【課題】基板処理工程の一部を、純水、好ましくは超純水等を用いた電解加工に置き換え、更に高効率で平坦性の高い加工を行うことができるようにする。
【解決手段】イオン交換体４８ｄまたは４８ｅを用いた電解加工で基板表面の導電性配線材料の除去加工を行い、しかる後、イオン交換体４８ｄまたは４８ｅとは異なるイオン交換体４８ｆを用いた電解加工、または電解液を用いた電解加工で基板表面のバリア層の除去加工を行う。 （もっと読む）

【課題】金属線または間隔のクリティカルディメンションを実質上変化させることなく、所望量の金属を除去するエッチング工程が必要とされている。
【解決手段】エッチングレジストとエッチング後の金属残渣を単一工程で除去する、光学ディスプレーデバイスの製造方法が提供される。これらの方法はＬＣＤの製造に特に有用である。 （もっと読む）

【課題】エッチングプロセスのゆらぎによるばらつきを抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、第１の材料膜を介して第２の材料膜を形成する膜形成工程と、前記第２の材料膜を所定のパターンにするパターン化工程と、所定のパターンにされた前記第２の材料膜の幅をエッチングにより細めるスリミング工程と、前記第１の材料膜をエッチングして、幅を細めた前記第２の材料膜のパターンを前記第１の材料膜に転写する第１の材料膜エッチング工程と、エッチングされた前記第１の材料膜の幅を測定する測定工程と、測定した前記第１の材料膜の幅に基づき、前記第１の材料膜の幅を所定の幅にする寸法調整工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】導電性高分子に対し優れたエッチング処理能力を有する導電性高分子用エッチング液を提供すること。
【解決手段】（１）塩酸を５重量％以上含有し、硝酸を２０重量％以上含有し、（塩酸濃度＋０．５１×硝酸濃度）の値が３５重量％以下であり、かつ（塩酸濃度＋０．５×硝酸濃度）の値が３０重量％以上であるエッチング液、（２）臭素酸化合物を３重量％以上４０重量％以下含有し、かつ無機酸を４重量％以上含有するエッチング液、（３）塩素酸化合物を６重量％以上４０重量％以下含有し、かつハロゲン化水素を７重量％以上含有するエッチング液、（４）過マンガン酸化合物を０．００１重量％以上２０重量％以下含有するエッチング液、又は、（５）６価クロム化合物を３重量％以上３０重量％以下含有するエッチング液、よりなる導電性高分子用エッチング液。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】被エッチング膜１０６上に保護膜１１０を形成する工程と、保護膜１１０上にハードマスク層を形成する工程と、ハードマスク層上に第１ピッチで複数の第１マスクパターンを反復形成する工程と、複数の第１マスクパターンのうち、相互隣接した２つの第１マスクパターンの間に１つずつ位置する複数の第２マスクパターンを形成する工程と、第１及び第２マスクパターンをエッチングマスクとしてハードマスク層をエッチングし、保護膜１１０を露出させるハードマスクパターンを形成する工程と、第１及び第２マスクパターンを除去する工程と、保護膜１１０の露出された部分を除去し、被エッチング膜１０６を露出させる工程と、ハードマスクパターンをエッチングマスクとして被エッチング膜１０６をエッチングし、第１ピッチの１／２のピッチで複数の微細パターンを反復形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】導電性高分子に対し優れたエッチング処理能力を有する導電性高分子用エッチング液を提供すること、さらには前記導電性高分子用エッチング液を用いたパターニング方法を提供すること。
【解決手段】有効塩素濃度が０．０６重量％以上であり、かつ、ｐＨが３を超え８未満である次亜塩素酸塩水溶液であることを特徴とする導電性高分子用エッチング液。前記次亜塩素酸塩水溶液は、次亜塩素酸アルカリ金属塩水溶液であることが好ましい。また、導電性高分子は、ポリアニリン類またはポリチオフェン類であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程の回数を削減・簡略化する製造技術を提供し、スループットを向上させる。
【解決手段】導電層、半導体層等の被加工層をパターン形成するためのエッチングマスクを、フォトレジストを用いたリソグラフィー技術を用いることなく作製する。エッチングマスクは、光吸収層と絶縁層の積層構造からなり、フォトマスクを介したレーザビームの照射によるレーザアブレーションを利用して形成する。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル基板上に室温成膜した比較的厚いＩＴＯ薄膜をエッチングにより残渣やサイドエッチなくパターニングすること。
【解決手段】不純物ドープ酸化インジウム薄膜のパターニング方法において、ドライエッチング法により該不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程と、
