本発明は、無応力電気化学銅研磨（ＳＦＰ）の処理、ＳＦＰ処理の間に形成された酸化タンタル又は酸化チタンの除去、及び、ＸｅＦ_２ガス相エッチングバリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮ処理、からなる半導体処理の方法及び装置に関する。第１に、板状の銅フィルムの少なくとも一部がＳＦＰにて研磨される。第２に、ＳＦＰ処理の間に形成されたバリア金属酸化物がエッチング液によりエッチングされる。最後に、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮがＸｅＦ_２ガス相エッチングにより除去される。そのため装置は３つのサブ系からなり、それらは無応力銅電解研磨系、バリア層酸化物フィルム除去系、及び、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮガス相エッチング系である。
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【課題】ｈｉｇｈ−ｋ膜を含む絶縁膜及びメタルゲートを有するＭＩＳＦＥＴにおいて、フォトレジストパターンをマスクとして、ｈｉｇｈ−ｋ膜上のＴｉＮ膜にパターン転写するためのドライエッチングをする際、ｈｉｇｈ−ｋ膜およびｈｉｇｈ−ｋ膜上のＴｉＮ膜がプラズマによるダメージを受けるのを防ぐ。
【解決手段】ＳｉＮ膜５および第２のＴｉＮ膜６を加工マスクとして使い、ウェットエッチングによりパターン転写をすることで、ｈｉｇｈ−ｋ膜３およびｈｉｇｈ−ｋ膜３上のゲート電極である第１のＴｉＮ膜４が、プラズマに晒されることによるダメージを受けることを防ぎ、パターン転写の精密性を保持することができる。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化処理に用いる薬液により、半導体基板と保護膜との剥離を抑制する多孔質構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】拡散層１２が形成された半導体基板１０に酸化膜１４を形成する工程と、酸化膜１４の所定の位置に複数の接続孔を設け、該接続孔に配線２２を形成した後、配線２２で挟まれた領域に拡散層１２の表面が露出するような開口部２４を設ける工程と、開口部２４の外周縁部に溝２６を形成し、溝２６を埋め込むように半導体基板１０の拡散層１２が形成された面の全面に保護層２８を堆積する工程と、開口部２４の外周縁部に保護層２８が残存するように開口部２４の保護層２８を除去し、拡散層１２を露出する工程と、開口部２４に残存した保護層２８を保護膜３２として、露出した拡散層１２を陽極酸化処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板裏面，基板ベベル及び外周に付着したルテニウム膜を容易に、エッチング残りなくエッチング除去することを目的とする。
【解決手段】基板５表面にルテニウム等の成膜処理を行った後、基板５をローラー４で保持しながら回転させ、コの字型のジグ３で基板５を挟み込み、コの字型のジグ３上部からエッチング液を供給することにより、基板裏面，基板ベベル及び外周に付着したルテニウム膜を容易に、エッチング残りなくエッチング除去することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体多層積層体において、配線に用いられる銅によって形成された層や、高誘電率材料や低誘電率材料によって形成された絶縁膜の層を侵食することなく、当該半導体多層積層体に形成されている窒化チタン被膜を除去することが可能な窒化チタン除去液等を提供すること。
【解決手段】１０〜４０質量％の過酸化水素と、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドとを含有し、２５℃におけるｐＨが６．０〜８．２である窒化チタン除去液を使用する。 （もっと読む）

