【課題】高温環境下における配線層内でのボイドの発生を抑制して配線層の導通不良を抑制し、半導体装置の信頼性を向上しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜３４に、配線溝３８を形成する工程と、配線溝３８内に、Ｃｕを主材料とする配線層４４を形成する工程と、配線溝３８内に埋め込まれた配線層４４の表面に、アンモニア及び水素が溶解された純水を含ませた布２を摩擦させる布摩擦処理を行う工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングを抑制して所望の幅を有する金属パターンが得られる金属パターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に金属からなる下層２と該下層２上の前記下層２とは異なる金属からなる上層３とで構成される金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記上層３上に所定形状のパターンを有するレジスト膜４を形成するレジスト膜形成工程と、このレジスト膜４をマスクとして前記金属膜をエッチングすることにより当該金属膜をパターニングするパターニング工程とを有し、且つこのパターニング工程が、前記上層３をエッチングする第１エッチング工程と、第１エッチング工程後にノニオン系界面活性剤を含む前処理液に前記レジスト膜４及び前記上層３を浸漬する浸漬工程と、浸漬工程後に前記下層２をエッチングする第２エッチング工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板へのエッチング残りを確実に防止することができる金属積層体の形成方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１金属層を形成した後、基板の一部に対向する領域の第１金属層上に第２金属層を形成し、第２金属層で覆われていない第１金属層をウェットエッチングにより除去する第１エッチング処理を行うと共に第２金属層上に形成される所定形状のレジスト膜を介して第２金属層をウェットエッチングにより除去する第２エッチング処理を行った後、第２金属層によって覆われていない第１金属層をウェットエッチングにより除去する第３エッチング処理を行って基板上に金属積層体を形成する。 （もっと読む）

少なくとも１つのフッ素ベース構成要素、少なくとも１つのキレート化成分、界面活性剤成分、酸化成分又はこれらの組み合わせ、及びおよび少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液について本明細書で説明する。。少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素と少なくとも１つの溶媒又は溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液およびその製造方法も本明細書で説明する。
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【課題】ゲート電極と基板間の耐圧を十分に確保でき、また製造時にゲート絶縁膜由来の汚染を防止可能な構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ゲート電極の側面に設けられた第１の側壁絶縁膜と第１の側壁絶縁膜上に設けられた第２の側壁絶縁膜と、ソース・ドレイン拡散領域を有する半導体装置であって、ゲート絶縁膜のゲート長方向の端部が、第１の側壁絶縁膜のゲート電極側面方向の下端部の直下に位置し、第２の側壁絶縁膜が前記ゲート絶縁膜端部を覆っている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第二銅イオン源、酸、ニトリル化合物、及びハライドイオン源を含むマイクロエッチング組成物に関する。
【解決手段】有機溶剤、モリブデンイオン源、アミン、ポリアミン、及びアクリルアミド等の他の添加剤もまた、本発明の組成物に含んでもよい。本発明は、また、高分子材料に対する銅表面の接着性を強化させる銅又は銅合金表面をマイクロエッチングする方法に関し、方法は銅又は銅合金表面を本発明の組成物と接触させる工程、その後、高分子材料を銅又は銅合金表面に接合させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】電解メッキ法により半導体基板上に形成された金属膜の膜厚を、半導体基板の全面に亘って均一にする。
【解決手段】電解メッキ法により金属膜１０３が形成された半導体基板１０１を回転させながら、金属膜１０３用のエッチング液を第１の流速で金属膜１０３の外周領域に供給した後、引き続き第１の流速よりも小さい第２の流速でエッチング液を供給する。 （もっと読む）

【課題】純アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる単層の配線膜を形成するに際し、側壁のテーパ角度が規定範囲内のテーパ状に良好にエッチングすることのできる配線膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ポストベーク後に、硝酸、リン酸、酢酸および水を含むエッチング液を用いて側壁のテーパ角度が１０〜７０°のテーパ状に純アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜をエッチングするにあたり、上記ポストベーク温度：ｘ（℃）を１１０℃以下にすると共に、該ポストベーク温度と上記エッチング液の硝酸濃度：ｙ（質量％）が下記式（１）を満たすようにすることを特徴とする配線膜の形成方法。
１０≦［（２／３）ｘ−５ｙ］≦７０…（１） （もっと読む）