ウェットエッチング法により前記ドライエッチング法を行った不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程とを行うパターニング方法を用いる。具体的には、ＩＴＯ薄膜を約５０ｎｍ残すように上部をドライエッチングによりエッチングによりエッチングし、連続してウェットエッチングによりエッチングしてパターニングを行うパターニングを方法。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム系合金を配線材料として用い、アルミニウム系合金配線回路を形成する技術において、その工程数を大幅に減少し、効率的な素子の製造を可能とする技術を提案する。
【解決手段】
本発明は、アルミニウム系合金により配線回路を形成する方法であって、レジスト層が積層されたアルミニウム系合金膜に対して、レジスト層の現像処理とアルミニウム系合金膜のエッチング処理とを、現像液により同時に行うことを特徴とする。このアルミニウム系合金は、現像液によるエッチングレートが５Å／秒〜４０Å／秒であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】表面洗浄を含む半導体素子製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にコンタクトホールを持つ絶縁層を形成し、コンタクトホールに露出された表面の自然酸化物汚染物を、アルコール類有機化合物、例えば、グリコール類有機化合物またはイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）に分散されたふっ素（Ｆ）を含む化学種を含むエッチング液（ｅｔｃｈａｎｔ）を用いて、好ましくは１．０以下の低選択比（ｌｏｗ ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）で洗浄する。その後、コンタクトホールを導電層で埋め込んで連結コンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】近年、基板上に様々の透明酸化物半導体素子が試作されており、なかでも電気伝導性が高いインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）が透明電極としてよく使われている。多くの場合、基板上に成膜されたＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ等を含み構成される透明酸化物半導体膜をエッチングする過程又はエッチング終点において、前記膜はＩＴＯ層又は他のインジウムを含む酸化膜と共存する。その際、半導体素子性能の安定するために、酸化物積層構造の選択性エッチング方法が必要になる。本発明は、物質の違いによって顕著にエッチング速度が異なり、高選択性エッチングの出来るエッチング液を用いたインジウムを含む酸化物エッチング方法を提供する。
【解決手段】酢酸、有機酸、塩酸又は過塩素酸のいずれか一種を含むエッチング液を利用することを特徴とする前記インジウムを含む酸化物膜の選択性エッチング方法を提供する。ここで、前記有機酸はクエン酸を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された、クロム、ニッケル、或いはクロム及び／又はニッケルを含む合金よりなる下地膜と、この下地膜の一部を被覆するように形成された、金、パラジウム、或いは金及び／又はパラジウムを含む合金よりなる上層膜との積層膜の、前記下地膜を、硝酸と硝酸セリウムアンモニウムとを含み、硝酸濃度が３５重量％以上の水溶液からなるエッチング液を用いてエッチングするに当たり、エッチング後の水洗工程におけるクロム等下地膜のエッチング加速を防止して、所望のエッチングをより確実に行う。
【解決手段】エッチング工程と水洗工程の間に、金等／クロム等積層膜付き基板を、硝酸濃度３５重量％以上であって硝酸セリウムアンモニウム濃度がエッチング液より低い水溶液で洗浄する酸洗浄工程を設ける。この工程により硝酸セリウムアンモニウムを洗浄除去し、その後、基板に付着した硝酸液のみを水洗除去する。 （もっと読む）

約３．４％〜約６．８％の活性酸素含有率を有する一過硫酸カリウムの溶液を含む組成物およびアルカリ性材料による中和を含む前記組成物の調製のための方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜のエッチングにおいて残渣の発生がなく、適度なエッチングレートを有し、亜鉛の溶解に対してエッチング性能が安定しているエッチング液組成物及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】クエン酸、アコニット酸、１，２，３−プロパントリカルボン酸及びそのアンモニウム塩からなる群から選択される１種又は２種以上の化合物を含む水溶液または、酢酸、プロピオン酸、酪酸、コハク酸、クエン酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、マロン酸、マレイン酸、グルタル酸、アコニット酸、１，２，３−プロパントリカルボン酸及びそのアンモニウム塩からなる1種または２種以上の化合物とポリスルホン酸化合物を含む水溶液からなる事を特徴とするエッチング液組成物でエッチングする。 （もっと読む）

