【課題】 半導体素子製造中のエッチング関連フォトレジスト収縮の影響を低減する方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子、及び線屈曲を低減した半導体素子を製造する方法。本方法は、第１の層を形成する段階、及び第１の層上にフォトレジスト層を堆積させる段階を含むことができる。フォトレジスト層には、コーナ特徴部（２５０）の外側に隣接して配置された少なくとも１つの支持特徴部（２７１）を含むようなパターン化を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】銀（Ａｇ）配線用エッチング液を提供すること。また、エッチング液を利用する銀（Ａｇ）配線形成方法を提供すること。さらに、エッチング液を利用する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明により、エッチング液、これを用いた配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。エッチング液は下記化学式１で表示される物質、酢酸アンモニウム及び超純水を含む。
（化学式１）
Ｍ（ＯＨ）_ＸＬ_Ｙ
（ただし、前記式でＭはＺｎ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｂａ、Ｆｅ、Ｔｉ、ＳｉまたはＢであり、Ｘは２または３であり、ＬはＨ_２Ｏ、ＮＨ_３、ＣＮ、ＣＯＲ、ＮＨ_２Ｒであり、Ｙは０、１、２または３であり、Ｒはアルキル基である。） （もっと読む）

本発明には、ケイ化ニッケルおよびケイ化コバルトをエッチングする方法ならびに導電線を形成する方法が含まれる。一実施形態では、ケイ化ニッケルを含む基板は、その基板からケイ化ニッケルをエッチングするために効果的な、少なくとも５０の温度および３５０トル〜１１００トルの圧力でＨ_３ＰＯ_４およびＨ_２Ｏを含む流体に曝露される。一実施形態では、ケイ化ニッケルまたはケイ化コバルトのうちの少なくとも一方が、基板からケイ化ニッケルまたはケイ化コバルトのうちの少なくとも一方をエッチングするために効果的な、５０以上の温度および３５０トル〜１１００トルの圧力で、Ｈ_２ＳＯ_４、Ｈ_２Ｏ_２、Ｈ_２Ｏ、およびＨＦを含む流体に曝露される。 （もっと読む）

【課題】 同一の組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜またはＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜を、単一工程で、下部膜であるＡｌ−ＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象なしに湿式エッチングして、優れたテーパを収得することができ、同時にソース／ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルを形成することができるエッチング組成物を提供する。
【解決手段】 本発明による薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物は、燐酸、硝酸、酢酸、燐酸塩、陰イオン界面活性剤及び水を含む。 （もっと読む）

【課題】電気研磨および／または電気めっきプロセスにおいて、ウェーハを移動させるロボットアセンブリにおいて、エンドエフェクタ真空カップ内の粒子を取除き、真空通路に酸などが入るのを防止する装置および方法を提供する。
【解決手段】エンドエフェクタ３０６は、真空弁３２２を介して真空源と、窒素弁３２０を介して加圧窒素源と連結されている。真空弁３２２がオンされると、ウェーハをエンドエフェクタ３０６に押し付けて保持するように、真空カップ３０２内の圧力を低下させる。真空弁３２２がオフされ、かつ、窒素弁３２０がオンされると、エンドエフェクタ３０６は、真空カップ３０２内の圧力が増大されウェーハを開放する。ウェーハが保持されていない時、または移動されていない時は窒素弁３２０をオン状態のままにして、真空カップ３０２内において周囲環境圧力に近いか、またはこの周囲環境圧力よりも高い圧力を維持する。 （もっと読む）

【課題】 金属エッチング処理工程は、有機マスキング層溶媒を用いることを省き、プラズマ金属エッチング工程の後に絶縁層６８，８１の一部をエッチングする。
【解決手段】 絶縁層６８，８１のエッチングは、１，２−エタンジオール，フッ化水素およびフッ化アンモニアを含むエッチング溶液を用いて行われる。このエッチング溶液は、絶縁層６８，８１の１００〜９００オングストロームの範囲でエッチングする。このエッチングは、絶縁層６８，８１内の移動イオンの少なくと７５パーセントを除去し、移動イオンの少なくとも９５パーセントを除去しなければならない。このプロセスは、酸フード，酸コンパチブル・スプレー・ツールまたはパドル処理ツールを用いて実施できる。このプロセスは、このプロセスを多くの異なる既存の処理工程に容易に統合できる多くの異なる実施例を含む。同様なプロセスは、レジスト・エッチバック処理工程でも利用できる。 （もっと読む）