金層(20)が金酸化物マスク(30)でパターニングされる。前記マスクは、酸によってパターニングされ、好適にはマイクロコンタクトプリントによってパターニングされる。金酸化物マスク(30)は、金層(20)用のアルカリエッチング溶液中で安定である。金酸化物マスク(30)は、再曝露可能な金パッド(20)を形成するように維持されて良い。
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【課題】段差の上段と下段とを接続する、従来よりも傾斜の緩やかな傾斜面の形成方法を提供する。
【解決手段】上面１４と、主面１１ａと、側面１６とを有する段差構造を備えていて、側面から内部へと両平面にわたる深さの凹溝２２が形成されている下地１３を用意する第１工程と、下地上に凹溝を通り、かつ、上面及び主面の間にわたって、粘性流体を塗布することによって、粘性流体塗布層２４であって、凹溝中における粘性流体塗布層の表面が、上面側から主面側に向かうにつれて高さが低くなる傾斜面２６を有する粘性流体塗布層を形成する第２工程と、粘性流体塗布層を凹溝中の傾斜面を残すようにパターニングする第３工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 細溝内の異物を完全に除去したシリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 表面に開口する細溝を少なくとも有するシリコン基板上に形成された金属層を第１のエッチング液を用いてエッチングして当該シリコン基板上に配線を形成する工程と、アルコールを濃度が５〜１５％になるように添加した第２のエッチング液を用いて、少なくとも前記細溝内に付着している前記金属層の異物をエッチングすることにより除去する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、改良マイクロエッチング液及び金属表面を粗面化し、次に形成される層に対する金属層の接着力を高めるためにその改良マイクロエッチング液を用いる方法に関する。
【解決手段】マイクロエッチング液は、第二銅イオン源、ピリジン誘導体、マルチエチレンアミン及び酸を含む水溶液である。好ましい実施形態において、本発明のマイクロエッチング液は、塩化ナトリウム又は塩酸等のハロゲンイオン源をも含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関する。
【解決手段】エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関し、前記エッチング液組成物は、リン酸、硝酸、酢酸、水及び添加剤を含み、前記添加剤は、塩素系化合物、硝酸塩系化合物、硫酸塩系化合物及び酸化調整剤を含む。また、前記エッチング液組成物を利用して、互いに異なる導電物質からなるゲート電極、ソース／ドレイン電極及び画素電極をパターニングする工程を行ってフラットパネルディスプレイを製造する方法を提供することによって、工程をさらに単純化させることができ、生産費用の低減と生産性の向上を期待することができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体技術において適切に銅からなるメタライジング層をさらにはＣｕ／Ｎｉ層をエッチングすることができる新規の貯蔵安定な溶液に関する。この新規エッチング溶液を用いて、純粋な銅メタライジング、銅ニッケル合金からなる層並びに互いに積層された銅及びニッケル層をエッチングしかつ構造化することができる。前記溶液は、硝酸、過酸化水素、クエン酸及び水を含有する。 （もっと読む）

【課題】 埋込銅配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 絶縁膜１４，１５に配線溝を形成し、その配線溝の底面および側面上を含む絶縁膜１５上に導電性バリア膜１８と銅の主導体膜１９を形成し、ＣＭＰ法により不要な部分を除去して配線２０を形成する。そして、主導体膜１９上にタングステンからなる金属キャップ膜２２を選択成長させてから、配線２０を埋込んだ絶縁膜１５上に絶縁膜２３〜２６を形成し、ビア３０が金属キャップ膜２２を貫通して主導体膜１９を露出するようにビア３０及び配線溝３１を形成し、ビア３０の底部で露出した主導体膜１９上にタングステンからなる金属キャップ膜３２を選択成長させた後に、ビア３０および配線溝３１の内部を含む絶縁膜２６上に導電性バリア膜３３と銅の主導体膜３４を形成し、ＣＭＰ法により不要な部分を除去して配線３５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 取り扱いが容易で、下地層との高い選択性を有するハードマスクを用いた半導体製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ基板１上又は前記Ｓｉ基板上に形成されたＳｉを含む下地膜２、３上に、ＳｉＯＣ膜を形成する工程と、前記ＳｉＯＣ膜に、アッシング処理を施す工程と、前記アッシング処理を施したＳｉＯＣ膜４’を、Ｆを含むウエット処理により選択的に除去する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールから露出する導電層間を連結するコンタクトパッドの形成の際、金属シリサイド層を用いて電気的な抵抗を低減する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第１導電層、第１層間絶縁膜、第２導電層、及び第２層間絶縁膜を順次形成し、マスク膜を食刻マスクとして用いて第２層間絶縁膜、第２導電層、及び第１層間絶縁膜を順次除去して第１導電層が露出するコンタクトホールを形成する段階と、コンタクトホールの側壁に露出した第２導電層を選択的に食刻してコンタクトホールの側壁に露出する第１層間絶縁膜と第２層間絶縁膜との間にリセスを形成する段階と、コンタクトホールの底部または側壁の少なくともいずれか一方に所定厚さの第３導電層を形成するとともに、リセスを埋める金属シリサイド層を形成する段階と、金属シリサイド層が形成された後、コンタクトホールを埋める第４導電層を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、新規なエッチング媒体として、酸化物の透明な導電層のうち、例えばフラットパネルスクリーンを用いた液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）もしくは有機発光ディスプレイ（ＯＬＥＤ）の製造、または薄層太陽電池において用いられるものの構築のためのものに関する。とくに、本発明は粒子フリーな組成物として、それを用いることによって微細構造の選択的なエッチングが、隣接する領域を傷つけたり攻撃することなく酸化物の透明な導電層になされるものに関する。前記新規な液体エッチング媒体は、印刷法によって、構築する酸化物の透明な導電層に有利に適用することができる。続く熱処理によって、エッチング工程が加速または開始される。 （もっと読む）

本発明は、非ニュートン流動挙動を有する、ドープされた酸化スズ層のエッチングのため、ディスプレイおよび／または太陽電池の製造において表面をエッチングするための、新規なディスペンシング可能な媒体、およびこれらの使用に関する。特に本発明は、微細な構造を、隣接する領域を損傷または腐食させることなく選択的にエッチングすることができる、関連する無粒子の組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液を提供すること。また、前記エッチング液を利用する配線形成方法を提供すること。さらに、前記エッチング液を利用する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】エッチング液、これを利用する配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液は過酸化水素１０ないし２０重量％、有機酸１ないし５重量％、トリアゾール系化合物０．１ないし１重量％、ふっ素化合物０．０１ないし０．５重量％及び残量の超純水を含む。 （もっと読む）