【課題】薬液溶解リフロープロセスとその後の第三の除去処理（主に、再現像処理）を好適に行うことが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、基板の搬送を行う基板搬送機構１２と、処理ユニット配置区域３に配置され、基板に薬液処理を施す薬液処理ユニットと、処理ユニット配置区域４に配置され、基板にガス雰囲気処理を施すガス雰囲気処理ユニットと、を一体的に備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体又は絶縁体層上に直接、薄膜を電気化学処理プロセスで形成する方法、及び該プロセスを実施する装置を提供すること。
【解決手段】 １２５ｍｍ又はそれより大きい半導体ウェハであって、少なくとも一部が電解質溶液と接触し、第１電極として機能する半導体ウェハを、導電性表面と電気接触する状態で準備するステップと、電解質溶液の中に第２電極を準備するステップであって、第１及び第２電極が電源装置の両端に接続されるステップと、電流が第１及び第２電極にわたって印加されるときに、光源を用いて半導体ウェハの表面を照射するステップと、を含む電気化学プロセスである。本発明はまた、光源と電気化学プロセスを実施する電気化学構成要素とを含む装置も対象とする。 （もっと読む）

【課題】例えばＣＭＰ処理そのものを省略したり、ＣＭＰ処理の負荷を極力低減しつつ、基板表面に設けられた導電性材料を平坦に加工したり、更には基板等の被加工物の表面に付着した付着物を除去（洗浄）できるようにした電解加工装置に使用される電極構造を提供する。
【解決手段】電解加工時に、被加工物に近接または接触して被加工物表面を加工するための電極構造であって、絶縁体からなる円盤状の電極部４８と、電極部４８の被加工物に面する面に設けられた複数の加工電極５０と、電極部４８の被加工物に面する面に設けられた複数の給電電極５２を具備し、加工電極５０と給電電極５２は、絶縁体８２ａを介して互いに隣接して配置されて、電極部４８の中心から外周に向かって複数設けられ、かつ周方向に向かって複数設けられている。 （もっと読む）

本発明は、最初に開口部をパッシベーション層の中に形成し、次いで、これらの開口部を導電性材料で充填することによって、温度に敏感なパッシベーション層の１つまたは複数の層を含むソーラーウェーハの接触を行なう方法に関する。このようにして、１つまたは複数のパッシベーション層を含むソーラーウェーハの接触を行なうための従来方法で必要とされる相対的な高温度を回避できるようになり、したがって、接触期間中およびその後において、新しく開発された温度に敏感なパッシベーション層の優れたパッシベーション特性を維持できるようになる。
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本発明は、太陽光発電モジュールにおいて相互接続部を形成する方法を提供する。一態様によれば、本発明の方法は、従来の集積回路製造に行われたものと同様の処理ステップを含む。例えば、前記方法は、マスキングとエッチングをして、セルの間にアイソレーション溝を形成するステップと、追加エッチングして、セルの間に相互接続部を形成するために使用し得る溝に隣接した導電性段差を形成するステップとを含むのがよい。他の態様によれば、導電性段差を形成するための方法は、例えば、モジュールの上にミラーを位置決めして、フォトレジストを基板の下からある角度で一回以上露光し、エッチングして、導電性段差を露光することにより、自己整合させることができる。他の態様によれば、プロセスは、モジュールにおいてグリッド線を形成して、構造における電流輸送を改善する段差を含むことができる。
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【課題】ルテニウムとタングステン化合物又はタンタル化合物との積層膜が形成された基板を、タングステン化合物又はタンタル化合物を酸化変質させることなく、更にデバイス形成領域面が水やアルカリ溶液に曝され、ＬｏｗＫが変質することなのない基板処理方法、及び基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ルテニウムとタングステン化合物又はタンタル化合物との積層膜が形成された処理基板Ｗの外周に接触するロールチャック１ａ〜１ｄで保持される処理基板Ｗの周縁部に、処理液供給ノズル５から次亜塩素酸塩水溶液を処理液として供給し、吸引ノズル８で吸引して、周縁部のルテニウムを処理する基板処理装置。 （もっと読む）