【解決すべき課題】 酢酸を含有せず、刺激臭がなく、性能変化の少ない、半導体装置ならびにフラットパネルディスプレイ装置等の電子装置の製造工程において使用可能な各種金属薄膜および金属酸化物薄膜のエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】 りん酸、硝酸、メトキシ酢酸および水を含有するエッチング液組成物。 （もっと読む）

【課題】 半導体を製造するリソグラフィ工程での露光照射工程に於ける露光に多価イオンビームを利用することによって、極めて迅速なエッチング速度を得ることができる多価イオンを利用する半導体製造方法の提供。
【解決手段】 半導体製造工程でのリソグラフィ工程に於いて多価イオンビームを利用する半導体製造方法であって、前記リソグラフィ工程中の露光照射工程において、前記半導体を形成するための試料に、多価イオンビームを照射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 加工精度を損なうことなく生産性を向上させることができるパターニング方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、半導体装置の製造方法、半導体装置、圧電駆動素子の製造方法及び圧電駆動素子を提供する。
【解決手段】 ビアホール３９を有した第２層間絶縁膜３７上側全面にＩＴＯからなる透明導電膜４２形成し、同透明導電膜４２のエッチング領域Ｅに、塩酸Ｌと反応して水素ガスＰを生成する金属膜４５を、亜鉛ペーストを塗布することによって形成した。そして、金属膜４５を有した素子形成面１４ａを塩酸Ｌ中に浸漬して透明導電膜４２をエッチングし、陽極４０を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜とからなる多層膜のエッチング処理において、基板表面のエッチング液の流動性が異なっても均一に良好な順テーパー形状を与えることのできる優れたエッチング液を提供することを課題とする。
【解決手段】 リン酸、硝酸（好ましくは濃度１〜１０質量％）及び硫酸（好ましくは濃度１〜２０質量％）を含有する水溶液（好ましくは水分量２０質量％以下）からなるエッチング液組成物を調製し、Ｍｏを主成分とする第１の導電性薄膜とＡｌを主成分とする第２の導電性薄膜からなる２層膜、または、Ｍｏを主成分とする第１の導電性薄膜とＡｌを主成分とする第２の導電性薄膜とＭｏを主成分とする第３の導電性薄膜からなる３層膜のエッチングに用いる。
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【課題】 金又は金合金をエッチングするにあたり、高いエッチング速度をもち、かつ金又は金合金のみを高い選択性をもってエッチングでき、他の金属膜の腐食を抑制できる、エッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成された金又は金を含む合金よりなる薄膜をエッチングするためのエッチング液であって、少なくともヨウ素、ヨウ素化合物及びｐＨ緩衝剤を含み、ｐＨが６〜８の範囲であるエッチング液及びこれを用いたエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】 タングステン膜及びシリコン酸化膜の積層膜に対して、エッチレートを制御して微細加工処理をすることが可能な微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、タングステン膜及びシリコン酸化膜を含む積層膜の微細加工に用いる微細加工処理剤であって、フッ化水素と、硝酸と、フッ化アンモニウム及び塩化アンモニウムの少なくとも何れか一方とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】好適な形状の配線を有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】素子と接続される第１の導電層と、その上の第２の導電層とを形成し、第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、マスクを用いたドライエッチングによって第２の導電層を加工し、マスクを残したままウエットエッチングによって第１の導電層を加工する配線の作製方法であって、ドライエッチングにおいて、第２の導電層のエッチングレートは第１の導電層のエッチングレートより大きく、ウエットエッチングにおいて、第２の導電層のエッチングレートは第１の導電層のエッチングレート以上とする。 （もっと読む）