【課題】被エッチング膜のウエットエッチング時に側面のテーパ角を簡易に安定して的確に制御できる汎用性の高いエッチング方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング方法は、シリコン基板１上に形成された熱酸化膜であるシリコン酸化膜（被エッチング膜）２上に形成されたフォトレジスト膜３をマスクとして酸化膜２をウエットエッチングする前、レジスト膜３及び酸化膜２に紫外線ＵＶを適量照射して膜間界面の密着性を強化し、ウエットエッチングにおいて、原液（５０ｗｔ％ＨＦ）と原液（４０ｗｔ％ＮＨ₄Ｆ）とを１：２０で混合したエッチング液を用いて酸化膜２の側面のテーパ角θを定める。テーパ角θは、紫外線ＵＶの照射時間に応じて変化する膜間界面の密着性に依存して可変されるため、要求される製品仕様に応じて紫外線ＵＶの照射時間を適度に定めて酸化膜２のテーパ角θを制御する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜のシリコン残渣が除去できて、製造工程の簡素化、製造コストが低減される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法はシリコン基板１上にシリコンを含有するＡｌ合金膜３を形成する工程と、Ａｌ合金膜３上にレジストパターン４を設ける工程と、レジストパターン４をマスクとしてＡｌ合金膜３をエッチングする工程と、エッチ後洗浄する工程と、２流体ノズル６によってシリコン残渣５を除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン等の基板上に回路等のパターンを生成する場合において、構成の簡略化及び処理コストの低減化を実現し、シリコン基板から剥離したフォトレジスト及び金属膜などの汚れがシリコン基板上に再付着するのを防止し得るウエット処理方法及びウエット処理装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板Ｓからフォトレジスト及び金属膜を除去する不燃性液体Ｌを収容可能なスピンステージ２にシリコン基板Ｓをセットすると共に、スピンステージ２に不燃性液体Ｌを入れてシリコン基板Ｓを不燃性液体Ｌ中に没入させた後、ホーン型超音波発生器３の超音波ホーン３Ｃを不燃性液体Ｌ中においてシリコン基板Ｓの表面に適宜間隔をもって対峙させて、シリコン基板Ｓの表面に向けて超音波を照射するのに続いて、スピンステージ２をその中心回りに回転させて、シリコン基板Ｓから除去されたフォトレジスト及び金属膜を不燃性液体Ｌとともにスピンステージ２の外側に排出させる。 （もっと読む）

【課題】 ＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド）等の金属酸化物を用いた透明導電膜のエッチングには、従来より、塩酸の割合が多い塩化第二鉄系や、王水系が使用されているが、酸性臭気によって作業環境が悪化し、更には周辺の計測機器や建造物などが腐食するという問題があった。
【解決手段】 エッチング液として、濃度が、４Ａ＋Ｂ≧５０かつ２Ａ＋Ｂ≦５３であって−Ａ＋０．３９Ｂ≧−７．５かつＢ≦４０（ただし、Ａは塩酸の濃度（質量％）、Ｂは塩化第二鉄の濃度（質量％））の塩酸と塩化第二鉄の水溶液を用いることにより、塩化水素の臭気が抑えられるばかりでなく、透明導電膜のアンダーカットも小さく、エッチング装置の腐食も抑えることができた。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ液晶表示装置用の金属配線形成のためのエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の電極用金属層のエッチングに使われるエッチング液組成物に係り、全体エッチング液組成物重量に対して、リン酸４５〜７０重量％、硝酸１．５〜６重量％、酢酸１０〜３０重量％、Ｍｏエッチング調整剤０．０１〜３重量％、スルホン酸化合物０．１〜１．９９９重量％及び組成物総重量を１００重量％にする量の水を含むエッチング液組成物。 （もっと読む）

【課題】熱処理（レーザ光照射による）とエッチング処理のみの簡便なプロセスにより、従来技術よりも低コストな方法で、導電性酸化物の薄膜が加工された基板を作製すること及びこのような基板を提供すること。
【解決手段】導電性酸化物付き基板の作製方法において、導電性酸化物の薄膜を基板上に積層する成膜工程と、レーザ光を集光させた状態で照射することにより前記基板面内の積層された導電性酸化物の薄膜の一部を熱変化させる熱処理工程と、熱処理工程により熱変化していない部分をエッチング処理により除去するエッチング処理工程とを含み、前記導電性酸化物の薄膜は、前記レーザ光を吸収し、該薄膜の少なくとも一部がアモルファス相であることを特徴とする導電性酸化物付き基板の作製方法及び得られた基板。 （もっと読む）

【課題】 銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とを一液で、かつ工業的に満足できる速さでエッチングできるエッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】 銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とを一液でエッチングするための組成物として、銅イオン、硝酸、及びフッ素化合物を含有する組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の表面に直接透明電極膜を成膜した場合であっても、レーザの照射熱によるガラス基板の損傷を可及的に低減した上で、高精細な透明電極のパターニングを実現する。
【解決手段】ガラス基板１上に透明電極膜２を成膜した後、透明電極膜２の不要部位Ｘ１にレーザ光３を照射して不要部位Ｘ１を除去することにより、透明電極膜２の必要部位Ｘ２を残してガラス基板１に透明電極のパターニングを施す透明電極のパターニング方法であって、ガラス基板１の表面に所定の初期厚みを有する透明電極膜２を成膜する成膜工程Ｓ１と、成膜工程Ｓ１で成膜された透明電極膜２の不要部位Ｘ１に初期厚みよりも薄い透明電極膜２が残存するように、不要部位Ｘ１にレーザ光３を照射するレーザ光照射工程Ｓ２と、レーザ光照射工程Ｓ２で不要部位Ｘ１に残存させた透明電極膜２をエッチング液４により除去するエッチング工程Ｓ３とを含む。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチングに近い金属を溶解するエッチング方法でありながら、微細なエッチングを正確且つ効率的に行うことができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板の表面上の所定部位に、エッチング剤を内包するマイクロカプセルを配してパターニングを行った。マイクロカプセルの外殻体は、乳化重合により製造された高分子材料で構成されている。次に、基板の表面上にパターニングされたマイクロカプセルに熱又は圧力を加えると、マイクロカプセルが破壊してエッチング剤が放出され、基板の表面に接触する。すると、基板の表面の金層のうちマイクロカプセルが付着していた部分の金層が酸化溶解してエッチングされ、マイクロカプセルが付着していなかった部分に金からなる電極配線が形成された。 （もっと読む）

