【課題】インジウム系金属膜、アルミニウム系金属膜、及びチタニウム系又はモリブデン系金属膜からなる三重膜用エッチング液組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対して、鉄化合物０．１重量％〜１０重量％、硝酸０．１重量％〜１０重量％、含フッ素化合物０．０１重量％〜５重量％、及び水残部を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】インジウム系金属膜、アルミニウム−ランタニウム系合金膜及びチタニウム系金属膜からなる三重膜用エッチング液組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対して、過酸化水素１重量％〜１５重量％、無機酸０．１重量％〜１０重量％、含フッ素化合物０．０１重量％〜５重量％、及び水残部を含むことを特徴とする、 （もっと読む）

【課題】基板にエッチング処理を施す基板処理装置においてエッチング液の交換頻度を低減する。
【解決手段】基板処理装置１は、ガラス基板上に銀の薄膜が形成された基板９にエッチング処理を施す装置であり、エッチング液が貯溜される処理槽１１、処理槽１１内にて水平に配置された基板９を支持する基板支持部１２、および、処理槽１１内にて基板９の上面９１に対向する吸着材カートリッジ１３を備える。吸着材カートリッジ１３は、シート状の吸着材１３１を備え、基板９と共にエッチング液に浸漬されることにより、基板９の上面９１に対するエッチング処理により発生する銀イオンが吸着材１３１に吸着される。これにより、エッチング液中における金属イオンの濃度増加が抑制され、エッチング液中の金属イオンが還元されて基板９上に析出してしまうことを防止することができるとともに、比較的高価なエッチング液の交換頻度を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】基板上に第１層目のハードマスク層を形成し、基板上の第１層目のハードマスク層を備えた面に、順に、第２層目から第Ｎ層目までのハードマスク層を形成し、第Ｎ層目のハードマスク層のパターニング処理し、順に、第（Ｎ−１）層目から第１層目までのハードマスク層のパターニング処理し、パターニングされた第１層目から第Ｎ層目までのハードマスク層をエッチングマスクとして基板に第１段目の異方性エッチングしてパターニング処理することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】調合物及び等方性銅エッチング調合物を利用して銅を等方的にエッチングして除去する方法を提供する。
【解決手段】銅をエッチングする調合物は、水溶液を含み、水溶液は、（ａ）ジアミン、トリアミン、および、テトラミンからなるグループから選択される二座配位子、三座配位子、四座配位子の錯化剤、および、（ｂ）酸化剤を含む。水溶液のｐＨは、５から１２である。一実施形態では、エッチ液は、ｐＨ約６から１０のエチレンジアミン（ＥＤＡ）および過酸化水素を含む。銅層の実質的な表面を粗くせずに高速で銅をエッチングすることができる（例えば少なくとも約１，０００Å／分）溶液が提供される。調合物は、半製品の半導体デバイスから銅を除去する（例えば銅積載部分をエッチングする）のに特に有益に用いられる。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドを用いず、さらに砥粒を用いないスラリー液による絶縁膜への金属の平坦化埋め込み方法を提供する。
【解決手段】スラリー液に微細気泡（マイクロバブル）を分散させ、微細気泡の平均直径より微細な寸法のパターンを形成した基板に金属膜を堆積させ、微細気泡を分散したスラリー液に金属膜を堆積した基板を浸漬することにより、堆積した金属膜のうち凹部のものを残留させ、絶縁膜への金属の平坦化埋め込みを行う。 （もっと読む）

