下部配線を形成する段階と、（ｂ）下部配線上に絶縁膜を形成する段階と、（ｃ）絶縁膜上にハードマスクを形成する段階と、（ｄ）ハードマスクをエッチングマスクで用いて絶縁膜内にビアを形成する段階と、（ｅ）ハードマスクをビアと連結されるとともに配線が形成されるトレンチを規定するトレンチ用ハードマスクに再パターニングする段階と、（ｆ）トレンチ用ハードマスクをエッチングマスクとして用いて絶縁膜を一部エッチングしてビアと連結されるとともに配線が形成されるトレンチを形成する段階と、（ｇ）トレンチ用ハードマスクを湿式エッチングで除去する段階と、（ｈ）トレンチ及びビアを配線物質で充填して配線を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】リフトオフ処理時間を大にすることなく、寸法精度に優れた微細パターンを容易に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】表面レジスト層１５は、前述のパターン露光領域外のみ通常のポジ型レジストとして現像される。そして、下層のレジスト層１３はネガ型に反転した表面レジスト層１５のパターン露光領域下部も現像されるため、下層のレジスト層１３は表面レジスト層１５に対し、アンダーカットされた断面形状となる。なお、表面レジスト層１５は、下層のレジスト層１３との相互拡散の影響により逆テーパ形状を有する。 （もっと読む）

【課題】 シリコンゲルマニウム犠牲層を使用して半導体素子の微細パターンを形成する方法、及びそれを用いた自己整列コンタクトを形成する方法を提供する。
【解決手段】 基板上に導電性物質膜、ハードマスク膜及び側壁スペーサを含む導電ライン構造物を形成し、基板の全面に少なくとも導電ライン構造物の高さと同じであるか、またはそれ以上の高さにシリコンゲルマニウム（Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ）犠牲層を形成し、犠牲層上にコンタクトホールを限定するフォトレジストパターンを形成した後、犠牲層を乾式エッチングすることで基板を露出させるコンタクトホールを形成し、ポリシリコンを使用してコンタクトホールを埋め込む複数のコンタクトを形成した後に残留する犠牲層を湿式エッチングした後、その領域にシリコン酸化物を満たして第１層間絶縁層を形成する半導体素子の自己整列コンタクトの形成方法。 （もっと読む）

【課題】 工程を大幅に増加させずに導電層を形成しやすい形状のコンタクトホールの形成、特にウェットエッチング後にドライエッチングをより確実に行うことによってコンタクトホールの形状不良を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１上に形成されている層間絶縁膜２上に第１マスク３を形成する第１マスク形成工程と、層間絶縁膜２の途中までエッチングして第１凹部４ａを形成する第１エッチング工程と、第１マスク３を除去する第１マスク除去工程と、第１エッチング工程により形成された第１凹部４ａ内に開口部を有するように第２マスク５を形成する第２マスク形成工程と、層間絶縁膜をシリコン基板１の表面に達するまでエッチングしてコンタクトホール４を形成する第２エッチング工程と、第２マスク５を除去する第２マスク除去工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 接触部材の各部位を通過するイオン電流の流れを制限し、例えば一つの加工電極及び／または給電電極にあたかも複数の加工電極及び／または給電電極が存在するように作用させることで、被加工物の被加工表面をより均一な加工速度で加工し、品質の高い加工表面を得ることができるようにする。
【解決手段】 被加工物Ｗに近接自在な加工電極７０と、被加工物Ｗに給電する給電電極７２と、被加工物と加工電極または給電電極の少なくとも一方との間に配置され、電解質を有する電解質部７４ｂと電解質を有しない非電解質部７４ａをそれぞれ１つ以上有する接触部材７４と、加工電極と給電電極との間に電圧を印加する電源４６と、被加工物と加工電極または給電電極の少なくとも一方とを相対運動させる駆動部と、被加工物と加工電極または給電電極の少なくとも一方との間に流体を供給する流体供給部を有する。 （もっと読む）

ナノ構造配列の形成またはパターニング法が提供される。この方法は、ナノ構造会合基を含んでなるコーティング上での配列形成、レジストを使用するパターニングおよび／または配列形成を促進するデバイスの使用を含む。またナノ構造配列を含むデバイス（例えばメモリーデバイス）のように、ナノ構造配列の形成のための関連デバイスも提供される。 （もっと読む）

本発明は、金属ワークピースを研磨および／または平坦化するための膜式電解研磨用装置を提供するものである。ワークピースを低導電率流体で濡らす。濡れたワークピースを電荷選択性イオン伝導膜の第１の側面と接触させ、第２の側面は電極と接触した導電性電解質溶液に接する。電極とワークピースとの間の電流の流れによって、ワークピースから金属を電解研磨する。また、本発明は、十分またはある程度は周囲を囲まれた容積部分と、周囲を囲まれた容積部分をある程度または原則的に満たす導電性電解質と、電解質と接した電極と、前記膜の内側の面が電解質溶液またはゲルと接触し、外側の面がワークピースと接触させるのに利用可能なように、周囲を囲まれた容積部分、キャビティまたは容器の一表面と密着する電荷選択性イオン伝導膜と、を含む膜式電解研磨に利用できるよう構成された半電池を提供するものである。
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【課題】動的な液体メニスカスを用いたストレスフリーのエッチング処理
【解決手段】パターン形成された半導体基板上の不均一性を平坦化および制御するためのシステムおよび方法は、パターン形成された半導体基板を受け取る工程を備える。パターン形成された半導体基板はパターン内の複数の特徴を導電性配線材料で満たされ、導電性配線材料は過剰部分を有する。過剰部分のバルクは除去され、過剰部分の残りの部分は不均一性を有する。不均一性はマッピングされ、不均一性を補正するために、最適の液体が決定され、動的液体メニスカスエッチング処理レシピが作成される。そして、不均一性を補正して、過剰部分の残りの部分をほぼ平坦化するために、動的液体メニスカスエッチング処理レシピを使用した動的液体メニスカスエッチング処理が実施される。 （もっと読む）

本発明は、被加工物の不良品化を招くと考えられるピットの発生を効果的に防止することができるようにした電解加工装置及び電解加工方法を提供する。この電解加工装置は、被加工物を加工する加工電極（２１０）と、被加工物に給電する給電電極（２１２）と、加工電極（２１０）と給電電極（２１２）との間に電圧を印加する電源（２３２）と、加工電極（２１０）及び給電電極（２１２）を内部に収納した耐圧容器（２００）と、耐圧容器（２１０）内に高圧液体を供給する高圧液体供給系（２０４）を有する。
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