【課題】 タングステン膜及びシリコン酸化膜の積層膜に対して、エッチレートを制御して微細加工処理をすることが可能な微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、フッ化水素及び硝酸を含み、基板上に積層されたタングステン膜及びシリコン酸化膜を微細加工する微細加工処理剤であって、前記タングステン膜に対する２５℃でのエッチレートが０．５〜５０００ｎｍ／分の範囲内であり、且つ、前記シリコン酸化膜に対する２５℃でのエッチレートが、前記タングステン膜に対する２５℃でのエッチレートの０．５〜２倍の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板上の電子部材や各種積層膜等を腐食させることなく、タングステン膜に対するエッチレートを安定化させ、かつ選択的にエッチングできる微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、タングステン膜及びシリコン酸化膜が積層された基板を微細加工する微細加工処理剤であって、（１）フッ化水素と、（２）硝酸と、（３）ケトン、エーテル、エポキシド、アルデヒド、アミド、アミン、ニトリル、スルホキシド、ヘテロ環化合物、有機酸、フェノール、チオール、及びスルフィドからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物とを含み、前記タングステン膜に対する２５℃でのエッチレートが５〜５０００ｎｍ／分の範囲内であり、且つ、前記タングステン膜に対する２５℃でのエッチレートが、前記シリコン酸化膜に対する２５℃でのエッチレートの２倍以上であることを特徴とする。

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【課題】酸化イリジウムのナノ構造が、好適に、基板上に選択的に形成され、またはパターン化される方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、第１の領域と第２の領域とが隣接する基板を形成すること、第１の領域の上に重なる連続的なＩｒＯｘ膜からＩｒＯｘナノ構造を成長させること（７０４）、第２の領域の上に重なる非連続的なＩｒＯｘ膜からＩｒＯｘナノ構造を同時に成長させること（７０６）、非連続的なＩｒＯｘ膜によって露出された第２の領域の範囲を選択的にエッチングすること（７０８）、第２の領域の上に重なるＩｒＯｘナノ構造をリフトオフすること（７１０）を含む。典型的に、第１の領域は第１の材料から形成され、第２の領域は第１の材料と異なる第２の材料から形成される。非連続的なＩｒＯｘ膜によって露出された第２の領域の範囲の選択的なエッチングは、ＩｒＯｘより第２の材料とよく反応するエッチャントに基板をさらすことを含む。 （もっと読む）

半導体デバイスを作成する方法に関する。該方法は、基板上で二酸化ケイ素層に窒素を加えて窒化二酸化ケイ素層を形成することを含む。窒化二酸化ケイ素層の上に犠牲層を形成したのち、犠牲層が除去されて溝が生成される。窒化二酸化ケイ素層の上で溝の中に高誘電率ゲート誘電体層が形成され、該高誘電率ゲート誘電体層の上に金属ゲート電極が形成される。

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少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素および少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液について本明細書で説明する。除去化学薬品溶液は、フッ化水素ガスと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物も含む。少なくとも１つの気体状低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法を本明細書で説明する。少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に混合するステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法も説明する。除去化学薬品溶液を生成する追加の方法は、少なくとも１つの気体状無水フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するために少なくとも１つの無水フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。また本明細書で説明するように、除去化学薬品溶液を生成する方法は、フッ化水素ガスを提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するためにフッ化水素ガスを少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】製造工程及び費用を最少化しながらも優れたプロファイルを得ることができる導電体用エッチング液及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】 導電体を６５乃至７５重量％のリン酸、０．５乃至１５重量％の硝酸、２乃至１５重量％の酢酸、０．１乃至８．０重量％のカリウム化合物及び残量の水を含むエッチング液組成物を利用して写真エッチングする段階を含む。 （もっと読む）

本発明は、透明基板（１）上の導電性層（２）を化学エッチングする装置に関し、該装置は、該基板（１）を支持する支持手段（４）と溶液（５）を吹き付ける手段とを備えている。本発明の特徴は、上記吹き付け手段（５）が上記基板上方に配置された複数のノズル（５０）から成り、該ノズルは、エッチング対象である上記層上に少なくとも２種類の溶液（７、８）を、別々に、または相互に、またはノズル部での混合液として、同時に吹き付けことである。
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