【課題】
太幅配線の添加元素を細幅配線の添加元素とは独立に制御する。
【解決手段】
層間絶縁膜に、第１の幅を有する第１の配線溝および第１の幅より広い第２の幅を有する第２の配線溝を形成し、第１の配線溝および第２の配線溝内に、第１の添加元素を含む第１のシード層を形成し、第１のシード層上に第１の銅層を形成し、第１の配線溝内の第１の銅層および第１のシード層を残存させつつ、第２の配線溝内の第１の銅層および第１のシード層を除去し、その後、第２の配線溝内に、第２の添加元素を含む又は添加元素を含まない第２のシード層を形成し、第２のシード層の上に第２の銅層を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ金属膜とＣｕ合金酸化物層を一括でエッチングするための、銅合金酸化物膜の溶解を制御することが可能で、とくに一括エッチングの対象となる積層において、Ｃｕ合金酸化物層を含む全ての層の溶解が適度なバランスで進む条件を実現するエッチング液およびエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板と接する銅酸化物層または銅合金酸化物層を含む、基板上の銅含有積層膜をエッチングするためのエッチング液であって、過酸化物および有機酸を含む、前記エッチング液、および、基板と接する銅酸化物層または銅合金酸化物層を含む、基板上の銅含有積層膜をエッチングする方法であって、過酸化物および有機酸を含むエッチング液を用いてエッチングする工程を含む、前記方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来の問題点を解決し、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）膜よりなる透明導電膜のウエットエッチング装置内に析出したしゅう酸インジウムを化学的に溶解除去するしゅう酸インジウム溶解剤を提供することである。
【解決手段】
本発明は、エッチング装置系内に析出するしゅう酸インジウムを溶解除去するために用いる溶解剤組成物であって、アルカリ成分と、アミノポリカルボン酸およびその塩から選択される１種または２種以上とを含有する水溶液であることを特徴とする、前記溶解剤組成物、該溶解剤組成物を用いたエッチング装置系内の洗浄方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 銀又は銀合金をエッチングする際に銀残渣を発生させず、しかもエッチング液を繰り返して使用してもエッチング速度が変化しないエッチング液及びそれを用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】 銀又は銀合金のエッチングにおいて、組成物全体に対し、銅イオンを０．０１〜１０重量％、硝酸を０．０１〜１０重量％、燐酸を１０〜６９重量％、カルボン酸を３０〜５０重量％含有し、残部は水である銀又は銀合金エッチング用組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】レジストマスクを用いたウエットエッチングにより、下地のゲート絶縁膜にダメージを与えることなく、寸法精度良く金属膜を加工する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１００上に金属薄膜１０２を形成する工程（ａ）と、金属薄膜１０２の上にアルカリ水溶液可溶有機膜１０３を形成する工程（ｂ）と、アルカリ水溶液可溶有機膜１０３の上にフォトレジスト膜１０４を形成する工程（ｃ）と、フォトレジスト膜１０４に開口部を設けてレジストパターン１０５を形成する工程（ｄ）と、薬液を用いて、開口部に露出するアルカリ水溶液可溶有機膜１０３を除去する工程（ｅ）と、工程（ｅ）の後に、ウエットエッチングにより、開口部に露出する金属薄膜１０２を除去する工程（ｆ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】銅配線を形成する際に、銅配線層と、Ｍｏ、Ｍｏ合金、酸化銅または酸化銅合金からなる密着層やキャップメタルとを一括エッチングし、サイドエッチおよびアンダーカットの発生なく良好なテーパー形状にエッチングすることのできるエッチング用組成物を提供する。
【解決の手段】（Ａ）アンモニア、アミノ基をもつ化合物および窒素原子を含む環状構造をもつ化合物からなる群から選択された少なくとも１種と、（Ｂ）過酸化水素を、（Ｃ）水性媒体中に含有し、ｐＨが８.５を超える、銅または銅合金からなる配線層とＭｏ、Ｍｏ合金、酸化銅または酸化銅合金からなる金属層との一括エッチング用組成物。 （もっと読む）

本発明は、
Ａ）約０．０２５重量％〜約０．８重量％の活性酸素を提供する高濃度モノ過硫酸カリウム；
Ｂ）組成物の約０．０１重量％〜約３０重量％のＢ１）有機酸、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩、もしくは有機酸のホモポリマー、またはＢ２）ホスホニウム、テトラゾリウム、もしくはベンゾリウムのハロゲンもしくは硝酸塩、またはＢ３）成分Ｂ１）とＢ２）との混合物；および
Ｃ）組成物の約０重量％〜約９７．４９重量％の水
を含んでなるエッチャント組成物；ならびに前記組成物を使用する基材のエッチング方法を提供する。
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【課題】
本発明は、上部にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる層、下部にチタンまたはチタン合金からなる層が積層された金属積層膜のエッチングに際して、サイドエッチングを抑制し、良好な断面形状を得ることができる、エッチング液組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、フッ素化合物と鉄イオンを含むエッチング液組成物であって、上部にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる層、下部にチタンまたはチタン合金からなる層が積層された金属積層膜を一括エッチングするのに用いられる、前記エッチング液組成物、該エッチング液組成物を用いたエッチング方法に関する。 （もっと読む）

