【課題】ハロゲン酸や酸化剤からなるエッチング液において、高微細パターンのエッチング入りを向上させ、エッチング残りおよびオーバーエッチングのない恒常的に安定して高精細・高輝度のフラットディスプレイに対応した高微細精度の透明導電膜の回路パターンが得られるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも下記（ａ）群から選ばれる少なくとも１種のハロゲン酸および／または下記酸化剤（ｂ）とを水に含有してなる透明導電膜用エッチング液において、下記の一般式（１）で表される化合物（Ｗ）を含有することを特徴とする透明導電膜用エッチング液。
・（ａ）群；塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸
・酸化剤（ｂ）；塩化第二鉄または硝酸
（Ｒｆ１ＳＯ₂）（Ｒｆ２ＳＯ₂）ＮＸ （１） （もっと読む）

【課題】臭気の発生及び装置や被エッチング基材等の腐食劣化の問題が抑制された、特に酸化インジウム系被膜に対し、充分なエッチング速度とエッチングの選択性を示すエッチング液組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）２−ヒドロキシエタンスルホン酸又はその塩を、２−ヒドロキシエタンスルホン酸換算で５〜２０質量％と、（Ｂ）フッ化水素、フッ化アンモニウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム及びフッ化リチウムから選ばれる少なくとも１種類のフッ化化合物０．０５〜５質量％とを含む水溶液からなることを特徴とする金属酸化物被膜のエッチング液組成物。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたモリブデン系導電性薄膜、または、モリブデン系導電性薄膜とアルミニウム系導電性薄膜とが積層された積層導電性薄膜を、効率よく、側面が良好な順テーパー形状となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング液、および、該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】(ａ)リン酸３０〜８０重量％と、(ｂ)硝酸０．１〜２０重量％と、(ｃ)有機酸塩０．１〜２０重量％と、(ｄ)水とを含有するエッチング液を用いてエッチングを行う。
また、上記エッチング液を用いて、アルミニウム系導電性薄膜と、モリブデン系導電性薄膜とを備えてなる２層構造の積層導電性薄膜、または、アルミニウム系導電性薄膜と、アルミニウム系導電性薄膜を挟み込むようにその両主面側に配設された第１のモリブデン系導電性薄膜および第２のモリブデン系導電性薄膜を備えてなる３層構造の積層導電性薄膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】製造に際して配線にヒロックが発生せず、かつエッチング形状の制御が容易な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、基板上にマトリクス配置された走査線と、信号線１２と、前記走査線及び信号線に接続される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続される画素電極２７とを有する液晶表示装置において、前記走査線が下層からアルミニウム−ネオジム合金層２１１と高融点金属層２１２との積層構造からなり、前記信号線１２が下層から高融点金属層２３１とアルミニウム−ネオジム合金層２３２と高融点金属層２３３との３層構造からなり、高融点金属の種類に応じて、ネオジム含有量を調整する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上のタングステン（Ｗ）系金属膜をエッチングし得る半導体基板用エッチング剤、当該エッチング剤を用いるエッチング方法、並びにエッチング剤調製液を提供する。
【解決手段】（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）ヒドロキシル基を有するホスホン酸系キレート剤、（Ｃ）塩基性化合物及び（Ｄ−２）無機酸由来のアニオン種並びに炭酸イオン、モノカルボン酸イオン、ヒドロキシトリカルボン酸イオン及びヒドロキシカルボン酸イオンから選ばれる有機酸由来のアニオン種から選ばれる２種以上のアニオン種０．０１重量％〜３重量％を含む溶液からなる、タングステン（Ｗ）系金属膜上部にタングステンよりもイオン化傾向の低い金属バンプ又は金属配線が形成された半導体基板用エッチング剤、該エッチング剤を用いるＷ系金属膜のエッチング方法、並びに上記（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ−２）を含む溶液からなる、半導体基板用エッチング剤調製液。 （もっと読む）

