【課題】遮断板を使用せずに薬液処理を可能とする裏面洗浄方法であり、容易な装置構成にて、ベベル部および基板裏面に付着したルテニウムのエッチングを行う。
【解決手段】上ノズル１と下ノズル２から基板３の上面および下面に次亜塩素酸ナトリウム水溶液を供給し、下面のルテニウム膜を除去すると同時に、上面のルテニウム膜６をパターンニングする工程と、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して次亜塩素酸ナトリウム水溶液を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に弗酸を供給して不純物を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して弗酸を除去する工程と、この工程の後に、スピンベース５により基板３を回転させて乾燥させる工程とを有する。 （もっと読む）

本発明は、金属Ｃｕ／Ｍｏをエッチングするのに適したエッチング剤組成物であって、該組成物の全質量に対して、１〜２５質量％の過酸化水素；該組成物の全質量に対して、０．１〜１５質量％のアミノ酸；該組成物の全質量に対して、０．１〜１５質量％のｐＨ安定剤；該組成物の全質量に対して、０．０１〜２質量％のフッ素含有酸；該組成物の全質量に対して、０．０１〜３質量％の酸性ｐＨ調整剤と、水性媒体とを含む組成物を提供する。本発明は、また、本発明のエッチング剤組成物を用いて金属Ｃｕ／Ｍｏをエッチングする方法を提供する。
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【課題】ＣｕとＭｏの積層金属膜のみならず従来技術では困難であったＣｕとＭｏ合金の積層金属層を一度にエッチングするとともに、従来技術では困難であったサイドエッチが入らずに好ましいテーパー角のエッチング断面形状を得ることが可能なエッチング溶液を提供する。
【解決手段】必須成分として、（ａ）水溶液が中性又は酸性のリン酸塩及び水溶液が中性又は酸性のカルボン酸塩からなる群から選択された少なくとも一種と（ｂ）過酸化水素と（ｃ）水を含有してなる、銅又は銅合金の１層又は複数層とモリブデン又はモリブデン合金の１層又は複数層とからなる多層積層金属層の銅又は銅合金及びモリブデン又はモリブデン合金を一度にエッチングするためのエッチング溶液。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤ用金属配線形成のためのエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】組成物全体の質量に対してリン酸５５〜７５質量％、硝酸０.７５〜１.９９質量％、酢酸１０〜２０質量％、Ｍｏエッチング調整剤０.０５〜０.５質量％、含ホウ素化合物０.０２〜３質量％、及び残量の水を含むエッチング液組成物。ゲート及びソース／ドレイン配線材料であるＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ三重膜を単一工程でウェットエッチングして、アンダーカット及び突出現象なしに優秀なテーパ状のエッチングプロファイルを収得でき、ドライエッチング工程を排除することによって、工程を円滑にして生産性を向上させ、生産コストを低減できる。また、過塩素酸のような環境有害物質、エッチング液の寿命を短縮させる不安定な成分、または基板のガラスを腐蝕させるフッ素系化合物が不要となる。 （もっと読む）

【課題】 チタン含有層のエッチング速度が速く、シリコン基板やガラス基板等の含シリコン基板及びチタンより酸化電位が高い金属含有層に対するチタン含有層のエッチング速度が大きく、且つ、チタンより酸化電位が高い金属−チタン間の電蝕によるエッチングも抑制され、サイドエッチングが小さいエッチング液、及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】 珪フッ化水素酸、水及びエーテル結合を有するアルコールを含有するチタン含有層用エッチング液。珪フッ化水素酸、水及びエーテル結合を有するアルコールを含有するエッチング液により、チタン含有層とチタン含有層以外の層を有する積層体中のチタン含有層をエッチングする方法。 （もっと読む）

【課題】電解加工の研磨精度並びに研磨レートの向上を図る。
【解決手段】ウェーハWの被加工対象膜と電解加工装置10の電極31との間のギャップGを電解液の静圧或いは動圧を利用して極小に制御する。電解液33は誘電体微粒子を含有したものを用い、電解液をギャップ間へ供給しつつ通電して電解加工を行う。ギャップ中の誘電体微粒子が被加工対象膜に近接、または接触した箇所の電位勾配が急峻となり、その部分に活性化エネルギーが集中して除去加工が進行する。誘電体微粒子は分布確率の一様性に応じて被加工対象膜の全面に均等に作用し、表面が荒れることなく鏡面が形成される。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などの金属膜を制御性よく、かつ、レジスト滲みの発生を抑制、防止しつつエッチングし、意図するテーパー形状と、優れた平坦性を有する金属膜を得ることができるようにする。
【解決手段】リン酸、硝酸、有機酸塩を含有する水溶液を、基板上の金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物として用いる。
前記有機酸塩として、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸、脂肪族オキシカルボン酸、芳香族モノカルボン酸、芳香族ポリカルボン酸、芳香族オキシカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の、アンモニウム塩、アミン塩、第四級アンモニウム塩、アルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
また、前記有機酸塩の濃度を、０．１〜２０重量％の範囲とする。
また、本発明のエッチング液組成物を、前記金属膜がアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合に用いる。 （もっと読む）