【課題】燐酸を主成分とすることなくモリブデン層とアルミニウム層とを一括的にエッチングすることができるエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法は、モリブデン又はモリブデンを主成分とする合金からなるモリブデン層（２ｂ，３ａ，３ｃ，４ａ，４ｃ）と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなるアルミニウム層（２ａ，３ｂ，４ｂ）と、を含む金属積層膜を一括でエッチングするためのエッチング液であって、ｐＨが４以上１２以下であり、アルミニウムと錯体を形成できる化合物と酸化物とを含有するエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】過酸化水素水を含むエッチング液により銅を含む金属層を有する基板をエッチング処理する場合に、エッチング液中の過酸化水素の異常分解が原因となってエッチング液の漏洩や飛散が起こり装置が破損することを防止できる装置を提供する。
【解決手段】密閉された下部タンク２０内からエッチング液供給配管２４を通して処理チャンバ１０ａ、１０ｂ内部のノズル１２、１４へ過酸化水素水を含むエッチング液を供給し、処理チャンバの内底部に溜まるエッチング液を下部タンク内に回収する装置であって、下部タンク内のエッチング液２２の温度を測定する温度センサ６４と、下部タンク内へ純水を供給するための純水供給配管５０と、温度センサによって測定されたエッチング液の温度が設定温度を超えたときに下部タンク内へ純水を供給するように制御する制御回路と、下部タンクの内部空間と処理チャンバの内部空間とを連通させる通気配管６２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 ゲート絶縁膜に対するダメージを防止することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１の製造工程において、シリコン基板２を、ＮＭＯＳ形成領域８とＰＭＯＳ形成領域９とに分離し、そのシリコン基板２の表面に高誘電率絶縁膜３１を形成する。ＮＭＯＳ形成領域８には、ＮＭＯＳ用電極材料３４からなるＮＭＯＳ用ゲート電極１２を形成する。その後、シリコン基板２上に、開口３６を有するレジストマスク３５を形成する。次いで、レジストマスク３５上および開口３６から露出するＰＭＯＳ形成領域９上に、ＰＭＯＳ用電極材料３７を堆積させる。そして、レジストマスク３５上のＰＭＯＳ用電極材料３７をレジストマスク３５とともにリフトオフすることにより、ＰＭＯＳ用ゲート電極２２を形成する。 （もっと読む）

本発明は、マイクロ構造を有する基板を製造する方法、並びに当該方法の自然科学及び科学技術−具体的には半導体デバイス、マイクロ流体デバイス、及び解析デバイス−への応用に関する。本発明は、制御された放電によって、構造−たとえば穴、空孔、チャネル、若しくはウエル又は凹部−又は構造変化を導入する方法に関する。
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【課題】アルミニウム表面の自然酸化物を過不足なくエッチングするためのエッチング終点検出装置を提供する。
【解決手段】酸を含むエッチング液４によりアルミニウム電極パッド１の自然酸化膜をエッチングする際のエッチング終点検出装置１０は、エッチング液４中に光を照射する発光素子６と、上記光の透過光を受光する受光素子１１と、アンプ１２と、コンパレータ１３とを備えている。アルミニウム電極パッド１とエッチング液４との反応により水素ガス５が発生すると、上記透過光は低下し、振動する。受光素子１１の出力はアンプ１２によって増幅され、コンパレータ１３によって透過光量低下後の電圧を弁別される。あるいは、コンパレータ１３に代えてスペクトルアナライザによって透過光量振動時の電圧を弁別される。よって、エッチング終点検出装置１０は、自然酸化膜のエッチングの終点を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】銅、銅／モリブデンまたは銅／モリブデン合金の食刻組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量を基準に、１２〜３５重量％の過酸化水素、０．５〜５重量％の硫酸塩、０．５〜５重量％のリン酸塩、０．０００１〜０．５重量％のフルオロイオンを提供できるフッ化物、０．１〜５重量％の第１水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のキレート剤、０．１〜５重量％の第２水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のグリコール、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする脱イオン水を含む銅膜、銅／モリブデン膜または銅／モリブデン合金膜の食刻組成物。 （もっと読む）