【課題】スループット良く、銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１内に、銅膜１０１の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅１０３を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅１０３をエッチングする工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】異方的にエッチングされた銅膜に、簡単で実用的にＣｕバリア膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｃｕバリア膜１００上に、銅膜１０１を形成する工程と、銅膜１０１上に、マスク材１０２を形成する工程と、マスク材１０２をマスクに用いて、銅膜１０１をＣｕバリア膜１００が露出するまで異方的にエッチングする工程と、マスク材１０２を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、銅膜１０１に対して触媒作用があり、Ｃｕバリア膜１００には触媒作用がない選択析出現象を利用した無電解めっき法を用いて、銅の拡散を抑制する物質を含むめっき膜１０４を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ／Ｍｏ積層金属膜、Ｃｕ／Ｍｏ合金積層金属膜、Ｃｕ合金／Ｍｏ合金積層金属膜のような、銅又は銅合金の１層以上の銅層と、モリブデン又はモリブデン合金の１層以上のモリブデン層とを含む多重膜を、効率的で優秀に同時に一括してエッチングすることができるエッチング液組成物及びこれを用いた多重膜のエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、総重量に対して、リン酸５０〜８０ｗｔ％；硝酸０．５〜１０ｗｔ％；酢酸５〜３０ｗｔ％；イミダゾール０．０１〜５ｗｔ％；及び残量の水を含む。添加剤イミダゾールは、銅／モリブデンガルバニック反応調節剤として機能する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ特性が良好であり、かつ信頼性も高い薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜電界効果型トランジスタは、基板上に、少なくともゲート電極、絶縁膜、活性層、エッチングストッパ層、ソース電極、およびドレイン電極が形成されており、活性層上にエッチングストッパ層が形成され、エッチングストッパ層上にソース電極およびドレイン電極が形成されている。エッチングストッパ層はＺｎ濃度が２０％未満のＩｎ、ＧａおよびＺｎを含むアモルファス酸化物で構成されている。活性層はＩｎ、ＧａおよびＺｎを含むアモルファス酸化物半導体で構成されており、Ｚｎ濃度がエッチングストッパ層のＺｎ濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ特性が良好であり、しかも面内均一性等も良好な薄膜電界効果型トランジスタを低コストで提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極、絶縁膜、活性層、ソース電極およびドレイン電極が形成され、活性層上にソース電極およびドレイン電極が設けられた薄膜電界効果型トランジスタの製造方法である。本発明の製造方法は、エッチング液として、りん酸、酢酸および硝酸を含む混酸水溶液を用いて、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程を有する。この活性層は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含むアモルファス酸化物半導体で構成されるものであり、かつＺｎ濃度が２０％未満であり、Ｉｎ濃度が４０％以上であり、Ｇａ濃度が３７％以上である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い配線層を低コストで形成し得る配線層の形成方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に樹脂層１２を形成する工程と、樹脂層１２上にチタンを含む密着層１４を形成する工程と、密着層１４上にシード層１６を形成する工程と、シード層１６上に配線層２２を形成する工程と、配線層２２をマスクとしてシード層１６をエッチングする工程と、一般式Ｔｉ（ＯＲ^１）_Ｘ（Ｏ_ＹＲ^２）_４−Ｘ（但し、Ｒ^１、Ｒ^２はアルキル基又は水素であり、Ｘは１〜３の整数であり、Ｙは正の整数である）、又は、一般式Ｔｉ（ＯＲ^３）_４（但し、Ｒ^３はアルキル基である）で表されるチタン有機化合物が添加されたエッチング液を用い、前記配線層２２をマスクとして、前記密着層１４をエッチングする工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】生産のリードタイムが短く、小フットプリント化を実現できるエッチング装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋを搬送する搬送装置２と、基板Ｋ上にエッチング液を供給して金属膜をエッチングする第１エッチング部１０と、金属膜エッチング後の基板Ｋを洗浄する第１洗浄部１５と、洗浄後の基板Ｋを乾燥させる第１乾燥部２０と、フッ素系反応成分及び酸化性反応成分を含む処理ガスを用い、略大気圧下で、基板Ｋ上のシリコン含有膜をエッチングする第２エッチング部３０と、シリコン含有膜エッチング後の基板Ｋを洗浄する第２洗浄部３５と、洗浄後の基板Ｋを乾燥させる第２乾燥部４０とを順次搬送方向に配設する。