【課題】低抵抗であって小型化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１０に斜面部１４を形成し、半導体チップ１０の下面に複数の電極１１を設け、半導体チップ１０の上面に金属膜１５を蒸着させ、斜面部１４上の金属膜１５を第２電極１２とし、第１電極１１と対応するリードフレーム２０を接続し、第２電極１２と対応するリードフレーム２０とをストラップ１３で接続することで、第１電極１１及び第２電極１２とリードフレーム２０との導通路を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上の同一の電極に複数本のワイヤを接続する構造において、電極面積を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、図３（ａ）〜図３（ｄ）に示すように、半導体チップ１上の電極３にボールボンディングを行って接続部７ａを形成した後、図３（ｅ）〜図３（ｇ）に示すように、インナーリード４ａにウェッジボンディングを行う。続いて、図３（ｈ）、図３（ｉ）に示すように、ボール１１ｂを接続部７ａに直上から圧着するボールボンディングを行って接続部７ｂを形成した後、図３（ｊ）〜図３（ｌ）に示すように、インナーリード４ａにウェッジボンディングを行う。 （もっと読む）

【課題】小型でかつ高い信頼性を有する電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】モールド樹脂６から複数のリード１が突出した電力用半導体装置１００が、第１ダイパッド部１ｂを含む第１リード１ａと、第１ダイパッド部の表面に載置されたパワーチップ２と、第２ダイパッド部を含む第２リード１ｃと、第２ダイパッド部上に載置された制御チップ３と、パワーチップと制御チップとを接続する金を主成分とするワイヤ４と、第１リードと第２リードの端部がそれぞれ突出するように制御チップとパワーチップとを埋め込むモールド樹脂とを含み、ワイヤは、その第１端部が制御チップにボールボンディングされ、その第２端部がパワーチップにステッチボンディングされる。 （もっと読む）

【課題】ユーザ端子の配列の変更に対して、比較的低コストにて対応することが可能な汎用性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】中継配線基板２０の略中央に形成されたダイパッド２２上には、平面視矩形状を有し各辺近傍に複数の電極パッド１５，１５ａ，１５ｂが配設されたＩＣ１０が接合されている。ダイパッド２２の周辺部には、ＩＣ１０の複数の電極パッド１５，１５ａ，１５ｂとそれぞれ対応するＩＣ接続端子２３，２３ａ，２３ｂが、配設されている。中継配線基板２０の周辺部近傍にはリード接続端子２５，２５ａ，２５ｂが形成されていて、それぞれ対応する端子間配線２４，２４ａ，２４ｂにより接続されている。このうち、ＩＣ接続端子２３ａ，２３ｂとそれぞれ対応するリード接続端子２５ａ，２５ｂとは、端子間配線２４ａ，２４ｂが端子間配線交差部Ｄ１において絶縁膜２９を介して交差されていることにより配列が入れ換えられている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング作業の高速化が図れると共に、より一層のワイヤボンディング精度の向上が図れる。
【解決手段】ボンディングセンター５０に搬送２０された半導体チップ２Ａのボンディング点画像取込み２１を行い、ボンディング点位置認識処理２２を行った後、補正されたボンディング点にワイヤボンディング２４し、半導体チップ２Ａに対するボンディング後の画像取込み２５を行い、次の半導体チップ２Ｂをボンディングセンター５０に搬送３０し、半導体チップ２Ｂのボンディング点画像取込み３１を行い、ボンディング点位置認識処理３２を行った後、補正されたボンディング点にワイヤボンディング３４する該ボンディング中に半導体チップ２Ａのボンディング後画像位置ずれの認識処理２６を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、ワイヤとバンプとの間の接合性を向上させると共にワイヤの切断性を向上させてボンディング品質の向上を図る。
【解決手段】第２ボンド点のパッド３の上にワイヤを折り曲げ積層して傾斜ウェッジ２２と第１ワイヤ折り曲げ凸部２５を持つバンプ２１を形成し、第１ボンド点のリードからバンプ２１に向かってワイヤ１２をルーピングしてキャピラリ先端のフェイス部３３によってワイヤ１２をバンプ２１の傾斜ウェッジ２２に押し付けてワイヤ１２をバンプ２１に接合すると共に、インナチャンファ部３１によってワイヤ１２を第１ワイヤ折り曲げ凸部２５へ押し付けて弓形断面形状のワイヤ押し潰し部２０に形成する。ワイヤ１２を引き上げてワイヤ押し潰し部２０でワイヤを切断する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の歩留り及び品質を向上を図る。
【解決手段】半導体チップ２０とインナリード３１とをワイヤ５０で接続する際に、リードフレーム３０のインナリード３１の裏面３１ａに接着されたヒートスプレッダ４０の開口部４２に、ヒートステージ７０に設けられた突出部７１を配置する。そして、インナリード３１の先端部３３がヒートステージ７０の突出部７１に直接接触した状態で、インナリード３１の先端部３３とワイヤ５０との接合を行う。このように、ワイヤ５０と接合する先端部３３が、安定したヒートステージ７０に直接接触していることで、超音波を有効に伝達させることができるため、インナリード３１に対するワイヤ５０の接合不良を解消することができ、半導体装置１０の組立を良好に行うことができるのである。従って、製品の歩留りを向上させることができると共に製品の品質を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に配設される中継部材のボンディングパッドの配列及び当該ボンディングパッドを結ぶ配線を任意に設定できるようにして、異なる構造を有する他の半導体装置に対しても適用することができる当該中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置に配設される中継部材５０は、第１の端子５１と第２の端子５２とを備える。第１の端子５１に接続される第１端子用配線５６の端部及び第２の端子に接続される第２端子用配線５７の端部のうち少なくとも１つにより連結部６０が形成される。少なくとも前記連結部に接続部材６１が形成され、第１の端子５１と第２の端子５２が接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ内ワイヤボンディングの電極パッド面積抑制が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１１の表面周縁部にあり、接続される方向に伸びた形状を有する周辺部パッド１３ａ、半導体チップ１１の表面中央部にあり、接続される方向に伸びた形状を有する中央部パッド１５、半導体チップ１１の外側にあり、周辺部パッド１３ａと中央部パッド１５とを結ぶ線分を含み、半導体チップ１１の表面に垂直な面上にある外部接続端子である内部リード２２、及び、中央部パッド１５を周辺部パッド１３ａに接続し、周辺部パッド１３ａを内部リード２２に接続する１本の連続するワイヤ２５を備えている。 （もっと読む）