電子素子、特にＴＦＴ、蓄積コンデンサまたはスタック装置の導電層間の交差部等を備えるものが開示されている。電子素子は、電極を形成する第１の導電層を基板上に備える。第２の導電層により形成された第２の電極は第１の電極から少なくとも誘電体層により隔てられている。この誘電体層は電気絶縁材料の中間層、好ましくは絶縁破壊に対して高い耐性を有する中間層と、光パターニング可能な電気絶縁材料のさらなる層とを包含する。 （もっと読む）

【課題】プログラムされた情報のセキリュティが高く、半導体チップ毎に異なる情報をプログラムすることを簡単に可能とすること。
【解決手段】本発明は、半導体ウエハ内に配列された複数の半導体チップとなるべき領域１２内にそれぞれ設けられたＯＴＰ−ＲＯＭセル配列２１に対応するプログラムドット配列を有するプログラムヘッド８０を、複数の半導体チップとなるべき領域１２のうち１つの領域内のＯＴＰ−ＲＯＭセル配列２１に合わせる工程と、プログラムヘッド８０を用いＯＴＰ−ＲＯＭセル配列２１を、複数の半導体チップとなるべき領域１２ごとに異なるパターンでプログラムする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】低抵抗値のアルミニウム系導電性薄膜、あるいは該アルミニウム系導電性薄膜やモリブデン系導電性薄膜を備えた積層導電性薄膜を、効率よくエッチングして、良好な順テーパ形状の側面が形成されるようにする。
【解決手段】アルミニウム系導電性薄膜１２と、モリブデン系導電性薄膜１１，１３を備えた積層導電性薄膜１５を、(ａ)リン酸と、(ｂ)硝酸塩と、(ｃ)有機酸と、(ｄ)水とを含有するエッチング液、またはさらに硝酸を含有するエッチング液と接触させる。
硝酸塩としては、硝酸のアンモニウム塩、アミン塩、第４級アンモニウム塩、アルカリ金属塩などを用いる。
また、有機酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、トリメリット酸、ヒドロキシ酢酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸などを用いる。 （もっと読む）

【課題】エッチング特性が優れており、安定した導電性を有する高微細精度の導電膜パターンを与える導電膜用エッチング液および導電膜パターンの製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムを含有する導電膜用エッチング剤と、界面活性剤とを水中に含有してなり、上記界面活性剤が直鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩６０質量％〜８２質量％と分岐鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩１８質量％〜４０質量％との混合物（Ｗ）であることを特徴とする導電膜用エッチング液、および該エッチング液を使用する導電膜パターンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 装置を汚染せず低コストで、強アルカリを使用することなくルテニウムをエッチングできるエッチング用組成物、及びそれを用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ等の基板上のルテニウムや、半導体製造装置に付着したルテニウムを、塩素及び水を含むルテニウムのエッチング用組成物でエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面の導電性膜の通電不良による加工残りを無くし、ウェハ全面に安定して電流を供給して導電性膜を除去し、既に加工された導電性膜の腐食を防止する。
【解決手段】ウェハＷの外周部に複数のウェハチャック４１〜４６を着脱可能に取り付け、各ウェハチャック４１〜４６に電解加工時にウェハＷと接触する給電電極を設ける。加工ヘッド３はアーム６によりウェハＷの半径方向に移動可能に保持し、加工ヘッド３をウェハＷの中心から外周部に向かって移動させながら、常に均等な電気を供給してウェハＷ表面の導電性膜Ｍを除去する。又、既に電解加工が終了した部分から、導電性膜を保護する表面保護用の酸化防止剤５３を塗布する。 （もっと読む）