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜のエッチングにおいて、エッチング後、エッチング液の泡およびエッチング剤に由来するエッチング残渣を全く残さず、ジャストタイムでエッチングすることができるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも蓚酸を含有する導電膜用エッチング剤（ａ）と、下記の一般式（１）で表される化合物（ｂ）とを水中に含有する導電膜用エッチング液。
（Ｒｆ１ＳＯ₂）（Ｒｆ２ＳＯ₂）ＮＸ （１） （もっと読む）

【課題】半導体基板からの剥離物（例えば、レジストや金属膜）等が周囲の飛散防止カバーに付着するのを効果的に防止する半導体基板の処理装置を提案する。
【解決手段】半導体基板１１を保持する基板保持部材１２と、これの回転駆動手段１４と、半導体基板１１に処理流体を噴射するノズル１５と、基板保持部材１２の周囲に設けられた飛散防止カバー１６とを有する半導体基板の処理装置１０において、飛散防止カバー１６の内側上部に、シャワーヘッダー１７を設け、飛散防止カバー１６の下方には、不要物３０を回収する取り外し式のメッシュ籠２９を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に安価な方法で且つ高い位置精度でエッチングを施す。
【解決手段】テンプレート６２の表面６２ａには、ウェハＷの所定のパターンに対応する位置に開口部６５が複数形成されている。テンプレート６２は、開口部６５に連通するエッチング液の流通路６６を備えている。このテンプレート６２とウェハＷを密着させた後、この状態のまま、エッチング液供給口７２から流通路６６を介して開口部６５からウェハＷに対してエッチング液を供給することで、ウェハＷに貫通孔を形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング時に残渣の発生が少なく、低発泡な透明導電膜用のエッチング液を提供する。
【解決手段】シュウ酸と、硫酸アンモニウム、アミド硫酸アンモニウムおよびチオ硫酸アンモニウムからなる群の少なくとも１種の化合物と、水を含有するエッチング液を使用する。透明導電膜の残渣が少なく、発泡も少ないので、均一にムラ無く透明導電膜をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも一の成分薬液と水とを含むエッチング液に一の成分薬液を補給する際の、エッチング液中の水分濃度の上昇を抑制できるエッチング処理装置およびエッチング方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一の成分薬液と水とを含むエッチング液を貯留する薬液貯留手段と、前記薬液貯留手段に貯留された前記エッチング液をエッチング処理されるワークに供給する薬液供給手段と、前記ワークに供給された前記エッチング液の残渣を前記薬液貯留手段に回収する薬液回収手段と、前記薬液貯留手段に前記一の成分薬液を補給する成分薬液補給手段とを備え、前記成分薬液補給手段は前記薬液貯留手段に補給される前記一の成分薬液の水分濃度を低減する水分濃度低減手段を含む。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工される被加工層の全面を、均一にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明のエッチング方法は、水晶基板（基板）２に形成されたＡｕ膜（被加工層）５を所定の形状に加工するための方法であって、Ａｕ膜５は、所定の形状である複数のＳＡＷパターン３にエッチング加工され、このエッチング加工時において、水晶基板２をエッチング液２１に浸漬した状態では、水晶基板２のＡｕ膜５の側が下方へ向いて配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板からの被覆物の除去処理を短時間化できる上、バリ発生のない高品質なパターン生成を行うことができるようにする。
【解決手段】フォトレジストに対して溶解性がない純水２００中にシリコン基板１００を浸漬させた状態で、ホーン型超音波発生器２０から純水２００を介してシリコン基板１００に対して強力な超音波を照射することにより、金属膜の殆ど全てとフォトレジストの一部とを金属疲労の原理により、バリの発生もなく短時間で除去することができようにするとともに、金属膜を除去した後、フォトレジストに対して溶解性のあるＩＰＡを用いることによって、残ったフォトレジストを完全に除去する。 （もっと読む）