【課題】密集して配置される金属細線のレイアウトが工夫された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、リード１６と一体で設けられたアイランド１４と、アイランド１４の上面に固着された半導体素子１８と、アイランド１４に一端が接近して他端が外部に露出するリード１６と、半導体素子１８の上面に設けられたボンディングパッドとリード１６とを接続する金属細線２０と、これらの構成要素を被覆して一体的に支持する封止樹脂１２とを概略的に具備する構成となっている。そして、半導体素子１８の上面のボンディングパッド２４は、複数の金属細線２０を経由してリードの接続領域３０と接続され、線長が長い金属細線２０を、他の金属細線よりも半導体素子１８の側辺に対して直角に近い角度で引き出している。 （もっと読む）

【課題】金属細線の垂れ下がりに起因したショートの発生を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態の半導体装置の製造方法は、アイランド１４に半導体素子１８を実装する工程と、半導体素子１８の上面に設けたボンディングパッドとリード１６とを金属細線２０により接続する工程とを具備する。更に、本実施の形態では、金属細線２０を形成する工程に於いて、アイランド１４とリード１６との間で、保持部５０により金属細線２０の中間部を保持している。このことにより、ワイヤボンディングの工程における金属細線２０の垂れ下がりを防止して、金属細線２０と半導体素子１８とのショートを防止できる効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】ボールボンディング用のキャピラリにより被接合部材に対してワイヤを接合するワイヤボンディング方法において、キャピラリを交換することなく、キャピラリに付着した汚れを除去できるようにする。
【解決手段】キャピラリ１００の先端部を、配線５０上に形成され当該先端部をクリーニングするためのクリーニング部材としてのボール４１に押し当てた状態で、キャピラリ１００を振動させることにより、キャピラリ１００の先端部に付着した汚れＫを擦り落とすクリーニング工程を備える。 （もっと読む）