【課題】液の分解や基板の腐食が無く、低コストであって、かつタングステン系金属のエッチングレートの大きいエッチング液およびエッチングによるタングステン系金属の除去方法を提供する。
【解決手段】硝酸と、クエン酸等の多価カルボン酸及びその塩からなる群より選ばれる少なくとも１種のカルボン酸類を含有する水溶液からなるエッチング液にタングステン系金属を浸漬等することのより、タングステン系金属を溶解除去する。タングステン系金属としてはタングステン金属、チタンタングステン合金、タングステンシリサイド、窒化タングステン、モリブデンタングステンなどである。 （もっと読む）

【課題】処理液の取り替えサイクルを長くしたり、基板処理効率の低下を防止したり、基板処理コストを抑えることができる基板処理装置などを提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、貯留槽１１と基板処理機構１２と間で処理液を循環させる第１処理液循環機構２０と、基板処理機構１２における基板処理によって処理液中に含まれるようになった金属イオンを吸着する２つの吸着塔３２，３３と、貯留槽１１内の処理液を吸着塔３２，３３のいずれか一方に選択的に供給して循環させる第２処理液循環機構３４と、処理液の供給される吸着塔３２，３３が所定時間間隔で交互に切り換わるように第２処理液循環機構３４の作動を制御する制御装置２８とを備える。 （もっと読む）

【課題】積層構造の金属膜を湿式エッチングする際に、テーパ角度が極端な低角度とならないようにして、断線が生じ難いパターンが得られるエッチング液組成物及びこのエッチング液組成物を使用した基板上に所定のパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金膜の表面にモリブデン膜が積層された積層構造の金属膜をエッチングして所定のパターンを形成するためのエッチング液組成物であって、リン酸濃度４０〜７０質量％、硝酸濃度０．５〜１０質量％、酢酸濃度５０〜１５質量％、残部が水からなる。
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【課題】複合電解研磨に使用される電解液の量を削減することができる複合電解研磨装置を提供する。
【解決手段】本願発明の複合電解研磨装置は、上下方向に貫通する複数の貫通孔１０１ａを有し、上面が研磨面を構成する研磨パッド１０１と、基板Ｗを研磨面に押圧する研磨ヘッド１と、電源２５２の一方の極に電気的に接続され、研磨パッドの下方に配置された第１電極２５４と、電源の他方の極に電気的に接続されて基板上の導電膜に給電する第２電極２６４と、電解液を研磨パッドに供給する電解液供給部１０２と、電解液供給部から供給された電解液を研磨パッドの下方から複数の貫通孔に導く電解液流路２５８Ａ，２５８Ｂ，２５６，２５５と、基板と研磨パッドとを相対移動させる相対移動機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】特に半導体製造プロセスにおける基板表面に形成された銅等の導電性物質の研磨において、低い印加電圧で導電性物質に対するより高い加工速度を確保しつつ、高い平坦化特性を有する加工面を得ること、ディッシングやエロージョン、バリア膜と金属（導電性物質）の界面でのエッチングを生じさせることなく、不要な導電性物質を除去してバリア膜を露出させることができるようにする。
【解決手段】被研磨物表面の導電性物質を研磨する電解研磨に用いる電解液であって、有機酸またはその塩の１種類以上と、スルホン酸基を有する強酸の１種類以上と、腐食抑制剤と、水溶性高分子化合物を含む水溶液であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リンを含む含リン系廃水の処理において、水のリサイクルとリン酸資源のリサイクルとを簡便且つ確実に行うことができ、資源保全或いは環境保全に高く寄与することが可能な資源回収方法を提供する。
【解決手段】本発明の資源回収方法は、リンを含む含リン系廃水に鉄塩を加えて凝集化を行う凝集化工程と、前記凝集化工程後、固形物と液状物とを分離する固液分離工程と、分離した前記固形物をリン酸塩に転換して回収するリン酸塩回収工程と、分離した前記液状物を、逆浸透膜を通した後にリサイクル水として回収するリサイクル水回収工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パワートランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】素子を形成した半導体ウェハ１の主面に、素子と電気的に接続するように堆積した第１導体膜１４および第２導体膜１５に所望のパターンを形成する工程であり、まず、半導体ウェハ１を第１の回転速度で回転させた状態で、半導体ウェハ１の主面に対して薬液１７を供給することにより、第２導体膜１５に対してウェットエッチング処理を施す（工程１００）。エッチング終了後、薬液１７が半導体ウェハ１の主面に残るように、回転速度を第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度に変更し、その状態で半導体ウェハに純水１９を撒水することにより、純水１９が半導体ウェハ１の主面に残されるようにした状態で薬液１７を洗浄する（工程１０１）。続いて、第１導体膜１４に対してドライエッチングを施す（工程１０２）。 （もっと読む）