【課題】白金族の膜を加工性良く安価にエッチングできるエッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】過マンガン酸塩を含む、ｐＨが１２．６〜１５．８の溶液で、白金族の膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層をエッチングするのに好適なエッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】 珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液。及び、珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液により、チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体を一括エッチングする方法。チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層を珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有することを特徴とするエッチング液により同時にエッチングする方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ透明導電膜に対して優秀なエッチング性能を有し、その組成が安定的であり、エッチング工程時フォトレジストなどの光反応物質に対する侵食を減少させ、残渣または析出物を残さない優秀な特性を有するエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】ＩＴＯ透明導電膜用のエッチング液組成物であって、エッチング液組成物総質量に対して、ａ）硫酸４〜１０質量％、ｂ）硝酸２．５〜６．０質量％、ｃ）エッチング調整剤０．５〜５質量％および組成物総質量を１００質量％にする量の水を含むエッチング液組成物を提供する。これにより、ＴＦＴ−ＬＣＤをはじめとする、ＩＴＯ膜を利用する表示装置などの電子部品製造の生産性を顕著に向上させ、硫酸のような安価でかつ高安定性の成分を活用して工程時間におけるエッチング液の組成変化を抑え、生産コストを低減させることが可能となる。 （もっと読む）

加工されるべき部分が予め定められたパターンに制限される表面加工は、（ａ）加工されるべき表面の領域であって、前記予め定められたパターンの部分を少なくとも覆う領域上に第一の試薬の層を提供する工程と；（ｂ）前記表面を加工するために必要とされる更なる試薬である一つ以上の更なる試薬を提供する工程と；（ｃ）前記予め定められたパターンに従って加工されるべき領域上に少なくとも一つの更なる試薬を塗布する工程と、により達成され、それにより、第一の試薬は予め定められたパターンの部分のみにおいて表面を加工すべく、一つ以上の更なる試薬と反応する。同加工は、二つ以上の成分を有するエッチャントが使用されるエッチングに特に適用可能である。その場合、少なくとも第一のエッチャント成分は表面上に適用され、かつ少なくとも一つの更なるエッチャント成分が予め定められたパターンに適用される。
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【課題】アルミニウム膜のウェットエッチングは、等方性のエッチング特性が知られているが、ウエハを高速回転させているため、回転に伴う異方性が現れるため、ウエハ外周部の配線形状を管理することが困難であった。
【解決手段】アルミニウム膜のウエット・エッチングにおいて、フルコーンノズルを２本搭載し、１本のノズルをウエハ全面へ薬液が塗布可能な位置に設置し、もう１本のノズルを薬液濃度が薄くなるウエハ中心部（ウエハ直近の位置）に設置し同時に薬液を塗布することにより、回転数依存が少なくエッチングレート均一性を向上することが可能とするものである。 （もっと読む）

【課題】表面がＴｉＮ膜であるバリアメタルが露出した部分の耐湿性を向上すると共に、パッシベーション膜を一層としても、クラックに起因する不良を無くし、また、アルミニウム合金中のＳｉノジュールの成長に起因する不良増加を抑えることのできる積層金属電極配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に所要の配線パターンで形成される金属電極配線膜として、下地のバリアメタル膜とその上に積層されるアルミニウムまたはアルミニウム合金膜２を有し、さらに、前記アルミニウムまたはアルミニウム合金膜２上に被覆される有機系パッシベーション膜７を備える半導体装置において、前記バリアメタル膜が、チタン膜３、１０で挟まれた窒化チタン膜４からなる三層の積層膜を有する半導体装置とする。 （もっと読む）