【課題】パワー・トランジスタに流れる電流ルートを明確にすると共に、パワー・トランジスタに流れる電流の最適化を図ることにより、パワー・トランジスタへのダメージ又はストレスを低減し、信頼性に優れた半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、パワー・トランジスタ(100A)と、パワー・トランジスタ(100A)の直上に形成され、複数の第１のバス(140〜142)と、複数の第２のバス(150〜152)と、複数の第１のバス(140〜142)及び複数の第２のバス(150〜152)の各々に１つずつ設けられたコンタクト・パッド(304)とを備える。複数の第１のバス(140〜142)と複数の第２のバス(150〜152)は、外部の接続部材(307)に近い側に位置するものから遠くに位置するものへと順に面積が小さくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】パッドのファインピッチ化に対応でき且つ幅広いフレームにボンディングできるワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るワイヤボンディング装置は、ボンディングアーム２を支点を中心に円弧移動させる機構と、フレームを１８０°回転させる反転ユニット５と、ボンディングステージと反転ユニットの間を搬送するレール４と、フレームの幅方向１７の一方側にキャピラリから繰り出されたワイヤによってボンディングを行い、フレーム３をレール４によってボンディングステージ上から反転ユニット５に搬送し、反転ユニットによってフレームを１８０°回転させ、フレームをレールによって反転ユニットからボンディングステージ上に搬送し、フレームの幅方向の他方側にキャピラリから繰り出されたワイヤによってボンディングを行うように制御する制御部と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】剥離及びクラックの発生を防止することができる半導体装置を得る。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、ダイパッド上に第１の接着剤を介して搭載された第１の半導体チップと、ダイパッド上に第２の接着剤を介して搭載され、スルーホールを挟んで第１の半導体チップと互いの一側面が対向するように配置した第２の半導体チップと、第１の半導体チップと第２の半導体チップとを接続するワイヤと、トランスファーモールド樹脂とを有する。そして、第１，２の半導体チップ間の距離は１ｍｍ以下であり、第１，２の半導体チップの互いに対向する側面のエッジ直下に、それぞれ第１，２の接着剤が存在する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの周囲に配列されて相互に隣り合う２つのリードをそれぞれ半導体チップの電極パッドに接続する２本のワイヤー同士の間で電気的な短絡が発生することを防止できるようにする。
【解決手段】上面に複数の電極パッド７，９を形成した半導体チップ５の周囲に、該半導体チップ５に向けて延びる細幅帯状のリード１１，１３が複数配列されると共に、前記複数の電極パッド７，９及び前記複数のリード１１，１３をそれぞれワイヤー１５，１７により電気接続して構成され、前記ワイヤー１５，１７の両端が、前記電極パッド７，９及び前記リード１１，１３の延在方向の先端部１１ａ，１３ａにそれぞれ接合され、相互に隣り合う前記リード１１，１３の先端部１１ａ，１３ａが、前記リード１１，１３の配列方向に略直交する前記リード１１，１３の厚さ方向に離間して配置されていることを特徴とする半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームのリード部へのボール接合時の接合強度を高めることで、逆ボンディングを適用した半導体装置の製造歩留りや信頼性等を向上させる。
【解決手段】リードフレーム２のリード部４に、Ａｕ線のようなボンディングワイヤ１２の先端に形成された予備接合用ボール１３を圧接し、これをリード部４の表面に擦り付けながら移動させて、ボンディングワイヤ１２と同一材料の堆積層１４を形成する。次に、ワイヤ１２の先端に形成された接合用ボールを、リード部４の表面に形成された堆積層１４上にボール接合した後、リードフレーム２の素子マウント部に実装された半導体素子の電極パッドにステッチ接合する。 （もっと読む）

【課題】コストを抑え、小さい回路面積で、昇圧効率の高い昇圧回路を備える半導体装置を提供すること。
【解決手段】昇圧回路として使用する多段のチャージポンプ型昇圧回路の前段に、チャージポンプ型昇圧回路と比較して昇圧効率の高いブーストコンバータ型昇圧回路を設ける。このブーストコンバータ型昇圧回路は、電源に接続されたリードと、第１の端子にはクロック信号が入力され、第２の端子には前記リードが接続され、第３の端子にはグランドが接続されて、前記クロック信号により導通及び非導通が制御されるスイッチ素子と、前記スイッチ素子の前記第２の端子及び前記リードに接続された整流素子と、前記スイッチ素子の前記第１の端子に供給するクロック信号を生成するクロック発生回路と、一端が前記整流素子のカソード側に接続され、他端がグランドに接続されたコンデンサとを備え、前記電源に接続されたリードを、インダクタンス素子として利用する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに複数の半導体チップをコンパクトに搭載でき、製造コストを削減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の電極パッド２２が周囲に設けられた上面２０ａと、その反対側の下面２０ｂとを有し、上面２０ａ側をアイランド部３の下面３ｂに対向させて載置される半導体チップ２０と、複数の電極パッド１２が周囲に設けられた上面１０ａと、その反対側の下面１０ｂとを有し、下面１０ｂ側をアイランド部３の上面３ａに対向させて載置される半導体チップ１０と、各リード５上の一点を起点とし、対応する半導体チップ１０、２０の各パッド１２、２２を終点としてリバースボンディングによりそれぞれ接続される複数のワイヤ３０と、封止樹脂４０と、を備え、ワイヤ３０は、半導体チップ１０、２０の上面１０ａ、２０ａに対してほぼ平行に沿うように、該ワイヤ３０の側面で接触するように接続される。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置において、ボンディングツールの先端に付着した異物を効果的に洗浄する。また、ボンディングツールの洗浄をボンディング工程の中で連続的に処理する。
【解決手段】ワイヤボンディング装置１０に近接して洗浄用ケース２７を設ける。洗浄用ケース２７の中にはプラズマ噴出口３８とプラズマトーチ３１と外部と内部の電極３３ａ，３３ｂからなる容量結合電極３３とを備えたマイクロプラズマ発生部３４が下部に固定され、プラズマ噴出口３８は、そのプラズマ噴出口中心線３１ａがキャピラリ１６の長手中心線５９と同一線上になるように配置されている。マイクロプラズマ３２をキャピラリ１６の下方から噴出させて、その先端部を洗浄ケース２７の中で洗浄する。洗浄ケース上部にはシャッタ２９を設け、排ガスは排気口３０から排出する。 （もっと読む）